专利名称：用于成像探测器的半导体结构的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及半导体器件，特别但非排他地涉及在成像系统中使用的光电探测器。
背景技术：
光电探测器在用于医学、安全、和工业应用的成像系统中使用。光电探测器的一个特别的医学应用是在计算机断层(computedtomography，简称CT，又称计算断层照相法)系统中。
在典型的CT系统中，具有扇形X射线束的X射线源和二维辐射探测器装配在称为托台的机械支承结构上。在使用中，托台绕待成像的对象转动，以从相对于对象不断改变的角度收集X射线衰减数据。托台转动平面称为成像平面，且在CT系统中将其典型地定义为坐标系统的x-y平面。此外，托台(或更典型地，对象)沿系统的z轴缓慢移动，为需要的对象长度收集x射线衰减数据。目前的CT系统的实例在美国专利第6,144,718号和第6,173,031号中进行了讨论。
现有CT系统的当前状态的辐射探测器包括稀土金属闪烁器的二维阵列和相应的硅光电二极管的二维阵列。闪烁器晶体和光电二极管都制造成二维阵列，然后在探测器制造期间彼此光耦合。
现有探测器阵列的典型状态在图1中示出。典型的探测器包括由单独的探测器元件构成的16行16列阵列，即共为256个元件。列在z方向上组织起来。探测器的结构在本领域中是众所周知的。探测器阵列在图1中总体用参考标号2表示。z方向或z轴也在图1中示出。行中的元件位于成像平面上，并产生称为“切片”的数据组。在医学CT机中，例如，当在体轴和机器z轴的方向上看时，每个切片图像相应于人体薄片的二维X射线图像。
在CT成像系统中，成像平面中的探测器的尺寸通过彼此邻近放置单独的探测器阵列(例如图1中所示阵列)得以增加，由此增加了成像平面中的探测器的尺寸。图1的探测器的边缘4可与相应的探测器阵列的相应边缘并排放置，由此可建立(build up)较大的区域。
CT工业中的主要趋势是构造具有更多探测器元件的CT机，以收集用于每个托台转动的更多的X射线衰减数据，从而加速测量，提高测量精度，和减少医学应用中的病人辐射剂量。探测器元件数量的增加类似地可在其它成像应用中具有优点，并不限于医学或CT应用。
在目前的CT探测器结构中，在提供更多的探测器元件中主要的限制因素是需要从探测器阵列的各个光电探测器读出电信号。在目前的技术中，通过在活动的光电探测器元件之间在光电探测器芯片顶部上制造非常窄的金属线(典型地为5至20μm)，便于读出这些信号。单条金属线将一个光电探测器的信号在z方向上传送到光电探测器芯片的边缘，传送到为了将来自光电探测器的信号通过引线接合连接到放置在光电探测器芯片之下的衬底或到多路复用或信号处理ASIC芯片目的而特别保留的区域。如果使用这种方法，则对可制造的光电探测器阵列的尺寸有物理限制。限制在芯片边缘的光电探测器的数量，并且这限制了可被连接的光电探测器元件的数量。探测器尤其不能在z方向上变得较大。
这通过图1示出。光电探测器阵列2具有在z方向上的阵列任一侧上的区域6和8，此区域提供了到相应的电线组10和12的连接。在信号连接到电线10和12之前，来自光电探测器阵列的信号可在位于区域6和8的集成电子芯片或ASIC中被多路复用或处理。由于需要容纳物理导线及其连接，所以阵列中的光电探测器数量受到限制。具体而言，不可能在z方向上添加更多的光电探测器。物理导线10和12防止光电探测器阵列在z方向上扩展，以便不能在z方向上添加另外的光电探测器阵列。也就是说，尽管光电探测器可在图1中的水平方向上并排连接在一起，但是它们不能在垂直方向上从上到下连接。这是因为需要在顶部和底部连接导线10和12。
