专利名称：芯片电阻器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种在形成为芯片型的绝缘基板上形成至少一个电阻膜、位于其两端的端子电极、及覆盖上述电阻膜的外涂层(cover coat)的芯片电阻器及其制造方法。
背景技术：
以往，这种芯片电阻器，例如，特开昭56-148804号公报中记载，由于是覆盖至少一个电阻膜的外涂层在绝缘基板的上面的中央部分高高突出的形态，所以在将该芯片电阻器吸附在真空吸附式的筒套(collet)上时，存在不能吸附或外涂层产生裂纹等不良现象。
这里，在作为现有技术的特开平8-236302号公报中记载了一种最新的芯片电阻器，并且，通过如图1所示的构成消除了上述不良现象。
即，该现有技术的芯片电阻器的构成是，在形成芯片型的绝缘基板1的上面，形成电阻膜2和位于该电阻膜两端的左右一对上面电极3的同时，形成覆盖上述电阻膜2的玻璃等的外涂层4，并且，在上述两上面电极3的上面，相对于上述外涂层4部分重叠地形成辅助上面电极5，而在上述绝缘基板1的左右两端面，形成与上述上面电极3及辅助上面电极5相电性导通的侧面电极6，通过重叠形成在上述上面电极3上的辅助上面电极5而使上述外涂层4与不突出或降低其突出高度。
此外，在上述绝缘基板1的下面，形成一对与上述侧面电极6电性导通的下面电极7，而且，在上述辅助上面电极5、侧面电极6及下面电极7的整个表面上，形成由在镍镀层上叠加软焊料或锡镀层等构成的金属镀层8。
但是，在上述以往技术中，与位于电阻膜2的两端的两上面电极3相同，通过涂覆以电阻小的银为主要成分的导电性浆料(以下简称银浆料)，再进行烧结，形成该辅助上面电极5，虽然用金属镀层8覆盖该辅助上面电极5，但是，由于该金属镀层8相对于外涂层密合不紧，故大气中的硫化氢等含硫气体从金属镀层和外涂层之间的部分侵入到由上述银浆料构成的辅助上面电极5中相对于外涂层部分重叠的部分，并在该部分产生含硫气体迁移等造成的腐蚀等，并且，该迁移等的腐蚀一直延续到上面电极3，存在不仅电阻值变化，而且还最终导致上面电极断线的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种解决该问题的电阻器及其制造方法。
本发明的第1发明是芯片电阻器，在形成为芯片型的绝缘基板的上面，形成有至少一个电阻膜和位于该电阻膜两端的左右一对上面电极，并且形成有覆盖上述电阻膜的外涂层，在上述两上面电极的上面，相对于上述外涂层部分重叠地形成辅助上面电极，而在上述绝缘基板的左右端面上，与上述上面电极及辅助上面电极电性导通地形成侧面电极，进而，在上述辅助上面电极及侧面电极的表面形成有金属镀层，其特征在于在上述外涂层的上面，相对于上述辅助上面电极中重叠在上述外涂层上的部分、部分重叠地形成最上层的外涂层。
通过这样的构成，可用上述最上层的外涂层覆盖在上述辅助上面电极中重叠于外涂层上的部分，利用上述最上层的外涂层确实能够防止大气中的硫化氢等含硫气体侵入到该部分、即上述辅助上面电极中重叠在外涂层上的部分，进而能够确实抑制迁移等的腐蚀的发生，因此，起到能够确实在由导电性好的银浆料构成的上面电极上降低含硫气体造成的断线及电阻值变化的效果。
本发明的第2发明是基于第1发明记载的芯片电阻器，其特征在于利用以镍或铜等贱金属为主要成分的烧结型导电性浆料、或者利用由镍或铜等贱金属赋予导电性构成的硬化型导电性树脂浆料、或者利用由碳赋予导电性构成的硬化型导电性树脂浆料，形成重叠在上述上面电极上的辅助上面电极。
