专利名称：基板干燥方法和装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种将浸入在纯水中的基板从纯水中取出、再干燥基板表面的基板干燥方法和装置。
背景技术：
过去，在如特公平6-103686号公报中公开的干燥装置中，以氮气为托架，以IPA(异丙醇)为蒸汽，由腐蚀处理液处理后、供给到作为由纯水清洗的基板的一例的单晶片的处理槽内的上部空间内。然后，通过将处理槽内的纯水从处理槽底部排出，使在处理槽内的单晶片露出，由供给到处理槽的上部空间的IPA蒸汽与附着在露出的单晶片的表面的水滴进行置换，这样来干燥单晶片表面。
另外，取代通过使处理槽内的纯水从处理槽底部排出、在处理槽内露出单晶片的情况，也有通过将单晶片从处理槽内提起，在处理槽内使单晶片露出，并由供给到处理槽的上部空间的IPA蒸汽与附着在露出的单晶片表面的水滴置换来进行干燥的干燥装置。
然而，在上述构造的装置中，在由纯水清洗单晶片的时候产生的异物呈浮游在处理槽的纯水液面附近的状态，但由于通过使处理槽内的纯水从处理槽底部排出而使在处理槽内的单晶片露出而从在处理槽底部附近的纯水开始进行顺序排出，上述异物浮游的液面附近的纯水的排出在最后进行，所以就会有在单晶片从上述液面露出时上述浮游的异物附着在单晶片的表面上的问题。
另外，在上述构造的装置中，由于通过进行从处理槽底部排出纯水而使单晶片露出，在处理槽的上述液面的纯水不会到最后都排出，则在上述液面IPA的溶入量随着时间的推移而增大，上述液面的纯水中的IPA的浓度和IPA溶入的层的厚度也变厚，使上述置换效率下降从而降低了上述干燥效率，就有在单晶片的表面产生干燥斑纹的问题。
另外，即使在进行从处理槽内的上述纯水液面提起而使单晶片露出的情况，同样地在也产生异物附着在单晶片的表面上的问题，同时，进一步由于在提起单晶片时在纯水液面处产生摇动，就有在单晶片的表面产生干燥斑纹的问题。
因此，本发明的目的是要解决上述问题，提供一种基板干燥方法和装置，在基板从纯水中露出时，能够降低向上述基板的表面的异物附着量，另外能够防止溶入到上述液面的纯水中的IPA的浓度的上升和IPA溶入的纯水层的厚度变厚，进而，能够提高基板的干燥效率且能够消除干燥斑纹。
发明内容
为了达到上述目的，本发明为以下构成。
根据本发明的第1发明，是提供一种基板干燥方法，在使浸入到干燥室内的纯水内的基板从上述纯水内露出并对其进行干燥的基板干燥方法中，向上述干燥室内的上述纯水的液面上部的空间内，供给空气或惰性气体、以及气态或液滴状的异丙醇，使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起上升、边从上述纯水的液面或液面附近排出液面侧纯水，在上述干燥室内，使上述基板从上述纯水中露出到上述液面的上方，与此同时，附着在上述露出的基板的表面上的上述纯水，通过上述气态或上述液滴状的上述异丙醇而被置换，然后，通过从上述基板的表面蒸发上述异丙醇而干燥上述基板。
根据本发明的第2发明，是提供一种本发明的第1发明中记载的基板干燥方法，以固定相对于上述空间的上述液面位置的状态、进行上述液面侧纯水的排出。
根据本发明的第3发明，是提供一种本发明的第1发明中记载的基板干燥方法，使上述干燥室下降，从而使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起相对于上述干燥室上升、边从上述纯水的液面或上述液面附近排出上述液面侧纯水。
根据本发明的第4发明，是提供一种本发明的第1发明中记载的基板干燥方法，浸入在上述纯水内的基板，是使其各个的表面相互略平行地并且与上述纯水的液面略垂直地配置的多个基板，上述液面侧纯水的排出，以沿上述液面并且沿上述各个基板的表面流动而进行。
根据本发明的第5发明，是提供一种本发明的第1发明中记载的基板干燥方法，在从上述纯水的上述液面或上述液面附近排出上述液面侧纯水时，从上述干燥室的底面附近排出上述纯水。
根据本发明的第6发明，是提供一种本发明的第1发明中记载的基板干燥方法，在从上述纯水的上述液面或上述液面附近排出上述液面侧纯水时，从上述干燥室的底面附近供给上述纯水。
根据本发明的第7发明，是提供一种本发明的第1发明中记载的基板干燥方法，上述惰性气体是氮气。
根据本发明的第8发明，是提供一种本发明的第1至第7发明中任意一项记载的基板干燥方法，上述基板是单晶片或液晶玻璃基板。
根据本发明的第9发明，是提供一种基板干燥装置，具有在纯水内可以浸入基板的干燥室，和向上述干燥室内的上述纯水的液面上方的空间内供给空气或惰性气体、以及气态或液滴状的异丙醇的异丙醇供给装置，和使在上述干燥室内可升降地设置的可动台板上升，使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起上升、边从上述纯水的液面或液面附近排出液面侧纯水的排水装置；通过上述排水装置，使上述可动台板上升，从而使上述纯水边与上述基板一起上升、边排出上述液面侧纯水，在上述干燥室内，使上述基板从上述纯水中露出在上述液面的上方，与此同时，附着在上述露出的基板表面的上述纯水，通过上述气态或上述液滴状的上述异丙醇而被置换，然后，通过使上述异丙醇从上述基板的表面蒸发而使上述基板干燥。
根据本发明的第10发明，是提供一种本发明的第9发明中记载的基板干燥装置，由上述排水装置进行的上述液面侧纯水的排出，是以使上述液面的位置相对于上述空间固定的状态进行。
根据本发明的第11发明，是提供一种本发明的第9发明中记载的基板干燥装置，上述可动台板是上述干燥室的底面，并且上述排水装置是升降上述底面的底面升降装置，并且进而具有支撑上述基板的基板支撑机构，通过上述底面升降装置使上述干燥室的上述底面上升，从而使上述纯水边与通过上述基板支撑机构支撑的上述基板一起上升、边通过在上述干燥室中的上部使上述液面侧纯水溢流来进行排水。
根据本发明的第12发明，是提供一种本发明的第9发明中记载的基板干燥装置，上述可动台板，在上述干燥室中，把上述纯水区分在上述液面侧的上部纯水槽和在上述干燥室的底面侧的下部纯水槽中，上述排水装置是升降上述可动台板的可动台板升降装置，进而具有设置在上述可动台板上、并且在上述上部纯水槽内支撑浸入在上述纯水中的上述基板的基板支撑机构，由上述可动台板升降装置使上述干燥室的上述可动台板上升，从而使上述上部纯水槽和上述下部纯水槽的区分位置上升，使在上述上部纯水槽中的上述纯水边与通过上述基板支撑机构支撑的上述基板一起上升、边在上述干燥室的上部通过溢出上述液面侧纯水而进行排水。
根据本发明的第13发明，是提供一种本发明的第12发明中记载的基板干燥装置，进而具有向上述干燥室的上述下部纯水槽供给纯水的纯水供给机构，通过上述可动台板升降装置使上述干燥室的上述可动台板上升，从而使上述上部纯水槽和上述下部纯水槽的区分位置上升，并且通过上述纯水供给机构，根据上述区分位置的上升把纯水供给上述下部纯水槽。
根据本发明的第14发明，是提供一种基板干燥装置，具有在纯水内可浸入基板的干燥室，和向上述干燥室内的上述纯水的液面上方的空间内供给空气或惰性气体、以及气态或液滴状的异丙醇的异丙醇供给装置，和通过使上述干燥室下降，在上述干燥室内使可相对于上述干燥室升降地设置的液体移动板进行相对上升，从而使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起相对于上述干燥室上升、边从上述纯水的液面或液面附近排出上述液面侧纯水的排水装置；
通过上述排水装置，使上述干燥室下降，从而使上述基板和上述纯水边与上述液体移动板一起相对于上述干燥室上升、边排出上述液面侧纯水，在上述干燥室内使上述基板从上述纯水中露出到上述液面的上方，与此同时，附着在上述露出的基板的表面上的上述纯水，通过上述气态或上述液滴状的上述异丙醇而被置换，然后，通过从上述基板的表面蒸发上述异丙醇而干燥上述基板。
根据本发明的第15发明，是提供一种本发明的第9或第14发明中记载的基板干燥装置，上述惰性气体是氮气。
根据本发明的第16发明，是提供一种本发明的第9至第14发明中任意一项记载的基板干燥装置，浸入在上述纯水内的基板，是使其各个表面相互略平行地并且与上述纯水的液面略垂直地配置的多个基板，上述液面侧纯水的排出，以沿上述液面并且沿上述各个基板的表面流动而进行。
本发明的内容及其目的和特征，可以从添加附图的理想实施例的下述内容得到明确。在这些附图中图1是本发明的第1实施例的单晶片干燥装置的纵剖视图。
图2是图1的单晶片干燥装置的F-F线剖面图。
图3是图1的单晶片干燥装置的G-G线剖面图。
图4是表示上述第1实施例的单晶片干燥装置的概略构成的流程图。
图5A是上述第1实施例的单晶片干燥装置的干燥室上部的放大俯视图，图5B是图5A的干燥室上部的H-H线剖面图。
图6A在是上述第1实施例的单晶片干燥装置中的喷雾装置的俯视图，图6B是上述喷雾装置的剖面图。
图7A是在上述第1实施例的单晶片干燥装置中的单晶片固定具的部分放大主视图，图7B是图7A的单晶片固定具的侧视图。
图8是本发明的第2实施例的单晶片干燥装置的纵剖视图。
图9是图8的单晶片干燥装置的I-I线剖面图。
图10是图8的单晶片干燥装置的J-J线剖面图。
图11是本发明的第3实施例的单晶片干燥装置的纵剖视图。
图12是本发明的第4实施例的单晶片干燥装置的纵剖视图。
图13是图12的单晶片干燥装置的A-A线剖面图。
图14是图12的单晶片干燥装置的B-B线剖面图。
图15是表示上述第4实施例的单晶片干燥装置的概略构成的流程图。
图16A是上述第4实施例的单晶片干燥装置的边槽部的放大俯视图，图16B是在图16A的边槽部的E-E线剖面图。
图17是上述第4实施例的变形例的单晶片干燥装置的纵剖视图。
图18是图17的单晶片干燥装置的C-C线剖面图。
图19是上述第4实施例的变形例的单晶片干燥装置的纵剖视图。
图20是图19的单晶片干燥装置的D-D线剖面图。
图21是本发明的第5实施例的单晶片干燥装置的纵剖视图。
图22是本发明的第6实施例的单晶片干燥装置的纵剖视图。
图23是本发明的第7实施例的单晶片干燥装置的纵剖视图。
图24是本发明的第1实施例的变形例的单晶片干燥装置的干燥室的模式说明图。
图25A和图25B各自是在上述第1实施例的变形例的单晶片干燥装置的干燥室中进行单晶片上升的状态的模式说明图，图25A是单晶片仍完全被浸入在纯水中的状态的模式说明图，图25B是单晶片的一部从纯水的液面露出到上方的状态的模式说明图。
图26是表示在本发明的第1实施例的单晶片干燥装置中的液滴供给装置的变形例的液滴供给装置的模式构造的模式剖面图。
图27是表示在上述第1实施例的单晶片干燥装置中取代氮气而使用空气时的其概略构成的流程图。
具体实施例方式
在继续本发明的叙述之前，在添加附图中对相同的部件赋予相同的参照符号。另外，在说明本发明的实施例时，对在本说明书和权利要求的范围中使用的用语的定义进行说明。
作为本说明书和权利要求书的范围中的用语“液滴”(droplet)，是指在液相的粒子中，其粒径为10μm以上的粒子，另外，用语“雾气”是指在上述液相的粒子中，其粒径为不到10μm的粒子。即，所谓“液滴状的异丙醇”，是指液相的异丙醇、以其液相的状态为具有10μm以上粒径的粒子的物质的状态。另外，用语“气体”不是指上述液相，而是指上述液相的粒子的粒径不存在的气相的物质的状态。从而，所谓“气体状的异丙醇”是指气相的异丙醇。
下面，对本发明的实施例根据附图进行详细说明。
(第1实施例)本发明的第1实施例的基板干燥装置，是作为基板的一例、进行单晶片的干燥的单晶片干燥装置501，在图1中出示了单晶片干燥装置501的纵剖视图，在图2中出示了图1中的F-F线剖面图，在图3中出示了图1中的G-G线剖面图。另外，将表示单晶片干燥装置501的概略构成的流程图出示在图4中。另外，本发明中使用的基板，除上述单晶片以外有液晶面板基板等。
如图1、图2、图3和图4所示，单晶片干燥装置501，包括上面全体开放且有4个侧面和底面的略长方体的箱体形状并且在其内部可以存放纯水40、并且把圆盘状的多个单晶片2浸入在上述存放的纯水40内、清洗后可以干燥的干燥室201，和具有略长方体状的箱体形状并在其内部有可以密闭的空间4且干燥室201被固定在其内部而设置的处理室212。
另外，干燥室201，设有把存放在其内部的纯水40在上下方向区分为2个纯水槽并且与纯水40的液面略平行地设置的作为可动台板的一例的隔板250。被存放在干燥室201内的纯水40通过该隔板250，使其上侧作为上部纯水槽40a、使其下侧作为下部纯水槽40b而区分为2个纯水槽。另外，该隔板250，设置有其周边部整体不与干燥室201的内侧接触、并且能够通过上述间隙从下部纯水槽40b向上部纯水槽40a供给纯水的间隙。另外，通过作为可动台板升降装置的一例的隔板升降机构214，使隔板250沿干燥室201的内侧可以升降。该隔板升降机构214的构造的详细说明在后面叙述。另外，干燥室201的上端、即上述4个侧面的上端分别以相同高度的位置形成。
另外，干燥室201具有作为基板支撑机构的一例的托架固定部9，该托架固定部9，可装入以使多个单晶片2的各个表面与垂直方向略平行、并使上述各个表面相互略平行的方式、按一定间隔排列并支撑各个单晶片2的众所周知的单晶片托架13，进而使被装入的单晶片托架13在干燥室201内可以卸下地固定。例如在托架固定部9上具有多个固定销、和与上述各固定销可以相互嵌合的固定销承受部，在单晶片托架13处，通过各个上述固定销与上述固定销承受部相互嵌合，使单晶片托架13可以固定到托架固定部9上。另外，关于上述固定机构，也可以是公知的其他固定机构，只要在把单晶片托架13固定在托架固定部9上的状态、单晶片托架13和托架固定部9之间不发生晃动即可。
另外，托架固定部9被安装在干燥室201的隔板250的上面，向干燥室201注入纯水而为水满的状态时，使支撑在单晶片托架13上的所有单晶片2能一起浸入在纯水40中(即能浸入在上部纯水槽40a中)。另外，取代使用单晶片托架13将多个单晶片2装入到干燥室201内，也可以不使用单晶片托架13而直接将各个单晶片2装入到干燥室201内、在干燥室201内通过在隔板250上固定的基板支撑机构被支撑并被固定在支撑位置上。
