专利名称：直流操作三相交流接触器智能控制模块的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种电器控制部件，特别涉及直流操作三相交流接触器的控制部件，具体为直流操作三相交流接触器智能控制模块。
背景技术：
传统的交流接触器是采用交流电磁线圈，由交流电源直接供电。其缺点是接触器的电磁系统的损耗较大，电磁系统的吸力受电源电压高低的影响，接触器的稳定性和可靠性与电源电压高低有关。据测量，在交流接触器电磁系统损耗的有功功率中，铁损占65-75％，分磁环损耗占25-30％，线圈铜损仅占3-5％。从上述测量结果中可以看出，电磁损耗中的交流损耗就占90％以上。
为此，现在已出现直流操作三相交流接触器，即接触器的电磁线圈采用直流电驱动，而接触器的三相触头却与三相交流供电电路相联，用于控制三相交流用电器的通断和转换。将交流电磁系统改为直流操作，试验结果表明，可节省铁芯和磁环中的损耗高达90％以上，还可消除电磁系统的噪音，降低线圈的温升，提高电磁系统的可靠性和稳定性。
随着直流操作交流接触器，特别是直流操作三相交流接触器的广泛使用，如何使其控制电路或控制模块性能好且结构相对简单越来越受到人们的重视。已知的直流操作三相交流接触器的控制模块有德国金钟—默勒公司新一代DIL M系列接触器控制模块，“其控制电源经电子电路整形成脉冲控制电路电压，由微处理器(CPU)内存一个最佳吸反力特性，依据特性曲线来控制调节线圈电流，在接触器吸合阶段输入宽脉冲电压，使主触头安全可靠闭合，在保持阶段，馈入窄脉冲电压，这样既可靠又节能”。我国北京海淀科友机电研究所节能控制模块，“它有S1和S2两个基本工作状态。S1状态为起动状态，在此状态下电源经过整流桥将全电压加在线圈上，历时80ms左右，然后电路自动转换到S2状态，即保持状态。在保持状态下，线圈得到10V左右的高频脉动保持电压”。
现有的直流操作三相交流接触器的控制模块，结构较复杂，存在模块易发热，故障率高等缺陷。
发明内容
本实用新型解决现有直流操作三相交流接触器控制模块存在的缺陷和不足，提供一种结构较简单且运行可靠的直流操作三相交流接触器的智能控制模块，并只以接供该智能控制模块的硬件结构为目的。
本实用新型是采用如下技术方案实现的直流操作三相交流接触器智能控制模块，包含带有引出线端的模块固化壳体和固化于壳体内的内部电路，内部电路包含由二极管D1、D3、D5和二极管D7、D8、D9构成、用于向接触器直流电磁线圈供电的三相桥式整流电路，内部电路还包含分别由电阻R1和电容C1并联再与二极管D2反向串联、电阻R2和电容C2并联再与二极管D4反向串联、电阻R3和电容C3并联再与二极管D6反向串联而构成的三个支路，三个支路中的二极管D2、D4、D6的正极端相连，形成模块的公共参考地点(GND)，三个支路的另一端分别与二极管D7、D8、D9的负极端(同时也是二极管D1、D3、D5的正极端)相连，接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间串联有接触器的常闭辅助触点，在内部电路中还包含一个微处理器(CPU)和微处理器的供电电路，接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间还串联有双向可控硅S1，双向可控硅S1的控制极g连接有受微处理控制的双向可控硅通断控制电路，直流电磁线圈的负极端通过一个受微处理器控制的受控支路与模块的公共参考地点相连。
对模块的上述电路结构作等效分析就可以看出，该模块实质上包含了两个整流电路，一个是由二极管D1、D3、D5和二极管D7、D8、D9构成的公知结构的三相桥式整流电路，另一个是由二极管D1、D3、D5和三个支路构成的带有限流降压功能(限流降压功能由电阻和电容并联形成的电抗实现)的整流电路，前者在接触器吸合启动时向直流电磁线圈提供启动电流，后者在接触器吸合后向直流电磁线圈提供吸合维持电流，微处理器通过控制双向可控硅S1和受控支路的通断完成两者之间的切换。接触器吸合启动时，可控硅处于导通状态，交流电源经公知的三相桥式整流电路向直流电磁线磁提供大的吸合启动电流，使接触器可靠吸合；接触器吸合后，双向可控硅截止而受控支路导能，此时交流电源经带有限流降压功能的整流电路向直流电磁线圈提供较小的吸合维持电流。
功能电路模块化已是发展趋势。功能电路以模块的形式形成产品，直接在市场上销售。本实用新型所述的直流操作三相交流接触器的智能控制模块，其电路结构具有简单、耐久、可靠、节能的特点。微处理器在其内存的相应软件支持下并通过其信号输出端能够对接触器的开闭进行智能控制，即能够根据软件所设计的开闭时间实现接触器的开闭。在保证接触器可靠吸合的前提条件下，能够减小触头闭合期间的冲击速度，因而，该控制模块具有智能化控制的功能。