由此，上述辅助上面电极或是以镍或铜等贱金属为主要成分的导电性浆料制的、或是由镍或铜等贱金属赋予导电性构成的导电性树脂浆料制的，因此在上述辅助上面电极中重叠于外涂层上的部分，显著降低含硫气体迁移等造成的腐蚀等，或者上述辅助上面电极是由碳赋予导电性构成的导电性树脂浆料制的，因此在上述辅助上面电极中重叠于外涂层上的部分，不发生含硫气体迁移等造成的腐蚀，而能够进一步提高上述效果。
本发明的第3发明是关于上述构成的芯片电阻器的制造方法，其特征在于具有如下工序在芯片型绝缘基板的上面形成至少一个电阻膜和位于该电阻膜两端的上面电极的工序；在上述绝缘基板的上面形成覆盖上述电阻膜的外涂层的工序；重叠在上述两上面电极上、并相对于上述外涂层部分重叠地形成辅助上面电极的工序；在上述绝缘基板的两端至少与上述上面电极电性导通地形成侧面电极的工序；在上述外涂层的上面，相对于上述辅助上面电极中重叠在上述外涂层上的部分，部分重叠地形成覆盖该外涂层的最上层的外涂层的工序；在上述辅助上面电极及侧面电极的表面形成金属镀层的工序。
采用此制造方法，能够制造具有上述效果的芯片电阻器。
图1是表示以往的芯片电阻器的纵剖视图。
图2是表示本发明实施例的芯片电阻器的纵剖视图。
图3是表示制造上述实施例的芯片电阻器的第1工序的图。
图4是表示第2工序的图。
图5是表示第3工序的图。
图6是表示第4工序的图。
图7是表示第5工序的图。
图8是表示第6工序的图。
图9是表示第7工序的图。
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的实施例进行说明。
图2表示本发明实施例的芯片电阻器。
此实施例的芯片电阻器，在构成为芯片型的绝缘基板11的下面，用银浆料形成左右一对的下面电极17，而在上述绝缘基板11的上面，形成电阻膜12及位于该电阻膜12两端的由银浆料构成的上面电极13，并且形成覆盖上述电阻膜12的由玻璃等构成的外涂层14；在上述两个上面电极13的上面，相对上述外涂层14部分重叠地形成由银浆料构成的、或由以镍或铜等贱金属为主要成分的导电性浆料构成的、或由后述的硬化型的导电性树脂浆料构成的辅助上面电极15；并且，在上述外涂层14的上面，相对于上述辅助上面电极15中重叠在上述外涂层14上的部分、部分重叠地形成覆盖上述外涂层的由玻璃或热硬化性合成树脂构成的最上层的外涂层19；在上述绝缘基板11的左右端面11a上，与上述上面电极13、上述辅助上面电极15及下面电极17电性导通地形成由银浆料或导电性树脂浆料构成的侧面电极16；并且，在上述辅助上面电极15、侧面电极16及下面电极17的表面形成由在镍镀层上叠加软焊料或锡镀层等构成的金属镀层18。
这样，在上述外涂层14的上面，通过相对于上述辅助上面电极15中重叠在上述外涂层14上的部分、部分重叠地形成最上层的外涂层19，而利用上述最上层的外涂层19覆盖上述辅助上面电极15中重叠在外涂层14上的部分，由于在该部分，利用最上层的外涂层确实能够防止大气中的硫化氢等含硫气体侵入，所以确实能够在上述部分抑制迁移等的腐蚀的发生。
特别是在上述的实施例中，通过利用以镍或铜等贱金属为主要成分的导电性浆料形成上述辅助上面电极15，而由于这种以镍或铜等贱金属为主要成分的导电性浆料显著降低含硫气体迁移等造成的腐蚀的发生，所以确实能够降低在上述辅助上面电极15中重叠在外涂层14上的部分迁移等的腐蚀的发生。
此外，也可以利用由镍或铜等贱金属赋予导电性构成、并可通过干燥等手段硬化的硬化型导电性树脂浆料，代替以上述镍或铜等贱金属为主要成分的烧结型导电性浆料，来形成上述辅助上面电极15。
进而，也可以利用由碳赋予导电性构成、并可通过干燥等手段硬化的硬化型导电性树脂浆料形成上述辅助上面电极15。
这种由碳赋予导电性构成的导电性树脂浆料，由于不会发生含硫气体迁移等造成的腐蚀等，所以能够进一步确实防止在上述辅助上面电极15中重叠在外涂层14上的部分发生迁移等的腐蚀的情况。
