用于mems应用的低温等离子体硅或硅锗的利记博彩app

专利名称：用于mems应用的低温等离子体硅或硅锗的利记博彩app
技术领域：
本发明一般涉及到MEMS器件，更确切地说是涉及到用来从硅或硅锗合金制作MEMS器件的低温方法。
背景技术：
微加工和其它微制造技术和工艺的进展已经使得能够制造各种各样的微电动机械系统(MEMS)和器件。它们包括移动转子、致动器、开关、加速度计、小型化传感器、致动系统、以及其它的这种结构。
微制造的一种重要的应用是制造RF MEMS开关。这种器件具有一些超越其固态对手的优点。例如，与固态开关相比，RF MEMS开关提供了更低的插入损耗、更高的隔离、更好的线性、以及更低的功率。RF MEMS器件在各种应用中也是有用的。于是，它们能够被用作可调谐的前置选择器和频率合成器，并可用作各种通信装置和系统中的组成部分，包括信号路由装置、阻抗匹配网络、以及可调增益放大器。
图1和图2(后者是图1的侧视图)示出了常规的RF MEMS开关10。此开关包括悬臂20，此悬臂20通常包含绝缘材料并被锚定结构14固定到衬底12。利用淀积建立或通过选择性清除或腐蚀掉周围的材料，锚定结构可以被形成为衬底上的台面。通常接地的底部电极16和信号线18也被形成在衬底上。底部电极和信号线通常包含诸如金之类的不容易被氧化的条形金属。在信号线与底部电极之间存在间隙。
开关的致动部分包含上述的悬臂20。此悬臂构成了一个悬挂的微梁，此微梁在一端被固定到锚定结构的顶部，且延伸在排列于衬底上的底部电极和信号线上方。通常也包含诸如金之类的不容易被氧化的金属的电接触22，被形成在远离锚定结构的悬臂端部上。此电接触被置于悬臂的下侧，以便在信号线上方面对衬底的顶部。
通常包含诸如铝或金之类的金属的顶部电极24，被形成在悬臂的顶部。顶部电极在锚定结构上开始，并沿悬臂顶部延伸到底部电极上方位置处的末端。悬臂和顶部电极在底部电极上方被加宽(本身被加宽)，以便形成电容器结构26。此电容器结构配备有孔网格以降低其质量。
在运行中，如图2所示，此开关正常处于“关断”位置。以开关处于关断状态，由于电接触与信号线之间的间隙，故信号线开路。借助于将电压施加到顶部电极，此开关被驱动到“开通”位置。利用顶部电极上的电压，静电力将电容器结构(以及悬臂)向底部电极吸引。箭头11所示悬臂向底部电极的动作使电接触向信号线运动，从而封闭间隙并使信号线处于开通状态(亦即接通电路)。在图1和2所示类型的器件中遇到的一个问题涉及到用于器件某些组成部分的材料之间热膨胀系数(CTE)的失配。特别是在RF MEMS开关的情况下，热失配典型地存在于顶部电极(如上所述典型地由诸如金的金属组成)与悬臂(通常由诸如氮氧化硅(SiON)组成)之间。结果，在元件脱离束缚之后出现的热循环过程中以及在封装工艺过程中，开关的可运动部分就倾向于永久地被变形，于是导致开关工作特性发生改变，并在许多情况下导致开关失效。
各种其它的材料已经被用于MEMS制造工艺，其中有些材料的CTE与SiON的CTE更紧密地匹配。但许多这些材料在RF MEMS开关顶部电极中的使用，已经被伴随常规制造方法的工艺考虑排除。于是，例如硅和硅/锗合金已经被用作采用LPCVD的MEMS工艺中的结构元件，并具有许多可取的性质。但典型RF MEMS开关的最高工艺温度被限制在大约350℃(主要是由于存在典型地由聚酰亚胺或相似的热敏感材料组成的牺牲层)，此温度比硅或硅锗合金在LPCVD或外延工艺中所要求的大约550℃的淀积温度低许多。
工艺温度的考虑已经同样排除了在其它MEMS应用中使用诸如硅和硅锗之类的材料，尽管这些材料具有所希望的物理和电学性质。这些应用包括例如诸如传感器和致动器之类的与CMOS(互补金属氧化物半导体)结构集成MEMS的制造。CMOS结构由于其低功耗以及关断状态下电流的最小化而成为实现数字功能的非常有效的器件结构。利用CMOS兼容的微加工，微结构和支持电路能够共存于同一个衬底上，从而能够在集成工艺中被制造。