另外，处理室212，在其上面具有可以开闭的盖211，通过打开盖211使处理室212的内部的空间4为开放状态，能够供给或取出收放有多个单晶片2的单晶片托架13以及对处理室212内部的维修等，通过关闭盖211能够使处理室212的内部的空间4成为密闭状态。进而，在盖211上，具有向被装入在处理室212内的干燥室201的纯水40的液面上部空间4内、喷射作为惰性气体一例的氮气(N2)、同时喷射液相的异丙醇(以下简单地记为IPA)并把液滴状的IPA供给到上述空间4内的作为异丙醇供给装置的一例的2台液滴供给装置3，和向上述空间4内喷射氮气的干燥喷咀5。有关液滴供给装置3的构造的详细说明在后面叙述。另外，作为惰性气体的一例，根据其处置的方便性使用氮气比较理想。但也可以取代氮气而使用其他种类的惰性气体。
另外，作为向在干燥室201内部的隔板250的下侧的下部纯水槽40b供给纯水的管状的纯水供给机构的一例的纯水供给部210，被设置在干燥室201的下部纯水槽40b内。另外，为了向干燥室201内部的下部纯水槽40b可均匀地供给纯水，纯水供给部210在下部纯水槽40b的内部、在其管状的外周有多个纯水供给孔。另外，隔板250处于停止状态时，供给到下部纯水槽40b内的纯水，通过位于隔板250的端部和干燥室201的内面之间的上述间隙，可向上部纯水槽40a内供给纯水。
另外，隔板250，可以边保持在干燥室201的内部纯水40的液面略平行的状态、边通过隔板升降机构214沿上述4个侧面平行移动。隔板升降机构214，被设置在图1的处理室212的左侧，处理室212和隔板升降机构214被固定在单晶片干燥装置501的机台215上。隔板升降机构214，具有可绕旋转轴旋转地沿上下方向固定于机台215上的滚珠丝杠214a，和使滚珠丝杠214a在正反任一方向选择性地旋转的驱动部214b，和螺合在滚珠丝杠214a上、通过滚珠丝杠214a在正反任一方向的旋转、可沿滚珠丝杠214a上升或下降(即可以升降)的螺母214c，和被固定在机台215上并且在上述正反旋转方向边固定螺母214c边沿上下方向引导上述升降动作的导向装置214e，和由多个刚体形成门形并且一方的下端被固定在螺母214c上、而另一方的下端贯穿处理室212的上面、被固定在隔板250的图1的左侧的上面端部的升降框架214d。另外，作为驱动部214b的例子，是通过由使被固定在滚珠丝杠214a的下端且直接使滚珠丝杠214a正反旋转的电动机、被固定在滚珠丝杠214a的下端的皮带轮、皮带等作正反旋转，使滚珠丝杠214a间接地正反旋转的电动机。隔板升降机构214，通过由驱动部214b使滚珠丝杠214a正反旋转、而使升降框架214d升降，可以使隔板250沿干燥室201的上述各侧面升降。由此，在供给纯水使上部纯水槽40a和下部纯水槽40b呈满水状态的干燥室201中，通过由隔板升降机构214将处于使被单晶片托架13支撑的所有单晶片2浸入在上部纯水槽40a内的高度位置状态的隔板250上升，而使被放入到隔板250的上侧的上部纯水槽40a中的纯水40与隔板250一起上升，并可以使纯水40的液面侧纯水从干燥室201的上端溢流。另外，由隔板升降机构214对隔板250的升降范围，例如是从被单晶片托架13支撑的所有单晶片2的上端有一些余量地位于干燥室201的上端下方的高度位置(即、升降动作的下端位置)起、到上述所有单晶片2的下端有一些余量地位于干燥室201的上端上方的高度位置(即、升降动作的上端位置)的范围。
另外，在这里作为“液面侧纯水”，是指含纯水40的液面的液面附近的液体，例如表示在离开液面到20mm左右的下方的液体层的液体。另外，该液体包含仅由纯水构成的情形和向纯水中混入(或溶解)IPA或硅化合物等的异物的情形。
另外，在干燥室201上，沿干燥室201的4个侧面上部的外侧，设置具有向上形成开放部的大约U字形剖面形状的槽的溢流接受部217，并且在干燥室201的上部外周全体上、在平面上略呈O字形地一体形成溢流接受部217的上述U字形剖面形状的槽。另外，溢流接受部217的上述槽的干燥室201侧的侧面，由干燥室201的上部外侧侧面形成，另一方的侧面被形成为其上端的高度位置高于干燥室201的上端。由此，在干燥室201中纯水溢出时，可以使溢出的纯水由溢流接受部217接收。另外，在溢流接受部217的底面设置有排水口217a，并通过配管或直接地可以从设在处理室212的底部的排水口218向处理室212外排出上述溢流的纯水。另外，在本第1实施例中，隔板升降机构214为排水装置的一例。
在这里，将在具有溢流接受部217的干燥室201的上部的放大俯视图出示在图5A中，将在图5A的干燥室201的H-H线剖面的剖面图出示在图5B中。如图5A和图5B所示，在上述O字形的溢流接受部217的内侧的边、即在干燥室201的上端，以一定的间隔形成有多个作为一例的具有V字形的切口形状的三角口201a，在进行上述纯水40的液面侧纯水向溢流接受部217内的流入(即、溢流)时，通过从各三角口201a流入到溢流接受部217内，容易进行流入流量的调整，并且能够顺畅地进行上述流入。另外，三角口201a的上述一定的间隔，可以为与由单晶片托架13支撑的各单晶片2的配置间隔相同。
在干燥室201中，与通过设置在处理室212的盖211上的各个液滴供给装置3、向于处理室212内的干燥室201的纯水40的液面上的空间4内喷射氮气的同时，以比被浸入在上述纯水40中的上部纯水槽40a内、由单晶片托架13支撑的单晶片2的温度(例如常温)高、最好至少比上述单晶片2的温度高5℃以上、理想的是比上述单晶片2的温度高5℃至60℃的范围的较高温度，喷射液相的IPA并将液滴状的IPA供给到上述空间4内，并在通过排出上述干燥室201的上述纯水40(即，排出上部纯水槽40a的纯水)、使上述干燥室201内从上述纯水40的液面上方露出上述单晶片2时，由各液滴供给装置3不是向上述单晶片2的表面供给将IPA形成为液滴状态，即不是使氮气作为托架的状态，而是以IPA本身为单体在氮气中浮游的状态持续供给，而对附着在上述单晶片2的表面上的纯水40由上述液滴状的上述IPA置换。
在这里，对液滴供给装置3的构造使用图6A和图6B进行详细说明，各液滴供给装置3，如图6A和图6B所示，设有沿由氟树脂构成的长方体状的本体长方向分别贯通而形成的氮气用通路3a和液相的IPA用通路3c，并设有多个具有从氮气用通路3a延伸、大致向着单晶片2(详细地是向着在邻接的单晶片2之间的空间且相当于单晶片2的中心的位置)开口的喷射孔3e的细的氮气用喷出通路3b，同时设有多个具有从IPA用通路3c延伸、向氮气用喷出通路3b的开口端的喷射孔3e开口的喷射孔3f的细的IPA用喷出通路3d。由此，能够从氮气用喷出通路3b的喷射孔3e喷射氮气的同时，从IPA用喷出通路3d的喷射孔3f喷射液相的IPA而将液滴状的IPA供给到上述空间4内。由氮气用喷出通路3b的喷射孔3e和IPA用喷出通路3d的喷射孔3f构成1组液滴供给用喷咀，并在将各1组液滴供给用喷咀隔开规定间隔而配置在例如相对50张左右的单晶片2中的相邻单晶片2之间的空间的同时，通过在空间4内于两端的单晶片2的外侧也分别配置液滴供给用喷咀，能够对所有的单晶片2的表面全体，从液滴供给用喷咀喷出并供给IPA的液滴。
另外，取代如上述说明的由液滴供给装置3向空间4内喷出并供给液滴状的IPA的情形，也可以将气态的IPA由公知的喷射装置向上述空间4内喷射。对于这种情形，在上述干燥室201内，当上述单晶片2从上述纯水40露出到液面上方时，从上述公知的喷射装置向上述单晶片2的表面以气态持续喷射IPA，能够将附着在上述单晶片2的表面的纯水40由上述气态的上述IPA(或者由把上述气态的IPA凝聚成液相的IPA)置换。另外，取代由液滴供给装置3向空间4内供给液滴状的IPA的情形，也可以把雾状的IPA喷雾到上述空间4内。即使是上述雾状的IPA，也能够达到与上述液滴状的IPA相同的效果。
另外，氮气，是以常温或单晶片2的温度供给，或者，以比常温高的温度(例如常温或超过单晶片2的温度直至60℃的范围的高的温度)供给，最好是至少以常温或比单晶片2的温度高5℃以上、理想的是以常温或比单晶片2的温度高5℃至60℃的范围的高的温度供给，如图4所示，通过过滤器39、减压阀29、第1气动阀30、流量计31，分别供给到设置在图2的处理室212的盖211的左右的各液滴供给装置3。第1气动阀30，最好能够根据由流量计31检测的氮气的流量，自动地调整氮气的流量。其结果，液滴的温度以常温或比单晶片2的温度高的温度、最好是至少以常温或比单晶片2的温度高5℃以上、理想的是以常温或比单晶片2的温度高5℃至60℃的范围的高的温度喷雾。另外，在左右的液滴供给装置3分别供给氮气时，可以从各液滴供给装置3的一端侧向另一端闭塞部以单方向地将氮气供给到氮气用通路3a内。这样的结构有构造简单的优点。然而，当在氮气用通路3a内产生压力损失、不能从所有氮气用喷出通路3b的喷射孔3e均匀地喷射氮气时，只要从各液滴供给装置3的一端侧和另一端侧两方同时向两者的中间将氮气供给到氮气用通路3a内，就能够防止在氮气用通路3a内压力损失，而使氮气能够从喷射孔3e均匀地喷射。
另外，如图4所示，氮气通过过滤器39、减压阀20、第8气动阀28供给到配置于图2中的处理室212的盖211的中央的干燥喷咀5。附着在上述单晶片2的表面的纯水40被IPA置换后，通过由干燥喷咀5喷射氮气能够促进IPA的蒸发、干燥。
另外，在图4中，通过经过滤器39、减压阀20、第2气动阀22、过滤器22压送到IPA压送罐41内的氮气的压力，IPA压送罐41内的IPA的液体42通过第3气动阀24，进而通过各个过滤器25、流量计26和第4气动阀27，分别供给到配置于图2中的处理室212的盖211的左右的液滴供给装置3上。另外，23是IPA压送罐用安全阀。各个第4气动阀27被配置在各个左右的液滴供给装置3上，当根据由各个流量计26检测的IPA的液体的流量，通过自动地调整IPA的液体的流量，从左右各个液滴供给装置3向干燥室201内的上述纯水40的液面上的空间4内供给液滴时，自动地调整上述左右液滴供给状态的平衡。另外，在向上述左右的液滴供给装置3分别供给IPA液体时，可以从各液滴供给装置3的一端侧向另一端闭塞部以单方向将IPA液体供给到IPA用通路3c内。这样有构造变得简单的优点。然而，当在IPA用通路3c内产生压力损失、使从所有的IPA用喷出通路3d的喷射孔3f不能均匀地喷射IPA而供给均匀的IPA的液滴时，只要从各液滴供给装置3的一端侧和另一端侧两方同时向两者的中间将IPA液体供给到IPA用通路3c内，就能够防止在IPA用通路3c内的压力损失，使IPA液体能够均匀地从喷射孔3f喷射而供给均匀的IPA的液滴。
另外，如图4所示，为了不使处理室212内的空间4的压力异常地变高，在处理室212中设置排气通路43，并设置调整排气流量的手动阀7和进行排气的开始或停止的第5气动阀8。另外，在空间4内配置有压力传感器，根据由压力传感器检测的空间4内的压力也能够自动地开闭第5气动阀8。
进而，如图4所示，在干燥室201的底部的排水口219处，设置有第6气动阀35，用来调整排水流量。而且，在处理室212的底部的排水口218处设置有排水通路44，在处理室212内，在该排水通路44上连接着溢流接受部217的排水口217a的排水通路，从处理室212内向单晶片干燥装置501的外部通过排水通路44进行排水。另外，在图中未示的排水通路44上，设置有为了保持处理室212内的空间4的压力封水机构。
另外，如图4所示，在干燥室201内的下部纯水槽40b内设置的纯水供给部210上，连接设置有纯水供给通路45，纯水通过设在纯水供给通路45路径上的手动阀32、流量计33、第7气动阀34，被供给到纯水供给部210中。另外，根据由流量计33检测的纯水的流量，可自动地控制第7气动阀34的开度，可自动地调整纯水的流量是理想的。
上述第1气动阀30、第2气动阀21、第3气动阀24、第4气动阀27、第5气动阀8、第6气动阀35、第7气动阀34和第8气动阀28被连接在控制装置47上，根据规定的程序等，能够自动地控制供给到处理室212内的空间4的氮气和IPA的液体各自的流量，即、IPA的液滴的供给状态、从空间4内的排气量、纯水40的排水量等的动作。另外，控制装置47也可以进行在隔板升降机构214上的各动作控制。
下面，对在上述构成的单晶片干燥装置501中进行单晶片2的干燥处理时的顺序进行以下说明。
首先，如图1至图4所示，打开纯水供给通路45的第7气动阀34，通过纯水供给部210向干燥室201内供给纯水，并使下部纯水槽40b装满水。其后，通过隔板250的周围部和干燥室201的内侧之间的间隙，从下部纯水槽40b供给纯水并且也使上部纯水槽40a装满水。然后，打开盖211，将支撑多个单晶片2的单晶片托架13装入到处理室212内，在干燥室201内的纯水40中浸入单晶片托架13并由托架固定部9固定。这时，通过从干燥室201将纯水溢流到溢流接受部217中，使浸入单晶片2的干燥室201的上部纯水槽40a内的异物浮游到纯水40的液面附近，与使这些异物溢流的纯水一起排出到干燥室201外而进行清洗。
接着，在关闭排气通路43的状态、即密闭处理室212的空间4的状态下，在从各液滴供给装置3喷射氮气的同时使IPA液体在上述氮气的喷射开口附近喷射，将IPA液滴例如以约2cc/min供给到上述空间4内。供给液滴的方向，大概为向下大致向着在纯水40内的单晶片2的方向(详细地是向着在邻接的各个单晶片2之间的空间且相当于单晶片2的中心的位置的方向)，在纯水40的液面上保持液滴的均匀是理想的。这时，在干燥室201的空间4内的压力变得异常高时，最好打开排气通路43降低压力。
下面，这样以能够保持上述空间4的纯水40的液面附近由很多的IPA液滴覆盖的状态地持续供给液滴的状态，通过控制装置47的控制来控制隔板升降机构214，使位于该升降动作的下端位置状态的隔板250以一定的速度缓慢上升。作为隔板250上升速度的例子，是在1秒钟内为10mm左右以下的上升速度，理想的是例如在使液滴以约2cc/min供给时在1秒钟内为2mm左右的上升速度。
