专利名称：发光二极管结构的改良的利记博彩app
技术领域：
本实用新型是有关于一种发光二极管的结构设计；特别是指一种可明显提高该发光二极管的散热作用的改良新型。
发明背景按，发光二极管(LED)是己被广泛的应用在各项电子产品系统方面；从发光效率较弱的指示灯，至高强度的资讯产品及户外看板、交通号志…等照明度灯具。基本上它是用一种操作在顺向偏压的PN界面，当顺向偏压时在P型区注入大量的电洞，在N型区中则注人大量的电子，这些电洞与电子会在空乏区中，各向另一区进行少数载子的注入，于是在与该处的大量载子结合的瞬间，辐射放出相当于能隙能量的光子，而产生发光效果。习知的发光二极管是经由冲压复数等距相联的一适于导电的金属片支架单元；支架表面电镀银层；将半导体晶片固着于支架作为发光二极管的光源；把导线二端分别连接于支架和晶片上，以分别形成阴、阳极接脚；以及将环氧树脂浇注在支架上部，使得形成透光体、和密封晶片、导线等程序制成。
就像那些熟习此技艺人所知悉，发光二极管的大部分能量都转化为热，如果不把所述热量消除，则会使晶片过热而损坏。至于这些热量一部分积存在该透光体，一部分通过支架的第一、第二接脚散发。但因透光体是以环氧树脂加工成型，导热率差，因此晶片产生的热大部分积存在透光体中，无法有效散发热量，只能靠上述支架传导散热而存在散热效率较低的问题。
一种可改善上述讨论的问题的发光二极管支架系统，是揭示于第90201309号“发光二极管支架”新型专利案中，其支架己经设计在既有的第一、二接脚外又增加一对接脚，使晶片产生的热量能经由四支接脚散发。淮，在实务的使用上，其散热效率是有限的，实质上并非在一个更理想完善的使用情形中。
具体而言，在已知的所有传统LED LAMP支架上端均封装有一透明体，且在阴极碗杯的杯底所有面积范围中覆上厚约200μm-100μm左右的粘着胶(又分银胶、白胶、绝缘胶)来接着LED晶片，但也因该两者造成妨碍发光余热传导散热的主因，因为无论大、小功率的LED晶片，在导通点亮中皆因功率不同而生成的各级不同的正比热源，且是否可迅速将该热源传导散热，是影响该发光二极管可产生的发光效果或照明效率的。
而在上述的参考资料中，例如第88218394号“发光二极管的支架改良结构”、第90201308号“发光二极管支架”专利案等，是已揭示了增加接脚来提高发光二极管高热量排散问题的重要性概念；但这些参考资料并未揭露发光二极管构造上的特殊改良或设计。如果重行设计考量这发光二极管结构，使其构造不同于习用者，将可改变它的使用型态，而有别于旧法；实质上，也会明显增加它的散热效率；例如，如何在不增加支架的包装体积的条件下，使它的结构设计或空间型态具有较大的散热面积或部分等改良手段。而这些课题在上述的专利案中均未被提示或建议。
发明内容
爰是，本实用新型的主要目的即在于提供一种发光二极管结构的改良，这发光二极管在形成有明显被增加的散热面积的条件下，是具有一个模型体的构形，典型的包括有用以固定晶片的中央部，和相互连接的包含有至少二接脚单元的接合部，以及一导线连接上述中央部的晶片和接合部，而分别被定义为阴、阳极端；至少一几何切割断面是彤成在该中央部与接合部之间，这几何切割断面是从所述的模型体一边延续切割至另一相对边终止，而使这模型体至少被依此非直切地区分为第一和第二区域。因此，模型体除了上述的接脚之外，更包含了所述第一、二区域在铅垂面或y参考轴上的相对非直切形端面所构成的更大散热面积，用以共同增进传导晶片工作时产生的热量。
根据本实用新型的发光二极管结构的改良，是包括有一形成在模型体周边一水平参考方向上的裙部；实质上，裙部至少具有一在底边的端面，可用来接触在电路板的薄铜铂层，用以使所述裙部与薄铜铂层可共同提升传导晶片工作时产生的热量。
根据本实用新型的发光二极管结构的改良，该几何切割断面的布置考量，是应使几何切割断面不会分割杯座的完整性，这可让杯座在被配置的分割区域上，具有最大尺寸或面积的配置考量因为相对地，可使杯座被容许固着至少一个以上的晶片的作用，来因应不同电子产品的条件要求。