但为了确保恰当地集成到CMOS工艺中以及各代CMOS之间的良好可移植性，最好将MEMS制造集成到CMOS工艺的后端中。这要求在已经淀积互连金属之后形成MEMS结构。但互连金属在衬底上的存在要求衬底不被暴露于超过450℃的温度；这些温度仍然比硅或硅锗合金在LPCVD或外延工艺中所要求的大约550℃的淀积温度低许多。因而排除了这些材料在CMOS器件后端工艺中的使用。虽然在某些工艺流程中有可能借助于将MEMS制造集成到CMOS工艺的开始阶段或中间阶段中而防止这一问题，但其不可取之处在于限制了各代CMOS之间的工艺可移植性。
于是，在本技术领域中，对于用来由硅或硅锗合金制作MEMS器件或其组成部分的低温方法就存在着需求。在本技术领域中，对于能够被集成到CMOS工艺后端以及能够被用来制造传感器和致动器的基于这些材料而制造MEMS结构或组成部分的方法，也存在着需求。在本技术领域中，还对于顶部电极与悬臂的CTE紧密匹配的RFMEMS及其利记博彩app，存在着需求。利用此处公开的器件和方法，这些和其它的需求得到了满足。

发明内容
在一种情况下，此处提供了一种用来制作MEMS器件的方法。根据此方法，提供了衬底，并通过选自硅和硅锗合金的材料的等离子体辅助化学气相淀积(PACVD)而在衬底上产生了MEMS结构或其组成部分。伴随PACVD的低温使得这些材料能够被用于其使用先前可能已经被加工考虑排除了的制造工艺，还使得这些材料能够被原位掺杂。根据此方法，PACVD可以被用来在各种衬底上以及在各种应用中制造MEMS结构(或其组成部分)。于是，例如PACVD可以被用来在CMOS衬底上制造MEMS结构(在此情况下，MEMS结构可以是例如传感器或致动器)。PACVD也可以被用来在RF MEMS制造工艺中制造MEMS结构或组成部分(包括例如电极和结构元件)。
在另一情况下，提供了一种用来制作MEMS结构的方法。根据此方法，提供了其上淀积有互连金属的CMOS衬底。此互连金属可以包含例如金或铝。通过选自硅和硅锗合金的材料的等离子体辅助化学气相淀积而在衬底上产生了MEMS结构或其组成部分。此等离子体辅助化学气相淀积典型地发生在低于大约450℃的温度下，优选是低于大约400℃，更优选是低于大约350℃，低于大约300℃甚至更优选，且最优选是低于大约250℃。若有需要，可以在其淀积时对材料进行掺杂。
在另一情况下，此处提供了一种用来制造微电动机械传感器和致动器的方法。根据此方法，提供了一种其上至少具有第一表面区和其上至少具有第二表面区的CMOS衬底，第一表面区包含选自硅、玻璃、以及砷化镓的第一材料，第二表面区包含选自氧化硅和聚酰亚胺的第二材料。第三材料层被形成在延伸于至少部分第一和第二区上方的衬底上，其中，第三材料选自硅和硅锗合金，且其中，第三材料层通过等离子体辅助化学气相淀积工艺在低于大约450℃的温度下被形成，更优选是低于大约350℃，低于大约300℃甚至更优选，且最优选是低于大约250℃。至少部分第二材料被从第三材料层下方清除，以便形成包含第三材料的微机械偏转元件。
在另一情况下，此处提供了一种用来制造RF MEMS开关的方法。根据此方法，提供了一种其上确定有信号线或其它电路的衬底来支持RF MEMS开关。牺牲层被涂敷到至少部分衬底。然后在牺牲层上形成RF MEMS开关的结构元件，并利用等离子体辅助化学气相淀积工艺在结构元件上形成顶部电极。顶部电极在典型地低于大约400℃的温度下被形成，更优选是低于大约350℃，低于大约300℃甚至更优选，且最优选是低于大约250℃。顶部电极包含选自硅和硅锗合金的材料。然后，至少部分牺牲层被从结构元件下方清除，以便此元件脱离束缚。
在另一情况下，提供了一种具有电极的RF MEMS开关，此电极包含选自硅和硅锗合金的材料。此开关优选包含悬臂，且电极优选被排列在悬臂的顶部上。第二电极优选被排列在悬臂下方。
在另一情况下，公开了可以用上述方法制作的器件。