图1为本实用新型所述模块外型结构示意图；
图2为本实用新型所述模块内部电路的原理图；具体实施方式
直流操作三相交流接触器智能控制模块，包含带有引出线端的模块固化壳体1和固化于壳体内的内部电路，内部电路包含由二极管D1、D3、D5和二极管D7、D8、D9构成、用于向接触器直流电磁线圈供电的三相桥式整流电路，内部电路还包含分别由电阻R1和电容C1并联再与二极管D2反向串联、电阻R2和电容C2并联再与二极管D4反向串联、电阻R3和电容C3并联再与二极管D6反向串联而构成的三个支路，三个支路中的二极管D2、D4、D6的正极端相连，形成模块的公共参考地点(GND)，三个支路的另一端分别与二极管D7、D8、D9的负极端(同时也是二极管D1、D3、D5的正极端)相连，接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间串联有接触器的常闭辅助触点Jb，在内部电路中还包含一个微处理器(CPU)和微处理器的供电电路，微处理器的供电电路包含由三极管BG3、串接于三极管BG3基极回路的单刀开关K1、电阻R4、稳压二极管DW1组成的直流降压电路和由三端稳压器IC2组成的稳压电路，其中三极管BG3的集电极与三相桥式整流电路的正电压输出端相连，发射极与三端稳压器IC2的正电压输入端相连接，在三端稳压器IC2的正电压输入端和输出端分别并联有滤波电容C5、C6，接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间还串联有双向可控硅S1，其控制极g连接有受微处理控制的双向可控硅通断控制电路，该双向可控硅S1的通断控制电路包含三极管BG1，双向可控硅S1的控制极g通过限流电阻R12与三极管BG1的集电极相连，三极管BG1的发射极接地，三极管BG1的基极通过基极电阻R5、接地电阻R6接于微处理器的输出端口P1，直流电磁线圈的负极端通过一个受微处理器控制的受控支路与模块的公共参考地点相连，该受控支路包含三极管B62，直流电磁线圈的负极端经接触器的常开辅助触点Ja与三极管BG2的集电极相连，三极管BG2的发射极接地，三极管BG2的基极通过基极电阻R8，接地电阻R9接至微处理器的相应输出端口P2。三端稳压器IC2选用78L05型号。
在接触器的直流电磁线圈的两端并联有贮能电容C4。电容C4可使接触器稳定吸合。
在接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间串联有热敏电阻RT1。热敏电阻RT1起直流电磁线圈的起动供电回路的限流保护作用。
内部电路中的微处理器的供电电路还包含光耦可控硅G1，光耦可控硅G1中的可控硅并联于单刀开关K1的两端，光耦可控硅G1中的发光二极管的两端作为引出线端引至模块固化壳体外。光耦可控硅G1中的发光二极管两端收到电压信号后，可使光耦可控硅导通，从而起到与单刀开关K1相同的控制微处理器供电电路通断的作用。通过光耦可控硅(具体为通过光耦可控硅中的发光二极管的引出线)可实现对模块的远程控制。
根据电路结构，该模块有10个引出线端。使用时，线端1、2、3为三相交流电源的引入线端，线端4、5与接触器的直流电磁线圈两端相连，线端5、6与接触器的常开辅助触点Ja两端相连，线端7、8与接触器的常闭辅助触点Jb两端相连，线端9、10为光耦可控硅G1的发光二极管两端的引出线，作为模块的远程控制线。三相交流电源经接触器的交流触点(JA、JB、JC)与负载相连。在模块的固化壳体上设有微处理器的可编程PAL接口2。
按下模块上的单刀开关K1或者光耦可控硅G1的发光二极管两端(即线端9、10之间)给出电压信号，使三极管BG3导通，微处理器的供电电路开始工作，由三相桥式整流电路提供的脉动直流电压，经由三极管BG3、电阻R4、稳压二极管DW1、电容C5、开关K1和光控可控硅S1组成的降压滤波电路整压形成15V左右的直流电压，然后再经由三端稳压器IC2、电容C6组成稳压滤波电路，把15伏的直流电压整形成平稳的5伏电压，从而为微处理器提供所需的工作电源，微处理器在其内相应软件的支持下，其输出端P1、P2给出工作信号，而使三极管BG1和BG2导通。