一种发光二极管结构的改良，是具有一刚性壁的模型体，所述模型体是包括有一用以固定晶片的杯座的中央部和相互接的包含有至少二接脚单元的接合部，以及一导线连接上述晶片和接合部，而分别被定义为阴、阳极端等所构成；其改良包括至少一非直切的几何切割断面，是形成在该中央部与接合部之间；而使该模型体至少被区分有第一区域和第二区域，和所述区域形成的相对端面，所共同建立的散热表面积。
所述的模型体是一方形体构形。
所述的几何切割面是从该模型体一边，沿杯座轮廓通过，连续延伸至另一相对边终止，而使该第一、二区域分别具有一形成在其铅垂面上的相对端面。
所述的模型体具有一形成在其周边一水平方向上较大面积轮廓的裙部，和裙部底边的一个端面；使所述端面在该模型体配装在一电路板时，可与电路板的薄铜层的一计划区域接触。
所述的刚性壁界定有一实心内部。
所述的刚性壁界定有一糟室或腔室。
所述的模型体的表面形成有峰谷连续配置型态的几何形状的轮廓组织。
所述的模型体的表面和该裙部具有锯齿状轮廓组织。
所述的槽室或腔室的内缘面或内表面具有一几何形状的轮廓组织。
所述的模型体是一环状或圆形物的构形。
所述的几何切割面是从该模型体一边，沿杯座轮廓通过，连续延伸至另一相对边终止，而使该第一、二区域分别具有一形成在其铅垂面上的相对端面。
所述的模型体具有一形成在其周边一水平方向上较大面积轮廓的裙部，和裙部底边的一个端面；使所述端面在该模型体配装在一电路板时，可与电路板的薄铜层的一计划区域接触。
所述的刚性壁界定有一实心内部。
所述的刚性壁界定有一糟室或腔室。
所述的模型体的表面形成有峰谷连续配置型态的几何形状的轮廓组织。
所述的模型体的表面和该裙部具有锯齿状轮廓组织。
所述的槽室或腔室的内缘面或内表面具有一几何形状的轮廓组织。
所述的第一、二区域的相对端面可形成峰谷连续配置型的几何形状的轮廓组织。
所述的第一、二区域的相对端面可形成峰谷连续配置型的几何形状的轮廓组织。
所述的槽室或腔室成朝外渐扩柱状构形。
所述的槽室或腔室成圆柱状构形。
所述的槽室或腔室成朝外渐扩柱状构形。
所述的槽室或腔室成圆锥状构形。
应用本实用新型技术，可使模型体散热表面积总和被尽量的增加；由晶片数量的变更，相较公知技术，在相同体积的条件下，本实用新型的模型体具有较大的应用范围；所述的模型体的表面、各切割端面和刚性壁界定的内部等部份，可选择性的布置几何形或锯齿状轮廓组织，以增加模型体的散热表面积，使之具有更佳的散热效率。
图1是本实用新型的外观示意图；其中假想线部份是显示晶片配装位置及封装透光体的情形；
图2是图1的俯视示意图；图3是图1的立体断面示意图；显示模型体的刚性壁是界定一实心内部的型态；图4是图1的正视示意图；图5是本实用新型在实务上复数个模型体经接脚的一附片联接成一整体型态的实施例示意图；图6是本实用新型另一实施例示意图；显示了刚性壁界定有一槽室或腔室的态样；图7是本实用新型再一实施例示意图揭示了刚性壁和裙部形成有几何形状轮廓组织的情形；图8是图7的立体断面剖视示意图；显示了刚性壁界定一实心内部的情形；图9是图7的另一立体断面剖视示意图；揭示了刚性壁界定有一槽室或腔室的态样；图10是本实用新型另一修正实施例的断面剖视示意图；描绘了刚性壁界定有一轴线长度较长的槽室或腔室的态样；图11是本实用新型又一实施例示意图；显示了模型体是一环状或圆形物的构形；图12是图11的俯视示意图；图13是图11的立体断剖视示意图；揭示了刚性壁界定一实心内部的情形；图14是图11的正视图；图15是本实用新型再一修正实施例示意图；显示了刚性壁界定有一槽室或腔室的态样；图16是本实用新型又一修正实施例示意图；描绘了刚性壁界定有一轴线长度较长的槽室或腔室的情形；图17是本实用新型的一衍生实施例示意图；揭示了模型体具有几何形状轮廓组织的情形；
图18是本实用新型衍生的修正实施例的立体断面剖视示意图；显示了刚性壁界定有一轴线长度较长的槽室或腔室的情形；图19是本实用新型的一实施例俯视示意图；描绘了模型体可具有至少一几何切割断面的情形；图20是本实用新型的另一实施例俯视示意图；显示了该几何切割断面的一修正布置与配置有复数个晶片的态样；图21是本实用新型的一修正实施例示意图；揭示了刚性璧界定一槽室或腔室的构形，是趋近于一圆锥状几何轮廓的情形。
