专利名称：基片处理装置、液处理装置和液处理方法
发明
背景技术：
领域本发明涉及一种边水平传输被处理基片边进行单一或一连串液处理工序的基片处理装置。
本发明涉及一种对例如液晶显示装置(LCD)玻璃基片等基片进行显影处理等液处理的液处理装置和液处理方法。
背景技术：
的说明最近，在LCD(液晶显示器)制造的抗蚀剂涂布显影处理系统中，作为可有利地对应于LCD基片大型化的显影方式，在水平方向上铺设传输滚轴或托运带所构成的传输路径上边传输LCD基片边在传输中进行显影、漂洗、干燥等一连串显影处理工序的所谓平流方式引人注意。这种平流方式与旋转运动基片的旋转器方式相比，有如下优点基片的处理或传输系统和驱动系统的结构简单，不产生雾，对基片的再附着少等。
通常，在平流方式的显影处理装置中，在沿传输路径从上流侧向下流侧依次设定的显影工序、漂洗工序的每个液处理部中设置收集落到传输路径下的液体用的皿状容器或盘，各盘的排液口连接在另外的排液系统上。
但是，在现有的平流方式下，在传输路径上原样保持水平姿势，从上流侧的液处理部向下流侧的液处理部传输基片，所以上流侧的液处理部中使用的处理液残留在基片上，原样送到下流侧的液处理部，落到下流侧的盘中并混合，难以分别回收各处理液。
在LCD的制造中，在LCD玻璃基片(下面称为‘LCD基片’)上形成抗蚀剂膜后，对应于电路图案来曝光该抗蚀剂膜，之后使用进行显影处理的所谓光刻技术，在LCD基片上形成规定的电路图案。这里，例如对于显影处理，在特开平11-87210号公报中公开了一种处理方法和处理装置，在以水平姿势沿一个方向传输的基片表面上涂布显影液后，在基片上形成液层，保持规定时间来进行显影反应，之后，抬起与基片传输方向垂直的方向的端面一方，将基片变换成倾斜姿势，使显影液流下，并边以倾斜姿势传输基片边向基片提供漂洗液。
但是，近来，强烈要求LCD基片大型化，直到出现一边达到1m的巨大LCD基片为止。在LCD基片的显影处理中，通过将LCD基片变为倾斜姿势来从LCD基片上流下显影液的情况下，若不能迅速向LCD基片提供纯水来清洗显影液残渣，停止显影反应，则产生显影不均或线宽均匀性恶化的问题。
因此，为了向这种大型LCD基片提供漂洗液而以倾斜姿势高速传输LCD基片，由于施加在LCD基片上的机械负荷或传输装置的负荷、高速传输LCD基片情况下的LCD基片的停止条件等各种理由是困难的。例如，在高速传输LCD基片的情况下，之后LCD基片不停止在规定位置上，过线而破损，在紧急停止LCD基片时，LCD基片上施加大的负荷，LCD基片损坏。另一方面，在LCD基片的传输速度缓慢的情况下，存在显影装置的影印必然变大的问题。
发明概述鉴于上述现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种基片处理装置，在水平方向上铺设的传输路径上，以单位时间高效地从基片上去除向被处理基片提供的处理液。
本发明的另一目的在于提供一种基片处理装置，在水平方向上铺设的传输路径上，高纯度地分别回收向被处理基片提供的处理液。
鉴于上述事项，本发明提供一种液处理装置和液处理方法，即使是大型的基片，也可在基片整体上进行均匀的液处理。
为了实现上述目的，本发明的基片处理装置具有传输路径，在水平方向上铺设基本水平地载送被处理基片用的传输体来构成；传输驱动部件，驱动所述传输体，以在所述传输路径上传输所述基片；处理液提供部件，包含向所述传输路径上的所述基片的被处理面提供规定处理液用的一个或多个喷嘴；和基片倾斜部件，在所述传输路径上使所述基片倾斜，以便液体因重力而从所述基片上落下。
在上述结构中，由处理液提供部件向水平姿势的基片的被处理面提供处理液，进行规定的液处理，处理后基片上仍残留液体。但是，在传输路径的下流侧，通过基片倾斜部件使基片倾斜，附着或残留在基片上的液体因重力而从基片倾斜面滑落，并迅速落到基片之外。倾斜基片的方向最好是传输路径的前方或后方。
在本发明的基片处理装置中，基片倾斜部件的最佳实例的结构是具有升降部件，在传输路径的第一位置和其上方的第二位置之间移动基片；和倾斜状态保持部件，在第二位置上保持倾斜基片的状态。在这种结构中，升降部件从第一位置向第二位置抬起基片，使基片在传输路径上方的第二位置处倾斜。最好是，设置基片姿势切换部件，在第二位置上在水平状态和倾斜状态之间切换基片的姿势。
基片倾斜部件的其它最佳实例的结构具有传输体倾斜部件，在移动传输路径上设定的区间中，在传输路径上的基本水平的第三位置和液体落下用的倾斜的第四位置之间移动传输体；和倾斜状态保持部件，在第四位置的传输体上保持倾斜基片的状态。在这种结构中，最好设置离合器机构，使属于该区间的传输体可装卸地连接于传输驱动部件上。
在本发明的基片处理装置中，为了回收处理液，最好设置用于收集落到传输路径下面液体的集液部件。在分别回收处理液中，集液部件的结构最好在传输路径上前后邻接设定的第一和第二区间内包含分别用于收集落到传输路径下的液体的第一和第二集液部，处理液提供部件的结构最好包含分别配置在第一和第二区间内的第一和第二喷嘴。此时，为了提高第一和第二区间内分别回收的液体的纯度，基片倾斜部件最好包括使基片倾斜的第一基片倾斜部，以便在第一区间中提供的基片上的液体进入第二区间之前落入第一集液部中。
根据本发明的第一方面，提供一种对基片进行规定液处理的液处理装置，具备第一液处理部，在基本保持水平姿势的基片上涂布处理液；第二液处理部，从涂布了所述处理液的基片上去除所述处理液；和基片传输机构，从所述第一液处理部向所述第二液处理部以基本水平姿势向一个方向传输基片，所述第一液处理部具有处理液提供机构，从所述基片传输机构的基片传输方向的前方向后方，在所述基片上涂布所述处理液，所述第二液处理部具有基片倾斜机构，抬起涂布了所述处理液的基片的传输方向的前方，将所述基片变换为倾斜姿势，去除涂布在所述基片上的处理液，所述第二液处理部具有基片倾斜机构，抬起涂布了所述处理液的基片的传输方向的前方，将所述基片变换为倾斜姿势，去除涂布在所述基片上的处理液。
在该第一方面的液处理装置中，在基片上涂布处理液的方向与在去除基片上涂布的处理液时处理液从基片上流下的方向为相同方向，由于处理液接触基片的时间对基片整体均等，所以可对基片整体进行均匀的液处理。
根据本发明的第二方面，提供一种对基片进行规定液处理的液处理装置，具备第一液处理部，在基本保持水平姿势的基片上涂布第一处理液；第二液处理部，从涂布了所述第一处理液的基片上去除所述第一处理液；和基片传输机构，从所述第一液处理部向所述第二液处理部以基本水平姿势向一个方向传输涂布了所述第一处理液的基片，所述第二液处理部具有基片倾斜机构，抬起涂布了所述第一处理液的基片的一端，将所述基片变换为倾斜姿势，去除涂布在所述基片上的第一处理液；处理液喷出喷嘴，从由所述基片倾斜机构保持为倾斜姿势的基片中流出所述第一处理液的残渣，向所述基片喷出第二处理液；和喷嘴移动机构，沿由所述基片倾斜机构保持为倾斜姿势的基片表面，斜向移动所述处理液喷出喷嘴。
在该第二方面的液处理装置中，通过边从处理液喷出喷嘴向基片喷出第二处理液边以规定速度、最好是高速移动处理液喷出喷嘴，从基片上去除第一处理液的残渣。因此，第一处理液接触基片的时间对基片整体均等，所以可用第一处理液对基片进行均匀处理。
根据本发明的第三方面，提供一种对基片进行规定液处理的液处理装置，具备第一液处理部，在基本保持水平姿势的基片上涂布第一处理液；第二液处理部，从涂布了所述第一处理液的基片上去除所述第一处理液；和基片传输机构，从所述第一液处理部向所述第二液处理部以基本水平姿势向一个方向传输基片，所述第一液处理部具有第一处理液提供机构，从所述基片传输机构的基片传输方向的前方向后方，在所述基片上涂布所述第一处理液，所述第二液处理部具有基片倾斜机构，抬起涂布了所述第一处理液的基片的传输方向前端侧，将所述基片变换为倾斜姿势，去除涂布在所述基片上的第一处理液；和第二处理液提供机构，边从所述基片的上方端向下方端移动所述第二处理液提供位置，边向所述基片提供从由所述基片倾斜机构保持为倾斜姿势的基片中流出所述第一处理液残渣所用的第二处理液。
在该第三方面的液处理装置中，通过从开始涂布了第一处理液的部分中去除涂布在基片上的第一处理液开始，第一处理液接触基片的时间对基片整体均等，可用第一处理液对基片进行均匀处理。
根据本发明的第四方面，提供一种对以基本水平姿势沿一个方向传输的基片实施规定液处理的液处理方法，具有以基本水平姿势向在基片上涂布第一处理液的第一液处理区域传输基片的第一工序；在所述基片上涂布所述第一处理液的第二工序；以基本水平姿势从所述基片向去除第一处理液的第二液处理区域传输涂布了所述第一处理液的基片的第三工序；抬起所述基片的传输方向前方侧，并使所述基片倾斜规定角度，从所述基片上去除所述第一处理液的第四工序；和将所述基片保持在倾斜规定角度的状态，边从所述基片的上方端向下方端移动所述第二处理液的提供位置，边向所述基片提供从所述基片中流出所述第一处理液的第二处理液的第五工序。