伴随该隔板250的开始上升，从干燥室201的纯水40的液面中央附近产生向干燥室201的上端的全周围部的方向的大致放射状的流动，在纯水40的液面侧纯水、通过各三角口201a在流入到溢流接受部217内的同时，从溢流接受部217的排水口217a流入到溢流接受部217内的上述液面侧纯水、通过排水通路被排出。
由上述纯水供给部210向下部纯水槽40b供给的上述纯水的供给量，根据伴随隔板250的上升的上述液面侧纯水的排出量，通过由控制装置47进行的第7气动阀34的控制而被控制。即，通过隔板250的上升，与在下部纯水槽40b的容积的增加部分相应的量的纯水，被供给到下部纯水槽40b中。从而，通过隔板250的上升使上部纯水槽40a上升时，在隔板250的周围部和干燥室201的内侧之间的上述间隙中几乎不发生纯水的流动。由此，通过上述隔板250的上升能够仅使上部纯水槽40a内的纯水上升而进行排水。
另外，只要通过隔板升降机构214可以顺畅地进行隔板250的升降动作，那么根据隔板250的周围部与干燥室201的内侧的上述间隙的大小，从上述纯水供给部210向干燥室201的下部纯水槽40b内的纯水的供给量、比伴随隔板250的上升的下部纯水槽40b的容积增加部分或多和或少都可以。
由此，在排出上述液面侧纯水时，以能够在液面上产生上述大致放射状的表面流动的上升速度使隔板250上升。由此，能够使纯水40的液面或在液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等、以上述表面流动与上述液面侧纯水一起流入到溢流接受部217内而排出。
其结果，伴随隔板250的上升而上升的单晶片2的上部、从纯水40的液面露出到上面，但单晶片表面接触氧而不会自然氧化，向上述纯水40的液面均匀地持续喷雾的IPA液滴会立刻与附着在单晶片2表面的纯水置换。
然后，在隔板250上升到其升降动作的上端位置时，即、被支撑在与隔板250一起上升的单晶片托架13上的各单晶片2的下端、上升到比干燥室201的上端有些余量的上方位置时，隔板250停止上升，各单晶片2呈从纯水40完全露出的状态，完成向附着在各单晶片2表面的纯水与IPA的置换。其后，停止从液滴供给装置3的液滴供给，开始从干燥喷咀5喷射氮气。由此，促进从各单晶片2表面的上述IPA的蒸发，干燥各单晶片2的表面。在完成上述干燥后，停止从干燥喷咀5喷射氮气。结束单晶片2的干燥处理。另外，取代进行从上述干燥喷咀5喷射氮气的情形，也可以保持原样放置的各单晶片2，从各单晶片2的表面使上述IPA自然蒸发。
其后，打开处理室212的盖211，解除通过托架固定部9的对单晶片托架13的固定，从处理室212按各单晶片托架13把各单晶片2从上方运出。
另外，使IPA或氮气、或1PA和氮气的温度、比作为单晶片2的温度的常温高，最好至少高5℃以上，更好的是高在5℃至60℃的范围内，在供给该温度的IPA的液滴时，能够促进从各单晶片2的表面的IPA的蒸发，能够更加迅速地进行各个单晶片2的干燥。例如，单晶片2在常温时，在以上述范围的任意的温度供给IPA液滴、在干燥50张单晶片的情况下，以10分钟以下的干燥时间能够干燥各个单晶片。
另外，在使隔板250上升、进行纯水40的液面侧纯水排出时，由纯水供给部210供给的纯水，可以比充满到下部纯水槽40b的容量增加部分的量、例如进一步多30升/分以下左右，最好为4升/分左右。对于这样的情况，积极地将纯水40中的异物等通过有余量地供给的纯水而上推向液面侧，能够与液面侧纯水一起迅速且顺畅地排出。
另外，除在下部纯水槽40b上设有的纯水供给部210之外，也可以在上部纯水槽40a上进一不设置别的纯水供给部(未图示)。对于这样的情况，在向干燥室201内充满纯水时，由于能够通过纯水供给部210向下部纯水槽40b内供给纯水并向上部纯水槽40a内通过上述别的纯水供给部供给纯水，可缩短向干燥室201的初始的纯水供给所需要的时间。另外，在充满纯水的状态的上部纯水槽40a中，进而从上述别的纯水供给部供给纯水，通过从上部纯水槽40a强制地使纯水溢流，能够更加容易且迅速地除去上部纯水槽40a内的异物等。
另外，取代设在干燥室201的上端的多个三角口201a所有都以一定的排列间隔形成的情形，也可以在沿被支撑于单晶片托架13上的各单晶片2的表面的方向的相互对向的各个干燥室201的侧面的上端，以更短的排列间隔，在与各单晶片2的表面垂直方向上的相互对向的各个的干燥室201的侧面的上端，以更长的排列间隔，形成多个三角口201a。对于这样的情况，使纯水40的液面侧纯水从在流入到溢流接受部217时产生的液面中央附近向干燥室201的上述4个侧面的上端全周方向的上述大致放射状的流动，在沿各单晶片2的表面的方向能够成为强流动。由此，在各单晶片2的一部分露出到纯水40的液面的上方时，使相邻的各个单晶片2间的液面侧纯水、能够以上述强流动进行排水，并能够使在上述各个单晶片2之间的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈良好状态。
另外，在从干燥室201排出上述液面侧纯水时，对于不要求对排水流量进行微小的调整的情况，也可以取代在干燥室201的上端形成多个三角口201a，不形成多个三角口201a。
另外，不限定于各个三角口201a分别形成于干燥室201的4个侧面的情形。例如，也可以在上述4个侧面中，仅沿着在由单晶片托架13支撑的各单晶片2的表面方向的相互对向的各个侧面设置多个三角口201a。
在这种情况下，在使纯水40的液面侧纯水流入到溢流接受部2 1 7时，能够在液面上产生从液面中央附近沿着向形成各个三角口201a的干燥室201的各个上端侧的各单晶片2的表面方向的流动，即、产生在沿上述表面的方向上的向相反两方向的表面流动。由此，在各单晶片2的一部分露出到纯水40的液面上部的时候，使邻接的各个单晶片2间的液面侧纯水、能够以上述相反的2个方向的表面流动进行排水，并能够使在上述各个单晶片2间的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈良好状态。
另外，在排出上述液面侧纯水时，以能够在液面上产生上述两方向的表面流动的上升速度使隔板250上升。由此，能够使纯水40的液面或浮游在液面附近的异物等、以上述两方向的表面流动与上述液面侧纯水一起流入到溢流接受部217内而排出。
另外，取代各个三角口201a仅设置在上述相互对向的1组的各个上端的情形，也可以仅在上述1组的各个上端中的1个上端设置多个三角口201a。对于这种情况，在使纯水40的液面侧纯水流入到溢流接受部217内时，能够在液面上产生从不具有上述1组的各个上端中的三角口201a的上端侧、沿向具有各个三角口201a的上端侧的各单晶片2的表面的方向上的一方向的表面流动。由此，在各单晶片2的一部分露出到纯水40的液面上方的时候，使邻接的各个单晶片2间的液面侧纯水、能够以上述一个方向的表面流动进行排出，并能够使在上述各个单晶片2间的液面或在液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈良好状态。
另外，在排出上述液面侧纯水时，以能够在液面上产生上述一方向的表面流动的上升速度使隔板250上升。由此，使在纯水40的液面或浮游在液面附近的异物等能够以上述一方向的表面流动与上述液面侧纯水一起流入到溢流接受部217内进行排出。
在这里，对在干燥室201中、在使各单晶片2露出到纯水40的液面上方时液面上产生的表面流动进行详细说明。作为这种情况的一例，将在形成于纯水40的液面上当沿上述的单晶片2的表面的方向形成相反两方向的表面流动时、使单晶片2露出到上述液面上方的时候的模式说明图出示在图25A和图25B中。另外，图25A出了示使处于浸入在上部纯水槽40a内的纯水40中的状态的各个单晶片2开始上升、但各个单晶片2还完全浸入到纯水40内的状态，图25B出示了其后进一步进行各个单晶片2的上升、各个单晶片2的上部露出到上述纯水40的液面40s上方的状态。
首先，如图25所示，在干燥室201内，在开始隔板250的上升的同时，固定在隔板250上并处于被支撑状态的各个单晶片2，以速度矢量T上升，并且上部纯水槽40a内的纯水40以速度矢量S上升。另外，各个单晶片2的速度矢量T和纯水40的速度矢量S其方向和大小(长度)是相同的。即，浸入在纯水40内的各个单晶片2和其周围的纯水40为相互相对静止的状态。
下面，如图25B所示，在干燥室201内，当使隔板250进一步上升时，以速度矢量T上升的各个单晶片2的上部露出到纯水40的液面40s上方。另外，如图25A和图25B所示，通过伴随隔板250上升的上部纯水槽40a内的纯水40的上升，在纯水40的液面40s或其附近，形成沿各个单晶片2的表面方向的相反的两方向的表面流动F1(图示向左的表面流动)和表面流动F2(图示向右的表面流动)。通过这些各个表面流动F1和表面流动F2，在纯水40的液面40s或其附近，进行从干燥室201的液面侧纯水的排出。另外，如图25B所示，虽然纯水40以速度矢量S上升，但在纯水40的液面40s或其附近，上述上升的纯水40成为上述液面侧纯水，为了连续地进行上述液面侧纯水的排水，要保持纯水40的液面40s的高度为大致一定的高度。由此，在图25B所示的状态下，在各个单晶片2和纯水40之间，产生相对的速度差，即，产生相当于的速度矢量T的速度差，以该速度差从形成各个表面流动F1和F2的状态的纯水40的液面40s、露出各个单晶片2。
另外，取代单晶片托架13为上述公知的构造的情形，也可以使用如图7A和图7B所示的单晶片固定具213。另外，图7A和图7B是单晶片固定具213的部分放大侧视图。
如图7A和图7B所示，固定具213，具有在圆盘状的单晶片2的下部、以一定间隔形成多个在沿其面相互对称的2处位置上可支撑单晶片2的单晶片支撑部213a的框架213b。另外，如图7B所示，各个单晶片支撑部213a，是在框架213b上形成一串齿状，在沿各个单晶片2的排列方向上，形成在相互邻接的各个单晶片支撑部213a之间有一定间隔的确保空间。由此，在邻接的各个单晶片2间，从单晶片2的上端到下端，在沿单晶片2的表面和沿纯水40的上述液面的方向可以确保各个上述空间。
通过使用这样的固定具213，在使浸入在纯水40内的单晶片2露出到液面的上方时，通过在上述液面上且沿单晶片2的表面的方向产生的上述表面流动，能够使在上述各个单晶片2间的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈更加良好状态。
另外，在干燥室201中，取代在隔板250的周围部全体和干燥室201的内侧之间、设置上述间隙的情形，也可以如在图24的干燥室201的模式说明图中所示的那样，不设置上述间隙，而是在隔板251的周围部全体和干燥室201的内侧之间设置密封圈251a。对于这种情况，不是通过隔板升降机构214使隔板251上升，而是通过由纯水供给部210向下部纯水槽40b内供给的纯水的水压，能够使隔板251沿干燥室201的内侧上升。从而，能够不需要升降隔板251的机械的机构，即，隔板升降机214那样的机构，能够使单晶片干燥装置成为紧凑的装置，同时，还能够降低单晶片干燥装置的制造成本。
另外，在从单晶片干燥装置501的各个液滴供给装置3向空间4内供给的多个液滴状的IPA中，也可以考虑使其包括具有即使在很短的时间内也不在氮气中浮游、而能下落的大粒径液滴的液滴。或者也可以考虑使IPA不成为液滴状而作为液滴流以流入到空间4内的状态被供给。作为可以预先防止这样的问题发生的液滴供给装置，对在本第1实施例的单晶片干燥装置501中的液滴供给装置3的变形例的液滴供给装置603进行说明。另外，对该液滴供给装置603的构造用模式表示的模式剖面图被出示在图26中。另外，在图26所示的液滴供给装置603的剖面图，是对应于在图6B所示的液滴供给装置3剖面图的剖面图。
如图26所示，液滴供给装置603，例如，具有沿由氟树脂构成的长方体的本体的长方向而形成的2个空路部，同时，具有可将供给到或者通过上述2个空路部的氮气以及IPA、向空间4内供给而进行引导的多个供给孔604。另外，液滴供给装置603，与在图2所示的单晶片干燥装置501上所具有的各个液滴供给装置3同样，2个液滴供给装置603相互对向地、并且各个的长方向呈沿各个的单晶片2的排列方向地被安装在盖211上。
另外，如图26所示，液滴供给装置603，其本体大致分为上部侧本体部603a和下部侧本体部603b的上下2个构造，在下部侧本体部603b的上部的沿上述长方向上，形成有2个槽部的第1槽部605(图示右侧的槽部)和第2槽部606(图示左侧的槽部)，通过被上部侧本体部603a的下部围住，形成相互连接的上述2个空路部。进而，在第1槽部605的图示上侧，即，在上部侧本体部603a的下面，连接氮气供给用通路607，从设在该氮气供给用通路607的端部的多个氮气用喷射孔607a，能够向着第1槽部605内的大致垂直的下方喷出供给氮气。另外，第1槽部605连接着IPA供给用通路609，可向第1槽部605内可以供给液相的IPA。另外，如图26所示，第1槽部605具有大致U字形状的剖面，可以把从IPA供给用通路609供给的液相IPA储存在上述大致U字形状的剖面的第1槽部605中，即，第1槽部605也成为液相的IPA的储存部。另外，在相互邻接地形成的第1槽部605和第2槽部606之间，形成使其相互在其上部附近连接的供给用通路608。另外，在第2槽部606的图示左侧上部附近，形成各个供给孔604。
另外，各个供给孔604的形成高度和供给用通路608的形成高度，为了不成为相互相同的形成高度，例如把各个供给孔604的形成高度形成得较低。另外，将第1槽部605和第2槽部606在相互的上部附近连接的供给用通路608，不是直线，而是在其通路的途中以略L字状地向图式下方弯曲地形成。另外，在该供给用通路608上的上述弯曲的部分的壁面，构成接触挡部610，从第1槽部605向第2槽部606通过供给用通路608流出的气体等流体，与接触挡部610碰撞而使其流出方向变到下方。