图号对照说明10、20模型体X晶片11、21杯座12、22中央部13、23’、13’刚性壁14、24接合部14’、24’接脚单元Z透光体Y导线15、25、25’几何切割断面16、26裙部161、261底边端面101、201第一区域102、202第二区域15a、15b相对端面14’附片17、27、19、29槽室或腔室
17’、27’、19’开口18、18’内缘面25a、25b、25c、25d弯曲切割端面28内表面201’、202’、203、204区域具体实施方式
对于本实用新型所具有的新颖性、特点，及其他目的与功效，将在下文中配合所附附图的详加说明，而趋于了解。
请参阅图1、2及3，本实用新型发光二极管改良结构，是具有一模型体，概以参考编号10表示之；这模型体10是倾向于选取注射、压铸、铸造成粉末冶金等方法来制成，包括了一用以固着晶片X的杯座11的中央部12是被定义为阴极端、和一具有阳极端的接脚单元14’的接合部14；基本上，该接脚单元14’是用以穿合在电路板上，来建立发光二极管完成品与电路板的结合状态的。请再参考图1，其假想线部分同时显示了一个结合本实用新型模型体10的发光二极管完成品；一晶片X是可被固着在中央部12的杯座11之内，并容许导线Y的二端分别连接所述晶片X及接合部14；然后，装置一环氧树脂材料形成的透光体Z在该模型体10的上部，同时封闭晶片X、导线Y，以及中央部12与接合部14的顶端部位。
在一个可行的实施例中，沿模型体10周边一水平参考方向上，是形成有较大面积轮廓的裙部16，和裙部16底边的一个端面161；这端面161设计的考量是在于当所述发光二极管成品被配装在一电路板时，该裙部16的端面161是可平贴或接触该电路板上的金属导电薄铜铂层的一计划区域，这有助于使所述发光二极管工作产生的热量，经裙部16的传导，与所述薄铜铂层计划区域共同建立一散热作用。详言之，所述模型体10、裙部16与该金属导电薄层是形成了良好的热导或热传系统；它也明显提供了一个具有较习知结构或旧法更大散热表面积的构造，实质上，所述表面积是大体包含了该模型体10或刚性壁13与裙部16、电路板的金属导电薄层的计划区域的表面积总和；其亦反映出它将具有较佳的散热效率。
在本实用新型所采较佳的实施例中，是包括以至少一几何切割断面15。形成在该中央部12与接合部14之间；图2显示了这几何切割断面15是从该模型体10和裙部16的一边延续，然后以接近杯座11的轮廓切割，通过至模型体10和裙部16的另一相对边终止，而使所述模型体10披区分为第一区域101和第二区域102两部份。于是，这第一、二区域101、102具有在一铅垂面上彼此相对的端面15a、15b可了解的是，所述端面15a、15b是明显建立了一个具有较习知结构或旧法更大散热表面积的构造。因此，实质上，上述的散热面积更包含了该第一、二区域101、102的端面15a、15b的表面积总和。
请参图4、5，在实务上，这发光二极管是应用其接脚单元14’延伸凸出的附片14’形成彼此复数连续联接的型态，而于封装加工程序，再被裁断成单一发光二极管的单元个体的。
请参考图6，该模型体刚性壁13的内部是界定有至少一槽室或腔室17，在槽室或腔室17相对中央部12的一端有一开口17’，使槽室或腔室17与外界相通；可了解的是，使模型体10形成具有槽室或腔室17和一开口17’的中空状态，是增加了该模型体10建立散热机制的表面积。因此，在一个较佳的实施例中，该槽室或腔室17’之内缘面18是倾向于沿着其轴线参考方向，形成峰谷连续配置型态的几何形状或轮廓组织，用以增加上述散热机制的表面积的作用。
请参阅图7、8是提供了另一可行的实施例，在为了增加模型体10散热表面积的概念条件下，是至少使刚性璧13及裙部16的表面，沿着刚性壁13每一边的轴线参考方向形成峰谷连续配置型态的几何形状或锯齿状轮廓组织，以形成棉密的表面导热沟或凹凸构形，增加散热表面积，以增加整体的黑度发射率，相对亦强化整体表面的自由电子活跃量能，相对地具有促进散热效率的功效。