可能在z方向上扩展的光电探测器称为“可平铺(tileable)”探测器。为了提供可平铺探测器，有必要进行到每个光电探测器的电连接，而无需将光电探测器用导线连接到光电探测器芯片边缘。如果上述可以实现，则不限制光电探测器阵列和光电探测器元件的数量的增大。
对于获得可平铺探测器的问题，一个解决方法在美国专利第6,396,898号中提出。
本发明的实施例的目的在于解决上述问题中的一个或多个，并提供改进的光电探测器阵列。
发明内容
根据本发明，提供了一种包括半导体器件的衬底，该衬底的一个表面上具有有源区，其中从衬底的一个表面到衬底的另一表面设置有导电通孔，用于将有源区连接到衬底的另一表面。
导电通孔优选与衬底电绝缘。导电通孔可包括多晶硅。多晶硅可在通孔的内壁上形成。在导电通孔内从衬底一侧到另一侧可设置有另一导电元件。在导电通孔内可设置有填充材料。可设置另一连接在器件的有源区和导电通孔之间的导电元件。
在连接到导电通孔的衬底的另一侧上可设置另一导电元件。所述位于衬底另一侧上的另一导电元件优选用于进行到导电通孔的离片(off-chip)连接。该半导体器件优选是光电二极管。该器件的一个表面上的有源区优选是阳极。该半导体器件可包括位于衬底另一侧上的另一有源区。位于衬底另一侧上的该有源区优选是阴极。
可设置多个半导体器件和多个导电通孔，这些导电通孔用于将衬底的一个表面上的半导体器件的有源区连接到衬底的另一表面。多个半导体器件可形成为阵列。可为每个半导体器件设置导电通孔。每个半导体器件的有源区可设置在衬底的相同侧上。
该半导体器件可以是光电二极管。该半导体器件可以是医学成像系统的光电二极管。该医学成像系统可以是计算机控制x轴向断层扫描系统。
本发明进一步提供了包括多个光电探测器子阵列的光电探测器阵列，每个子阵列的光电探测器在衬底上形成，且每个光电探测器的有源区在衬底的表面上形成，还为每个光电探测器形成穿过衬底从其上表面到其下表面的导电通孔，该导电通孔用于将每个光电探测器的有源区连接到衬底下表面，其中多个所述光电探测器的子阵列彼此靠近放置成矩阵，以形成光电探测器阵列。该矩阵可在两个方向上延伸。
本发明还进一步提供了成像系统，该成像系统包括包括如上定义的光电探测器阵列的辐射探测器、朝向辐射探测器的辐射发生器、以及用于控制辐射探测器和辐射发生器的装置。
该辐射发生器可以是X射线发生器。该辐射探测器和辐射发生器可以径向安装在圆柱形扫描结构中。用于控制的装置可以包括计算机系统。
本发明还进一步提供了制造半导体器件的方法，包括在衬底的一个表面上设置半导体器件的有源区；形成通过半导体器件从衬底的一个表面到衬底的另一表面的导电通孔；以及将有源区连接到导电通孔，以使有源区连接到衬底的另一表面。
该方法可进一步包括使导电通孔与衬底电绝缘的步骤。该导电通孔可包括多晶硅。该方法可进一步包括在通孔内壁设置多晶硅的步骤。该方法还可包括在导电通孔内形成从衬底一侧到另一侧的另一导电元件的步骤。该方法还可包括在导电通孔内设置填充材料的步骤。
该方法可进一步包括设置另一连接在器件的有源区和导电通孔之间的导电元件的步骤。该方法可进一步包括在连接到导电通孔的衬底的另一侧上设置另一导电元件的步骤。该另一导电元件可以是接触垫(contact pad)。位于衬底另一侧上的另一导电元件可以设置为用于进行到导电通孔的离片连接。
该半导体器件可以是光电二极管。位于器件的一个表面上的有源区可以是阳极。该方法可进一步包括在衬底的另一侧上设置另一有源区的步骤。位于衬底另一侧上的有源区可以是阴极。