下面更详细地描述了这些和其它的情况。


图1是现有技术RF MEMS的俯视图；图2是现有技术RF MEMS的侧视图；图3是适用于实施此处所述方法的PACVD反应器；图4-15是根据此处所述用来制作RF MEMS的一种可能方法的剖面图；图16是二种不同功率设定下的硅PACVD的淀积速率与温度的函数关系曲线；图17是硅PACVD的淀积速率与压力的函数关系曲线；而图18是对于具有金和硅电极的MEMS的梁偏移与外加电压的函数关系曲线。
具体实施例方式
化学气相淀积(CVD)已经被广泛地用于本技术领域来从气态前体产生膜、涂层、以及结构。目前知道了一些不同类型的CVD，例如包括低压化学气相淀积(LPCVD)。
新近已经发展的很好的一种CVD是等离子体辅助化学气相淀积(PACVD)，也称为等离子体增强化学气相淀积(PECVD)。在PACVD中，在产生涂层材料的前体中诱发反应的能量来自等离子体的离子和电子与前体的碰撞。等离子体本身通过使用微波或电场而被典型地产生。由于PACVD不依赖于前体中热诱发的反应，故衬底在PACVD工艺中经受的温度常常低于衬底在诸如LPCVD或外延之类的其它常用的淀积工艺中所经受的淀积温度。
已经发现，PACVD能够被成功地由于硅或硅/锗合金的MEMS制造工艺来显著地降低衬底在此工艺中经受的温度。特别是与硅和硅/锗材料在基于LPCVD或外延的MEMS制造工艺中所典型地要求的大约550℃相比，PACVD可以被用来在200-300℃的温度下淀积硅和硅/锗。这使得能够得到基于硅和硅/锗合金的由于温度限制而与常规制造方法(例如LPCVD或外延工艺)不兼容的待要形成在各种衬底上的MEMS器件及其组成部分(包括锚定部分、微梁、悬臂、以及其它MEMS结构和组成部分)。于是，例如PACVD可以被用来形成RF MEMS开关上的电极(包括顶部电极)。PACVD还可以被用来在CMOS衬底上形成加速度计、压力传感器、以及这些器件的组成部分，其中所提供的低温允许其被用于集成工艺的后端。
图3示出了适用于根据此处论述的MEMS结构和组成部分的制造的PACVD反应器。如所示，反应器31由其中可以安装衬底35的反应工作室33组成。反应工作室被泵37保持在接近真空的状态。通过使用衬底加热器39，衬底可以在反应工作室内被保持在适当的淀积温度下。利用热偶41来监测衬底的温度。在此处所述的应用中，衬底典型地被保持在低于大约450℃的温度下，更优选是低于大约350℃，低于大约300℃甚至更优选，且最优选是低于大约250℃。
PACVD反应器依赖于前体气体的分解来得到材料在衬底上的淀积。例如，硅烷(SiH4)可以被用作硅淀积中的前体气体。前体气体被馈送到与反应工作室连通的气体容器43。用气体管道45来调节加入到气体容器的前体气体的流量。随着前体气体流入到反应工作室中，它们与RF电极47产生的等离子体发生反应并经历分解反应，从而产生淀积到衬底表面上成为膜的硅和其它固体反应副产品。
除了所提供的低的淀积温度之外，在MEMS制造方面，PACVD提供的超越其它淀积方法的另一显著优点在于能够进行原位掺杂，亦即可以在淀积时对材料进行掺杂。借助于将能够在反应工作室中经历分解反应而产生适当掺杂剂的适当气体组合到PACVD的供气流中，可以实现这一点。于是，例如磷烷(PH3)可以被引入到希望n掺杂的供气流中，而硼烷(B2H6)可以被引入到希望p掺杂的供气流中。这些气体经历分解以分别产生元素磷和硼，然后被组合到正在形成的层中。与此形成对照，常规的方法常常要求在已经形成了层或结构之后对层或结构进行掺杂。这种淀积后掺杂能够损伤衬底，还可能导致不希望有的掺杂梯度。
一旦掺杂剂被组合到结构材料中，就可以用各种方法对其进行激活。PACVD工艺过程本身会发生某种程度的掺杂激活。但可以用各种其它的方法来获得完全的激活。由于激光退火能够无须将衬底暴露于高温而得到掺杂剂完全的激活，故激光退火是一种特别可取的方法。