另外，为了能够向供给到第1槽部605而储存的液相的IPA的液面以高速喷射氮气，而设定各个氮气用喷射孔607a的喷射口径、配置间距、喷射方向，同时，设定从各个氮气用喷射孔607a的氮气的喷射初速度。而且，从各个氮气用喷射孔607a喷射氮气的方向，不限定在上述略垂直向下的方向，也可以设定向在斜下方的方向。另外，对设置在液滴供给装置603上的多个供给孔604并不限定于上述形式，例如，可以取代上述情况，构成沿上述本体的长方向形成的缝状的供给部。可以考虑以这样的缝状供给部把上述多个供给孔604相互相连，形成一体的缝状结构，能够得到同样的效果。
下面，对在这样的构成的液滴供给装置603中、从各个供给孔604吹出液滴状的IPA而供给的情况进行说明。首先，从IPA供给用通路609把液相的IPA供给到第1槽部605内而储存，同时，对于该储存的上述液相的IPA的液面，通过氮气供给用通路607从各个氮气用喷射孔607a喷射氮气，并以高速猛吹。由此，在第1槽部605中，上述储存的液相的IPA成为多个的微细的液滴状的IPA。这样产生的多个的液滴状的IPA与氮气一起通过供给用通路608流出并供给到第2槽部606内，再从各个供给孔604吹出并供给。在这里，第1槽部605和各个供给孔604不是直接地由供给通路608连接，而是通过第2槽部606连接，并且通过在供给通路608的中途形成的接触挡部610，在从第1槽部605向第2槽部606内供给上述液滴状的IPA时，使具有于氮气中不会浮游大小的直径的液滴状的IPA以及从第1槽部605流出的上述液相的IPA的液滴流等、在与接触挡部610碰撞的同时，使其流出的方向改变为向下方，能够由第2槽部606接收。由此，能够防止上述大的液滴状的IPA及液滴流等从各个供给孔604供给到保持各个单晶片2的空间4内，并能够预先防止由上述大的液滴状的IPA及液滴流等向单晶片2的表面的附着而带来的金属及有机物的析出的发生。
另外，在上述说明中，对从各个液滴供给装置3或603向空间4内供给多个液滴状的IPA和氮气、进而从干燥喷咀5向空间4内供给氮气的情况进行了说明，但取代作为这样的惰性气体的一例的氮气，也可以供给空气。对于这样使用空气的情况，具有成本低、操作性好的优点。另外，如上所述，在使用以氮气为代表的惰性气体时，有能够减少露出在空间4内的各个单晶片2的表面的氧化的优点。
另外，在图27中出示了取代这样的氮气而在使用空气(Air)时的单晶片干燥装置501的流程图。如图27所示，即使在使用空气时，其构成也能与使用氮气时的构成同样。另外，通过减压阀20或29供给的空气与氮气的情形同样，以由过滤器39净化的状态、即供给清洁的空气。
根据上述第1实施例，在使浸入在干燥室201的纯水40的上部纯水槽40a内的各个单晶片2露出到纯水40的液面的上方时，不是仅从干燥室201的底面排出纯水及单晶片2自身从纯水40提起，而是通过使上部纯水槽40a中的纯水与各个单晶片2一起上升，使液面侧纯水从干燥室201的上部流入到溢流接受部217内而排出，所以能够使液面或在液面附近浮游的异物等与液面侧纯水一起排出。由此，在各个单晶片2从液面露出时，能够防止上述异物等向各个单晶片2的表面的附着。
另外，浸入在干燥室201的纯水40的上部纯水槽40a内的各个单晶片2从上述液面的露出，使在上部纯水槽40a中的纯水与各个单晶片2一起上升，通过使上述液面侧纯水从干燥室201的上部流入到溢流接受部217内进行排水，因而供给到上述液面上方的空间4内的IPA的液滴、即使在纯水40的上述液面或在上述液面附近溶入，也能使作为上述液面侧的纯水的上述IPA溶入的纯水连续地排出。由此，能够防止增大在上述液面或上述液面附近的纯水中IPA的溶入量，并通过提高在上述水滴中的纯水和液滴状的IPA的置换效率而达到提高单晶片的干燥效率，能够防止在单晶片表面发生干燥斑纹。
另外，在干燥室201内的纯水40排出时，由于通过使浸入各个单晶片2的上部纯水槽40a内的纯水40与各个单晶片2一起上升、从干燥室20 1的上端使上述液面侧纯水溢流而进行纯水40的排出，所以在上述排水中，纯水40的液面位置和上述液面上方的空间4的位置被相互固定，即，纯水40的液面位置和液滴供给装置3的位置处于相互被固定的状态，液滴供给装置3和上述液面的距离能够总是保持一定。由此，从单晶片2的上述液面开始露出至露出结束(即从开始单晶片2的干燥处理至结束)能够稳定地向上述空间4内和上述液面供给液滴状IPA(对于使用气态IPA的情形，能够稳定地供给气态的IPA)，在各个单晶片2露出时，能够使在附着于各个单晶片2的表面上的水滴中的纯水和液滴状的IPA(或气态的IPA)的置换效率稳定，并能够防止在各个单晶片的表面的干燥斑纹的发生。
另外，在通过隔板升降机构214使隔板250沿干燥室201的内侧上升时，由于根据其上升的量将符合下部纯水槽40b的容积增加部分的量的纯水、从纯水供给部210向下部纯水槽40b供给，所以在隔板250的周围部和干燥室201的内侧之间、即使是有相互不接触的程度的间隙的状态，也能够通过隔板250的上升而仅使在上部纯水槽40a中的纯水上升，进行上述液面侧纯水的排出。由此可以不必封住(或密封)在隔板250的周围部和干燥室201的内侧之间的上述间隙，能够防止在封住上述间隙时因发生摩擦而带来的异物，并能够防止在干燥室201的纯水40内产生异物。
另外，由于把通过伴随上述隔板250的上升的隔板250的上升而与下部纯水槽40b的容积的增加部分相符的量的纯水、供给到下部纯水槽40b中，所以能够在隔板250的周围部和干燥室201的内侧之间的上述间隙中几乎不发生纯水的流动。从而，在浸入单晶片2的上部纯水槽40a中，能够不发生由纯水的流动带来的涡流等，能够以在上述液面上的上述略放射状或上述两方向或上述一方向的顺畅的表面流动，排出在露出的各单晶片2间的液面或在液面附近的IPA溶入的纯水及浮游的异物等。
另外，由于上述单晶片2从上述液面的露出，是通过使浸入各个单晶片2的上部纯水槽40a内的纯水40与各个单晶片2一起上升进行的，即，能够以各个单晶片2和上述纯水40的相对位置被固定的状态进行上述露出，所以能够抑制在纯水40的液面上发生摇动。因而，能够抑制伴随该摇动而发生的各个单晶片表面的干燥斑纹。
另外，在上述单晶片2从液面露出时，通过使隔板250的上升速度为一定也能够去掉干燥斑纹。
另外，由于在浸入单晶片2的纯水的液面上的空间4中总是保持有氮气，所以虽然单晶片2的上部从纯水40露出，但会发生单晶片表面接触氧而直接氧化，均匀供给到上述纯水40的液面的IPA的液滴可立刻与附着在单晶片2的表里两面的纯水置换。另外，使IPA的温度比单晶片2的温度、即常温高，最好至少高5℃以上，更好的是高至5℃到60℃的范围，如果这样，IPA就容易附着在单晶片2的表里两面，在与附着在单晶片2的表里两面的纯水立刻容易置换的基础上，可迅速地干燥单晶片2的表面。因而，在常温的单晶片的表面的纯水和常温的IPA进行置换之后，能够使比以往干燥常温的IPA时干燥的时间变短，从而提高了干燥效率。另外，由于以液滴状态供给到纯水40的液面，所以与将IPA以蒸汽来供给的以往的情形比较，能够大幅地减少IPA的消费量。另外，在将IPA以蒸汽来供给时，有必要为保持蒸汽状态将配管的外侧用绝热材料覆盖等，但在本第1实施例中，由于可以简单地例如将常温的液相的IPA由左右液滴供给装置3分别供给，所以就不需要用绝热材料覆盖配管，使装置就变得简单。另外，在使IPA蒸汽化时需要为加热用的能量，但在本第1实施例中，只要有从液滴供给装置3喷射氮气和IPA的能量就已足够，能够以廉价且简单的装置构成形成IPA的液滴。这样，能够从相互对向的侧方喷射氮气，同时喷射液相的IPA，使液滴状的IPA充满上述干燥室的空间内，能够对单晶片的表里两面的全部供给上述液滴状的IPA。
另外，不是由超声波等的电能使液相的IPA液滴化，而是不使用电能、通过在氮气的喷射孔附近从IPA喷射咀喷射IPA，能够使液相的IPA液滴化，所以对于易引发着火的IPA能够更安全且更稳定地进行液滴状的IPA的供给动作。
另外，本发明不限定于上述第1实施例的内容，也能够以其他各种形态实施。
(第2实施例)例如，作为本发明的第2实施例的基板干燥装置的一例的单晶片干燥装置502，不是如上述第1实施例的单晶片干燥装置501那样，设置有隔板250，把干燥室201区分为上部纯水槽40a和下部纯水槽40b的2层，通过由隔板升降机构214使隔板250上升进行在浸入单晶片2的干燥室201的上部纯水槽40a中的液面侧纯水的排出，而是通过使作为上述可动台板的一例的干燥室的底面本身上升而进行上述液面侧纯水的排出，除此以外的构成是相同的。以下，仅对其上述不同的部分进行说明。另外，将该单晶片干燥装置502的纵剖视图表示在图8中，将在图8中的I-I线剖面图表示在图9中，将图8中的J-J线剖面图表示在图10中。
如图8、图9及图10所示，在单晶片干燥装置502的干燥室301中，作为干燥室301的底面的底部350，被设置为可沿干燥室301的各侧面升降。在该底部350和上述各侧面之间设置有密封圈350a，即使是底部350升降时也不会从上述间隙漏出干燥室301内的液体。另外，在处理室312和单晶片干燥装置502的机台315上设有作为进行底部350的升降动作的底面升降装置的一例的底部升降机构314。另外，上述密封圈350a例如使用由耐IPA和耐药品的氟橡胶形成的O型圈等。
底部升降机构314，由使用气缸的机构构成，具有固定在干燥室301的底部350的下面中央的气缸314a，和可以升降地支撑气缸314a且固定在干燥室301的机台315上的升降导向装置314b以及未图示的进行向气缸314a供给和排出压缩空气的压缩空气供给部。另外，底部升降机构314由控制装置47控制，通过由上述压缩空气供给部向气缸314a内供给压缩空气，使气缸314a沿升降导向装置314b上升，而使底部350沿干燥室301的各侧面的内侧上升。另外，通过切换供给到气缸314a内的压缩空气的方向，使气缸314a沿升降导向装置314b下降，而使底部350沿干燥室301的各侧面的内侧下降。另外，上述气缸314a的上升及下降的速度，由控制装置47控制，例如以一定的上升速度上升。
由此，底部升降机构314可以使固定在底部350的上面的托架固定部9和纯水供给部310、进而由托架固定部9固定的单晶片托架13和存放在干燥室301内的纯水40与底部350一起升降。另外，底部升降机构314，取代使用上述气缸314a的机构，也可以使用其他公知的升降机，例如使用油压的升降机或使用滚珠丝杠的升降机构等构成。另外，托架固定部9、单晶片托架13和纯水供给部310与在上述第1实施例中的托架固定部9、单晶片托架13、单晶片固定具213和纯水供给部210具有同样的构成和功能。另外，由上述底部升降机构314进行的底部350的上升速度与第1实施例中的隔板250的上升速度相同。
另外，由底部升降机构314进行的底部350的升降动作，是从被单晶片托架13支撑的所有的单晶片2的上端以一些余量位于比干燥室301的上端靠下方的高度位置(升降动作的下端位置)、到上述所有的单晶片2的下端以一些余量位于比干燥室301的上端靠上方的高度位置(升降动作的上端位置)的范围进行。即，在于干燥室301存放纯水40并呈满水状态下，在上述升降动作的下端位置，上述所有的单晶片2呈浸入在纯水40中的状态，在上述升降动作的上端位置，上述所有的单晶片2呈从纯水40中完全露出的状态，这样进行由底部升降机构314进行的底部350的升降动作。另外，与在上述第1实施例的单晶片干燥装置501中的干燥室201的上端形成的多个三角口201a同样的三角口301a，例如以一定间隔形成在干燥室301的上端全体上，另外，与在单晶片干燥装置201中的溢流接受部217同样的溢流接受部317，设在干燥室301的上部外周。另外，与单晶片干燥装置501的处理室212和干燥室201同样，在干燥室301的底部350设置排水口319，在处理室312的底部设置排水口318。另外，在本第2实施例中，底部升降机构314为排水装置的一例。
下面，对在这样构成的单晶片干燥装置502中使浸入于干燥室301内为满水状态的纯水40中的各单晶片2、从纯水40的液面露出的方法，使用图8、图9、和图10进行说明。
首先，在干燥室301中，底部350处于由底部升降机构314进行的升降动作的下端位置的状态，在干燥室301内装满纯水40，在纯水40中浸入各单晶片2。由此状态，通过控制装置47控制底部升降机构314，由底部升降机构314开始底部350的上升动作。在底部350以上述一定的速度缓慢地上升时，纯水40的液面侧纯水，从干燥室301的上端溢流而流入到溢流接受部317中。这时，上述液体通过设在干燥室301的上端的多个三角口301a流入到溢流接受部317中。流入到溢流接受部317中的上述液体，通过排水口317a和排水口318经排水通路44排出到处理室312外。
伴随由底部升降机构314进行的底部350的上升，纯水40的液面侧纯水从干燥室301的上端流入到溢流接受部317而被排出，同时，固定在固定于底部350的托架固定部9上的单晶片托架13也上升，各单晶片2露出到上述液面上方。当所有的单晶片2的下端位于比干燥室301的上端还靠上时，通过控制装置47停止由底部升降机构314作的底部350的上升。
另外，在上述液面侧纯水排出时，可以进一步从纯水供给部310例如以30升/分以下的速度、最好是以4升/分的速度供水。在这种情况下，使纯水40中的异物等通过重新供给的纯水积极地上推到液面侧，能够与液面侧纯水一起迅速且顺畅地排出。
另外，在上述液面侧纯水排出时，可以打开图4中的第6气动阀35，从干燥室301(但在图4中是201)的底部的排水口319(但在图4中是219)边调整纯水40的排水量边进行排水。这时，为了保持由底部350的上述一定速度的上升带来的上述液面侧纯水的排出动作(即、为了不发生上述液面侧纯水的排出量的变动)，进行从排水口319的上述排水量的调整。在这种情况下，能够在保持上述液面的上述大致放射状的流动(即，与第1实施例相同的流动)的情况下加速纯水40的排出速度，在能够使单晶片2的干燥处理时间缩短的同时，可使在纯水40中的干燥室301的底面侧的异物等排出到干燥室301外。
根据上述第2实施例，象在上述第1实施例中的单晶片干燥装置501那样，即使不将干燥室201内的纯水40由隔板250分为2层，也能因具有使干燥室301的底部350升降的底部升降机构314，并通过由底部升降机构314使干燥室301的底部350上升，能够使纯水40的液面侧纯水从干燥室301的上端以溢流的形式排出，得到与上述第1实施例的效果相同的效果。