该方法可进一步包括设置多个半导体器件和多个导电通孔的步骤，这些导电通孔用于使衬底的一个表面上的半导体器件的有源区连接到衬底的另一表面。多个半导体器件可形成为阵列。可为每个半导体器件形成导电通孔。每个半导体器件的有源区可在衬底的相同侧上形成。该半导体器件可以是光电二极管。该半导体器件可以是医学成像系统的光电二极管。该医学成像系统可以是计算机断层系统。
本发明还提供了在衬底上形成的半导体器件阵列，其中每个器件都具有位于衬底表面上的有源区，至少一个有源区通过导电通孔导电连接到衬底的另一表面。该导电通孔优选邻近有源区。所有器件优选都具有导电通孔。
为了更好地理解本发明，并说明如何实施本发明，现在将借助于实例参看附图，在附图中图1示出根据一个已知结构的光电探测器阵列的基本结构；图2至15示出根据本发明的优选实施例的制造光电探测器阵列的主要步骤；图16示出根据图2至15的工艺步骤制造的光电探测器阵列的平面图；图17示出根据本发明的有利实施方式的大光电探测器阵列的结构；以及图18示出CT成像系统或CT机，其中本发明可有利地整合在一个实施例中。
具体实施例方式
以下将参看一组特定的实施例描述本发明。然而，本发明不限于这样的实施例。
在此描述的本发明参考用于CT医学成像系统的光电探测器阵列的例子。
应当指出，尽管参考
了本发明，但是这些图不是按比例制图的，相反，而是为了更好地示出本发明的各种特性画出的。
参看图2至17，示出根据本发明的优选实施例的制造用于CT成像系统的光电探测器阵列的选定步骤。穿过典型器件衬底的截面用于解释本发明。仅示出与理解本发明相关的那些步骤。其它步骤对于本领域的技术人员是熟知的。
参看图2，示出其中形成光电探测器元件的n型半导体衬底30的截面。p+型阱32在形成光电二极管的有源区(active area)的衬底的上表面中形成。有源区32限定了光电二极管的阳极。另外的p+型阱34表示用于阳极有源区的保护环。二氧化硅薄层36覆盖p+型阱32和34的表面。场氧化(field oxide，FOX)层38覆盖衬底的上表面的其余部分。n+插入层40在衬底的下表面上形成，以形成光电二极管的阴极。薄的二氧化硅层42覆盖在衬底和n+层40的下面。
使用用于在硅上制造高质量二极管的主要工艺步骤制造图2的结构。这样的标准技术在本领域中通常是已知的，特别在制造用于CT成像应用的光电二极管的领域中是已知的，因此在本文中没有描述。用于获得图2中所示结构的工艺步骤是众所周知的。
在图2中示出结构的制造以后，如图3所示，在衬底的下面形成保护低温氧化物(LTO)层。
接着，将光致抗蚀剂层(photo-resist layer，又称光敏抗蚀剂层)47或其它可选保护层沉积在衬底上侧上，用于在随后的处理步骤中保护衬底的上侧，如图4中所示。
在标准平版图案化步骤中，将光致抗蚀剂层46沉积在衬底下侧上，如图5中所示。接着对光致抗蚀剂层46制作图案，以形成开口48，且用作用于低温氧化层44和衬底下侧上的薄氧化层42的化学蚀刻的掩模。如图5中所示，接着通过蚀刻使开口48贯穿至n+层40。
接着，使用开口48，通过硅晶片或衬底，通到场氧化层38的所有方法，将电感耦合等离子体(ICP)反应堆用于蚀刻具有高纵横比的孔，如图6中所示。衬底或晶片厚度典型地为350μm至750μm，且开口48的直径典型地小于200μm。接着将光致抗蚀剂层46从衬底下侧去除，如图7中所示。
接着，通过蚀刻将剩余的低温氧化层44和薄氧化层42从衬底下侧去除，并且将暴露在开口48中的场氧化层38的部分去除，如图8中所示。
接着，将光致抗蚀剂层47从衬底上表面去除，并将在晶片上形成的二氧化硅层去除，如图9中所示。氧化硅在开口48的内壁上(用生长物50表示)以及衬底下侧上(用生长物52表示)生产的最快。氧化硅薄层54形成在衬底上表面上位于此表面上的氧化物上的薄层、场氧化层上的非常薄的层。这样，使得贯穿衬底的开口变窄。这在图9中用参考标号48a表示，表示变窄的开口。