根据本发明的第五方面，提供一种对实施了曝光处理的基片实施显影处理的液处理装置，具备第一液处理部，在基本保持水平姿势的基片上涂布显影液；第二液处理部，从涂布了所述显影液的基片上去除所述显影液；和基片传输机构，从所述第一液处理部向所述第二液处理部以基本水平姿势向一个方向传输基片，所述第二液处理部具有基片倾斜机构，抬起涂布了所述显影液的基片的传输方向前方侧，将所述基片变换为倾斜姿势，去除涂布在所述基片上的显影液；漂洗喷嘴，喷出清洗所述显影液的漂洗液；和漂洗喷嘴移动机构，沿所述基片表面以规定速度倾斜地移动所述漂洗喷嘴，以便边从所述基片倾斜机构保持为倾斜姿势的基片的上方端向下方端移动所述第二处理液的提供位置边向所述基片喷出所述漂洗液。
在该第五方面的液处理装置中，通过从开始涂布了显影液的部分中去除涂布在基片上的显影液开始，显影液接触基片的时间对基片整体均等。因此，可防止发生显影不均，得到高的线宽均匀性。
根据本发明的第六方面，提供一种进行了曝光处理的基片的显影处理的的液处理方法，具有
以基本水平姿势向在基片上涂布显影液的第一液处理区域传输基片的第一工序；在所述基片上涂布显影液的第二工序；以基本水平姿势从所述基片向去除显影液的第二液处理区域传输涂布了所述显影液的基片的第三工序；抬起所述基片的传输方向前方侧，并使所述基片倾斜规定角度，从所述基片上去除所述显影液的第四工序；和将所述基片保持在倾斜规定角度的状态，边从所述基片的上方端向下方端移动所述漂洗液的提供位置，边向所述基片提供从所述基片中流出所述显影液的漂洗液的第五工序。
根据本发明的液处理装置和液处理方法，因为可对基片整体均等处理液与基片接触的时间，所以可在基片整体上均匀进行基片的液处理。因此，可得到高质量的基片。另外，因为不高速传输基片，所以处理安全性提高，抑制了基片的破损或损坏，在停止基片的传输时必需的空间也不扩大。另外，在基片上涂布第一处理液的情况、用第二处理液流出第一处理液的情况、或用漂洗液清洗显影液的情况下，通过移动向基片提供处理液的喷嘴，可在短时间内进行第一液处理部和第二液处理部中的液处理，可提高生产率。
附图的简要说明
图1是表示本发明显影处理装置可适用的涂布显影处理系统的结构的平面图。
图2是表示上述涂布显影处理系统中的热处理部的结构的侧面图。
图3是表示上述涂布显影处理系统中的处理顺序的流程图。
图4是表示实施例中显影单元的整体结构的正面图。
图5是表示上述显影单元中基片搬入部和预湿部周围的结构平面图。
图6是表示上述显影单元中基片搬入部和预湿部周围的结构的局部剖面平面图。
图7是表示上述显影单元中基片搬入部的结构和作用(基片的传递)的局部剖面平面图。
图8是表示上述基片搬入部的结构和作用(基片的移动)的局部剖面平面图。
图9是表示上述显影单元中喷嘴扫描机构的结构的局部剖面平面图。
图10是表示上述扫描机构结构的斜视图。
图11是表示实施例中基片倾斜机构的结构和作用(基片抬起)的局部剖面正面图。
图12是表示实施例中基片倾斜机构的结构和作用(基片倾斜)的局部剖面正面图。
图13A和13B是表示实施例中喷嘴扫描机构的作用的大致侧面图。
图14是表示实施例中气刀的作用的大致侧面图。
图15是表示其它实施例中基片倾斜机构的结构的局部剖面正面图。
图16是表示实施例中基片倾斜机构的结构和作用(基片水平姿势)的局部剖面正面图。
图17是表示实施例中基片倾斜机构的结构和作用(基片倾斜姿势)的局部剖面正面图。
图18A、18B和18C是表示实施例的基片倾斜机构中可使用的基片到达检测传感器的结构实例的图。
图19是作为本发明的液处理装置一实施例的具有显影处理单元的抗蚀剂涂布、显影处理系统的示意平面图。
图20是表示图19所示的抗蚀剂涂布、显影处理系统的第一热处理单元部的侧面图。
图21是表示图19所示的抗蚀剂涂布、显影处理系统的第二热处理单元部的侧面图。
图22是表示图19所示的抗蚀剂涂布、显影处理系统的第三热处理单元部的侧面图。
图23是表示作为本发明一实施例的显影处理单元示意结构的侧面图。
图24是表示作为本发明一实施例的显影处理单元示意结构的侧面图。
图25A、25B和25C是显影处理单元具有的设置在去除/漂洗区中的基片倾斜机构的说明图。
图26是表示显影处理工序示意的说明图(流程图)。
最佳实施例(实施例1)图1表示作为适用本发明显影处理装置的一结构实例的涂布显影处理系统。该涂布显影处理系统10设置在无尘室内，例如将LCD基片作为被处理基片，在LCD制造过程中，进行平版印刷工序中的洗净、抗蚀剂涂布、预烘干、显影和后烘干等各处理。由与该系统邻接设置的外部曝光装置12进行曝光处理。
该涂布显影处理系统10在中心部配置横向长的加工台(P/S)16，在其长方向(X方向的两端部)上配置盘盒台(C/S)14和接口台(I/F)18。
盘盒台(C/S)10是系统10的盘盒搬入搬出端，具备多级重叠基片G地在水平方向、例如Y方向上并列装载四个可容纳多片的盘盒C的盘盒台20、和对该台20上的盘盒C进行基片G送入送出的传输机构22。传输机构22具有可保持基片G的部件，例如传输臂22a，可在X、Y、Z、θ四个轴上动作，与相邻的加工台(P/S)16侧进行基片G的传递。
加工台(P/S)16在台长方向(X方向)延伸的平行且相反的一对线A、B上按照加工流程或步骤的顺序配置各处理部。具体而言，在从盘盒台(C/S)14侧向接口台(I/F)18侧的上流部的加工线A上，横向一列地配置洗净加工部24、第一热处理部26、涂布加工部28、第二热处理部30。另一方面，在从接口台(I/F)18侧向盘盒台(C/S)14侧的下流部的加工线B上，横向一列地配置第二热处理部30、显影加工部32、褪色加工部34、第三热处理部36。在该线状态下，第二热处理部30位于上流侧加工线A的最末端，同时位于下流侧加工线B的始端，跨在两条线A、B之间。
在两条加工线A、B之间设置辅助传输空间38，以便以一件为单位水平装载基片G的梭子40可通过未图示的驱动机构沿线方向(X方向)双向地移动。
在上流部的加工线A中，洗净加工部24包含洗涤洗净单元(SCR)42，在与该洗涤洗净单元(SCR)42内的盘盒台(C/S)10相邻的部位上配置激态原子UV照射单元(e-UV)41。虽然省略图示，但洗涤洗净单元(SCR)42内的洗净部边通过滚轴传输或带传输以水平姿势在A方向上传输LCD基片G，边对基片G的上面(被处理面)进行洗涤洗净或风吹洗净。
与洗净加工部24的下流侧相邻的第一热处理部26沿加工线A在中心部设置纵向型的传输机构46，在其前后两侧多级叠层设置多个单元。例如，如图2所示，在上流侧的多级单元部(TB)44中，从下向上顺序重叠基片传递用的传送单元(PASS)50、脱水烘干用的加热单元(DHP)52、54和粘附单元(AD)56。这里，传送单元(PASS)50用于与洗涤洗净单元(SCR)42侧进行基片G的传递。另外，在下流侧的多级单元部(TB)48中，从下向上顺序重叠基片传递用的传送单元(PASS)60、冷却单元(CL)62、64和粘附单元(AD)66。这里，传送单元(PASS)60与涂布加工部28进行基片G的传递。
如图2所示，传输机构46具有可沿垂直方向延伸的引导导轨68升降移动的升降传输体70、在该升降传输体70上沿θ方向旋转或回旋的回旋传输体72、在该回旋传输体72上边支持基片G边向前后方向进退或伸缩的传输臂或小钳子74。在垂直引导导轨68的基端侧设置升降驱动升降传输体70的驱动部76，在垂直传输体70上安装回旋驱动回旋传输体72的驱动部78，在回旋传输体72上安装进退驱动传输臂74用的驱动部80。各驱动部76、78、80例如由电机等构成。
上述构成的传输机构46可高速升降或回旋运动，访问两个邻接的多级单元部(TB)44、48中的任意单元，也可与辅助传输空间38侧的梭子40传递基片G。
如图1所示，邻接第一热处理部26下流侧的涂布加工部28沿加工线A一列配置抗蚀剂涂布单元(CT)82、减压干燥单元(VD)84和边缘去除单元(ER)86。虽然省略图示，但在涂布加工部28内，在这三个单元(CT)82、(VD)84、(ER)86上设置按工序顺序每个搬入、搬出一件基片G的传输装置，在各单元(CT)82、(VD)84、(ER)86内以每件基片单位来进行各处理。
邻接涂布加工部28下流侧的第二热处理部30具有与上述第一热处理部26相同的结构，在两加工线A、B之间设置纵向型传输机构90、在加工线A侧(最后端)设置一多级单元部(TB)88，在加工线B(始端)设置另一多级单元部(TB)92。
虽然省略图示，但例如在加工线A侧的多级单元部(TB)88中设置向最下级传递基片用的传送单元(PASS)，在其上例如三级重叠预烘干用的加热单元(PREBAKE)。另外，在加工线B侧的多级单元部(TB)92中设置向最下级传递基片用的传送单元(PASS)，在其上例如一级重叠冷却单元(COL)，在其上例如二级重叠预烘干用的加热单元(PREBAKE)。