图4-15示出了借以能够制作根据此处所述的RF MEMS的一种可能的制造顺序。虽然用此工艺制作的结构在设计方面不同于图1和2所示的现有技术结构，但可以理解的是，同一种一般的方法也可以被用来生产相似与图1和2所示的结构，但其中的顶部金属电极被硅电极代替了。
如图4所示，提供了衬底51，它可以包含诸如高阻硅、氧化硅、或砷化镓之类的材料。用例如热氧化方法，典型地约为0.8微米的二氧化硅层53被淀积在衬底上。然后，如图5所示，借助于在二氧化硅层上形成第一光掩模(未示出)，随之以蒸发和剥离，用来支持RFMEMS开关的金属化(例如为了信号输入/输出和/或接地的目的)被确定在二氧化硅层上。然后如图6所示，形成聚酰亚胺隔距垫57。
接着，用PACVD方法，在聚酰亚胺层上形成第一SiON腐蚀掩模59，随之以形成用来确定结构中的凹陷的第二光掩模(未示出)。然后，接触凹陷61和接触端口63被部分地腐蚀穿过牺牲材料进入到结构中，随之以清除凹陷掩模，从而产生图7所示的结构。
如图8所示，用PACVD方法，第二SiON腐蚀掩模65被形成在第一SiON腐蚀掩模上。第三光掩模(未示出)被形成在结构上，且借助于完全腐蚀穿过层57，适当的腐蚀技术被用来在结构中确定锚定通道凹陷67。然后，如图9所示，从结构清除第一和第二SiON掩模。
如图10所示，通过形成第四光掩模(未示出)随之以蒸发和剥离，止动杆69和短路杆71被形成在先前确定在结构中的接触凹陷和接触端口凹陷中。然后，如图11所示，用PACVD方法，由低应力的SiON形成导致器件悬臂部分73的部分或层。然后，如图12所示，借助于形成第五光掩模(未示出)，随之以蒸发和剥离，而在悬臂上形成可以包含例如硅或硅/锗合金的图形化的顶部电极75。此处用PACVD来形成顶部电极是有优点的，这不仅由于其提供的低温，而且由于硅或硅/锗合金可以被有利地原位掺杂。
如图13所示，通过使用第六光掩模(未示出)或选择性腐蚀，随之以腐蚀，一些腐蚀孔77被形成在SiON层中。窗口79以相似的方式被确定在锚定通道凹陷中，从而暴露下方的金属化。
如图14所示，借助于形成第七光掩模(未示出)，随之以蒸发和剥离，锚定衬垫81被形成在锚定通道凹陷中。得到的锚定衬垫形成了顶部电极75与键合焊点55之间的电连接。如图15所示，利用聚酰亚胺层57的化学清除，最终结构83脱离了束缚。
根据此处所述用来产生硅或硅/锗膜的PACVD工艺的参数可以被控制，以便修正得到的膜的结晶性。例如，脉冲气体技术可以被用来产生用于RF MEMS和各种其它MEMS器件的纳米结晶的PACVD硅膜。这种纳米结晶膜在原位掺杂以产生电阻率较低的膜的某些工艺中可以是特别有优点的。
参照下列非限制性实施例，可以进一步理解此处所述的器件和方法。
实施例1-42这些实施例示出了用PACVD来得到硅在衬底上的低温淀积。
一系列硅晶片衬底被置于Novellus Concept One等离子体增强化学气相淀积系统(可在市场上从加州San Jose的Novellus Systems公司得到)的反应工作室中。此系统配备有用来提供作为前体的硅烷和作为载气的氦气的稳定气流的真空泵和气体入口。此系统还配备有温度控制机构来保持反应工作室中的稳定温度以及功率输出可调节的微波源。表1示出了各个实验的前体和载气的流速、微波源的功率、以及反应工作室的温度和压力。
表1等离子体硅淀积数据

表1(续)等离子体硅淀积数据

表1(续)等离子体硅淀积数据

如从表1所示数据可见，有可能在不超过350℃的温度范围(RFMEMS开关的最大温度范围)内改变淀积工艺的参数来得到从大约每分钟160埃变化到大约每分钟1000埃的淀积速率。淀积的硅的层厚度从大约700埃变化到大于大约3500埃，且形成的各个层具有低的残留应力。对于商业性MEMS的制造工艺，这些淀积速率和层厚度是足够的。