接着，多晶硅层56在整个衬底上形成，包括上表面、下侧表面、以及开口48的内壁，如图10中所示。作为多晶硅的可选物，可在其上形成任何充分导电的材料。例如，通过衬底的开口进一步变窄。这在图10中用参考标号48b表示，表示进一步变窄的开口。
为了将多晶硅层56图案化，用适合的可去除材料58填充开口48b，如图11中所示。可去除材料58可以是光致抗蚀剂材料或可仅沉积在整个开口48b中的任何其它材料，或可被图案化以仅在从剩余衬底去除材料后留下孔体积。
当将开口48b适当地填充以保护在开口中形成的多晶硅和防止任何化学物质通过孔时，使用标准平版技术将多晶硅56图案化，以限定位于晶片两侧上的通孔触点的区域，如图12中所示。
接着在衬底两侧上蚀刻接触开口。在衬底的上侧上，将接触开口59蚀刻到光电二极管阳极32的有源区，并将接触开口60蚀刻到阳极保护环34。在衬底下侧上，为了大部分连接(bulkconnection)，蚀刻接触开口62，即阴极。这在图13中示出。
接着，将铝层64沉积在衬底两侧上，并且使用标准平版技术进行图案化。所形成的结构在图14中示出。铝层64a在开口60中的保护环34的有源区的至少部分上形成。铝层64b在开口59中的阳极的有源区32的部分上形成，铝层64c进一步在开口59中的阳极的有源区32的至少部分上形成，并连接到衬底顶面上的多晶硅层56。在衬底的下表面上，铝层64d连接到开口62中的阴极，铝层64e连接到多晶硅层56。
在可选步骤中，将用于填充孔48b的材料58去除，如图15中所示。穿过开口48a设置的多晶硅提供了从一个衬底表面到另一衬底表面的导电通孔，该导电通孔与衬底电绝缘。在进一步的应用中，可使用孔48b，以通过形成另外电绝缘的连接或通孔提供穿过衬底的另外的电连接。
这样，图14和图15中所示的结构具有用于衬底下侧上的阳极和阴极的铝接触垫64e和64d。仅有单个光电二极管的结构在图2至图15中示出。对于在单个硅芯片上制造的光电二极管阵列，在整个器件上提供了类似结构。当光电二极管阵列设置在单个硅芯片上时，单个阴极触点可与几个或所有光电二极管相同。
为了清楚起见，在图2至图15中没有示出保护环接触的细节。通过制造与为光电二极管的阳极制造的通孔类似的通孔，保护环结构的接触垫可设置在衬底下侧上。更典型地，同一光电二极管芯片上的几个或所有光电二极管的保护环具有位于衬底下侧上的共用保护环接触，该保护环接触由光电二极管芯片上的一个或几个通孔提供。本领域的技术人员将完全理解，根据上述本发明的原理，对于保护环，可在衬底下侧上设置这样的接触。
因此，根据本发明，用于光电二极管的所有电连接提供在衬底下侧用于连接离片。例如，从衬底下侧到电连接器或板的电连接可通过引线接合或凸起接合离片获得。
参看图16，示意性地示出根据本发明制造的阵列的结构。如可从图16看到的，衬底或晶片表面通常设置有多个对应于光电二极管的有源区的多个有源区70。尽管所示出的有源区是矩形，但有源区的形状与本发明无关。每个有源区70与穿过衬底形成的邻近的通孔72相关。尽管所示出的通孔具有圆形截面，但通孔的截面形状与本发明无关。类似的保护环没有在图16中示出。图16特意简化示出本发明所描述的实施例。每个有源区70都通过未示出但从图14和图15中明显可以看出的装置导电连接到其相关的导电通孔。
这样，本发明有利地提供了用于构造光电探测器阵列的技术，该技术不要求在阵列边缘处提供空间，用来连接来自阵列的电输出信号。通过穿过衬底连接来自半导体器件的所有信号，以使它们可在阵列下侧上而不是阵列一侧上连接，获得此优点。