第二热处理部30中的传输机构90不仅可通过两个多级单元部(TB)88、92各自的传送单元(PASS)以一件为单位与涂布加工部28和显影加工部32传递基片G，而且，也可以一件为单位与辅助传输空间38内的梭子40或后述的接口台(I/F)18传递基片G。
在下流部的加工线B中，显影加工部32包含边以水平姿势传输基片G边进行一连串显影处理工序的所谓平流方式的显影单元(DEV)94。下面详细说明该显影单元(DEV)94的结构和作用。
在显影加工部32的下流侧夹持褪色加工部34配置第三热处理部36。褪色加工部34具备向基片G的被处理面照射i线(波长365nm)来进行褪色处理的i线UV照射单元(i-UV)96。
第三热处理部36具有与上述第一热处理部26和第二热处理部30相同的结构，沿加工线B设置纵向型传输机构100和在其前后两侧设置一对多级单元部(TB)98、102。
虽然省略图示，但例如在上流侧的多级单元部(TB)98中在最下级设置传送单元(PASS)，在其上例如三级重叠预烘干用的加热单元(PREBAKE)。另外，在下流侧的多级单元部(TB)102中在最下级设置后烘干单元(POBAKE)，在其上一级重叠传递基片和冷却用的传送、冷却单元(PASS、COL)，在其上二级重叠预烘干用的加热单元(POBAKE)。
第三热处理部36中的传输机构100不仅通过两个多级单元部(TB)98、102的传送单元(PASS)和传送、冷却单元(PASS、COL)以一件为单位分别与i线UV照射单元(i-UV)96和盘盒台(C/S)14传递基片G，而且也以一件为单位与辅助传输空间38内的梭子40传递基片G。
接口台(I/F)18具有与相邻的曝光装置12进行基片G的接收用的传输装置104，在其周围配置缓冲台(BUF)106、延展、冷却台(EXT、COL)108和外围装置110。在缓冲台(BUF)106中设置定置型缓冲盘盒(未图示)。延展、冷却台(EXT、COL)108是具有冷却功能的传递基片用的台，在与加工台(P/S)16侧接收基片G时使用。外围装置110例如可在上下重叠字幕拍录装置(TITLER)和外围曝光装置(EE)来构成。传输装置104具有可保持基片G的部件，例如传输臂104a，与相邻的曝光装置12或各单元(BUF)106、(EXT、COL)108、(TITLER/EE)110进行基片G的传递。
图3中表示该涂布显影处理系统中的处理顺序。首先，在盘盒台(C/S)14中，传输机构22从台20上的规定盘盒C中取出一个基片G，搬入加工台(P/S)16的洗净加工部24的激态原子UV照射单元(e-UV)41中(步骤S1)。
在激态原子UV照射单元(e-UV)41内，通过照射紫外线，对基片G进行干式洗净(步骤S2)。在该紫外线洗净中，主要去除基片表面的有机物。在结束紫外线洗净后，通过盘盒台(C/S)14的传输机构22向洗净加工部24的洗涤洗净单元(SCR)42移送基片G。
在洗涤洗净单元(SCR)42中，如上所述，边通过滚轴传输或带传输以水平姿势在加工线A方向上平流传输基片G，边对基片G的上面(被处理面)进行洗涤洗净或风吹洗净，从基片表面去除粒子状的污垢(步骤S3)。另外，在洗净后边平流传输基片G边通过气刀等进行去液，使基片G干燥。
将洗涤洗净单元(SCR)42内完成洗净处理的基片G搬入第一热处理部26上流侧多级单元部(TB)44内的传送单元(PASS)50内。
在第一热处理部26中，通过传输机构46按规定顺序将基片G返回规定单元。例如，最初从传送单元(PASS)50向加热单元(DHP)52、54之一转移基片G，之后进行脱水处理(步骤S4)。其次，向基片G移至冷却单元(COL)62、64之一，在那里冷却到规定的基片温度(步骤S5)。然后，基片G移至粘附单元(AD)56，在那里接受疏水处理(步骤S6)。在疏水处理结束后，由冷却单元(COL)62、64之一将基片G冷却到规定的基片温度(步骤S7)。最后，将基片G移动到属于下流侧多级单元部(TB)48的传送单元(PASS)50。
由此，在第一热处理部26内，可通过传输机构46在上流侧的多级单元部(TB)44和下流侧的多级单元部(TB)48之间任意传送基片G。第二和第三热处理部30、36也可进行同样的基片传输动作。
将第一热处理部26中接受上述一连串热或热系列处理的基片G从下流侧多级单元部(TB)48内的传送单元(PASS)60移动到下流侧相邻的涂布加工部28的抗蚀剂涂布单元(CT)82。
基片G由抗蚀剂涂布单元(CT)82通过例如旋涂法在基片上面(被处理面)上涂布抗蚀剂液，之后，接收下流侧相邻的减压干燥单元(VD)84减压干燥处理，接着，由下流侧相邻的边缘去除单元(ER)86去除基片边缘部多余(不要)的抗蚀剂(步骤S8)。
将接受上述抗蚀剂涂布处理的基片G从减压干燥单元(VD)84传递到属于相邻第二热处理部30的上流侧多级单元部(TB)88的传送单元(PASS)。
在第二热处理部30内，按规定顺序通过传输机构90将基片G搬回规定单元。例如，最初将基片G从该传送单元(PASS)移动到加热单元(PREBAKE)之一，之后接收抗蚀剂涂布后的预烘干(步骤S9)。其次，移动到冷却单元(COL)之一，在那里冷却到规定的基片温度(步骤S10)。之后，基片G经由下流侧多级单元部(TB)92侧的传送单元(PASS)或不经由传送单元(PASS)而被传递到接口台(I/F)18侧的延展、冷却(EXT、COL)108。
在接口台(I/F)18中，从延展、冷却台(EXT、COL)108将基片G搬入外围装置110的外围曝光装置(EE)中，在那里接受显影时去除附着在基片G外围部上的抗蚀剂用的曝光后，传送给相邻的曝光装置12(步骤S11)。
曝光装置12在基片G上的抗蚀剂中曝光规定电路图案。之后，当将图案曝光结束后的基片G从曝光装置12返回接口台(I/F)18时(步骤S11)，首先，搬入外围装置110的字幕拍录装置(TITLRER)，在基片上的规定部位中记录规定的信息(步骤S12)。之后，将基片G返回延展、冷却台(EXT、COL)108。传输装置104进行延展、冷却台(EXT、COL)108的基片G的传输和与曝光装置12的基片G的接收。
在加工台(P/S)16中，第二热处理部30中传输机构90通过延展、冷却台(EXT、COL)108接收曝光完成的基片G，通过加工线B侧的多级单元部(TB)92内的传送单元(PASS)传递给显影加工部32。
在显影加工部32中，将从该多级单元部(TB)92内的传送单元(PASS)接收的基片G搬入显影单元(DEV)94。在显影单元(DEV)94中，向加工线B的下流以平流方式按水平姿势传输基片G，在该传输中进行显影、漂洗、干燥一连串显影处理工序(步骤S13)。
将在显影加工部32中接受显影处理的基片G搬入下流侧相邻的褪色加工部34中，在那里接受i线照射的褪色处理(步骤S14)。将完成褪色处理的基片G传递给第三热处理部36上流侧多级单元部(TB)98内的传送单元(PASS)。
在第三热处理部(TB)98中，最初将基片G从该传送单元(PASS)移到加工单元(POBAKE)之一，在那里接受后烘干(步骤S15)。接着，将基片G移动到下流侧多级单元部(TB)102内的传送冷却单元(PASS、COL)，在那里冷却到规定的基片温度(步骤S16)。传输机构100进行第三热处理部36中的基片G的传输。
在盘盒台(C/S)14侧，传输机构22从第三热处理部36的传送冷却单元(PASS、COL)接受完成涂布显影处理整个过程的基片G，接受到的基片G容纳于任一盘盒C中(步骤S1)。
在该涂布显影处理系统10中，可将本发明适用于例如显影加工部32的显影单元(DEV)94。下面，参照图4-图18来说明将本发明适用于显影单元(DEV)94的实施例。
图4中模式地表示了本发明一实施例的显影单元(DEV)94内的整体结构。该显影单元(DEV)94沿加工线B一列连续配置形成水平方向(X方向)上延伸的连续传输路径108的多个例如8个模块M1-M8。
这些模块M1-M8中位于最上流端的模块M1构成基片搬入部110，接在其后的四个模块M2、M3、M4、M5构成显影部112，之后的模块M6构成漂洗部114，再后的模块M7构成干燥部116，最后的模块M8构成基片搬出部118。
在基片搬入部110中设置以水平姿势接受相邻基片传输机构(未图示)传递来的基片G后转移到传输路径108上用的可升降的多个起模顶杆120。在基片搬出部118中也设置以水平姿势抬起基片G后转移到相邻基片传输机构(未图示)用的可升降的多个起模顶杆122。