此外，图3～图9表示制造上述实施例的芯片电阻器的方法。
该制造方法包括如下工序工序1首先，如图3所示，通过丝网印刷涂覆银浆料、及在其后以规定的温度进行烧结，而在芯片型绝缘基板11的下面分别形成一对下面电极17、在绝缘基板11的上面分别形成一对上面电极13；工序2然后，如图4所示，通过丝网印刷涂覆电阻膜的材料的浆料、及在其后以规定的温度进行烧结，而在上述绝缘基板11的上面形成电阻膜12；此外，也可以在形成上述上面电极13的工序之前，先进行形成该电阻膜12的工序，然后，再进行形成上面电极13的工序；工序3接着，如图5所示，通过丝网印刷涂覆该材料的浆料、及在其后以规定的温度进行烧结，而在上述电阻膜12上形成由玻璃构成的底涂层14′；工序4接着，从底涂层14′的上面，对于上述电阻膜12，通过用激光束照射等刻设精整(trimming)沟，进行精整调整，使其电阻值达到规定值；工序5接着，如图6所示，在上述绝缘基板11的上面，通过丝网印刷涂覆其材料的浆料、及在其后以规定的温度进行烧结，而形成覆盖上述电阻膜12及上述底涂层14′整体的玻璃制外涂层14；工序6接着，如图7所示，在上述两上面电极13的上面，通过丝网印刷涂覆银浆料或以镍或铜等贱金属为主要成分的导电性浆料、及在其后以规定的温度进行烧结，而形成相对于上述外涂层14部分重叠的厚的辅助上面电极15；工序7接着，如图8所示，在上述外涂层14的上面，通过丝网印刷涂覆其材料的浆料、及在其后以规定的温度进行烧结，而相对于上述辅助上面电极15中的重叠在上述外涂层14上的部分、部分重叠地形成由玻璃构成的最上层的外涂层19；
工序8接着，如图9所示，在上述绝缘基板11的左右两端面11a上，通过丝网印刷涂覆银浆料等导电性浆料、及在其后以规定的温度进行烧结，而侧面电极16与上述辅助上面电极15的上面及上述下面电极17的下面部分重叠地形成该侧面电极16；工序9接着，通过滚镀方法，在上述辅助上面电极15、侧面电极16及下面电极17的表面上，形成由在镍镀层上叠加软焊料或锡镀层等构成的金属镀层18。
由此，能够制造上述图2所示构成的芯片电阻器。
此外，上述形成最上层的外涂层19的工序和形成上述侧面电极16的工序的顺序也可以相反。
在其他的实施例中，上述最上层的外涂层19也可以由热塑性合成树脂制成。
此时，即，在上述最上层的外涂层19是热塑性合成树脂制的时，可以采用以下介绍的两种方法。
第1种方法在上述工序1～工序9中的工序6(即形成辅助上面电极15的工序)之后，通过丝网印刷涂覆该银浆料等导电性浆料及在其后以规定的温度进行烧结而形成上述侧面电极16，然后，通过丝网印刷涂覆其材料的浆料及在其后以比烧结上述导电性浆料的温度低的温度进行干燥等的硬化处理，而形成由上述合成树脂构成的外涂层19，然后，形成金属镀层18。
第2种方法在上述工序6之后，通过丝网印刷涂覆其材料的浆料及在其后的干燥等硬化处理，而形成上述合成树脂构成的外涂层19，然后，通过丝网印刷涂覆由各种金属赋予导电性构成的硬化型导电性树脂浆料和在其后的干燥等硬化处理，而形成上述侧面电极16，再形成金属镀层18。
此外，如上所述，在利用由碳赋予导电性构成的硬化型导电性树脂浆料、代替利用烧结银浆料或烧结以镍或铜等贱金属为主要成分的导电性浆料即代替使用烧结型的银浆料或导电性浆料、来形成上述辅助上面电极15时，分别通过热硬化合成树脂形成上述最上层的外涂层19，通过由各种金属赋予导电性构成的硬化型导电性树脂浆料形成上述侧面电极16。