作为从阵列边缘去除先前在z方向上设置的连接的结果，可能在z轴上扩展整个光电探测器阵列的尺寸。参看图17，根据用于装配阵列的已知技术，将一组光电探测器阵列80a至80d与另一组阵列82a至82d放置在一起，以使整个阵列在z轴上延伸。将理解，阵列可进一步在z轴上延伸。尽管图17中的阵列稍微隔开一定距离，但是这仅为示出分离的阵列以结合成二维的事实。实际上，阵列在两个方向上彼此靠近，以便组合成较大的阵列。这样，阵列的平铺结构可以二维构造，以提高成像系统的性能。
可将阵列80a至80d和82a至82d视作一起形成光电探测器阵列的子阵列。可将该子阵列视为形成用于形成光电探测器阵列的矩阵。该矩阵有效地以二维延伸，尽管实际上，如可从以下图18中看到的，该矩阵弯曲使得该阵列以三维延伸。
尽管已经就用于形成本发明的有利结构的特定处理技术描述了本发明，但是本发明不限于这样的技术。可利用化学或机械方法来制造穿过衬底的孔。尽管预见感应耦合等离子体蚀刻为实现上述的实际解决方法，但是也可使用其它干蚀刻方法、钻孔、电火花腐蚀、或激光打孔。
本发明实现了具有高均匀度的探测器形成的完全“可平铺”探测器结构的制造。
本文中已经参看具体但非限定性的实施例描述了本发明。例如，与上述到成像系统中的光电探测器的应用相比，本发明有更一般的应用。此外，本发明不限于本文中通过实例给出的任何特定材料。本发明更一般地应用于衬底、晶片、和半导体器件及其制造。然而，本发明明显有利地应用于需要必须离开器件连接的半导体器件的阵列的实施方式。
参看图18，示出CT成像机的主要元件，其中光电探测器阵列可根据本发明的优选实施例构造，并可被有利地使用。这种机器的构造在本领域中是众所周知的，且为本领域的技术人员所熟知。在图18中仅示出这样的机器的主要元件，以示出本发明的使用。
该机器主要包括通常用参考标号100表示的扫描仪、通常用参考标号102表示的控制和处理装置、以及通常用参考标号104表示的操作器界面(operator interface)。
扫描仪100通常包括圆柱形结构114，其截面在图18中示出。在圆柱形结构114内安装有X射线源118和光电探测器阵列120。光电探测器阵列120包括多个阵列，例如图17的阵列80。这样，阵列120由多个阵列120a、120b等组成。在图18的结构中，光电探测器阵列120a、120b等以根据本发明的平铺结构实现，且不仅在图18的截面中所示的平面上连接阵列，而且在z方向上，即进入沿圆柱形结构114的长度的纸面连接阵列。
X射线源118在来自控制和处理装置102的在线110上的信号的控制下发射X射线。在通常用虚线122表示的截面中具有辐射图案的X射线具有覆盖光电探测器阵列120的覆盖区(footprint)，根据本发明的技术，该覆盖区在圆柱形轴的方向上以及图18的截面所示的方向上延伸。来自光电探测器的输出提供到在信号线112上的控制和处理装置102。
将例如病人124等待成像的对象放置在平台126上，该平台通常在z方向上移动通过成像机。在利用根据本发明的光电探测器阵列中，可减少平台的任何移动，或不必移动平台。
控制和处理装置102包括用于控制扫描仪100的机械和电子操作的所有必要的装置，包括用于控制X射线源118的装置和用于处理从光电探测器阵列120接收的处理信号的装置。在控制和处理装置和扫描仪100之间的另外的信号传递用信号连接106表示。
如用信号108表示的，操作器界面104与控制和处理装置通信。操作器界面104优选用于控制扫描仪100的操作，和显示扫描过程的结果。