具体而言，显影部112在模块M2中设置预湿部124，在模块M3、M4中设置显影液提供部126，在模块M5中设置滴显影液部128。在预湿部124中，设置一个或多个在传输路径108上向喷嘴喷出口沿传输路径108可双向移动、向基片提供预湿液例如纯水用的预湿液提供喷嘴PN。在显影液提供部126中，设置一个或多个在传输路径108上向喷嘴喷出口沿传输路径108可双向移动、向基片提供显影液的显影液提供喷嘴DN。在该结构实例中，在模块M3、M4每一个中都设置可独立移动的显影液提供喷嘴DNa、DNb。在滴显影液部128和预湿部124中设置使基片G倾斜用的后述基片倾斜机构180(图11、图12)。
在漂洗部114中，设置一个或多个在传输路径108上向喷嘴喷出口沿传输路径108可双向移动、向基片提供漂洗液例如纯水用的漂洗液提供喷嘴RN。在干燥部116中，夹持传输路径108地设置一对或多对沿传输路径108去除附着在基片G上的液体(主要是漂洗液)用的气刀EN。
在显影部112和漂洗部114中，分别设置收集落到传输路径108下面的液体用的盘子130、132、134。具体而言，在显影部112中，向预湿部124、显影液提供部126和滴显影液部128分别填加专用的盘子130、132。在各盘子130、132、134的底部设置排液口，在其上连接不同排液系统的排液管131、133、135。
图5-图8表示基片搬入部110和预湿部124中传输路径108周围的结构。
传输路径108构成为沿加工线B水平铺设在可旋转轴136上按规定间隔固定的一对传输辊138A、138B所构成的滚轴传输型传输路径。
具体而言，沿加工线B的方向以一定间隔将轴承142A、142B安装在各模块M的左右两侧壁的上部或轴座部件140上，将轴136可旋转地横跨在各一对轴承142A、142B上，使传输辊138A、138B位于左右两侧壁的内侧。另外，在比各轴136的单侧轴承142A更向外侧延伸的一端部上固定弹簧齿轮144，沿加工线B方向延伸的旋转驱动轴146侧的各弹簧齿轮148从直角方向啮合在各轴136侧的各弹簧齿轮144中。旋转驱动轴146与电机150的旋转轴耦合。当电机150沿规定方向旋转驱动旋转驱动轴146时，其旋转驱动力从旋转轴146侧的各弹簧齿轮148传递到传输用轴136侧的弹簧齿轮144，沿规定方向(向传输路径108的前方传送基片G的方向)旋转各轴136的传输辊138A、138B。
在基片搬入部110中，基片传输用的起模顶杆120以规定间隔离散地将传递基片用起模顶杆设立或固设在水平配置在传输路径108下的升降板152中。在该升降板152下设置例如包含气缸(未图示)的升降驱动部154。
如图7所示，当升降驱动部154将升降板152抬高到规定高度时，起模顶杆120通过轴136间的间隙突出于传输路径108上，在该高度位置上，可从相邻的基片传输机构(未图示)以水平姿势接收基片G。
如图8所示，当在起模顶杆120上传递基片G时，通过升降驱动部154将升降板152降至原位置，以水平姿势将基片G移动到传输路径108上，以便在其下降途中，基片G的两端部(传输路径108的宽度方向的两端部)载于传输辊138A、138B上。另外，各传输辊138A、138B的外径在内侧(轴中心侧)一段变细，基片G的一端部载于该小径部139上。
图4中，预湿液提供喷嘴PN、显影液提供喷嘴DNa、DNb和漂洗液提供喷嘴RN分别通过喷嘴扫描机构SCP、SCD和SCR与传输路径108平行地在传输路径108的上方移动。
图9和图10中表示一实施例的喷嘴扫描机构SC(SCP、SCD、SCR)的结构。该喷嘴扫描机构SC具有支撑可动喷嘴N(PN、DNa、DNb、RN)用的截面成反コ字形的喷嘴支撑体156、在传输路径108上方与传输路径108平行地引导喷嘴支撑体156用的引导导轨158(图9)和驱动喷嘴支撑体156以沿引导导轨158移动的扫描驱动部160。
如图10所示，例如扫描驱动部160将通过一根或多根垂直支撑部件161耦合在喷嘴传输体156上的一根或多根无端带162与引导导轨158(图9)平行地(即与传输路径108平行地)横跨在驱动皮带轮164和游动皮带轮166之间，驱动皮带轮164操作耦合在电机168的旋转轴上。电机168的旋转驱动力通过皮带轮164、166和带162转换成带长度方向(X方向)上喷嘴传输体156的前进运动。通过控制电机168的旋转速度，可将喷嘴传输体156的前进移动速度调节到期望值，通过切换电机168的旋转方向，可切换喷嘴传输体156的前进移动方向。在图10中，为了简化图解，未图示引导导轨158。
在喷嘴传输体156中，在左右两侧面的内壁上分别安装例如气缸等致动器构成的升降驱动部170，在这些左右一对的升降驱动部170之间水平横跨例如由中空管构成的水平支撑杆172。另外，在从该水平支撑杆172的中心部向垂直下方延伸的例如由中空管构成的垂直支撑杆174的下端部上喷出口n向下水平安装筒状的可动喷嘴N。可在传输路径108的宽度方向上从基片G的一端到另一端可基本均匀地提供处理液的范围内沿喷嘴长方向以一定间隔形成多个喷嘴N的喷出口n。
在喷嘴传输体156内，可动喷嘴N可由升降驱动部170的升降驱动通过水平支撑杆172和垂直支撑杆174升降，通常，在向传输路径108上的基片G喷出处理液的高度位置Ha和不喷出处理液期间从传输路径108退出的高度位置Hb之间上下。在水平支撑杆172的一端部引入设置在传输路径108外的处理液提供源(未图示)的挠性处理液提供管176。处理液提供管176通过水平支撑杆172和垂直支撑杆174中间连接在喷嘴N的处理液导入口上。
如图9所示，最好沿传输路径108设置从外部遮蔽传输路径108上可动喷嘴N的可动面积(X方向和Z方向)用的截面反コ字形的盖178。在图示的结构实例中，盖178的左右两侧面垂直到该模块M的左右两侧壁的上端部或轴座部件140，尽可能减少间隙。在盖178的上面或开井中形成通过水平支撑杆172的隙缝(开口)178a。因此，通过盖178从扫描驱动系统遮蔽或隔离可动喷嘴N，在盖178内侧的异物少的处理空间PS中，通过可动喷嘴N向传输路径108上的基片G提供处理液。
在图5和图6中，在预湿部124中设置一实施例的基片倾斜机构180。该基片倾斜机构180具有在传输路径108下可升降且配置成可向前后方向倾斜的基板182、在该基板182的上面按照规定间隔离散设立或固设的多个起模顶杆1 84、和通过升降轴186从下支撑基板182以进行升降驱动和倾斜驱动用的驱动部188。升降轴186贯通该模块M2和显影液盘130的底板中形成的开口190。在显影液盘130的内底形成防止液体漏到开口190周围用的筒状壁部130a。
在最后末尾的起模顶杆184的正后方，在从起模顶杆184向后方分支竖立的分支销192上可旋转地安装例如橡胶制的筒状止动部件194作为倾斜时承受基片G的后端而防止落下用的落下防止部件。
这里，根据图11和图12来说明基片倾斜机构180的作用。当在传输路径108上基片G处于基片倾斜机构108的正上方时，规定的位置传感器(未图示)检测基片G，根据该传感器输出的信号，传输驱动系的控制部停止至少该模块内所有传输辊138A、138B的旋转，使基片G静止。
之后，基片倾斜机构180的控制器(未图示)动作，使驱动部188动作，升降轴186上升。此时，如图11所示，基板182和起模顶杆184也上升，起模顶杆184从下突起，将基片G抬向传输路径108的上方。
接着，该控制器控制驱动部188，以传输路径108的宽度方向上延伸的轴196为中心向前后方向、最好如图所示向后使基板182仅旋转规定角度(例如10度-20度)。此时，如图12所示，比基板182高的部分、即起模顶杆192、止动部件194、基片G也在传输路径108上向后仅倾斜相同角度。此时，基片G在起模顶杆184上仅向后滑落很少，被止动部件194阻止。但是，基片G上盛装的、或附着的液体Q由于重力向后方滑落基片倾斜面，落向基片外。从基片G落下的液体Q被收集在该模块中设置的盘(预湿部124中预湿液盘130)中。
在将上述倾斜姿势保持一定时间后，在该控制器的控制下，驱动部188使基板182沿与上述相反的方向旋转与上述相等的角度，返回水平姿势(图11的状态)，接着，升降轴186降至原位置(图6的位置)。
在预湿部124中，因为基片G向传输方向倾斜，使进行下一工序的显影液提供部126侧变为上侧，所以在预湿部124中倾斜基片G来去除液体时，可降低下落后溅回预湿液盘130中的液体附着在进行下一工序的显影液提供部126侧的基片G上的可能性。
如上所述，在基片倾斜机构180中，在传输路径108上基片G倾斜，通过利用重力从基片上落下液体，可在短时间内去除液体。另外，不必使用特别的外力，对基片G的损坏非常少。
下面，说明该显影单元(DEV)94的作用。在图7和图8中如上所述，基片搬入部120从相邻的基片传输机构(未图示)以一件为单位接收基片G后移向传输路径108。如上所述，构成传输路径108的传输用轴136的传输轴138A、138B通过旋转驱动轴146、弹簧齿轮148、144等传动机构在电机150的旋转驱动力下旋转，所以直接将传输路径108上承载的基片G传输到相邻的显影部112。