而且，加上通过把底部升降机构314设置在于干燥室301的下侧的机台315上，能够使单晶片干燥装置502为紧凑的结构。
(第3实施例)下面，作为本发明的第3实施例的基板干燥装置的一例的单晶片干燥装置503，具有相当于在上述第1实施例中的隔板250的隔板450，并且使隔板450和由固定在该隔板450的上面的单晶片托架13支撑的单晶片2的支撑位置、以固定在处理室中的状态，使用与上述第2实施例的单晶片干燥装置502的底部升降机构314同样的升降机构，不仅是干燥室的底部，而是通过下降干燥室整体进行上述液面侧纯水的排出的装置，除此以外的构成是相同的。以下，仅对与上述不同的部分作为说明的内容。另外，将该单晶片干燥装置503的纵剖视图出示在图11中。
如图11所示，在单晶片干燥装置503中，在处理室412内，干燥室401整体被设置为可以升降，在单晶片干燥装置503的机台415上设有作为升降干燥室401的升降装置的一例的干燥室升降机构414。另外，具有使干燥室401内区分为上部纯水槽40a和下部纯水槽40b的2个槽的隔板450，隔板450，其周围部整体和干燥室401的内侧之间有相互不接触的程度的间隙，且通过上述间隙可从下部纯水槽40b向上部纯水槽40a内供给纯水。另外，上述隔板450相当于上述第1实施例的可动台板的液体移动板的一例。另外，托架固定部409不是干燥室401的底部，而是被固定在处理室412的上部内侧，在托架固定部409可以安装单晶片托架13，并可固定隔板450。另外，在干燥室401的底部，固定着纯水供给部410。单晶片托架13和纯水供给部410与上述第1实施例中的单晶片托架13和单晶片固定具213以及纯水供给部210相同。
另外，干燥室升降机构414，具有与上述第2实施例中的底部升降机构314同样的构成，通过固定在干燥室401底部的下面中央的气缸414a、沿升降导向装置414b升降，以使隔板450和单晶片托架13相对于处理室412固定的状态，可以升降干燥室401。即，可以使隔板450和单晶片托架13相对于干燥室401上升。另外，气缸414a的上升及下降的速度，由控制装置47控制，例如以一定的下降速度下降。另外该下降速度是与第1实施例中的隔板250的上升速度相同。
另外，由干燥室升降机构414进行的干燥室401的升降动作，在从被单晶片托架13支撑的所有的单晶片2的上端、以一些余量位于比干燥室401的上端靠下方的高度位置(即，升降动作的上端位置)、到上述所有的单晶片2的下端以一些余量位于比干燥室401的上端靠上方的高度位置(即，升降动作的下端位置)的范围内进行。即，在于干燥室401内存放纯水40呈满水状态下，在上述升降动作的上端位置上，上述所有的单晶片2呈浸入在上部纯水槽40a中的纯水40中的状态，在上述升降动作的下端位置上，上述所有的单晶片2呈从在上部纯水槽40a中的纯水40中完全露出的状态，这样进行由干燥室升降机构414进行的干燥室401的升降动作。
另外，与在上述第1实施例的单晶片干燥装置501中的干燥室201的上端形成的多个三角口201a同样的三角口401a，例如以一定间隔形成在干燥室401的上端全体上，另外，与在单晶片干燥装置201中的溢流接受部217同样的溢流接受部417，设在干燥室401的上部外周。另外，与单晶片干燥装置501的处理室212和干燥室201同样，在干燥室401的底部设置有排水口419，在处理室412的底部设置有排水口418。
对在这样构成的单晶片干燥装置503中使浸入到干燥室401内为满水状态的上部纯水槽40a中的纯水40中的各单晶片2、从纯水40的液面露出的方法，使用图11进行说明。
首先，在单晶片干燥装置503中，干燥室401位于由干燥室升降机构414进行的升降动作的上端位置，并且呈从下部纯水槽40b中的纯水供给部410将纯水、供给到下部纯水槽40b的状态，在干燥室401内装满纯水40，在上部纯水槽40a的纯水40内浸入单晶片2。由此状态，通过控制装置47控制干燥室升降机构414，并由干燥室升降机构414开始干燥室401的下降动作。
伴随该干燥室401的下降开始，干燥室401的纯水40的液面侧纯水，通过各三角口401a流入到溢流接受部417，同时，从在溢流接受部417的排水口417a流入到溢流接受部417内的上述液面侧纯水通过排水通路被排出。
另外，从纯水供给部410的纯水的供给量，是根据伴随干燥室401的下降的上述液面侧纯水的排出量，由控制装置47使用流量计33边控制第7气动阀34边供给到下部纯水槽40b内。即，通过干燥室401下降，与下部纯水槽40b中的容积的增加部分相对应量的纯水被供给到下部纯水槽40b中。从而，在上述隔板450的周围部和干燥室401的内侧之间的上述间隙中几乎不发生纯水的流动。因此，通过上述干燥室401的下降，仅使上部纯水槽40a内的纯水可相对于干燥室401上升并排出。
伴随由干燥室升降机构414进行的干燥室401的下降，在上部纯水槽40a中的纯水40的液面侧纯水，从干燥室401的上端流入到溢流接受部417内并被排出，使干燥室401的纯水40的液面下降，与此同时，安装在固定于处理室412的上部内侧的托架固定部409上的单晶片托架13上所固定的各单晶片2露出到上述液面上。在所有的单晶片2的下端位于干燥室401的上端的上方时，通过控制装置47停止由干燥室升降机构414进行的干燥室401的下降。
根据上述第3实施例，不象在上述第1实施例中的单晶片干燥装置501那样，通过使隔板250上升而使上部纯水槽40a的纯水与单晶片2一起上升，进行上述液面侧纯水的排出，而是把隔板450和托架固定部409固定在处理室412上，通过使干燥室401下降，而使隔板450和托架固定部409相对于干燥室401上升，即，使上部纯水槽40a的纯水与单晶片2一起相对于干燥室401上升，进行上述液面侧纯水的排出。从而，能够得到与上述第1实施例的效果同样的效果。
另外，根据本发明的上述各个实施例，在干燥室内，通过使基板和浸入上述基板的纯水一起上升，排出液面侧纯水，进行上述基板从上述纯水的液面露出，但即使通过区别于上述本发明的上述各个实施例的其他实施形态进行上述基板的露出时，也可以解决本发明的课题。以下说明上述其他的实施例，首先对上述其他实施例的概念进行说明。
根据上述其他实施例的第1概念，是提供一种基板干燥方法，是使浸入到干燥室内的纯水内的基板、从上述纯水内露出并进行干燥的基板干燥方法，其特征为，向上述干燥室内的上述纯水的液面上部的空间内，供给氮气和雾状的异丙醇，从上述纯水的液面或液面附近排出液面侧纯水而使上述液面下降，在上述干燥室内使上述基板从上述纯水露出到上述液面的上方，与此同时，附着在上述露出的基板的表面上的上述纯水，通过上述雾状的上述异丙醇而被置换，然后，通过使上述异丙醇从上述基板的表面蒸发而干燥上述基板。
另外，提供一种基板干燥装置，其特征为，具有
能够将基板浸入在纯水内的干燥室，和向上述干燥室内的上述纯水的液面上部的空间内供给氮气和雾状的异丙醇的雾气供给装置，和从在上述干燥室内的上述纯水中的液面或液面附近排出液面侧纯水的排水装置，通过由上述排水装置进行的上述液面侧纯水的排出，使上述纯水的液面下降，并使上述基板从上述纯水中露出到上述液面的上方，同时，使附着在上述露出的基板的表面上的上述纯水通过上述雾状的上述异丙醇而被置换，然后，通过从上述基板的表面蒸发上述异丙醇而干燥上述基板。
根据上述第1概念，在使浸入在干燥室中纯水内的基板露出到上述纯水的液面的上方时，不是仅从上述干燥室的底面排出上述纯水和从上述纯水中提起上述基板本身的任意一项露出方法，而是以在上述纯水内固定上述基板的支撑位置的状态，通过从上述纯水的液面或液面附近排出液面侧纯水，而使在上述干燥室内的上述液面下降，能够进行上述基板从上述液面的露出，由此，在上述基板从上述液面露出时，能够防止在上述液面或在液面附近浮游的异物等附着在上述基板的表面上。
另外，浸入到上述干燥室的上述纯水内的基板从上述液面进行上述露出，由于是通过排出上述液面侧纯水进行的，所以即使供给到上述液面上的空间内的雾状的异丙醇溶入上述纯水的上述液面或上述液面附近，也能够作为上述液面侧纯水连续地进行上述异丙醇溶入的纯水的排出。因此，能够防止在上述液面或上述液面附近的上述纯水中增大上述异丙醇的溶入量，通过提高在上述纯水中的纯水和上述雾状的异丙醇的置换效率而实现提高上述基板的干燥效率，并可防止在上述基板表面产生干燥斑纹。
根据上述其他实施例的第2概念，提供一种上述第1概念所述的基板干燥装置，上述排水装置，具有设置在上述干燥室内的侧部的排水口，和使流入到上述排水口内的液体排出到上述干燥室外的排水口部排水机构，和使上述排水口在上述干燥室内升降的排水口升降机构，在上述干燥室内，通过由上述排水口部排水机构使上述排水口下降，而从上述纯水的上述液面或上述液面附近使上述液面侧纯水流入到上述排水口，并通过上述排水口部排水机构把上述排水口内的上述液面侧纯水排出到上述干燥室外。
根据上述第2概念，通过上述装置所具有的排水口、排水口部排水机构和排水口部升降机构，在上述干燥室内由上述排水口部升降机构使上述排水口下降，可以从上述纯水的上述液面或上述液面附近使上述液面侧纯水流入到上述排水口，通过上述排水口部排水机构可以使上述排水口内的上述液面侧纯水排出到上述干燥室外。
根据上述其他实施例的第3概念，提供一种上述第1概念或第2概念所述的基板干燥方法或装置，浸入在上述纯水内的基板，是其各个的表面相互略平行地并且与上述纯水的液面略垂直地配置的多个基板，上述液面侧纯水的排出，是以沿上述液面并且沿上述各个基板的表面流动而进行的。
根据上述第3概念，使各个的表面相互略平行地并且与上述纯水的液面略垂直地排列的多个上述基板，浸入在上述纯水内，通过使上述液面侧纯水的排出以沿上述液面并且沿上述基板的表面流动来进行，能够在上述各基板的一部分露出到上述纯水的上述液面的上方时，使相邻的各个上述基板间的液面或液面附近的上述异丙醇溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈良好状态。
根据上述其他实施例的第4概念，提供一种第3概念所述的基板干燥装置，上述干燥室具有相互对向的侧面，沿上述相互对向的各个侧面内侧设置上述排水口，通过使上述液面侧纯水流入到上述各个排水口而构成上述流动。
根据上述第4概念，沿在上述干燥室中的相互对向的侧面的各个内侧、设置上述排水装置的上述排水口，通过使上述液面侧纯水流入到上述各个排水口而进行的排水，可以产生沿上述液面并且沿上述各个基板的表面的上述流动。
根据上述其他实施例的第5概念，提供一种上述第1概念至第4概念所述的如下基板干燥方法或装置，上述液面侧纯水的排出，是使上述干燥室内的上述液面的下降速度为一定来进行的。
根据上述第5概念，在上述基板从上述液面露出时，通过使上述液面的下降速度为一定，可以去掉在干燥上述基板时的干燥斑纹。
根据上述其他实施例的第6概念，提供一种从上述第1概念至第5概念中任意一项所述的基板干燥方法或装置，直到从上述纯水中使上述基板从上述液面完全露出为止，在上述干燥室内固定上述基板。
根据上述第6概念，在上述基板从上述液面露出时，直到上述基板完全露出为止，由于使上述基板不动并固定其位置，所以在上述纯水的上述液面上不产生构成引起上述基板移动的晃动，能够使其处于稳定的状态。由此，可以去掉在干燥上述基板时的干燥斑纹。
根据上述其他实施例的第7概念，提供一种从上述第1概念至第6概念中任意一项所述的基板干燥方法或装置，在从上述纯水的上述液面或上述液面附近排出上述液面侧纯水时，从上述干燥室的底面附近排出上述纯水。
根据上述第7概念，在上述纯水的上述液面侧排出纯水时，由于通过一起进行从上述干燥室的底面附近排出上述纯水，能够在进行上述液面侧纯水的排出的同时缩短上述纯水排出所需时间，可以进一步地进行高效率的基板干燥。
根据上述其他实施例的第8概念，提供一种从上述第1概念至第7概念中任意一项所述的基板干燥装置，上述排水口是在侧面上部所具有的多个三角口的槽部，通过从上述纯水的上述液面或上述液面附近使上述液面侧纯水通过上述各三角口流入到上述槽部。
根据上述第8概念，在从上述液面或上述液面附近使上述液面侧纯水从上述干燥室流入到上述槽部时，通过经在上述槽部的侧面上部具有的多个三角口流入上述液面侧纯水，可以容易地进行流入流量的调整。
根据上述其他实施例的第9概念，提供一种从上述第1概念至第8概念中任意一项所述的基板干燥方法或装置，上述基板是单晶片或液晶玻璃基板。
根据上述第9概念，当上述基板是要求其表面的清洁性等好的单晶片或液晶玻璃基板时，也可以得到在上述各个概念中的效果。
下面对上述其他实施例对第4实施例至第7实施例进行以下说明。
(第4实施例)
下面，将作为本发明的第4实施例的基板干燥装置的一例的单晶片干燥装置101的纵剖视图出示在图12中，将在图12中的A-A线剖面图出示在图13中，将在图12中的B-B线剖面图出示在图14中。另外，将表示单晶片干燥装置101的概略构成的流程图出示在图15中。
如图12、图13、图14、和图15所示，单晶片干燥装置101，设有整个上面开放的略呈长方体的箱体形状，且在其内部可以存放纯水40，并且具有使圆盘状的多个单晶片2浸入在上述存放的纯水40内、在其清洗后可以进行干燥的干燥室1，和具有略呈长方体状的箱体形状、在其内部有可以密闭的空间4且干燥室1被固定在其内部而设置的处理室12。
另外，干燥室1，可装入把多个单晶片2、以其表面与垂直方向略平行且以一定间隔使各个表面略平行地排列地支撑的公知的单晶片托架13，而且具有作为使装入的单晶片托架13在干燥室1内可以卸下地固定的基板支撑机构的一例的托架固定部9。托架固定部9被安装在干燥室1的底面上，在向干燥室1中注入纯水而为水满的状态下，被支撑在单晶片托架13上的所有单晶片2可以浸入在纯水40中。另外，取代使用单晶片托架13将多个单晶片2装入到干燥室1内的情形，可以不使用单晶片托架13而直接将各个单晶片2装入到干燥室1内，在干燥室1内，通过基板支撑机构支撑并固定支撑位置。