另在图9中，与图7、8较明显的差别在于，使模型体10具有这些锯齿状轮廓组织的结构下，刚性壁13的内部是界定有至少一槽室或腔室17，在槽室或腔室17相对中央部12的一端有一开口17’，使槽室或腔室17与外界相通；并且，槽室或腔室17的内缘面18也形成有沿其轴线参考方向连续布置的峰谷几何形状的轮廓组织。图10是显示了一个从图9衍生的实施例，该刚性壁13更进一步的具有一轴向长度较长的槽室或腔室19，包含一端的开口19’，和界定该腔室19和开口19’的刚性壁13’；以及形成在腔室19内缘面18’上的峰谷几何形状或锯齿状轮廓组织。而所述实施例和图式，至少揭露了模型体10是可同时具备下列的结构特征1、刚性壁13、13’与该裙部16的表面是具有锯齿状轮廓组织；并且沿刚性壁13、13’每一边从垂直轴方向延伸到裙部16的水平轴方向。
2、每一模型体10可至少具有一或以上的几何切割断面15，使模型体10可被非直切式地区分成二个以上的区域和端面；这表示所述发光二极管或模型体10的散热面积总和，将会被尽可能的增加。
3、图10的模型体10的刚性壁13’内部界定的槽室或腔室19和开口19’的轴向长度是大于图6揭示的模型体10的腔室17和开口17’的高度者。
4、在实务上，当图10所显示的发光二极管完成品被装置在电路板时，是使电路板具有一个孔穴(图未示)，来容许该较长的腔室19部分通过，使该裙部16的底端面161能如上述的接触电路板的金属导电薄铜铂层的情形。
5、图8与图9是分别揭示了该刚性壁13界定之内部是可形成实心状态或至少具有一个腔室17和开口17’的情形。
请参考图11、12及13，是表示了本实用新型另一发光二极管的实施倒示意图；这发光二极管是使其具有一类似环状或圆形物的模型体20，包括了一用以固着晶片X的杯座21的中央部22。中央合22是经刚性壁23界定的几何体构形，包含被定义为阴极端的中央部22和一被定义为阳极端的接脚单元24’的接合部24。在一个具体的实施例中，沿模型体20的周边一水平参考方向上，是形成有较大面积轮廓的裙郁26，和裙部26底边的一个端面261。这裙部26在所采的实施例中，是依模型体20的形状，成圆盘状构形也是应用在当所述发光二极管成品被配装在一电路板时，该裙部26的端面261可接触电路板上的金属导电薄铜铂层的一计划区域，以共同建立一较习知结构更大散热表面积的构造。
因此，在本实用新型所采较佳的实施例中，是包括至少一几何切割断面25，形成在该中央部22与接合部24之间；图12或13特别显示了这几何非直线形切割断面25，是从该模型体20和裙部26的一边延续，然后沿接近杯座21的轮廓切割通过，至模型体20和裙部26的另一相对边终止，而使所述模型体20被区分为第一区域201和第二区域202二部分。于是，这第一、二区域201、202具有在一铅垂面上彼此相对的弯曲切割端面25a、25b；可了解的是，所述弯曲切割端面25a、25b是明显建立了一个具有较习知结构更大散热表面积的构造。
请参阅图15，其与图13的差别是在于该模型体刚性壁23的内部是界定有至少一槽室或腔室27，在槽室或腔室27相对中央部22的一端有一开口27’，使槽室或腔室27与外界相通；因此，所述模型体20形成具有槽室或腔室27和一开口27’的中空状态，是增加了该模型体20建立散热机制的表面积。一个经图15衍生的实施例是描绘在图16，图16是揭示了该模型体20的刚性壁23’界定有一在轴线方向的长度，是较大于图15所显示的刚性壁23内部腔室27的轴线长度的腔室29和开口29’；相对地，这实施例亦反映出其散热表面积是大于图15所揭示的模型体10而在为了增加模型体10散热表面积的概念条件下，图17、18揭露了另一修正的实施例，是至少使模型体刚性壁23的表面，沿着其轴线参考方向形成峰谷连续配置型态的几何形状或锯齿状轮廓组织，以形成棉密的表面导热沟或凹凸构形，提升整体黑度发射率及自由电子活跃量能。因此，图18所描绘的裙部26或刚性壁23内部的腔室29之内表面28，布置类似的锯齿状轮廓组织或其他几何形状的设计，是可了解的。
图19、20是分别揭示了在上列实施例的说明中，除了前面提到的5项考量和设计因素之外，图中亦教示了其他如下列的特色和条件1，图19或20是提示了至少一几何切割断面25、25’的具体实施例；因此，该发光二极管的模型体20或10，被区分了二个以上的区域，在图20中是包括了区域201’、202’、203、204。