当开关K1没有闭合或光控可控硅没有接收到外来控制信号时，由于三极管BG3基极无基准电压，因此处于截止状态，微处理器的供电电路不工作，因而整个模块也处于不工作状态；在接触器触点吸合阶段，由于接触器的常闭辅助触点Jb处于闭合状态，且双向可控硅S1也处于导通状态(因为三极管BG1导通，双向可控硅S1的控制电路为导通状态)，交流电源经三相桥式整流电路、双向可控硅S1和常闭辅助触点Jb向直流电磁线圈提供较大的吸合电流，使其触点可靠吸合，交流触点(JA、JB、JC)吸合后向负载供电；接触器触点吸合后，常闭辅助触点Jb断开，常开辅助触点Ja闭合(三极管BG2此时也导通)，使受控支路导通，带有限流降压功能的整流电路向直流电磁线圈提供较小的维持电流，接触器维持吸合。在软件支持下，微处理器的信号输出端P1、P2输出的信号可以有个滞后时间，即P1端先给出信号，使直流电磁线圈的吸合供电回路先导通，然后，P2端再给出信号，使直流电磁线圈的维持供电回路导通，从而使直流电磁线圈受常开辅助触点Ja、常闭辅助触点Jb和微处理器输出端信号的双重控制，使控制模块具有智能控制的功能。
权利要求1.一种直流操作三相交流接触器智能控制模块，包含带有引出线端的模块固化壳体(1)和固化于壳体内的内部电路，内部电路包含由二极管D1、D3、D5和二极管D7、D8、D9构成、用于向接触器直流电磁线圈供电的三相桥式整流电路，其特征为内部电路还包含分别由电阻R1和电容C1并联再与二极管D2反向串联、电阻R2和电容C2并联再与二极管D4反向串联、电阻R3和电容C3并联再与二极管D6反向串联而构成的三个支路，三个支路中的二极管D2、D4、D6的正极端相连，形成模块的公共参考地点(GND)，三个支路的另一端分别与二极管D7、D8、D9的负极端相连，接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间串联有接触器的常闭辅助触点Jb，在内部电路中还包含一个微处理器(CPU)和微处理器的供电电路，微处理器的供电电路包含由三极管BG3、串接于三极管BG3基极回路的单刀开关K1、电阻R4、稳压二极管DW1组成的直流降压电路和由三端稳压器IC2组成的稳压电路，其中三极管BG3的集电极与三相桥式整流电路的正电压输出端相连，发射极与三端稳压器IC2的正电压输入端相连接，接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间还串联有双向可控硅S1，其控制极g连接有受微处理控制的双向可控硅通断控制电路，该双向可控硅S1的通断控制电路包含三极管BG1，双向可控硅S1的控制极g通过限流电阻R12与三极管BG1的集电极相连，三极管BG1的发射极接地，三极管BG1的基极通过基极电阻R5、接地电阻R6接于微处理器的输出端口P1，直流电磁线圈的负极端通过一个受微处理器控制的受控支路与模块的公共参考地点相连，该受控支路包含三极管BG2，直流电磁线圈的负极端经接触器的常开辅助触点Ja与三极管BG2的集电极相连，三极管BG2的发射极接地，三极管BG2的基极通过基极电阻R8，接地电阻R9接至微处理器的相应输出端口P2。
2.如权利要求1所述的直流操作三相交流接触器智能控制模块，其特征为内部电路中的微处理器的供电电路还包含光耦可控硅G1，光耦可控硅G1中的可控硅并联于单刀开关K1的两端，光耦可控硅G1中的发光二极管的两端作为引出线端引至模块固化壳体外。
3.如权利要求1或2所述的直流操作三相交流接触器智能控制模块，其特征为在接触器的直流电磁线圈的两端并联有电容C4。
4.如权利要求1或2所述的直流操作三相交流接触器智能控制模块，其特征为在接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间串联有热敏电阻RT1。
5.如权利要求3所述的直流操作三相交流接触器智能控制模块，其特征为在接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间串联有热敏电阻RT1。
专利摘要本实用新型为直流操作三相交流接触器智能控制模块，包含带有引出线端的模块固化壳体和固化于壳体内的内部电路，内部电路包含由二极管构成的公知结构的三相桥式整流电路和由二极管、电抗构成的带有限流降压功能的整流电路，前者在接触器吸合启动时向直流电磁线圈提供启动电流，后者在接触器吸合后向直流电磁线圈提供吸合维持电流。该模块还包含微处理器和其供电电路，在接触器吸合供电回路串接有双向可控硅S1，还包含用于控制两个整流电路切换的受控支路。该模块电路结构具有简单、耐久、可靠、节能的特点。微处理器在其内存的相应软件支持下并通过其信号输出端能够对接触器的开闭进行智能控制。因而，该控制模块具有智能化控制的功能。
文档编号H01H47/00GK2634635SQ03268568
公开日2004年8月18日 申请日期2003年6月28日 优先权日2003年6月28日
发明者王稳忠 申请人:王稳忠