图18示出根据本发明的优选实施例的原理构造的光电探测器阵列的一个有用的应用。其它有用和有利的应用将对本领域的技术人员是显然的。
应当理解，与本文中给出的实例相比，本发明有更一般的应用。本领域的技术人员将理解本发明的更宽的应用性。本发明的范围由所附权利要求限定。
权利要求
1.一种包括半导体器件的衬底，所述衬底的一个表面上具有有源区，其中，设置有从所述衬底的一个表面到所述衬底的另一表面的导电通孔，用于将所述有源区连接到所述衬底的另一表面。
2.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述导电通孔与所述衬底电绝缘。
3.根据权利要求1或2所述的衬底，其中，所述导电通孔包括多晶硅。
4.根据权利要求3所述的衬底，其中，所述多晶硅在所述通孔的内壁上形成。
5.根据权利要求4所述的衬底，其中，在所述导电通孔内设置有从所述衬底一侧到另一侧的另一导电元件。
6.根据权利要求4所述的衬底，其中，在所述导电通孔内设置有填充材料。
7.根据权利要求1至6中任一所述的衬底，其中，设置有连接在所述器件的有源区和所述导电通孔之间的另一导电元件。
8.根据权利要求1至7中任一所述的衬底，其中，在连接到所述导电通孔的衬底的另一侧上设置有另一导电元件。
9.根据权利要求8所述的衬底，其中，所述位于衬底另一侧上的另一导电元件用于进行到所述导电通孔的离片(off-chip)连接。
10.根据权利要求1至9中任一所述的衬底，其中，所述半导体器件是光电二极管。
11.根据权利要求10所述的衬底，其中，所述器件的一个表面上的有源区是阳极。
12.根据权利要求1至11中任一所述的衬底，其中，所述半导体器件包括位于所述衬底另一侧上的另一有源区。
13.根据权利要求11的从属权利要求12所述的衬底，其中，所述衬底的另一侧上的有源区是阴极。
14.根据权利要求1至13中任一所述的衬底，其中，设置有多个半导体器件和多个导电通孔，这些导电通孔用于将所述衬底的一个表面上的半导体器件的有源区连接到所述衬底的另一表面。
15.根据权利要求14所述的衬底，其中，所述多个半导体器件形成为阵列。
16.根据权利要求14或15所述的衬底，其中，为每个半导体器件设置导电通孔。
17.根据权利要求14至16中任一所述的衬底，其中，每个半导体器件的有源区设置在所述衬底的相同侧上。
18.根据权利要求1至17中任一所述的衬底，其中，所述半导体器件是光电二极管。
19.根据权利要求18所述的衬底，其中，所述半导体器件是医学成像系统的光电二极管。
20.根据权利要求19所述的衬底，其中，所述医学成像系统是计算机断层系统。
21.一种包括多个光电探测器子阵列的光电探测器阵列，每个子阵列的光电探测器在衬底上形成，且每个光电探测器的有源区在所述衬底的表面上形成，还为每个光电探测器形成穿过所述衬底从其上表面到其下表面的导电通孔，所述导电通孔用于将每个光电探测器的有源区连接到所述衬底的下表面，其中，多个所述光电探测器的所述子阵列彼此靠近放置成矩阵，以形成光电探测器阵列。
22.根据权利要求21所述的光电探测器，其中，所述矩阵在两个方向上延伸。
23.一种成像系统，包括包括根据权利要求21或22所述的光电探测器阵列的辐射探测器、朝向所述辐射探测器的辐射源、以及用于控制所述辐射探测器和所述辐射源的装置。
24.根据权利要求23所述的成像系统，其中，所述辐射源是装有高压发生器的X射线管。
25.根据权利要求23或24所述的成像系统，其中，所述辐射探测器和所述辐射源径向安装在圆柱形扫描结构中。
26.根据权利要求23至25中任一所述的成像系统，其中，所述用于控制的装置包括计算机系统。