在显影部112中，首先将基片G搬入预湿部124中，在滚轴传输中通过预湿液提供喷嘴PN吹出例如纯水或低浓度的显影液作为预湿液。在该实施例中，根据图9和图10，通过上述喷嘴扫描机构SCP的扫描驱动，喷嘴PN边沿传输路径108水平移动，边向传输中的基片G的上面(被处理面)吹附预湿液。将冲击基片G后飞散到基片外的预湿液或未冲击基片G的预湿液收集到设置在传输路径108下方的预湿液盘130中。
如图13A所示，在将边向传输路径108上的基片G喷出预湿液边扫描喷嘴PN的方向设定为与基片传输方向相反的方向时，以喷嘴扫描速度VN和基片传输速度VG相加所得的相对速度(VN+VG)从基片G的前端到后端扫描喷嘴N(PN)，即使基片G的尺寸大，也可在较短时间内用预湿液湿润基片G的被处理面(抗蚀剂表面)整体。
当预湿部124内基片G处于下流侧的规定位置上时，根据图11和图12，如上所述，基片倾斜机构180动作，通过传输路径108抬起基片G，使之向后倾斜。通过该基片G的倾斜姿势，基片G上残留或附着的预湿液的大部分流向基片后方，回收在预湿液盘130中。
在预湿部124中，接收上述预湿处理的基片G通过传输路径108搬入显影液提供部126。在显影液提供部126中，在通过最初的模块M3时，由显影液提供喷嘴DNa吹显影液，在通过下一模块M4时，由显影液提供喷嘴DNb吹显影液。各显影液提供喷嘴DNa、DNb边通过图9和图10所述的喷嘴扫描机构SCD的扫描驱动在传输路径108的上方沿传输路径108水平移动，边向滚轴传输中的基片G的被处理面吹显影液。通过吹该显影液而落到基片G之外的液体被收集到传输路径108下方设置的显影液盘132中。
如上所述，由于预湿部124中使用的预湿液(纯水)中残留到基片G上的大部分通过基片倾斜机构180回收到预湿液盘130中，所以带入显影液提供部126中的比例低，因此，混入显影液盘132中的比例也低。
与上述预湿部124同样，即使在显影液提供部126中，如图13所示，也可将边向传输路径108上的基片G喷出显影液边扫描喷嘴DN的方向设定成与基片传输方向相反的方向。由此，以喷嘴扫描速度VN和基片传输速度VG相加所得的相对速度(VN+VG)从基片G的前端到后端扫描喷嘴DN，即使基片G的尺寸大，也可在较短时间内向基片G的被处理面(抗蚀剂表面)整体提供显影液。
在该实施例中，因为在每个模块M3、M4中都分别设置显影液提供喷嘴DNa、DNb和喷嘴扫描机构SCD，所以可对传输路径108上的基片G设置时间和空间上的间隔，可多次提供显影液，可通过第一次和第二次来改变显影液的特性(浓度等)。
如上所述，在显影液提供部126中，向被处理面整体提供显影液的基片G原样通过传输路径108搬入显影液下落部128中。接着，当在显影液下落部128内处于下流侧的规定位置时，设置在该处的基片倾斜机构180动作，由传输路径108向上抬起基片G，向传输方向倾斜基片G，并且例如向前、即进行上一工序的显影提供部126侧变为上侧。通过该倾斜姿势，盛在基片G上的大部分显影液流到基片前方后回收到显影液盘132中。因此，因为基片G倾斜，使进行上一工序的显影液提供部126侧变为上侧，所以在显影液下落部128中倾斜基片G来去除液体时，可降低溅回显影液盘132中的液体附着在显影液提供部126侧的基片G上的可能性。
在显影部112中，结束上述显影液提供和回收的基片G通过传输路径108搬入漂洗部114中。在漂洗部114中，通过如图9和图10所述的喷嘴扫描机构SCR的扫描驱动，漂洗液提供喷嘴RN边沿传输路径108水平移动，向传输中的基片G的上面(被处理面)吹漂洗液、例如纯水。落到基片G之外的漂洗液被收集在传输路径108下面设置的漂洗液盘134中。
如上所述，由于显影液提供部126中使用的显影液中残留到基片G上的大部分在显影液下落部128中通过基片倾斜机构180回收到显影液盘132中，所以带入漂洗部114中的比例低，因此，混入漂洗液盘134中的比例也低。
在漂洗部114中，也最好如图13A所示，将边向传输路径108上的基片G喷出显影液边扫描喷嘴RN的方向设定为与基片传输方向相反的方向。由此，以喷嘴扫描速度VN和基片传输速度VG相加所得的相对速度(VN+VG)从基片G的前端到后端扫描喷嘴RN，即使基片G的尺寸大，也可在较短时间内向基片G的被处理面(抗蚀剂表面)整体提供漂洗液，快速地进行漂洗液的置换(显影停止)。另外，洗净基片G里面的漂洗液提供喷嘴(未图示)可设置在传输路径108的下面。
在漂洗部114中，结束上述漂洗工序的基片G通过传输路径108被搬入干燥部116。在干燥部116中，如图4所示，通过相对传输路径108上传输的基片G设置在规定位置中的上下气刀EN，向基片上面(被处理面)和里面冲击刀状的锐利气体流、例如空气，使基片G上附着的液体(主要是漂洗液)落到基片后方(去除液体)。
干燥部116去除液体的基片G原样通过传输路径108送到基片搬出部118。基片搬出部118具有与基片搬入部110相同的结构，与基片搬入部110进行同样动作，仅基片传输方向在搬入和搬出上相反。即，使基片传递用起模顶杆122待机于比传输路径108低的位置上，等待基片G从上流侧(干燥部116)流出，只要基片G一处于起模顶杆122正上方的规定位置上，则向上突起起模顶杆122，以水平姿势抬起基片G，传递给相邻的基片传输机构(未图示)。
在显影单元(DEV)94中，分别在预湿部124、显影液提供部126、漂洗部114中设置单独的盘130、132、134，分别回收各处理液(预湿液、显影液、漂洗液)。特别是，在预湿部124和显影液下落部128中，在各工序(预湿工序、显影工序)后通过基片倾斜机构180短时间高效率地从基片G上去除各处理液(预湿液、显影液)的同时，由该盘130、132高纯度回收，分别回收率显著提高。
也可在漂洗部114中设置基片倾斜机构180。此时，在漂洗工序之后可短时间高效率地从基片G上去除漂洗液，同时，可由漂洗液盘134高效率地回收，提高漂洗液的分别回收率。
另外，在漂洗部114中使基片G倾斜时，使基片G向传输方向、例如显影部112侧变为上侧地倾斜。因为倾斜基片G使显影部112侧变为上侧，所以可降低从漂洗液提供喷嘴RN喷出的漂洗液溅回到倾斜的基片G上，溅回的漂洗液附着在显影部112侧的基片G上的可能性。
另外，在该显影单元(DEV)94中，边在传输路径108上距规定间隔一列传输多个基片G边由预湿部124、显影液提供部126、显影液下落部128、漂洗部114和干燥部116顺序实施各处理，可以说，可实现管道方式的高效率或高产出的显影处理工序。
特别是，在预湿部124、显影液提供部126和漂洗部114中，通过在传输路径108的上方沿传输路径108扫描向传输路径108上的基片G提供处理液(预湿液、显影液、漂洗液)的喷嘴PN、DNa、DNb、RN，即使基片G的尺寸大，即使传输路径108的传输速度变高，也可在短时间内迅速向基片被处理面整体无数次地提供处理液。另外，在显影液提供工序中，因为可缩短基片G的传输方向一端部(前端部)和另一端部(后端部)之间的处理液提供的时间差、即显影开始的时间差，所以可提高基片上的显影质量的面内均匀性。
在本实施例的喷嘴扫描机构SC中，因为可构成为沿传输路径108双向扫描喷嘴N，所以如图13B所示，可边沿与基片传输方向相反的方向扫描喷嘴N，边向基片G的被处理面整体提供处理液Q。此时，必须将喷嘴扫描速度VN设定得比基片传输速度VG大。
本实施例构成为由预湿部124和显影液提供部126进行喷射方式的显影。但是，变形为水坑(puddle)方式简单，在显影液提供部126中，将显影液提供喷嘴DNa、DNb从喷射型交换成盛液型的喷出结构。另外，在水坑方式下，不需要预湿部124。
在显影液提供部126中，也可省略显影液提供喷嘴DNa、DNb之一(通常是下流侧的DNb)来构成。另外，可将传输路径108上的各可动喷嘴N的可扫描区域设定在超过一模块M的范围内，相邻的可动喷嘴可以是彼此通入相同的引导导轨中的结构。
在本实施例中，如上所述，在通过显影部112的下流部上配置的基片倾斜机构180搬入漂洗部114之前，可从基片G上高效率地回收显影液。因此，优点在于，当在漂洗工序之前从基片G上落下显影液时，在漂洗工序中可加速对漂洗液的置换或显影停止。
与这种基片倾斜机构并用，在显影部112和漂洗部114的交界附近设置图14所示的气刀机构也是有效的。在图14中，气刀FN在传输路径108的宽度方向上具有从基片W一端延伸到另一端的无数空气喷出口或缝隙状的空气喷出口，在规定位置向通过旁边(正下)的基片G冲击刀状锐利气体流(通常为空气流或氮气流)。由此，在基片G通过气刀FN时，基片上的显影液Q汇聚到基片后端侧后，落到基片的外面。
