专利名称：多芯片集成的发光二极管框架的利记博彩app
技术领域：
本发明是一种多芯片集成的发光二极管框架，它是一种能够同时将多个发光二极管(LED)芯片贴附封装在其内的LED框架。
背景技术：
近年来，随着电子、通讯产业的发展，发光二极管的使用日益广泛；此外，随着发光二极管发光性能的不断提高，发光二极管还在拓展新的应用领域，如照明领域。
在现有技术之中，有一些针对LED框架的专利，如中国专利01106620.2，99123645.9等，这些专利主要是针对改善单个LED芯片的发光性能或是改善框架的制作工艺而言的。
就目前而言，单个LED芯片的光功率还不足以满足某些应用的需要，因此现在通常的解决方案是将多个已封装好的LED组成阵列的形式来获得大发光功率的光源。然而，这种方法增加了对LED进行阵列设计的额外成本。
此外，LED芯片在发光的同时伴随有一定量的热量，该热是造成LED失效的最主要原因。因此，降低LED产生的热量和提高LED的散热性能是改进LED性能所必需考虑的因素之一，合理的框架设计对于芯片的散热是非常关键的。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种多芯片集成的发光二极管框架，采用这种框架可在一个封装内根据需要同时集成多个LED芯片，从而达到与LED阵列相似的效果。
本发明所采用的技术方案是提供两种结构的多芯片集成的发光二极管框架。
其中，一种结构的多芯片集成的发光二极管框架，其结构是由带有引脚的两个梳状电极组成，它们具有至少两个且数量相同的梳齿，其中一个梳状电极上的每个梳齿用于贴附一个LED芯片的一电极，将LED芯片的另一电极用金线引至与之对应的另一梳状电极的梳齿之上。
另一种结构的多芯片集成的发光二极管框架，其结构是由筒状电极和位于其腔体中心的线状电极组成，它们均有引脚。筒状电极的周围用于贴附若干个发光二极管芯片即LED芯片的一电极，将这些LED芯片的另一电极分别用金线引至线状电极上。
本发明由于在一个封装内根据需要可同时集成多个LED芯片，与现有技术相比，具有体积小、封装成本低，以及能很好地改善LED的散热性能等优点，从而提高LED的发光效率和性能稳定可靠性。
图1是本发明的一种结构的示意图。
图2是本发明的另一种结构的示意图。
图3是图2的俯视图。
具体实施例方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步说明。
本发明是一种多芯片集成的发光二极管框架，其有两种结构。
一.如图1所示的多芯片集成的发光二极管框架其结构是由梳状电极3和4组成，两梳状电极具有至少两个且数量相同的梳齿。序号1、2分别是梳状电极3和4的引脚，其用于连接外接电源。
上述结构的多芯片集成的发光二极管框架，可用于装配LED芯片。具体是其中一个梳状电极(例如梳状电极4)上的每个梳齿用于贴附一个LED芯片5的一电极，将LED芯片5的另一电极用金线6引至与之对应的另一梳状电极即梳状电极3的梳齿之上。
二.如图2所示的多芯片集成的发光二极管框架其结构是由筒状电极7和位于其腔体中心的线状电极8组成，它们均设有连接外接电源的引脚(未画图)。
上述结构的多芯片集成的发光二极管框架，可用于装配LED芯片。具体是筒状电极7的周围用于贴附若干个发光二极管芯片即LED芯片10的一电极，将这些LED芯片10的另一电极分别用金线11引至线状电极8上。由于LED芯片直接贴附在导热性能良好的筒状电极之上，这使得LED芯片的散热效果大大增强。在筒状电极7和线状电极8之间可用绝缘材料9进行隔离。
在进行LED芯片的贴附时，可采用导电银胶进行贴附。整个框架可采用传统封装方法进行封装。
上述两种结构的多芯片集成的发光二极管框架均可根据实际需要贴附一个以上的LED芯片，从而具有前述的优点。
权利要求
1.一种多芯片集成的发光二极管框架，设有梳状电极，其特征在于所述的发光二极管框架由带有引脚的梳状电极(3)和(4)组成，两梳状电极具有至少两个且数量相同的梳齿，其中一个梳状电极上的每个梳齿用于贴附一个LED芯片(5)的一电极，另一梳状电极则可通过金线(6)将LED芯片(5)的另一电极与其连通。
2.一种多芯片集成的发光二极管框架，其特征在于由用绝缘材料(9)隔离的筒状电极(7)和位于其腔体中心的线状电极(8)组成，它们均有引脚；筒状电极(7)的周围用于贴附若干个发光二极管芯片即LED芯片(10)的一电极，这些LED芯片(10)的另一电极分别用金线(11)引至线状电极(8)上。
全文摘要
本发明是一种多芯片集成的发光二极管框架，具有两种框架构造，一种是采用梳状电极，另外一种是采用筒状电极。在这两种框架之上均可集成多个发光二极管芯片，提高单个封装发光二极管的发光强度，同时改善发光二极管的散热性能。
文档编号H01L33/00GK1588641SQ200410060709
公开日2005年3月2日 申请日期2004年8月11日 优先权日2004年8月11日
发明者刘德明, 刘陈, 黄黎蓉 申请人:华中科技大学