另外，处理室12，在其上面有可以开闭的盖11，通过打开盖11能够进行收纳多个单晶片2的单晶片托架13的供给取出以及对处理室12内部的维修等，通过关闭盖11可以使处理室12内部的空间4为密闭状态。进而，在盖11上具有在向被装入在处理室12内的干燥室1的纯水40的液面上部空间4内、喷射作为惰性气体一例的氮气(N2)的同时、喷射液相的异丙醇(以下简单地记为IPA)，使雾状的IPA喷射到上述空间4内的2台喷雾装置3，和向上述空间4内喷射氮气的干燥喷咀5。另外，喷雾装置3和干燥喷咀5的构造和功能与上述第1实施例中的喷雾装置3和干燥喷咀5是相同的。
另外，干燥室1的内侧下部具有向干燥室1内部供给纯水的管状的纯水供给部10，为了向干燥室1内部可以均匀地供给纯水，纯水供给部10，在干燥室1内部并在其管状的外周上具有多个纯水供给孔。
另外，作为具有向上有开放部的大约呈U字形截面形状的槽的排水口和槽部的一例的边槽部6，分别沿干燥室1的4个侧面内侧而设置，在上述4个侧面的内侧周部全体上，边槽部6的上述U字形剖面形状的槽，在平面上略呈O字形地作为一体而形成。另外，作为上述槽部，在上述排水口的开口部分连续地一体地形成，上述排水口不限定于上述槽部的形式，上述开口部分也包含不连续地或断续地形成的形式。另外，边槽部6沿上述4个侧面的各个内侧边的上端的高度位置，形成为大致平行，进而边槽部6在干燥室1内部保持该略水平的状态，并且通过作为排水口部升降机构的一例的边槽部升降机构14、可沿上述4个侧面平行移动。边槽部升降机构14，位于图1中的处理室12的左侧，处理室12和边槽部升降机构14被固定在单晶片干燥装置101的机台15上。边槽部升降机构14由下述部件构成在可绕旋转轴旋转地沿上下方向固定在机台15上的滚珠丝杠14a，和使滚珠丝杠14a正反旋转的驱动部14b，和螺合在滚珠丝杠14a上并通过滚珠丝杠14a正反旋转沿滚珠丝杠14a可以升降的螺母14c，和固定在机台15上并在上述正反旋转的方向固定螺母14c而引导上述升降动作的导向装置14e，和由多个刚体形成门形并且一方的下端被固定在螺母14c上且另一方的下端贯通处理室12的上面、固定在上述4个侧面中的一边的边槽部6上的升降框架14d。另外，作为驱动部14b的例子，有被固定在滚珠丝杠14a的下端并且使滚珠丝杠14a直接地正反旋转的电动机、和使固定在滚珠丝杠14a的下端的皮带轮通过皮带等使滚珠丝杠14a间接地正反旋转的电动机。在边槽部升降机构14上，通过由驱动部14b使滚珠丝杠14a正反旋转而使升降框架14d升降，使边槽部6可以沿干燥室1的上述各侧面升降。由此，在被供给纯水并呈满水状态的干燥室1中，通过使其上端位于与干燥室1的上端相同高度位置的状态的边槽部6、由边槽部升降机构14而下降，这样使边槽部6的上端位于纯水40的液面下，可以使纯水40的液面侧纯水流入到边槽部6内。另外，由边槽部升降机构14进行的边槽部6的升降范围，例如是边槽部6的上端从与干燥室1的上端相同高度的位置到比由单晶片托架13支撑的各单晶片2的下端还靠下的高度位置的范围。
在这里将边槽部6的放大俯视图出示在图16A中，将在图16A中的边槽部6的E-E线剖面图出示在图16B中，如图16A和图16B所示，在上述O字形的边槽部6的内侧边的上端，有V字形的切口形状的三角口6a，作为一例以一定间隔形成多个，在使上述边槽部6下降、进行纯水40的液面侧纯水向边槽部6内流入时，通过从各三角口6a向边槽部6内的流入，容易进行流入流量的调整，并且能够确保向液面上的全周方向的流动。另外，三角口6a的上述一定间隔，也可以是与由单晶片托架13支撑的各单晶片2的配置间隔相同。
另外，在边槽部6上，为了能够把上述流入的液体集中到上述平面O字形中的一边的边槽部6(即，图12中的左侧的边槽部6)中，与上述一边的边槽部6对向的边槽部6(即，图12中的右侧的边槽部6)的底面、比上述一边的边槽部6的底面浅，另外，在连接上述两者的边槽部6的各个边槽部6的底面，被设置为向上述一边的边槽部6方向的下方倾斜。另外，在上述一边的边槽部6的内侧，固定着作为槽部排水机构一例的边槽部排水机构16上的吸入口16a，边槽部排水机构16，具有带吸入口16a且固定在边槽部升降机构14的升降框架14d上的排水管16b，和固定在单晶片干燥装置101的机台15上的排水泵16c，和连接排水泵16c的吸入口和排水管16b的挠性软管16d，由这些形成排水通路46。为此，流入到边槽部6中的液体被收集在上述一边的边槽部6处，由边槽部排水机构16可以从上述一边的边槽部6使上述液体通过排水通路46排出到单晶片干燥装置101的外部。另外，在本第4实施例中，由边槽部6、边槽部排水机构16和边槽部升降机构14构成进行在干燥室1中的上述液面侧纯水的排出的排水装置。
另外，在干燥室1中，沿干燥室1的4个侧面上部的外侧，设有向上有开放部的大约呈U字形截面形状的槽的溢流接受部17，在干燥室1的上部外周全体上，在平面上略呈O字形地一体地形成溢流接受部17的上述U字形截面形状的槽。另外，溢流接受部17的上述槽的干燥室1侧的侧面，由干燥室1的上部外侧侧面形成，另一方的侧面被形成为其上端的高度位置比干燥室1的上端更高。由此，在干燥室1的纯水溢出时，可以由溢流接受部17接受溢出的纯水。另外，在溢流接受部17的底面设置有排水口17a，可以通过配管等或直接从设在处理室12的底部的排水口18向处理室12外排出上述溢流的纯水。另外，如图16A所示，在上述O字形的外侧的边槽部6的上端，作为一例以一定的间隔也形成有多个具有V字形的切口形状的三角口6b，进而在干燥室1的上端作为一例以一定的间隔也形成多个有相同的V字形的切口形状的三角口1a。在边槽部6的上端位于与干燥室1的上端相同高度的状态下，各三角口6b和各三角口1a相吻合。由此，在使上述边槽部6、其上端位于与干燥室1的上端相同高度的状态时，供给到干燥室1内的纯水流入到边槽部6内，进而在从边槽部6内流入到溢流接受部17内而溢流，这时，由于能够通过三角口6b和三角口1a进行向溢流接受部17的上述流入，所以可以顺畅地进行上述流入。
另外，干燥室1的底面，设有向其中心方向的坡度，并且在其中心部分设置有排水口19，从该排水口19可以使干燥室1内的纯水顺畅地排出到干燥室1外。另外，在边槽部升降机构14和边槽部排水机构16上的各种动作控制由控制装置47进行。
下面对在由上述构成的单晶片干燥装置101中进行单晶片2的干燥处理时的顺序进行说明。
首先，如从图12至图15所示，打开纯水供给通路45的第7气动阀34从纯水供给部10向干燥室1内供给纯水，使干燥室1为装满纯水的状态。其后，打开盖11，将支撑多个单晶片2的单晶片托架13装入到处理室12内，在干燥室1的纯水40中浸入单晶片托架13并由托架固定部9固定。这时，通过从干燥室1将纯水溢流到溢流接受部17中，而使干燥室1内的异物浮游到纯水40的液面附近，与使这些异物溢流的纯水一起排出到干燥室1外而进行洗净。
接着，在关闭排气通路43的状态下，即，在密闭处理室12的空间4的状态下，与从各喷雾装置3喷射氮气的同时，使IPA液体在上述氮气的喷射开口附近喷射，使IPA雾气例如以约2cc/min喷射到上述空间4内。喷雾的方向，大概为向下且大致向着纯水40内的单晶片2的方向(详细地是向着在邻接的各个单晶片2之间的空间且相当于单晶片2的中心的位置的方向)，在纯水40的液面上保持喷雾的均匀是理想的。这时，在干燥室1的空间4内的压力变得异常高时，最好打开排气通路43降低压力。
下面，以这样在上述空间4的纯水40的液面附近能够保持由IPA雾气覆盖的状态并以持续喷雾的状态，通过控制装置47的控制，停止上述纯水的供给，并且控制边槽部升降机构14，使在其上端位于与干燥室1的上端相同高度位置的状态下的边槽部6，以一定的速度缓慢下降。作为边槽部6下降速度的例子，是在1秒钟内为10mm左右以下的下降速度，最好是例如在使雾气以约2cc/min喷射时，在1秒钟内为2mm左右的下降速度。
伴随该边槽部6的开始下降，从在干燥室1的纯水40的液面中央附近产生向上述O字形的4边的各个边槽部6的方向的大致放射状的流动，纯水40的液面侧纯水，通过边槽部6的各三角口6a流入到边槽部6内，并由控制装置47的控制来控制边槽部排水机构16，流入到边槽部6内的上述液面侧纯水，通过排水通路46排出。另外，也可以从边槽部6的开始下降之前由边槽部排水机构16的开始排水。
总之，在排出上述液面侧纯水时，以能够在液面上产生上述大致放射状的表面流动的下降度使边槽部6下降。由此，使在纯水40的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等能够以上述流动与上述液面侧纯水一起流入到边槽部6内而排出。
其结果，虽然单晶片2的上部露出到纯水40的液面上，但不会使单晶片表面接触氧而自然氧化，向上述纯水40的液面均匀地持续喷射的IPA的雾气立刻与附着在单晶片2的表面的纯水置换。另外，在使IPA的雾气的温度比单晶片2的温度、即常温高(例如超过单晶片2的温度、即常温高出至60℃的范围)，最好至少高5℃以上，更好的是比高出5℃至60℃的范围时，可迅速地干燥。
当边槽部6的上端下降到比被单晶片托架13支撑的各单晶片2的下端更靠下时，停止边槽部6的下降，各单晶片2呈从纯水40完全露出的状态，完成附着在各单晶片2表面的纯水与IPA的置换。其后，停止从喷雾装置3的喷雾，并开始从干燥喷咀5喷射氮气。由此，促进从各单晶片2表面的上述IPA的蒸发，将各单晶片2的表面干燥。在上述干燥完成后，停止从干燥喷咀5喷射氮气。结束对单晶片2的干燥处理。另外，取代进行从上述干燥喷咀5喷射氮气的情形，也可以保持放置各单晶片2的状态，使上述IPA从各单晶片2的表面自然蒸发。
然后，打开处理室12的盖11，解除通过托架固定部9对单晶片托架13的固定，从处理室12与单晶片托架13一起把各单晶片2搬出到上方。
另外，在单晶片2为常温时，使IPA或氮气或IPA和氮气的温度为比常温高5℃至60℃的范围的较高的温度，使比常温高的IPA的雾气向单晶片2喷射，这样能够更加迅速地干燥，例如，能够以10分钟以下的干燥时间干燥50张单晶片。
另外，在使边槽部6下降进行纯水40的液面侧纯水排出时，进而可以由纯水供给部10，例如以30升/分以下的程度、最好为4升/分的程度来供给纯水。在这种情况下，将纯水40中的异物等通过新供给的纯水积极地上推向液面侧，能够通过与液面侧纯水一起迅速且更顺畅地排出，并且使IPA溶入的上述液面或液面附近的纯水能够更迅速且顺畅地排出。
另外，在使边槽部6下降进行纯水40的液面侧纯水排出时，也可以打开第6气动阀35从干燥室1的底部的排水口19边调整纯水40的排出量边排水。这时，以通过由从边槽部6和排水口19的排水而使纯水40的液面下降速度为一定的方式，进行从排水口19的上述排出量的调整。在这种情况下，能够加速在保持上述液面的上述大致放射状的流动状态下纯水的液面的下降速度，能够缩短干燥处理时间，并且能够使在纯水40内的干燥室1的底面侧的异物等排出到干燥室1外，另外上述排水口19和上述第6气动阀35为底面排水机构的一例。。
另外，取代设在边槽部6的多个三角口6a全都以一定的排列间隔形成的情形，可以在沿被支撑于单晶片托架13上的各单晶片2的表面的方向的、相互对向的各个边槽部6上、以更短的排列间隔，而在与各单晶片2的表面垂直的方向的相互对向的各个的边槽部6上、以更长的排列间隔，形成多个三角口6a。在这种情况下，能够使在纯水40的液面侧纯水流入到边槽部6时产生的液面中央附近、向上述4个边的边槽部6的方向的上述大致放射状的流动，在沿各单晶片2的表面的方向为强流动，在各单晶片2的一部分露出到纯水40的液面的上方时，能够使相邻的各个单晶片2间的液面侧纯水，以上述强流动排水，使在上述各个单晶片2间的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈良好状态。
另外，在从干燥室1的上述液面侧纯水的排出时，对于不要求排水流量的微小的调整的情况，可取代在边槽部6形成多个三角口6a的情形，不形成上述三角口6a。
另外，不限定于边槽部6分别形成在干燥室1的4个侧面的结构。例如，也可以在上述4个侧面中，仅沿着由单晶片托架13支撑的各单晶片2的表面的方向的相互对向的各个侧面，设置边槽部6。作为本第4实施例的变形例，将在这种情形的单晶片干燥装置102的纵剖视图出示在图17中，将在图17中的C-C线剖面图出示在图18中。在单晶片干燥装置102中，虽然彼此的边槽部56不是一体地形成，但为了使各个边槽部56的上端为相同高度的位置，而把各个边槽部56固定在边槽部升降机构14的升降框架14d上，从而可以使各个边槽部56保持相互相同高度的位置同时进行升降。另外，通过将边槽部排水机构16的排水管16b分为2分支，使排水管16b的吸入口16a位于各个边槽部56内，并可以排出流入到各个边槽部56内的液体。
在这样的单晶片干燥装置102中，在能够使边槽部56为简单结构的同时，在使纯水40的液面侧纯水流入到边槽部56时，能够在液面上产生从液面中央附近向各个边槽部56侧沿着各单晶片2的表面方向的流动，即，能够产生在沿上述表面的方向的相反的两方向的流动，在各单晶片2的一部分露出到纯水40的液面上部时，使邻接的各个单晶片2间的液面侧纯水、能够以上述相反的2个方向的流动进行排水，并使在上述各个单晶片2间的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈良好状态。
另外，在单晶片干燥装置102中，在排出上述液面侧纯水时，以能够在液面上产生上述两方向的流动(表面流动)的下降速度使边槽部56下降。由此，使在纯水40的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等以上述两方向的流动与上述液面侧纯水一起能够流入到边槽部56内而排出。
另外，也可以只设置在单晶片干燥装置102中的各个边槽部56中的一方的边槽部56。作为本第4实施例的其他变形例，在图19中出示了这样的单晶片干燥装置103的纵剖视图，在图20中出示了在图19中的D-D线剖面图。在单晶片干燥装置103中，能够进一步使边槽部56的结构简单，并且在使纯水40的液面侧纯水流入到边槽部56中时，能够在液面上产生从没有边槽部56的干燥室1的侧面侧沿向边槽部56侧的各单晶片2的表面的方向的一方向的流动，在各单晶片2的一部分露出到纯水40的液面上方时，使邻接的各个单晶片2间的液面侧纯水、能够以上述一方向的流动排出，使在上述各个单晶片2间的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈良好状态。