上述实施例中的基片倾斜机构180构成为通过传输路径108以水平姿势抬起基片G使之倾斜。但是，作为其它方式，也可是最初从基片G的下面突起上端面倾斜的部件的基片倾斜机构。
另外，也可是在规定区间内使构成传输路径108的传输辊(138A、138B)倾斜的方式。图15-图17中表示了该传输路径倾斜方式的基片倾斜机构200的一构成例。
在该基片倾斜机构200中采用如下结构，在传输路径108上的适当部位、例如设定在显影液下落部128中的可倾斜区间K中，各传输用轴136被分断成传动齿轮侧144侧的原动轴136a和传输辊(138A、138B)侧的从动轴136b，通过离合器202来自由装卸地连接两轴136a、136b。
从动轴136b可旋转地支撑在设置在两传输辊138A、138B轴方向外侧上的一对轴承204A、204B上。通过垂直支撑棒208将各轴承204A、204B支撑在横向设置在传输路径108上方的支撑板206上。具体而言，在各轴承204A、204B上固定垂直支撑棒208的下端部，垂直支撑棒208的上端部通过销210可旋转地支撑在支撑板206的侧面上。
支撑板206在传输方向一端部、例如前端部(下流侧的端部)可旋转地支撑在枢轴212上，在相反侧的端部(后端部)，通过从设置在上方的卷轴214基本垂直下垂的线216与横向圆筒218的活塞轴218a结合。
在如此构成中，当通过离合器驱动部(未图示)接通离合器202来连接原动轴136a和从动轴136b时，电机150(图5、图6)的旋转驱动力通过旋转驱动轴146、弹簧齿轮148、144、原动轴136a、离合器202和从动轴136b，传递到两传输辊138A、138B。因此，在传输路径108上，基片G可从上流侧顺利地进入可倾斜区间K中，可从可倾斜区间K顺利地出到下流侧。
但是，在接通离合器202而从原动轴136a上分离从动轴136b时，离合器202切断来自电机150的旋转驱动力，不能传递给从动轴136b。在该状态下，驱动缸体218，使活塞轴218a仅前进或后退规定距离时，支撑板206以前端部侧的枢轴212为中心向后旋转或倾斜，以降低后端部侧。因此，当支撑板206向后倾斜时，通过垂直支撑棒208和轴承204(204A、204B)处于支撑板206正下方的各从动轴136b和两传输辊138A、138B也根据各自位置下降，当观察构成可倾斜区间K内的传输路径108的传输辊138列时，如图17所示，平行于支撑板206向后倾斜相同角度。由此，当基片G位于可倾斜区间K内的传输路径108上时，基片G也与传输路径108一起向后倾斜相同角度。可通过缸体218中的活塞轴218a的前进距离来调整该倾斜角度。
接近于比支撑板206的后端部稍后(传输方向的上流侧)，在传输路径108的宽度方向上沿垂直方向反向设置一个或多个气缸220，在各活塞轴220a的前端上安装例如橡胶制的筒状止动部件222。在从上述支撑板206的水平状态向倾斜状态的姿势变换中符合定时，各气缸220通过使活塞轴220a前进或下降，如图17所示，止动部件222可阻止区间K内的传输路径108上向后倾斜的基片G的后端。
因此，基片G与可倾斜区间K内的传输辊138一体地向后倾斜，且通过止动部件222稳定保持其倾斜姿势，盛在、或附着在基片G上的液体(在显影液下落部128中为显影液)由于重力向后方滑动到基片倾斜面，从基片后端落下，收集到该盘132中。
在上述倾斜姿势返回水平姿势中，也可符合定时地将两气缸218、222的活塞轴218a、220a分别回复到原位置。另外，在可倾斜区间K内的传输路径108或传输辊138列返回水平状态后，接通离合器202，使从动轴136b连接到原动轴136a上。原动轴136a也可支撑在设置于弹簧齿轮144轴方向外侧的轴承224上(图15)。在该基片倾斜机构200中，设置在传输路径108上方的机构(206、214、218、220等)容纳于盒或圈226中。
在使传输路径108上从上流侧传输来的基片G停止在可倾斜区间K内中，与上述基片倾斜机构180相同，在基片G处于规定位置时，由位置传感器进行检测，根据该传感器的输出信号，离合器驱动部接通离合器202。作为这种基片到达检测用的传感器，例如使用图18A-C所示的限制开关230。在该限制开关230中，当基片G处于传输路径108上的规定位置上时(图18A)，基片前端部抵到设置在这里的转子杠杆232的前端部，牵引转子杠杆232，抵在螺旋弹簧234，边以轴236为中心向规定方向(时钟方向)旋转，边潜入基片G下(图18B)。此时，光传感器238检测转子杠杆232的另一端，输出规定的基片到达检测信号。例如图18C所示，光传感器238间隔间隙240相对配置发光元件238a和受光元件238b，当转子杠杆232进入间隙240中，遮住来自发光元件238a的光线LB时，将受光元件238b得到的输出信号作为基片到达检测信号。
上述实施例的各部件结构是一例，基片倾斜机构以外的部件也可进行各种变形。例如，喷嘴扫描机构SC中的喷嘴支撑体156或扫描驱动部160等结构也可任意变形。或，可将预湿液提供喷嘴、显影液提供喷嘴、漂洗液提供喷嘴等构成为定置式的喷嘴。
在上述实施例中，构成沿水平方向铺设在可旋转的轴136中间隔规定间隔固定的一对传输辊138A、138B构成的滚轴传输型传输路径108。在这种滚轴传输型传输路径中，也可在两传输辊138A、138B的中间位置处安装基片传输用辊。另外，在传输方向上将传输路径108的驱动系分割成多个，可独立控制各分割传输路径上的传输动作(速度、停止等)。另外，也可是间隔规定间隔在水平方向上铺设一对带所构成的带传输型传输路径。
另外，在预湿部124、显影液下落部128或漂洗部114中，将倾斜基片的方向设定为与上述方向不同的方向，或在水平状态或倾斜状态下处理基片。
上述实施例虽然是关于显影装置的，但本发明也可适用于显影装置以外的基片处理装置，例如也可适用于上述涂布显影处理系统中的洗涤洗净单元(SCR)42。即，通过在洗涤洗净单元(SCR)42的传输路径上在水流洗净部的后段设置与上述实施例相同的基片倾斜机构180、200，可边高效率地去除基片G上残留的洗净液边回收。
本发明的被处理基片不限于LCD基片，包含显影处理可适用的任意被处理基片。
如上所述，根据本发明的基片处理装置，可在单位时间内高效率地去除水平方向上铺设的传输路径上提供给被处理基片的处理液，并可高纯度地分别回收。
(实施例2)
下面参照附图来详细说明本发明的实施例。其中，在本实施例中，以将本发明适用于对实施了曝光处理的LCD基片进行显影处理的显影处理单元(DEV)的情况为例进行说明。图19是表示作为本发明一实施例的具有显影处理单元(DEV)、连续进行从抗蚀剂膜的形成至显影处理的抗蚀剂涂布、显影处理系统的示意平面图。
该抗蚀剂涂布、显影处理系统400具有盘盒台(搬入搬出部)301，装载容纳多个LCD基片G的盘盒C；处理台(处理部)302，具有多个处理单元，对LCD基片G实施包含抗蚀剂涂布和显影一连串的处理；接口台(接口部)303，与曝光装置304之间进行LCD基片G的传递，在处理台302的两端上分别配置盘盒台301和接口台303。在图19中，设抗蚀剂涂布、显影处理系统400的长方向为X方向，在平面中与X方向垂直的方向为Y方向。
盘盒台301具备沿Y方向并列装载盘盒C的装载台309和与处理台302之间进行LCD基片G的搬入搬出的传输装置311，在该装载台309和外部之间传输盘盒C。传输装置311具有传输臂311a，可在沿作为盘盒C的排列方向的Y方向设置的传输路径310上移动，通过传输臂311a，在盘盒C和处理台302之间搬入搬出LCD基片G。
处理台302具有基本上沿X方向延伸的LCD基片G传输用的两列平行传输线A、B，沿传输线A，从盘盒台301向接口台303配置洗涤洗净单元(SCR)321、第一热处理单元部326、抗蚀剂处理单元323和第二热处理单元部327。沿传输线B，从接口台303侧向盘盒台301配置第二热处理单元部327、显影处理单元(DEV)324、i线UV照射单元(i-UV)325和第三热处理单元部328。在洗涤洗净单元(SCR)321上的一部分中设置激元UV照射单元(e-UV)322。另外，在洗涤洗净之前设置激态原子UV照射单元(e-UV)322，以便去除LCD基片G的有机物，设置i线UV照射单元(i-UV)325，以进行显影的褪色处理。
上述洗涤洗净单元(SCR)321在其中以水平姿势传输LCD基片G，并进行洗净处理和干燥处理。如后面详细说明，显影处理单元(DEV)324也基本水平地传输LCD基片G，并进行显影液涂布、显影后的洗净处理和干燥处理。在这些洗涤洗净单元(SCR)321和显影处理单元(DEV)324中，例如通过滚轴传输或带传输来传输LCD基片G。另外，通过与显影处理单元(DEV)324的传输机构相同的机构来连续向i线UV照射单元(i-UV)325传输LCD基片G。