其亦反映出所述的每一区域201’、202’、203、204，也分别因该非直切形的几何切割断面25、25’而建立了彼此相对的弯曲切割端面25a、25b、25c、25d，而使该模型体20的散热表面积总和被尽量的增加。
2，每一几何切割断面15或25、25’至少应沿该杯座11或21的轮廓布置，一方面可保存杯座11或21的完整性；另一方面，可让杯座11或21在所配置的分割区域上，具有较大尺寸或面积的配置考量，因为相对地，可使杯座11或21被容许固着至少一个以上的晶片X(例如图20即揭示了一个布置有三个晶片X的模型体20实施例)，随着晶片X数量的变更，是可使模型体10或20因应多种发光效率强弱不同条件要求的电子产品，而使所述模型体10或20在相同体积的条件下，具有较大的应用范围。
3.上述的实施例也说明了模型体10、20表面，包含裙部16、26或刚性壁13、23界定内部可采实心或中空状态的设计；并且，所述的模型体10、20表面或各切割端面15a、15b、25a、25b、25c、25d等和刚性壁13、23界定的内部等部份，可选择性的布置该几何形或锯齿状轮廓组织，而增加所述模型体10、20的散热表面积。
4.同时，上列实施例是己显示这发光二极管在晶片X工作时所产生的热量，可通的散热组织排出的部份，是大体包含了该模型体10、20或刚性壁13、23及其糟室或腔室17、27、裙部16、26的锯齿状轮廓的表面组织、电路板的薄铜层的计划区域、区域101、102、或201’、202’、203、204的相对切割端面15a、15b或25a、25b、25c、25d等部分的表面积总和；其亦反映出它将较习知增设接脚的旧法，具有更佳的散热效率。
5.在上列的实施例中，揭示了刚性壁13、23界定的槽室17、27的构形，是趋近于一圆柱状构形；职是之故，该播室或腔室17、27采取其他形态，例如圆锥或方形体等几何构形，或其他朝外渐扩柱状构形将是可理解的；例如图21所显示的态样。同样地，上述该峰谷或锯齿状组织采取其他形态，例如凹、凸缘等几何构形来变更修正，也是属于可推衍的设计。
故，在上文叙述中，这发光二极管结构的改良，使其散热表面积被尽可能的增加，其空间型态的设计是不同于习知者，且具有旧法中无法比拟的优点，确已展现了相当大的进步。
权利要求1.一种发光二极管结构的改良，具有一刚性壁的模型体，所述模型体是包括有一用以固定晶片的杯座的中央部和相互接的包含有至少二接脚单元的接合部，以及一导线连接上述晶片和接合部，而分别被定义为阴、阳极端等所构成；其特征在于，所述的改良包括至少一非直切的几何切割断面，形成在该中央部与接合部之间；而使该模型体至少被区分有第一区域和第二区域，和所述区域形成的相对端面，所共同建立的散热表面积。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体是一方形体构形。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该几何切割面从该模型体一边，沿杯座轮廓通过，连续延伸至另一相对边终止，而使该第一、二区域分别具有一形成在其铅垂面上的相对端面。
4.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体具有一形成在其周边一水平方向上较大面积轮廓的裙部，和裙部底边的一个端面，使所述端面在该模型体配装在一电路板时，可与电路板的薄铜层的一计划区域接触。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该刚性壁界定有一实心内部。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该刚性壁界定有一糟室或腔室。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体的表面形成有峰谷连续配置型态的几何形状的轮廓组织。