就温度、压力、以及RF功率对淀积速率的影响而言，在表1的数据中还可看到一些倾向。为了更好地说明这些倾向，在图16-17中图示了从表1选择的一些数据点。于是，图16示出了淀积速率与温度的函数关系(在2乇的压力下)，且包括RF功率为200W和400W下的数据点。如图16所示，可见RF功率对淀积速率有显著的影响，在给定的温度下，较高的功率导致较高的淀积速率。对于给定的RF功率，可见温度对淀积速率有明显的影响，但影响稍小。
图17是在350℃的温度下淀积速率与反应工作室中压力的函数关系曲线。如在此曲线中可见，在测试范围内，淀积速率随压力线性地变化。
再次参照表1的数据，淀积层中Si-H键的有效容积暗示，PACVD之用于采用硅烷作为前体的硅淀积，导致了非晶氢化硅的形成。由于纯非晶硅的缺陷密度比非晶氢化硅的高，且这些缺陷具有的作用在于使捕获的电荷载流子能够容易地复合，故非晶氢化硅的材料性质明显地好于纯非晶硅的材料性质。因此，在MEMS制造中使用PACVD看来具有超越来自工艺提供的低温的好处。
这些结果表明，PACVD能够被用来在MEMS制造工艺中以商业上可行的速率和层厚度而淀积硅。而且，衬底在此工艺中经受的温度低得足以使其能够在包括后端阶段的常规CMOS工艺的任何阶段被用于RF MEMS开关的制造或MEMS结构的制造。而且，就其电学性质而言，用PACVD工艺淀积的硅的物理性质优越于用一些其它方法产生的硅层。
比较实施例1
此实施例示出了用固体金顶部电极制作的开关的热学性质。
除了顶部电极是固体金且厚度为0.2微米之外，制造了根据图4-15所示一般方法制作的图15所述类型的开关。测定了金电极的模量和热膨胀系数(在60-80℃的温度范围内)，结果示于表2中。
实施例43-45下列实施例示出了用PACVD方法制作的RF MEMS的热稳定性。
在实施例43中，除了用厚度为0.3微米的不掺杂硅电极代替金电极之外，如比较实施例1那样制作了开关。再次测定了电极的模量和热膨胀系数，结果示于表2中。
在实施例44中，除了用硼掺杂的厚度为0.3微米的硅电极代替金电极之外，如比较实施例1那样制作了开关。再次测定了电极的模量和热膨胀系数，结果示于表2中。
在实施例45中，除了用磷掺杂的厚度为0.3微米的硅电极代替金电极之外，如比较实施例1那样制作了开关。再次测定了电极的模量和热膨胀系数，结果示于表2中。
表2开关的顶部电极的物理性质

如表2数据所示，实施例43-45的开关上的上电极的热膨胀系数远远低于金电极的热膨胀系数，从而与比较实施例1的开关相比，实施例43-45的开关显现出改进了的热稳定性。实施例43-45的开关上的上电极还具有更高的模量，因而与比较实施例1的开关的电极相比，还具有稍许更低的灵敏度。但对于大多数应用来说，这些参数(模量和灵敏度)是在可接受的范围内，没有试图去优化这些结果。
图18示出了当硅取代图12所示类型的开关中的金时对致动电压的影响。对比较实施例1和实施例43的开关的梁偏移与外加电压的函数关系进行了测量。如其中所示，比较实施例1的开关的致动电压(亦即信号线与相邻电接触彼此发生电接触所要求的电压)约为46-48V，从而与实施例43的开关的50-55V相比显现出能够基于硅而制作具有可接受的致动电压的开关。激励电压的少许增大至少可部分归咎于实施例43的硅电极与比较实施例1的金基电极相比，具有较高的硅模量和较大的厚度。
此处，与能够被集成到CMOS工艺后端中且能够被用来制造传感器和致动器的制造基于硅或硅/锗合金的MEMS结构的方法一起，提供了一种从这些材料制作MEMS器件的低温方法。已经提供了一种RF MEMS器件及其利记博彩app，其中，顶部电极和悬臂的CTE紧密匹配，致使此器件显现出比现有技术器件明显改进了的热稳定性。
本发明的上述描述是说明性而非限制性的。可以理解的是，可以对上述各个实施方案进行各种增减和修正而不偏离本发明的范围。因此，应该参照所附权利要求来解释本发明的范围。
权利要求