27.一种制造半导体器件的方法，包括在衬底的一个表面上设置所述半导体器件的有源区；形成穿过所述半导体器件从所述衬底的一个表面到所述衬底的另一表面的导电通孔；以及，将所述有源区连接到所述导电通孔，以使所述有源区连接到所述衬底的另一表面。
28.根据权利要求27所述的方法，还包括使所述导电通孔与所述衬底电绝缘的步骤。
29.根据权利要求27或28所述的方法，其中，所述导电通孔包括多晶硅。
30.根据权利要求29所述的方法，进一步包括在所述通孔内壁上形成多晶硅的步骤。
31.根据权利要求30所述的方法，进一步包括在所述导电通孔内设置从所述衬底一侧到另一侧的另一导电元件的步骤。
32.根据权利要求30所述的方法，进一步包括在所述导电通孔内设置填充材料的步骤。
33.根据权利要求27至32中任一所述的方法，进一步包括设置连接在所述器件的有源区和所述导电通孔之间的另一导电元件的步骤。
34.根据权利要求27至33中任一所述的方法，进一步包括在连接到所述导电通孔的衬底的另一侧上设置另一导电元件的步骤。
35.根据权利要求33所述的方法，其中，所述另一导电元件是接触垫。
36.根据权利要求34或35所述的方法，其中，位于所述衬底另一侧上的另一导电元件设置为用于进行到所述导电通孔的离片连接。
37.根据权利要求27至36中任一所述的方法，其中，所述半导体器件是光电二极管。
38.根据权利要求37所述的方法，其中，所述器件的一个表面上的有源区是阳极。
39.根据权利要求27至38中任一所述的方法，进一步包括在所述衬底另一侧上设置另一有源区的步骤。
40.根据权利要求38的从属权利要求39所述的方法，其中，所述衬底另一侧上的有源区是阴极。
41.根据权利要求27至40中任一所述的方法，进一步包括设置多个半导体器件和多个导电通孔的步骤，这些导电通孔用于将所述衬底的一个表面上的半导体器件的有源区连接到所述衬底的另一表面。
42.根据权利要求41所述的方法，其中，所述多个半导体器件形成为阵列。
43.根据权利要求41或42所述的方法，其中，为每个半导体器件形成导电通孔。
44.根据权利要求41至43中任一所述的方法，其中，每个半导体器件的有源区在所述衬底的相同侧上形成。
45.根据权利要求27至44中任一所述的衬底，其中，所述半导体器件是光电二极管。
46.根据权利要求45所述的方法，其中，所述半导体器件是医学成像系统的光电二极管。
47.根据权利要求46所述的方法，其中所述医学成像系统是计算机断层系统。
48.一种参考或参看图2至图18中任一所示的方法。
49.一种参考或参看图2至图18中任一所示的半导体器件或衬底。
50.一种参考或参看图2至图18中任一所示的医学成像系统。
51.一种在此描述的方法。
52.一种在此描述的半导体器件或衬底。
53.一种在此描述的医学成像系统。
全文摘要
本发明披露了一种包括多个光电探测器子阵列的光电探测器阵列，每个子阵列的光电探测器在衬底上形成，且每个光电探测器的有源区在所述衬底的表面上形成，还为每个光电探测器形成穿过所述衬底从其上表面到其下表面的导电通孔，该导电通孔用于将每个光电探测器的有源区连接到衬底的下表面，其中多个所述光电探测器子阵列彼此靠近放置成矩阵，以形成光电探测器阵列。也披露了一种成像系统，包括包括这样的光电探测器阵列的辐射探测器、朝向辐射探测器的辐射源、以及用于控制辐射探测器和辐射源的装置。还披露了一种用于制造这样的阵列的方法。
文档编号H01L31/103GK1672266SQ03817813
公开日2005年9月21日 申请日期2003年7月18日 优先权日2002年7月26日
发明者伊罗·希耶塔宁 申请人:地太科特技术有限公司