在抗蚀剂处理单元323中，按顺序配置抗蚀剂涂布处理装置(CT)323a，使抗蚀剂液滴向基本保持水平的LCD基片G，通过使LCD基片G旋转规定旋转次数，将抗蚀剂液扩散到LCD基片G的整体上，形成抗蚀剂膜；减压干燥装置(VD)323b，减压干燥LCD基片G上形成的抗蚀剂膜；和边缘抗蚀剂去除装置(ER)323c，通过可扫描LCD基片G四周的溶剂喷出头来去除LCD基片G边缘上附着的多余抗蚀剂。在抗蚀剂处理单元323内，在这些抗蚀剂涂布处理装置(CT)323a、减压干燥装置(VD)323b、边缘抗蚀剂去除装置(ER)323c之间设置传输LCD基片G的传输臂。
如图20的第一热处理单元部326的侧面图所示，第一热处理单元部326具有叠层对LCD基片G实施热处理的热处理单元而构成的两个热处理单元块(TB)331、332，热处理单元块(TB)331设置在洗涤洗净处理单元(SCR)321侧，热处理单元块(TB)332设置在抗蚀剂处理单元323侧。在这两个热处理单元块(TB)331、332之间设置第一传输装置333。
热处理单元块(TB)331从下向上具有四级叠层传递LCD基片G的传送单元(PASS)361、对LCD基片G进行脱水烘干处理的两个脱水烘干单元(DHP)362、363、对LCD基片G实施疏水处理的粘附处理单元(AD)364的结构，另外，热处理单元块(TB)332按照从下向上的顺序具有四级叠层传递LCD基片G的传送单元(PASS)365、冷却LCD基片G的两个冷却单元(COL)366、367、对LCD基片G实施疏水处理的粘附处理单元(AD)368的结构。
第一传输装置333通过传送单元(PASS)361从洗涤洗净处理单元(SCR)321接收LCD基片G，在上述热处理单元之间搬入搬出LCD基片G，并通过传送单元(PASS)365向抗蚀剂处理单元323传递LCD基片G。
第一传输装置333具有向上下延伸的引导导轨291、沿引导导轨391升降的升降部件392、可旋转地设置在升降部件392上的基底部件393、和可前进后退地设置在基底部件393上、保持LCD基片G的基片保持臂394。另外，通过电机395来升降升降部件392，通过电机396来旋转基底部件393，通过电机397来前后移动基板保持臂394。因此，第一传输装置333可上下、前后、旋转运动，可访问热处理单元块(TB)331、332的任一单元。
第二热处理单元台327具有叠层对LCD基片G实施热处理的热处理单元而构成的两个热处理单元块(TB)334、335，热处理单元块(TB)334设置在抗蚀剂处理单元323侧，热处理单元块(TB)335设置在显影处理单元(DEV)324侧。在这两个热处理单元块(TB)334、335之间设置第二传输装置336。
如图21的第二热处理单元部327的侧面图所示，热处理单元块(TB)334构成为按从下向上的顺序四级叠层传递LCD基片G的传送单元(PASS)369、和对LCD基片G进行预烘干处理的三个预烘干单元(PREBAKE)370、371、372，热处理单元块(TB)335构成为按从下向上的顺序四级叠层传递LCD基片G的传送单元(PASS)373、冷却LCD基片G的冷却单元(COL)374、对LCD基片G进行预烘干处理的二个预烘干单元(PREBAKE)375、376。
第二传输装置336通过传送单元(PASS)369从抗蚀剂处理单元323接收LCD基片G，在上述热处理单元之间搬入搬出LCD基片G，通过传送单元(PASS)373向显影处理单元(DEV)324传递LCD基片G、和对作为后述接口台303的基片传递部的延展、冷却台(EXT、COL)344传递和接收LCD基片G。第二传输装置336具有与第一传输装置333相同的结构，也可访问热处理单元块(TB)334、335的任一单元。
第三热处理单元台328具有叠层对LCD基片G实施热处理的热处理单元而构成的两个热处理单元块(TB)337、338，热处理单元块(TB)337设置在显影处理单元(DEV)324侧，热处理单元块(TB)338设置在盘盒台301侧。在这两个热处理单元块(TB)337、338之间设置第三传输装置339。
如图22的第三热处理单元部328的侧面图所示，热处理单元块(TB)337具有按从下向上的顺序四级叠层传递LCD基片G的传送单元(PASS)377、对LCD基片G进行后烘干处理的三个后烘干单元(POBAKE)378、379、380的结构。另外，热处理单元块(TB)338具有按从下向上的顺序四级叠层后烘干单元(POBAKE)381、传递和冷却LCD基片G的传送、冷却单元(PASS、COL)382、对LCD基片G进行后烘干处理的两个后烘干单元(POBAKE)383、384的结构。
第三传输装置339通过传送单元(PASS)377从i线UV照射单元(i-UV)325接收LCD基片G，在上述热处理单元之间搬入搬出LCD基片G，通过传送、冷却单元(PASS、COL)382向盘盒台1传递LCD基片G。第三传输装置339也具有与第一传输装置333相同的结构，也可访问热处理单元块(TB)337、338的任一单元。
如上所述，在处理台302中配置各处理单元和传输装置，以构成两列传输线A、B，并基本上构成处理顺序，在这些传输线A、B之间设置空间340。另外，在该空间340内设置可往复运动的梭子(基片装载部件)341。可保持LCD基片G地构成梭子341，通过梭子341在传输线A、B之间传递LCD基片G。通过上述第一至第三的传输装置333、336、339向梭子341传递LCD基片G。
接口台303具有在处理台302和曝光装置304之间搬入搬出LCD基片G的传输装置342、配置缓冲盘盒的缓冲台(BUF)343和具备冷却功能的作为基片传递部的延展、冷却台(EXT、COL)344，邻接传输装置342设置上下叠层字幕拍录装置(TITLER)和外围曝光装置(EE)的外部装置块345。传输装置342具备传输臂342a，通过该传输臂342a在处理台302和曝光装置304之间搬入搬出LCD基片G。
在如此构成的抗蚀剂涂布、显影处理系统400中，首先，配置在盘盒台301的装载台309上的盘盒C内的LCD基片G通过传输装置311直接搬入处理台302的激态原子UV照射单元(e-UV)322，进行洗涤前处理。接着，通过传输装置311，将LCD基片G搬入洗涤洗净处理单元(SCR)321中，洗涤洗净。在洗涤洗净处理后，例如通过滚轴传输将LCD基片G向属于第一热处理单元部326的热处理单元块(TB)331的传送单元(PASS)361搬出。
最初，将配置在传送单元(PASS)361上的LCD基片G传输到热处理单元块(TB)331的脱水烘干单元(DHP)362、363之一，进行加热处理，接着，传输到热处理单元块(TB)332的冷却单元(COL)366、367之一冷却后，传输到热处理单元块(TB)331的粘附处理单元(AD)364和热处理单元块(TB)332的粘附处理单元(AD)368之一，在那里通过HMDS进行粘附处理(疏水处理)，以提高抗蚀剂的稳定性。之后，将LCD基片G传输到冷却单元(COL)366、367之一进行冷却，再传输到热处理单元块(TB)332的传送单元(PASS)365。通过第一传输装置333来进行所有进行这一连串处理时的LCD基片G传输处理。
通过抗蚀剂处理单元323的传输臂将配置在传送单元(PASS)365上的LCD基片G搬入抗蚀剂处理单元323内。LCD基片G在抗蚀剂涂布处理装置(CT)323a中旋涂抗蚀剂液后，传输到减压干燥装置(VD)323b进行减压干燥，再传输到边缘抗蚀剂去除装置(ER)323c，去除LCD基片G周围多余的抗蚀剂。另外，在去除边缘抗蚀剂后，通过传输臂将LCD基片G从抗蚀剂处理单元323传递到属于第二热处理单元部327的热处理单元块(TB)334的传送单元(PASS)69。
通过第二传输装置336将配置在传送单元(PASS)369中的LCD基片G传输到热处理单元块(TB)334的预烘干单元(PREBAKE)370、371、372和热处理单元块(TB)335的预烘干单元(PREBAKE)375、376之后，进行预烘干处理，之后，传输到热处理单元块(TB)335的冷却单元(COL)374后冷却到规定温度。另外，再通过第二传输装置336传输热处理单元块(TB)335的传送单元(PASS)373。
之后，通过第二传输装置336将LCD基片G传输到接口台3的延展、冷却台(EXT、COL)344，通过接口台303的传输装置342传输到外部装置块345的外围曝光装置(EE)后，进行去除外围抗蚀剂用的曝光，接着，通过传输装置342传输到曝光装置304，在那里曝光LCD基片G上的抗蚀剂膜，形成规定的图案。根据情况将LCD基片G从容纳于缓冲台(BUF)343上的缓冲盘盒内传输到曝光装置304。
