专利名称：深沟槽型功率mos管静电保护结构制造方法
技术领域：
本发明涉及一种功率MOS晶体管的制造方法，特别是涉及一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构的制造方法。
背景技术：
随着功率MOS器件的发展，人们对器件的性能有更高的要求。其中静电保护结构(Electricity Static Discharge，简称ESD)是很重要的一项。在功率MOS器件中增加ESD，已有方法是在原有制造MOS器件工艺流程中通过增加专门用于形成ESD的光刻工序，然后通过离子注入的方法形成ESD的PN结，从而形成ESD。这样的方法步骤较多，不利于提高性能的同时降低成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种深沟槽型功率MOS管的ESD制造方法，它可以减少工程步骤，降低成本。
为解决上述技术问题，本发明所述的一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，包括以下步骤第一步，在深沟槽型功率MOS的阱形成后，对硅表面进行氧化，形成氧化硅膜；第二步，在形成的氧化硅膜上淀积一层多晶硅膜；第三步，对形成的多晶硅膜进行全面的离子注入；第四步，对多晶硅膜刻蚀，去除静电保护结构区域以外的多晶硅膜；第五步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行光刻；第六步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行注入。
本发明的深沟槽型功率MOS管的ESD制造方法是通过ESD多晶硅淀积，然后再通过离子注入在ESD多晶硅上形成ESD中的PN结中的其中一极，在随后的源注入工序中，在形成源的同时形成ESD中PN结的另一极，从而形成了所需的ESD，不必为形成ESD而进行专门的光刻工序。可以减少工艺步骤，在不增加很多成本的同时有效提高器件的性能。
图为本发明深沟槽型功率MOS管ESD制造方法工艺流程图。
具体实施例方式
在制造深沟槽型功率MOS的阱形成工序结束后，在1000℃的环境下对硅表面进行氧化，形成一层厚度为200nm～800nm的SiO2膜。在形成的SiO2膜上用减压化学气相淀积的方法进行多晶硅膜的成长，形成一层200nm～800nm的多晶硅膜。对该形成的多晶硅膜进行全面的离子注入，对于P型MOS管的ESD多晶硅膜全面注入磷，注入剂量为2E14，能量为40Kev，注入后该ESD多晶硅膜为N型。对于N型MOS管，ESD多晶硅膜全面注入硼，注入后该ESD多晶硅膜为P型。注入后的极性根据器件类型而定。采用干法刻蚀的方法，对ESD多晶硅膜进行刻蚀，以去除ESD区域以外的多晶硅膜。对MOS管的源区进行光刻，同时对ESD区域进行光刻。对MOS管的源区进行注入时，对ESD区域也进行注入，注入硼，注入剂量为5E15，注入能量为40Kev。从而在ESD多晶硅膜上形成ESD所需的PN结结构。
权利要求
1.一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤第一步，在深沟槽型功率MOS的阱形成后，对硅表面进行氧化，形成氧化硅膜；第二步，在形成的氧化硅膜上淀积一层多晶硅膜；第三步，对形成的多晶硅膜进行全面的离子注入；第四步，对多晶硅膜刻蚀，去除静电保护结构区域以外的多晶硅膜；第五步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行光刻；第六步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行注入。
2.根据权利要求1所述的深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其中第一步中氧化硅膜的厚度为200nm～800nm。
3.根据权利要求1所述的深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其中第二步中多晶硅膜的沉积采用化学气相淀积的方法。
4.根据权利要求1所述的深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其中第二步中淀积的多晶硅膜的厚度为200nm～800nm。
5.根据权利要求1所述的深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其中第四步中所述的刻蚀为干法刻蚀。
全文摘要
本发明公开了一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法。首先淀积静电保护结构多晶硅，再形成静电保护结构中的一个PN结，在形成源的同时形成PN结的另一极，从而形成所需的静电保护结构，不必为形成静电保护结构而进行专门的光刻工序。可以减少工艺步骤，降低成本。
文档编号H01L21/3065GK1787193SQ200410089229
公开日2006年6月14日 申请日期2004年12月8日 优先权日2004年12月8日
发明者陈志伟, 居宇涵, 缪进征 申请人:上海华虹Nec电子有限公司