专利名称：金属－金属电容的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种电容利记博彩app，尤其涉及一种金属-金属电容的利记博彩app。
背景技术：
金属-金属电容的上极板和下极板都为金属，传统的金属-金属电容平铺在层间膜上，占用了大量的层间膜表面积，不利于提高芯片的集成度。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种金属-金属电容的利记博彩app，它可以在占用层间膜表面积保持最小的情况下具有较大的有效接触面积，提高单位面积电容和芯片的集成度。
为解决上述技术问题，本发明所述的一种金属-金属电容的利记博彩app，对于可以用等离子体的方法刻蚀的金属，包括以下步骤第一步，在层间膜上形成平行的金属线；第二步，成长下极板的金属膜，膜厚为1nm-500nm；第三步，成长电容介质，膜厚为1nm-100nm；第四步，成长上极板的金属膜，膜厚为1nm-500nm。
为解决上述技术问题，本发明所述的一种金属-金属电容的利记博彩app，对于不能以等离子体刻蚀的金属，包括以下步骤第一步，在层间膜中刻蚀出沟槽；第二步，成长下极板的金属膜，膜厚为1nm-500nm；第三步，成长电容介质，膜厚为1nm-100nm；第四步，成长上极板的金属膜，膜厚为1nm-500nm；第五步，将金属线填充于槽的空隙中，并将金属打磨至上极板金属膜。
应用本发明的方法以很多平行的金属线代替大面积的金属板作为下极板，再在金属线上成长金属膜，金属膜沿着金属线很贴切地成长，以此增大单位层间膜面积上的电容接触面积。然后再在金属膜上贴切地成长介质膜和作为上极板的金属膜。这样的结构能在占用层间膜表面积保持最小的情况下，具有较大的有效接触面积，有利于提高单位面积电容和芯片的集成度。
图1为本发明可以用等离子体方法刻蚀的金属-金属电容利记博彩app流程图；图2为本发明不可用等离子体方法刻蚀的金属-金属电容利记博彩app流程图。
具体实施例方式
如图1所示，对于可以用等离子体的方法刻蚀的金属(例如铝)，在层间膜上形成了平行的金属线后，以化学气相淀积、物理气相淀积或者电镀的方法成长下极板的金属膜，材料为钛，氮化钛或者氮化钽，膜厚为1nm-500nm，金属膜必须很贴切的沿着金属线成长。以化学气相淀积的方法成长电容介质，材料为氧化硅或者氮化硅，膜厚为1nm-100nm。再成长上极板金属膜，膜厚和材料与下极板相同。上极板，电容介质和下极板总膜厚度不应该妨碍上层的层间膜把金属线间的空隙填充。
如图2所示，对于不能以等离子体刻蚀的金属(例如铜)，先在层间膜中刻蚀出沟槽，然后以化学气相淀积、物理气相淀积或者电镀的方法成长下极板的金属膜，膜厚为1nm-500nm，材料为钛，氮化钛或者氮化钽。然后以化学气相淀积的方法成长电容介质，膜厚为1nm-100nm，材料为氧化硅或者氮化硅。然后再成长上极板金属膜，膜厚和材料与下极板相同。金属线(铜)以化学气相淀积、物理气相淀积或者电镀的方法填充于槽的空隙中，然后以化学机械抛光方法把金属打磨至上极板金属膜。
权利要求
1.一种金属—金属电容的利记博彩app，对于可以用等离子体的方法刻蚀的金属，其特征在于，包括以下步骤第一步，在层间膜上形成平行的金属线作为下极板的骨架；第二步，在金属线上贴切成长金属膜，膜厚为1nm-500nm；第三步，成长电容介质，膜厚为1nm-100nm；第四步，成长上极板的金属膜，膜厚为1nm-500nm。
2.如权利要求1所述的金属—金属电容的利记博彩app，其特征在于其中第二步成长下极板金属膜的方法为化学气相淀积、物理气相淀积或者电镀。
3.如权利要求1所述的金属—金属电容的利记博彩app，其特征在于其中第三步成长电容介质的方法为化学气相淀积。
4.如权利要求1所述的金属—金属电容的利记博彩app，其特征在于其中第四步成长上极板的金属膜的方法为化学气相淀积、物理气相淀积或者电镀。
5.如权利要求1所述的金属—金属电容的利记博彩app，其特征在于上极板，电容介质和下极板总膜厚度不应该妨碍上层的层间膜把金属线间的空隙填充。
6.一种金属—金属电容的利记博彩app，对于不能以等离子体刻蚀的金属，其特征在于，包括以下步骤第一步，在层间膜中刻蚀出平行的沟槽作为下极板的骨架；第二步，在沟槽上贴切成长下极板的金属膜，膜厚为1nm-500nm；第三步，成长电容介质，膜厚为1nm-100nm；第四步，成长上极板的金属膜，膜厚为1nm-500nm；第五步，将金属线填充于槽的空隙中；第六步，将金属打磨至上极板金属膜。
7.如权利要求6所述的金属—金属电容的利记博彩app，其特征在于其中第二步成长下极板的金属膜的方法为化学气相淀积、物理气相淀积或者电镀。
8.如权利要求6所述的金属—金属电容的利记博彩app，其特征在于其中第三步成长电容介质的方法为化学气相淀积。
9.如权利要求6所述的金属—金属电容的利记博彩app，其特征在于其中第四步成长上极板的金属膜的方法为化学气相淀积、物理气相淀积或者电镀。
10.如权利要求6所述的金属—金属电容的利记博彩app，其特征在于其中第五步采用化学气相淀积、物理气相淀积或者电镀方法将金属线填充于槽的空隙中。
11.如权利要求6所述的金属—金属电容的利记博彩app，其特征在于其中第五步中打磨金属的方法为化学机械抛光。
12.如权利要求6所述的金属—金属电容的利记博彩app，其特征在于上极板，电容介质和下极板总膜厚度不应该妨碍上层的层间膜把金属线间的空隙填充。
全文摘要
本发明公开了一种金属－金属电容的利记博彩app，以平行的金属线代替大面积的金属板，在金属线上成长金属膜，以此增大单位层间膜面积上的电容接触面积，能在占用层间膜表面积保持最小的情况下具有较大的有效接触面积，提高芯片的集成度。
文档编号H01G4/33GK1787135SQ200410089230
公开日2006年6月14日 申请日期2004年12月8日 优先权日2004年12月8日
发明者燕健硕 申请人:上海华虹Nec电子有限公司