8.如权利要求1或4所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体的表面和该裙部具有锯齿状轮廓组织。
9.如权利要求1或6所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该槽室或腔室之内缘面或内表面具有一几何形状的轮廓组织。
10.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体是一环状或圆形物的构形。
11.如权利要求1或10所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该几何切割面是从该模型体一边，沿杯座轮廓通过，连续延伸至另一相对边终止，而使该第一、二区域分别具有一形成在其铅垂面上的相对端面。
12.如权利要求10所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体具有一形成在其周边一水平方向上较大面积轮廓的裙部，和裙部底边的一个端面；使所述端面在该模型体配装在一电路板时，可与电路板的薄铜层的一计划区域接触。
13.如权利要求1或10所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该刚性壁界定有一实心内部。
14.如权利要求1或10所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该刚性壁界定有一糟室或腔室。
15.如权利要求1或10所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体的表面形成有峰谷连续配置型态的几何形状的轮廓组织。
16.如权利要求12所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体的表面和该裙部具有锯齿状轮廓组织。
17.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该槽室或腔室的内缘面或内表面具有一几何形状的轮廓组织。
18.如权利要求1或3所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该第一、二区域的相对端面可形成峰谷连续配置型的几何形状的轮廓组织。
19.如权利要求11所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该第一、二区域的相对端面可形成峰谷连续配置型的几何形状的轮廓组织。
20.如权利要求6所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该槽室或腔室成朝外渐扩柱状构形。
21.如权利要求20所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该槽室或腔室成圆柱状构形。
22.如权利要求14所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该槽室或腔室成朝外渐扩柱状构形。
23.如权利要求22所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该槽室或腔室成圆锥状构形。
专利摘要一种发光二极管结构的改良，是具有一模型体，所述模型体是包括有一用以固定晶片的杯座的中央部，和相互连接的包含有至少二接脚单元的接合部，以及一导线连接上述晶片和接合部，而分别被定义为阴、阳极端；至少一几何切割断面是形成在该中央部与接合部之间，所述几何切割断面是从该模型体一边，以沿接近杯座轮廓施以延续切割至另一相对边终止，而使该模型体至少被非直切地区分有第一、二区域，藉此和所述区域在铅垂面上的相对端面共同建立更大的散热表面积总和，而具有较旧法为佳的晶片工作热量的排出作用者。
文档编号H01L33/00GK2643489SQ03264568
公开日2004年9月22日 申请日期2003年6月23日 优先权日2003年6月23日
发明者陈聪欣 申请人:陈聪欣