1.一种用来制作MEMS结构的方法，它包含下列步骤提供其上淀积有互连金属的CMOS衬底；以及通过选自硅和硅锗合金的材料的等离子体辅助化学气相淀积而在衬底上产生MEMS结构。
2.权利要求1的方法，其中，所述MEMS结构是传感器。
3.权利要求1的方法，其中，所述MEMS结构是致动器。
4.权利要求1的方法，其中，所述互连金属包含金。
5.权利要求1的方法，其中，所述材料在淀积时被掺杂。
6.权利要求1的方法，其中，所述材料在低于大约450℃的温度下被淀积。
7.权利要求1的方法，其中，所述材料在低于大约350℃的温度下被淀积。
8.权利要求1的方法，其中，所述材料在低于大约300℃的温度下被淀积。
9.权利要求1的方法，其中，所述材料在低于大约250℃的温度下被淀积。
10.权利要求1的方法，其中，所述材料包含非晶氢化硅。
11.一种用来制造微电动机械偏转元件的方法，它包含下列步骤提供其上至少具有第一表面区和其上至少具有第二表面区的CMOS衬底，第一表面区包含选自硅、氧化硅、以及砷化镓的第一材料，第二表面区包含选自氧化硅和聚酰亚胺的第二材料；形成延伸于至少部分第一和第二区上方的第三材料层，其中，第三材料选自硅和硅锗合金，并且其中，第三材料层通过等离子体辅助化学气相淀积工艺在低于大约450℃的温度下被形成；以及从第三材料层下方清除至少部分第二材料，以便形成包含第三材料的微机械偏转元件。
12.权利要求11的方法，其中，所述第三材料层在低于大约400℃的温度下被形成。
13.权利要求11的方法，其中，所述第三材料层在低于大约350℃的温度下被形成。
14.权利要求11的方法，其中，所述第三材料层在低于大约300℃的温度下被形成。
15.权利要求11的方法，其中，所述第三材料层在低于大约250℃的温度下被形成。
16.权利要求11的方法，其中，所述第三材料包含硅。
17.权利要求11的方法，其中，所述第三材料包含锗。
18.权利要求11的方法，其中，所述第三材料在形成时被掺杂。
19.权利要求18的方法，其中，用来对第三层进行掺杂的掺杂剂是硼或磷。
20.权利要求11的方法，其中，所述微机械偏转元件是传感器的组成部分。
21.权利要求11的方法，其中，所述微机械偏转元件是致动器的组成部分。
22.权利要求11的方法，其中，所述第三材料包含非晶氢化硅。
23.一种用来制造RF MEMS开关的方法，它包含下列步骤提供衬底，此衬底上确定有用来支持RF MEMS开关的电路；将牺牲层涂敷到至少部分衬底；形成延伸在至少部分牺牲层上方的RF MEMS开关的结构元件；利用等离子体辅助化学气相淀积工艺，在结构元件表面上形成电极，此电极包含选自硅和硅锗合金的材料；以及从结构元件下方清除至少部分牺牲层，以便结构元件脱离束缚。
24.权利要求23的方法，其中，借助于在牺牲层上淀积和图形化SiON层而形成结构元件。
25.权利要求23的方法，其中，所述牺牲层包含聚酰亚胺。
26.权利要求23的方法，其中，所述电路包含金。
27.权利要求23的方法，其中，所述结构元件在低于大约350℃的温度下被形成。
28.权利要求23的方法，其中，所述结构元件在低于大约300℃的温度下被形成。
29.权利要求23的方法，其中，所述结构元件在低于大约250℃的温度下被形成。
30.权利要求23的方法，其中，所述材料包含非晶氢化硅。
全文摘要
提供了一种用来制作MEMS结构(69)的方法。根据此方法，提供了其上淀积有互连金属(53)的CMOS衬底(51)。通过选自硅和硅锗合金的材料的等离子体辅助化学气相淀积(PACVD)，在衬底上产生了MEMS结构。伴随PACVD使用的低的淀积温度使得这些材料能够在集成CMOS工艺的后端被用于制造MEMS。
文档编号H01H49/00GK1675126SQ03818563
公开日2005年9月28日 申请日期2003年5月13日 优先权日2002年8月1日
发明者朱尔根·A.·弗斯特纳, 斯蒂文·M.·史密斯, 雷蒙德·M.·鲁普 申请人:飞思卡尔半导体公司