另外，在单晶片干燥装置103中，在排出上述液面侧纯水时，以能够在液面上产生上述一方向的流动(表面流动)的下降速度、使边槽部56下降。由此，使在纯水40的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等、能够以上述一方向的流动与上述液面侧纯水一起流入到边槽部56内而排出。
根据上述第4实施例，在使浸入在干燥室1中的纯水40内的单晶片2露出到纯水40的液面的上方时，不是仅以从干燥室1的底面排出纯水、及单晶片2自身从纯水40提起，而是通过在纯水40内以固定单晶片2的支撑位置的状态，使边槽部6从纯水40的液面下降，这样使液面侧纯水通过边槽部6排出，所以能够使在液面或液面附近浮游的异物等与液面侧纯水一起排出。由此，在上述各个单晶片2从液面露出时，能够防止上述异物等附着在各个单晶片2的表面。
另外，浸入在干燥室1的纯水40内的单晶片2从上述液面的露出，是通过使上述液面侧纯水经边槽部6排水来进行的，因而喷雾到上述液面上方的空间4内的IPA的雾气、即使是溶入在纯水40的上述液面或上述液面附近的情形，作为上述液面侧纯水也能够使上述IPA溶入的纯水连续地进行排出。由此，能够防止在上述液面或上述液面附近的纯水中增大IPA的溶入量，通过提高在上述水滴中的纯水和液滴状的IPA的置换效率而达到提高单晶片的干燥效率，能够防止在单晶片表面发生干燥斑纹。
另外，在上述单晶片2从液面露出时，由于是在不使单晶片2移动而以固定其位置的状态下进行的，所以纯水40的液面不发生摇动，因而能够消除干燥斑纹的发生。
另外，在上述单晶片2从液面露出时，通过使液面的下降速度为一定也能够消除干燥斑纹。
(第5实施例)下面，作为本发明的第5实施例的基板干燥装置的一例的单晶片干燥装置104，具有与在上述第4实施例的单晶片干燥装置102中的边槽部56不同的形状的边槽部66，其他的构成都相同。以下，仅对其不同部分的边槽部66的形状进行说明。另外，在图21中出示了该单晶片干燥装置104的纵剖视图。
如图21所示，单晶片干燥装置104，在各自沿被支撑在干燥室1内的单晶片托架13的各单晶片2的表面方向的相互对向的侧面内侧(即，在图21中的干燥室1的左右侧面内侧)，作为排水口的一例，在其侧面具有形成多个孔部66a的圆筒状的边槽部66。边槽部66，在沿该圆筒的轴方向的圆筒侧面以一列且一定的间隔形成具有相同孔径的多个孔部66a，另外，各个边槽部66在沿干燥室1的上述各个侧面设有呈朝上的各孔部66a。另外，各个边槽部66，其位于上端的各孔部66a处于相同高度的位置，并在保持各孔部66a呈略水平状态的同时可沿干燥室1的上述各个侧面升降。另外，单晶片干燥装置104虽未图示，但具有排出流入到其内部的液体的边槽部排水机构16、和使边槽部66在保持上述略水平的状态的同时可沿干燥室1的上述各个侧面升降的(或可平行移动)的边槽部升降机构14。
由此，在纯水40为满水状态的干燥室1中，通过使上端与干燥室1的上端为相同高度的状态的边槽部66、由边槽部升降机构14以一定的速度缓慢地下降，而使边槽部66的各孔部66a处于比纯水40的液面还低的位置，使纯水40的液面侧纯水通过各孔部66a流入到边槽部66内部，并能够使流入到边槽部66内的上述液体通过边槽部排水机构16排出。
根据上述第5实施例，加上由上述第4实施例得到的效果，能够以将边槽部66在侧面上部形成多个孔部66a的圆筒状的形状形成，即，由于能够通过在圆筒状的管材等上进行打孔等来形成，所以能够使边槽部66的构造为简单的构造。另外，通过在边槽部66的上述侧面形成多个孔部66a，能够容易进行流入到边槽部66内的液体的流量的调整。
另外，通过在沿由单晶片托架13支撑的各单晶片2的表面方向的相互对向的干燥室1的侧面设有形成多个孔部66a的边槽部66，在使纯水40的液面侧纯水流入到边槽部66内时，能够产生从液面中央附近向各个边槽部66在液面上沿各单晶片2的表面的相反的两方向的流动，并能够在各单晶片2的一部分从纯水40的液面露出到上面的时候，使相邻的各个单晶片2间的液面侧纯水以上述相反的两方向的流动排水，能够使在上述各个单晶片2间的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈良好状态。
(第6实施例)下面，作为本发明的第6实施例的干燥基板装置的一例的单晶片干燥装置105，不是如上述第4实施例的单晶片干燥装置101等那样，为了干燥室1的纯水40的液面侧纯水的排出而具有边槽部6、边槽部排水机构16和边槽部升降机构14，而是通过不同的方法进行上述液面侧纯水的排出，其他的构成是相同的。以下，仅对其上述不同部分进行说明。另外，在图22中出示了该单晶片干燥装置105的纵剖视图。
如图22所示，在单晶片干燥装置105中，在沿被支撑在单晶片托架13上的各单晶片2的表面方向上的干燥室71的侧面，形成多个孔部71a。例如在干燥室71的侧面上、在上下方向和左右方向各一列地且以一定间隔地、即在上下左右以格子状形成上述孔部71a。另外，各孔部71a最好以全部相同的孔径形成。另外，各孔部71a被形成在从干燥室71的上端附近到比被支撑在单晶片托架13上的各单晶片2的下端还靠下的高度位置上。
另外，在形成干燥室71的孔部71a的上述各个侧面外侧，具有覆盖在各个上述侧面的各孔部71a且沿上述侧面形成为可以升降的方形板状的闸门72。另外，上述各个闸门72呈彼此相同的形状，彼此的上端的高度位置以维持在略水平的状态可以作上述升降动作。
另外。在图22中虽未示出，在从各个闸门72能够覆盖全部孔部71a的高度位置，即从各个闸门72的上端位于比最上部的孔部71a还高的位置、到全部孔部71a没有被闸门72覆盖而放开的位置，即到各个闸门72的上端位于比最下部的孔部71a还低的位置之间，具有使上述各个闸门72沿干燥室1的上述各个外侧侧面升降的闸门升降机构73。
另外，在形成于干燥室71上的孔部71a的各个侧面上，在干燥室71内的纯水40通过孔部71a向干燥室71外排水时，为了上述排出的液体不在处理室12内飞散，设置有由板状体形成的具有反L字形的截面形状的挡板部74。
下面，对在这样的构成的单晶片干燥装置105中，将浸入到在干燥室71内呈满水状态的纯水40中的各单晶片2从纯水40的液面露出的方法进行说明。
首先，使在干燥室71中以通过各个闸门72覆盖所有孔部71a的状态呈纯水40满水的状态。由该状态，通过闸门升降机构73开始各闸门72的下降动作。各个闸门72以一定的速度缓慢下降，在下降至各个前端比干燥室71的侧面的最上部的各孔部71a的上端靠下时，纯水40的液面侧纯水从上述最上部的各孔部71a排出到干燥室71外。上述排出的液体，碰到各个挡板74的内侧，沿各个上述内侧下落到处理室12内的底面，通过处理室12的废水口18经排水通路44排出。另外，上述闸门72的下降速度与在上述第4实施例中的边槽部6的下降速度相同。
伴随各个闸门72的下降，纯水40的液面侧纯水从孔部71a排出，纯水40的液面缓慢下降而使各单晶片2露出到上述液面上。当闸门72的上端位于比所有单晶片2的下端还靠下时，停止由闸门升降机构73进行的各个闸门72的下降。
根据上述第6实施例，取代在上述第4实施例的单晶片干燥装置101中所具有的边槽部6，边槽部排水机构16和边槽部升降机构14的情形，在单晶片干燥装置105中，具有在干燥室71的侧面形成的多个孔部71a、能够覆盖上述多个孔部71a且沿上述侧面升降的闸门72和升降上述闸门72的闸门升降机构73，通过下降闸门71，使处于由闸门71覆盖的状态的各孔部71a为依次开放状态，就能够通过孔部71a使纯水40的液面侧纯水排出到干燥室71外，能够得到与上述第4实施例的效果相同的效果。
另外，通过在沿被单晶片托架13支撑的各单晶片2的表面方向的相互对向的干燥室71的侧面、形成上述多个孔部71a，可在使纯水40的液面侧纯水通过孔部71a排出时，能够在液面上产生从液面中央附近向各个上述侧面、沿各单晶片2的表面的相反的两方向的流动，在各单晶片2的一部分从纯水40的液面中露出到上面的时候，能够使相邻的各个单晶片2间的液面侧纯水、以上述相反的两方向的流动而排出，使在上述各个单晶片2间的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈良好状态。
(第7实施例)下面，作为本发明的第7实施例的干燥基板装置的一例的单晶片干燥装置106，不是如上述第4实施例的单晶片干燥装置101等那样，对干燥室1的纯水40的液面侧纯水的排出，通过由槽部升降机构14使边槽部6的下降而使流入到边槽部6内的液体由边槽部排水机构16排出，而是通过不同的方法进行上述液面侧纯水的排出，其他的构成是相同的。以下，仅对其上述不同部分进行说明。另外，在图23中出示了该单晶片干燥装置106的纵剖视图。
如图23所示，在单晶片干燥装置106中，在沿被支撑在单晶片托架13上的各单晶片2的表面方向的干燥室1的侧面内侧附近，设有带吸入口86a的多个排水管86。上述排水管86，其吸入口86a沿上述各个侧面以一列且一定间隔地排列。另外，各排水管86，可在各个吸入口86a的高度位置略保持水平的状态下沿各干燥室1的上述各个侧面升降。
另外，在图中虽未示出，在单晶片干燥装置106中，以与上述第4实施例中的槽部升降机构14同样的构造，具有进行各排水管86的上述升降动作的升降机构，另外，以与上述第4实施例中的边槽部排水机构16同样的构造，具有使从各吸入口86a吸入的液体通过排水管86排出的排水机构。
另外，由上述升降机构进行的各排水管86的升降动作，在各吸入口86a从干燥室1的上端附近的高度位置到比被支撑在单晶片托架13上的各单晶片2的下端靠下的高度位置之间进行。
由此，在纯水40为满水状态的干燥室1中，使吸入口86a呈干燥室1的上端附近的高度位置的状态的各排水管86，通过上述升降机构以一定的速度缓慢下降，并且将由上述排水机构吸入到吸入口86a附近的液体、通过各排水管86进行排水动作，由此能够使纯水40的液面侧纯水通过各吸入口86a排出。进而，通过在进行上述排水动作的同时使各排水管86以一定的速度下降，而纯水40的液面也能够以一定速度下降，可进行各单晶片2向液面的露出。
根据上述第7实施例，即使不是如上述第4实施例中的单晶片干燥装置101那样，通过边槽部6使流入到边槽部6内的上述液面侧纯水、通过边槽部排水机构16进行排出，而是不使用边槽部6而直接从排水管86的吸入口86a排出上述液面侧纯水，也可以得到与上述第4实施例的效果相同的效果。
另外，当通过在沿被单晶片托架13支撑的各单晶片2的表面方向的相互对向的干燥室1的侧面所具有多个排水管86，使纯水40的液面侧纯水通过吸入口86a排出到排水管86内时，能够在液面上产生从液面中央附近向各个吸入口86a、沿各单晶片2的表面的相反的两方向的流动，在各单晶片2的一部分从纯水40的液面露出到上面的时候，能够使相邻的各个单晶片2间的液面侧纯水以上述相反的两方向的流动而排出，可使在上述各个单晶片2间的液面或液面附近的IPA溶入的纯水和浮游的异物等的排出性呈良好状态。
另外，通过适当组合上述各种实施例中的任意的实施例，能够得到各自的效果。
根据本发明的上述第1发明，可以提供一种基板干燥方法，在使浸入在干燥室的纯水内的基板露出到上述纯水的液面的上方时，不是以仅从干燥室的底面进行上述纯水的排出、以及把上述基板自身从上述纯水中提起的任意一种方法，而是通过使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起上升、边使液面侧纯水从在上述纯水中的液面或液面附近排出，能够进行上述基板从上述液面的露出。由此，能够防止在上述基板从上述液面的露出时在上述液面或上述液面附近浮游的异物等向上述基板的表面的附着。
另外，可以提供如下的基板干燥方法，浸入到上述干燥室的上述纯水内的基板从上述液面露出，由于是与排出上述液面侧纯水同时进行，所以即使供给到上述液面上的空间内的气态的或液滴状的异丙醇、溶入上述纯水的上述液面或上述液面附近，也能够作为上述液面侧纯水连续地进行将上述异丙醇溶入的纯水的排出。由此，能够防止在上述液面或上述液面附近的上述纯水中增大上述异丙醇的溶入量，通过提高在上述纯水和上述气态或上述液滴状的异丙醇的置换效率，而实现提高上述基板的干燥效率，能够防止在上述基板表面产生干燥斑纹。
另外，可以提供如下的基板干燥方法，由于通过使浸入上述基板的上述纯水与上述基板一起上升而进行上述液面侧纯水的排出，所以在上述纯水中，能够防止产生扩散溶入在纯水中的上述异丙醇和浮游的异物等的流动(即、涡流等的乱流)。从而，在上述基板露出时，能够以防止扩散上述异物等的流动的状态，进行上述液面侧纯水的排出，并对在上述液面或上述液面附近的上述异丙醇溶入的纯水或浮游的异物等能够进行良好的排出。
根据本发明的上述第2发明，即使通过使干燥室下降，而使浸入上述基板的上述纯水与上述基板一起相对于上述干燥室进行相对上升，也能够在进行上述相对上升的同时、进行使液面侧纯水从上述纯水的液面或液面附近排出，能够得到与上述第1发明的效果相同的效果。
根据本发明的上述第3发明，可以提供一种基板干燥方法，由于在上述干燥室内的上述纯水排出时，使浸入上述基板的上述纯水与上述基板一起上升，进行上述纯水的上述液面侧纯水的排出，所以例如，与通过下降在干燥室内设置的边槽部等的排水装置而进行上述液面侧纯水的排出的情形比较，能够在上述排水中，使上述纯水的上述液面的位置和供给在上述液面上方的空气或惰性气体、和气态或液滴状的异丙醇的上述空间位置为相互固定的状态。由此，从上述基板的上述液面开始露出到露出完成(即，从上述基板开始干燥处理到结束)能够稳定地向上述空间或上述液面供给上述气态或上述液滴状的异丙醇，在上述基板露出时，能够使附着在上述基板的表面的纯水与上述雾状或上述液滴状的异丙醇的置换效率稳定，能够防止在上述基板表面产生干燥斑纹。