即，采用如下方法在上述工序1～工序9中的工序5(形成外涂层14的工序)之后，首先，在两上面电极13的上面，通过涂覆由碳赋予导电性构成的硬化型导电性树脂浆料及其后的干燥等硬化处理，而形成上述辅助上面电极15；然后，在通过涂覆硬化型导电性树脂浆料及其后的干燥等的硬化处理，而形成上述侧面电极16之后，再通过丝网印刷涂覆其材料的浆料和在其后的干燥等硬化处理，而形成上述外涂层19；或者在通过丝网印刷涂覆其材料的浆料及在其后的干燥等硬化处理，而形成上述外涂层19之后，再通过涂覆硬化型导电性树脂浆料及其后的干燥等硬化处理，形成上述侧面电极16；最后，形成金属镀层18。
此外，在其他另外的实施例中，可利用由镍或铜等贱金属赋予导电性构成的硬化型导电性树脂浆料，代替如上所述，涂覆及烧结以镍或铜等贱金属为主要成分的导电性浆料、即代替烧结式的导电性浆料来形成上述辅助上面电极15。
在这种情况下，可以采用如下形成方法在上述工序5之后，首先，在两上面电极13的上面，通过涂覆上述硬化型导电性树脂浆料及其后的硬化处理，形成辅助上面电极15；接着，在通过涂覆硬化型的导电性树脂浆料及其后的硬化处理，形成上述侧面电极16之后，再通过丝网印刷涂覆该材料及其后的硬化处理，形成外涂层19；或者在通过丝网印刷涂覆该材料及其后的硬化处理，形成上述外涂层19之后，再通过涂覆上述硬化型的导电性树脂浆料及其后的硬化处理，形成上述侧面电极16；最后形成金属镀层18。
权利要求
1.一种芯片电阻器，在形成为芯片型的绝缘基板的上面，形成有至少一个电阻膜、位于该电阻膜两端的左右一对上面电极民、以及覆盖上述电阻膜的外涂层，并且，在上述两上面电极的上面，相对于上述外涂层部分重叠地形成辅助上面电极，而在上述绝缘基板的左右端面上，与上述上面电极及辅助上面电极电性导通地形成侧面电极，而且，在上述辅助上面电极及侧面电极的表面形成有金属镀层，其特征在于在上述外涂层的上面，相对于上述辅助上面电极中重叠在上述外涂层上的部分、部分重叠地形成有最上层的外涂层。
2.如权利要求1记载的芯片电阻器，其特征在于利用以镍或铜等贱金属为主要成分的烧结型导电性浆料形成重叠在上述上面电极上的辅助上面电极。
3.如权利要求1记载的芯片电阻器，其特征在于利用由镍或铜等贱金属赋予导电性构成的硬化型导电性树脂浆料形成重叠在上述上面电极上的辅助上面电极。
4.如权利要求1记载的芯片电阻器，其特征在于利用由碳赋予导电性构成的硬化型导电性树脂浆料形成重叠在上述上面电极上的辅助上面电极。
5.一种芯片电阻器的制造方法，其特征在于具有如下工序在芯片型绝缘基板的上面形成至少一个电阻膜和位于该电阻膜两端的上面电极的工序；在上述绝缘基板的上面形成覆盖上述电阻膜的外涂层的工序；重叠在上述两上面电极上、并相对于上述外涂层部分重叠地形成辅助上面电极的工序；在上述绝缘基板的两端至少与上述上面电极电性导通地形成侧面电极的工序；在上述外涂层的上面，相对于上述辅助上面电极中重叠在上述外涂层上的部分、部分重叠地形成覆盖该外涂层的最上层的外涂层的工序；在上述辅助上面电极及侧面电极的表面形成金属镀层的工序。
全文摘要
在芯片型绝缘基板(11)的上面形成有电阻膜(12)及该电阻膜两端的上面电极(13)，并且形成有覆盖上述电阻膜的外涂层(14)，进一步，在上述两个上面电极(13)的上面，相对于上述外涂层(14)部分重叠地形成辅助上面电极(15)，另外，在上述绝缘基板(11)的左右端面(11a)上形成有侧面电极(16)，在上述辅助上面电极(15)及侧面电极(16)的表面形成有金属镀层(18)，如此构成芯片电阻器，通过相对于上述辅助上面电极(15)中的重叠在上述外涂层(14)上的部分、部分重叠地形成覆盖上述外涂层的最上层的外涂层(19)，而能防止在上述上面电极(13)及辅助上面电极(15)发生含硫气体的迁移等。
文档编号H01C7/00GK1524275SQ02810238
公开日2004年8月25日 申请日期2002年11月28日 优先权日2001年11月28日
发明者土井真人 申请人:罗姆股份有限公司