根据本发明的上述第4发明，可以提供如下的基板干燥方法，使各个表面相互略平行地并且与上述纯水的液面略垂直地配置多个上述基板并使其浸入在上述纯水内，通过以沿上述液面并且沿上述基板的表面的流动来进行上述液面侧纯水的排出，在上述各基板的一部分露出到上述纯水的上述液面上方时，使在邻接的各个上述基板间的上述液面侧纯水的排出能够呈良好状态，在上述各基板从上述液面露出时，能够使溶入到上述液面侧纯水的上述异丙醇和上述异物等的排出性呈良好状态。
根据本发明的上述第5发明，可以提供如下的基板干燥方法，由于能够在上述纯水的上述液面侧纯水的排出时，通过从上述干燥室的底面附近同时进行上述纯水的排出，在进行上述液面侧纯水的排出的同时缩短在上述纯水的排出时需要的时间，因此加上上述第1发明至第4发明的各个效果，能够进一步进行高效率的基板干燥。
根据本发明的上述第6发明，可以提供如下的基板干燥方法，在进行上述液面侧纯水的排出时，通过进一步从上述干燥室的底面附近供给纯水，能够把在上述纯水中浮游的异物等通过重新供给的纯水积极地推送向上述液面侧，通过与上述液面侧一起迅速且顺畅地排出，能够防止上述异物等附着在上述基板表面。
根据本发明的上述第7发明，体通过使用氮气作为上述惰性气，能够作为其处理性能良好的材料。
根据本发明的上述第8发明，可以提供如下的基板干燥方法，在要求上述基板是其表面具有清洁性等的单晶片或液晶玻璃基板时，能够得到在上述各个发明中的效果。
根据本发明的上述第9发明，可以提供如下的基板干燥装置，在使浸入在干燥室中纯水内的基板露出到上述纯水的液面上方的时候，不是以仅从上述干燥室的底面进行上述纯水的排出、及上述基板自身从上述纯水中提起的任意一种方法进行，而可通过上述排水装置，使上述可动台板上升，从而使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起上升、边从上述纯水的液面或液面附近排出液面侧纯水，能够进行上述基板从上述液面的露出，由此，在上述基板从上述液面露出时，能够防止在上述液面或上述液面附近浮游的异物等附着在上述基板的表面。
另外，由于浸入到上述干燥室的上述纯水内的基板从上述液面的露出，是通过边排出上述液面侧纯水来进行的，所以即使是通过异丙醇供给装置供给到上述液面上的空间内的气态或液滴状的异丙醇、在上述纯水的上述液面或上述液面附近溶入的情形，通过上述排水装置，也能够作为上述液面侧纯水连续地进行上述异丙醇溶入的纯水的排出。由此，能够防止在上述液面或上述液面附近的上述纯水中增大上述异丙醇的溶入量，通过提高上述纯水和上述气态或上述液滴状的异丙醇的置换效率而达到提高上述基板的干燥效率，能够防止在上述基板表面产生干燥斑纹。
另外，由于通过上述排水装置，使浸入上述基板的上述纯水与上述基板一起上升而进行上述液面侧纯水的排出，所以在上述纯水中，能够防止产生扩散溶入在上述纯水中的上述异丙醇和上述纯水中浮游的异物等的流动(即、涡流等的乱流)。从而，在上述基板露出时，以防止扩散上述异物等的流动的状态，能够进行上述液面侧纯水的排出，使在上述液面或在上述液面附近的上述异丙醇溶入的纯水或浮游的异物等能够得到良好的排出。
根据本发明的上述第10发明，可以提供如下的基板干燥装置，由于上述干燥室内的上述排水的排出，是通过上述排水装置使浸入上述基板的上述纯水与上述基板一起上升而进行上述液面侧纯水的排出，所以在上述排出中，能够使上述纯水的上述液面的位置和通过上述异丙醇供给装置、供给空气或惰性气体、和气态或液滴状的异丙醇的在上述液面上的上述空间位置、为相互固定的状态。由此，从上述基板的上述液面开始露出到露出完成(即，从上述基板开始干燥处理到结束)，通过上述异丙醇供给装置，能够稳定地向上述空间和上述液面上供给上述气态或上述液滴状的异丙醇，从而在上述基板露出时，能够使附着在上述基板的表面的纯水和上述气态或上述液滴状的异丙醇的置换效率稳定。因此，能够防止在上述基板表面产生干燥斑纹。
根据本发明的上述第11发明，可以提供如下的基板干燥装置，进而具有，在上述干燥室的底面具有、并且支撑上述基板的基板支撑机构、和升降上述干燥室的上述底面的底面升降装置，通过上述底面升降装置使上述干燥室的上述底面上升，与通过上述基板支撑机构支撑的上述基板一起边上升浸入上述基板的上述纯水，边通过在上述干燥室的上部使上述液面侧纯水溢流而能够排出上述液面侧纯水，能够得到上述第9实施例得到的效果。
根据本发明的上述第12发明，可以提供如下的基板干燥装置进而具有，在上述干燥室中、把上述纯水区分在上述液面侧的上部纯水槽和在上述干燥室的底面侧的下部纯水槽的可动台板，和设置在上述可动台板上并且在上述上部纯水槽内支撑被浸入在上述纯水中的上述基板的基板支撑机构，和升降上述干燥室的上述可动台板的可动台板升降装置；通过上述可动台板升降装置上升上述干燥室的上述可动台板，从而使上述上部纯水槽和上述下部纯水槽的区分位置上升，使浸入上述基板的上述上部纯水槽中的上述纯水边与通过上述基板支撑机构支撑的上述基板一起上升、边在上述干燥室的上部通过溢流上述液面侧纯水而能够排出上述液面侧纯水，能够得到上述第9发明所得到的效果。
根据本发明的上述第13发明，可以提供如下的基板干燥装置，加上由上述第12发明得到的效果，进而，在通过上述可动台板升降装置使上述可动台板沿上述干燥室的内侧上升时，由于根据其上升的量将符合上述下部纯水槽的容积增加部分的量的纯水从纯水供给部向上述下部纯水槽供给，所以在上述可动台板的周围部和上述干燥室的内侧之间即使有相互不接触程度的间隙，也能够通过上述可动台板的上升使在上述上部纯水槽中的纯水上升而能够进行仅对上述液面侧纯水的排出。由此可以不必要封住(或密封)上述可动台板的周围部和上述干燥室的内侧之间的上述间隙，能够防止在封住上述间隙时发生令人担心的摩擦而产生的异物，能够防止在上述干燥室的上述纯水内产生异物。
进而，伴随上述可动台板的上升，将与由于上述可动台板上升而使上述下部纯水槽的容积增加部分的量相应的纯水，供给到下部纯水槽中，因此能够在可动台板的周围部和干燥室的内侧之间的上述间隙中几乎不发生纯水的流动。从而，在浸入上述基板的上述上部纯水槽中，能够不发生由上述纯水的流动带来的涡流等的乱流，以在上述液面上的上述纯水的流动，使在上述露出的上述各基板间的上述液面或上述液面附近的上述异丙醇溶入的纯水或浮游的异物等能够以良好的排出性排出。
根据本发明的上述第14发明，通过上述排水机构，并通过使上述干燥室下降、使上述液体移动板对于上述干燥室进行相对上升，并使浸入上述基板的上述纯水与上述基板一起对于上述干燥室进行相对上升，进行上述液面侧纯水的排出，也能够得到上述第9发明所得到的效果。
根据本发明的上述第15发明，通过使用氮气作为上述惰性气体，能够作为易于处理的材料。
根据本发明的上述第16发明，可以提供如下的基板干燥装置，以各个的表面相互略平行地并且与上述纯水的液面略垂直地排列多个上述基板，并浸入在上述纯水内，通过沿上述液面并且沿上述基板的表面的流动来进行上述液面侧纯水的排出，在上述各基板的一部分露出到上述纯水的上述液面上方的时候，使在邻接的各个上述基板间的上述液面侧纯水的排出能够呈良好状态，在上述各基板从上述液面露出时，能够使溶入到上述液面侧纯水中的上述异丙醇和上述异物等的排出性呈良好状态。
对本发明边参照添加附图面边对理想的实施例作了充分的记述，但很明显对于此技术熟悉的人能够作种种的修正及变形。这样的修正及变形只要不超出本发明所限定的范围，当然应理解为包含在这些范围之中。
权利要求
1.一种基板干燥方法，在使浸入到干燥室(201、301)内的纯水(40)内的基板(2)从上述纯水内露出并对其进行干燥的基板干燥方法中，其特征在于向上述干燥室内的上述纯水的液面上部的空间(4)内，供给空气或惰性气体、以及气态或液滴状的异丙醇，使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起上升、边从上述纯水的液面或液面附近排出液面侧纯水，在上述干燥室内，使上述基板从上述纯水中露出到上述液面的上方，与此同时，附着在上述露出的基板的表面上的上述纯水，通过上述气态或上述液滴状的上述异丙醇而被置换，然后，通过从上述基板的表面蒸发上述异丙醇而干燥上述基板。
2.按照权利要求1所述的基板干燥方法，其特征在于以固定相对于上述空间的上述液面位置的状态、进行上述液面侧纯水的排出。
3.按照权利要求1所述的基板干燥方法，其特征在于使上述干燥室下降，从而使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起相对于上述干燥室上升、边从上述纯水的液面或上述液面附近排出上述液面侧纯水。
4.按照权利要求1所述的基板干燥方法，其特征在于浸入在上述纯水内的基板，是使其各个的表面相互略平行地并且与上述纯水的液面略垂直地配置的多个基板，上述液面侧纯水的排出，以沿上述液面并且沿上述各个基板的表面流动而进行。
5.按照权利要求1所述的基板干燥方法，其特征在于在从上述纯水的上述液面或上述液面附近排出上述液面侧纯水时，从上述干燥室的底面附近排出上述纯水。
6.按照权利要求1所述的基板干燥方法，其特征在于在从上述纯水的上述液面或上述液面附近排出上述液面侧纯水时，从上述干燥室的底面附近供给上述纯水。
7.按照权利要求1所述的基板干燥方法，其特征在于上述惰性气体是氮气。
8.按照权利要求1～7中任意一项所述的基板干燥方法，其特征在于上述基板是单晶片(2)或液晶玻璃基板。
9.一种基板干燥装置，其特征在于，具有在纯水(40)内可浸入基板(2)的干燥室(201、301)，和向上述干燥室内的上述纯水的液面上方的空间(4)内供给空气或惰性气体、以及气态或液滴状的异丙醇的异丙醇供给装置(3、603)，和使在上述干燥室内可升降地设置的可动台板(250、350)上升，使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起上升、边从上述纯水的液面或液面附近排出液面侧纯水的排水装置(214、314)；通过上述排水装置，使上述可动台板上升，从而使上述纯水边与上述基板一起上升、边排出上述液面侧纯水，在上述干燥室内，使上述基板从上述纯水中露出在上述液面的上方，与此同时，附着在上述露出的基板表面的上述纯水，通过上述气态或上述液滴状的上述异丙醇而被置换，然后，通过使上述异丙醇从上述基板的表面蒸发而使上述基板干燥。
10.按照权利要求9所述的基板干燥装置，其特征在于由上述排水装置进行的上述液面侧纯水的排出，以使上述液面的位置相对于上述空间固定的状态进行。
11.按照权利要求9所述的基板干燥装置，其特征在于上述可动台板是上述干燥室的底面(350)，并且上述排水装置是升降上述底面的底面升降装置(314)，并且进而具有支撑上述基板的基板支撑机构(9)，通过上述底面升降装置使上述干燥室的上述底面上升，从而使上述纯水边与通过上述基板支撑机构支撑的上述基板一起上升、边通过在上述干燥室中的上部使上述液面侧纯水溢流来进行排水。
12.按照权利要求9所述的基板干燥装置，其特征在于上述可动台板(250)，在上述干燥室中，把上述纯水区分在上述液面侧的上部纯水槽(40a)和在上述干燥室的底面侧的下部纯水槽(40b)中，上述排水装置是升降上述可动台板的可动台板升降装置(214)，进而具有设置在上述可动台板上、并且在上述上部纯水槽内支撑浸入在上述纯水中的上述基板的基板支撑机构(9)，通过上述可动台板升降装置使上述干燥室的上述可动台板上升，从而使上述上部纯水槽和上述下部纯水槽的区分位置上升，使在上述上部纯水槽中的上述纯水边与通过上述基板支撑机构支撑的上述基板一起上升、边在上述干燥室的上部通过溢出上述液面侧纯水而进行排水。
13.按照权利要求12所述的基板干燥装置，其特征在于进而具有向上述干燥室的上述下部纯水槽中供给纯水的纯水供给机构(210)，由上述可动台板升降装置使上述干燥室的上述可动台板上升，从而使上述上部纯水槽和上述下部纯水槽的区分位置上升，并且通过上述纯水供给机构，根据上述区分位置的上升把纯水供给上述下部纯水槽。
14.一种基板干燥装置，其特征在于，具有在纯水(40)内可浸入基板(2)的干燥室(401)，和向上述干燥室内的上述纯水的液面上方的空间(4)内供给空气或惰性气体、以及气态或液滴状的异丙醇的异丙醇供给装置(3、603)，和通过使上述干燥室下降，在上述干燥室内使可相对于上述干燥室升降地设置的液体移动板(450)进行相对上升，从而使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起相对于上述干燥室上升、边从上述纯水的液面或液面附近排出上述液面侧纯水的排水装置(414)；通过上述排水装置，使上述干燥室下降，从而使上述基板和上述纯水边与上述液体移动板一起相对于上述干燥室上升、边排出上述液面侧纯水，在上述干燥室内使上述基板从上述纯水中露出到上述液面的上方，与此同时，附着在上述露出的基板的表面上的上述纯水，通过上述气态或上述液滴状的上述异丙醇而被置换，然后，通过从上述基板的表面蒸发上述异丙醇而干燥上述基板。
15.按照权利要求9或14所述的基板干燥装置，其特征在于上述惰性气体是氮气。
16.按照权利要求9～14中任意一项所述的基板干燥装置，其特征在于浸入在上述纯水内的基板，是使其各个表面相互略平行地并且与上述纯水的液面略垂直地排列的多个基板，上述液面侧纯水的排出，以沿上述液面并且沿上述各个基板的表面流动而进行。
全文摘要
一种基板干燥方法和装置，在基板从纯水中露出时，能够减少向上述基板的表面的异物附着量，并且能够提高基板的干燥效率和消除干燥斑纹。向干燥室内的上述纯水液面上部的空间内，供给空气或惰性气体、以及气态或液滴状的异丙醇(以下称为IPA)，使浸入上述基板的上述纯水边与上述基板一起上升、边从上述纯水的液面或液面附近排出液面侧纯水，在上述干燥室内使上述基板从上述纯水中露出到上述液面的上方，与此同时，使附着在上述露出的基板的表面上的上述纯水与上述IPA进行置换，对上述基板进行干燥。
文档编号H01L21/00GK1434490SQ03103319
公开日2003年8月6日 申请日期2003年1月22日 优先权日2002年1月22日
发明者竹村祯男, 松田进, 水江宏明 申请人:东邦化成株式会社