曝光结束后，通过接口台303的传输装置342将LCD基片G搬入外部装置块345上段的字幕拍录装置(TITLER)，在LCD基片G中记录规定的信息后，装载在延展、冷却台(EXT、COL)344上。通过第二传输装置336，将LCD基片G从延展、冷却台(EXT、COL)344传输到属于第二热处理单元部327的热处理单元块(TB)335的传送单元(PASS)373。
通过使从传送单元(PASS)373延伸到显影处理单元(DEV)324的例如滚轴传输机构使用，将LCD基片G从传送单元(PASS)373托运到显影处理单元(DEV)324，在那里进行显影处理。下面详细说明该显影处理工序。
显影处理结束后，通过连续的传输机构、例如滚轴传输，将LCD基片G从显影处理单元(DEV)324传输到i线UV照射单元(i-UV)325，对LCD基片G实施褪色处理。之后，通过i线UV照射单元(i-UV)325内的滚轴传输机构将LCD基片G搬出属于第三处理单元部328的热处理单元块(TB)337的传送单元(PASS)377。
通过第三传输装置339将传送单元(PASS)377中配置的LCD基片G传输到热处理单元块(TB)337的后烘干单元(POBAKE)378、379、380和热处理单元块(TB)338的后烘干单元(PROBAKE)381、383、384之一，进行后烘干处理，之后，传输到热处理单元块(TB)338的传送、冷却单元(PASS、COL)382冷却到规定温度后，通过盘盒台301的传输装置311，容纳到盘盒台301中配置的规定盘盒C中。
下面详细说明显影处理单元(DEV)324的结构。图23是表示显影处理单元(DEV)324的示意结构的侧面图，图24是示意平面图。显影处理单元(DEV)324具备导入区324a、第一显影液提供区324b、第二显影液提供区324c、去除液体/漂洗区324d、漂洗区324e、干燥区324f，导入区324a与热处理单元块(TB)335的传送单元(PASS)373邻接，干燥区324f与i线UV照射单元(i-UV)325邻接。
在传送单元(PASS)373和i线UV照射单元(i-UV)325之间设置滚轴传输机构314，通过电机等驱动使滚轴317旋转来向规定方向传输滚轴317上的LCD基片G，通过操作该滚轴传输机构314，可从传送单元(PASS)373通过显影处理单元(DEV)324向i线UV照射单元(i-UV)325传输LCD基片G。在LCD基片G的传输方向和垂直于该传输方向的方向上设置规定数量的滚轴317，使LCD基片G中难以产生翘曲等。
图24中未示出该滚轴传输机构314。另外，在显影处理单元(DEV)324中，例如将滚轴传输机构314分割成LCD基片G的传输速度不同的区域，每个区域中独立地进行驱动。例如，在传送单元(PASS)373和导入区324a中通过第一电机的驱动来传输LCD基片G，在第一显影液提供区324b和去除液体/漂洗区324d之间通过第二电机的驱动来传输，在漂洗区324e和干燥区324f中通过第三电机的驱动来传输。这种滚轴传输机构314的分割驱动可在例如构成显影处理单元(DEV)324的每个区中进行。
后示的图25A-25C中表示了滚轴传输机构314的详细结构。图25A-25C是表示去除液体/漂洗区324d中设置的基片倾斜机构410(后面详细说明)结构的平面图和侧面图，如图25A-25C所示，滚轴传输机构314具有在LCD基片G的传输方向(X方向)上延伸、通过电机315沿X轴旋转的枢轴318a；固定在枢轴318a上沿X轴旋转的第一齿轮318b；在LCD基片G的宽度方向上长、以规定间隔安装滚轴317的枢轴319a；安装在枢轴319a的一端上以与第一齿轮318b啮合，将第一齿轮318b的X轴旋转转换成Y轴旋转的第二齿轮319b；安装在枢轴319a的另一端上，通过第二齿轮319b的旋转，经枢轴319a进行旋转的第三齿轮319b’；沿X轴自由旋转的枢轴318a’；和安装在枢轴318a’上，以与第三齿轮319b’啮合的将第三齿轮319b’的Y轴旋转转换成X轴旋转的第四齿轮318b’。
在滚轴传输机构314中，旋转枢轴319a用的驱动部由枢轴318a、第一齿轮318b、第二齿轮319b、电机315构成。第三齿轮319b’、第四齿轮318b’起到支撑枢轴319a的作用，以便枢轴319a顺利旋转。
传送单元(PASS)373具备自由升降的升降销316。当保持LCD基片G的第二传输装置363的基片保持臂394以进入传送单元(PASS)373的状态使升降销316上升时，LCD基片G从基片保持臂394传递到升降销316。接着，使基片保持臂394从传送单元(PASS)中退出后，一旦升降销316上升，则LCD基片G装载到传送单元(PASS)373内的滚轴317上。通过驱动第一电机315a，将LCD基片G从传送单元(PASS)373搬出到导入区324a。
导入区324a被设计成传送单元(PASS)373和第一显影液提供区324b之间的缓冲区域，该导入区324a防止显影液从第一显影液提供区324b飞散到传送单元(PASS)373，污染传送单元(PASS)373。
第一显影液提供区324b是对从导入区324a传输来的LCD基片G盛最初的显影液(形成水坑)的区，具有对LCD基片G涂布显影液的主显影液喷出喷嘴351a和副显影液喷出喷嘴351b(下面称为‘显影喷嘴351a、351b’)两个喷嘴、沿X方向延伸的引导导轨359、与引导导轨359嵌合的滑臂358、使滑臂358沿引导导轨359向X方向移动的未图示的驱动机构、和安装在滑臂358上的未图示的升降机构，显影喷嘴351a、351b安装在该升降机构上。
从未图示的显影液提供源向显影喷嘴351a、351b提供显影液，例如，在通过升降机构调整显影喷嘴351a、351b和LCD基片G的间隔后，边向与LCD基片G的传输方向相反的方向移动显影喷嘴351a、351b，边从显影喷嘴351a、351b向LCD基片G喷出显影液，可在LCD基片G上涂布显影液。
作为显影喷嘴351a、351b，最好适用如下结构在LCD基片G的宽度方向(Y方向)上长(参照图24)，在其下端沿长方向形成缝隙状的喷出口，可从该缝隙状的吐出口中呈大致带状地喷出显影液。在显影喷嘴351a、351b中，代替缝隙状的喷出口，可使用以规定间隔形成的多个圆形喷出口。
在第一显影液提供区324b将盛装了显影液的LCD基片G传输到去除液体/漂洗区324d时，存在从LCD基片G上洒落显影液的情况。在第二显影液提供区324c中，重新向LCD基片G补充显影液，以防止在LCD基片G的传输途中，由于从LCD基片G上洒落的显影液阻碍显影反应。
在第二显影液提供区324c中固定设置具有与显影喷嘴351a、351b相同结构的显影液补充喷嘴351c，使其长方向变为Y方向。从显影液补充喷嘴351c向滚轴传输机构314传输的LCD基片G上喷出以Y方向长的基本带状的规定量的显影液。另外，第二显影液提供区324c不是必需的。
在从第一显影液提供区324b向去除液体/漂洗区324d传输时进行LCD基片G的显影反应。在去除液体/漂洗区324d中，LCD基片G变换为倾斜姿势，LCD基片G上的显影液落下，在将LCD基片G保持为倾斜姿势的状态下，从漂洗液喷出喷嘴352向LCD基片G的表面喷出漂洗液，例如纯水，冲洗LCD基片G上的显影液。
在去除液体/漂洗区324d中设置有通过将LCD基片G变换为倾斜姿势而去除涂布在LCD基片G上的显影液的基片倾斜机构410、向基片倾斜机构410保持成倾斜姿势的LCD基片G表面提供冲洗显影液的漂洗液(纯水)的漂洗液提供机构360、回收从基片倾斜机构410保持成倾斜姿势的LCD基片G上流下的显影液的显影液回收容器347、和回收由漂洗液提供机构360提供的漂洗液等的漂洗液回收容器349。
图25A是表示基片倾斜机构410的示意结构的平面图，图25B是表示不使基片倾斜机构410动作的状态的示意侧面图，图25C是表示使基片倾斜机构410动作而将LCD基片G保持为倾斜姿势的状态的示意侧面图。
基片倾斜机构410具有由对接在LCD基片G里面规定位置上的滚轴401和连接滚轴401的轴部件402a构成的支撑部件、保持轴部件402a的框架部件403、使框架部件403的一端升降的升降机构406、和支撑由LCD基片G的下端构成的端面、以便在使框架部件403的一端上升时、滚轴401倾斜支撑的LCD基片G不滑落的引导销404。通过安装在轴部件402a两端部上的连接工具402b来连接轴部件402a和框架部件403。
沿Y方向以规定间隔在轴部件402a上安装多个滚轴401，另外，沿X方向以规定间隔在框架部件403上安装安装了滚轴401的轴部件402a。因此，当滚轴401与LCD基片G对接来支撑LCD基片G时，LCD基片G中不产生大的挠曲。滚轴401绕轴部件402a自由旋转，在变换LCD基片G的姿势时，滚轴由于LCD基片G与滚轴401的摩擦力而根据LCD基片G的移动进行旋转。因此，可防止LCD基片G的里面被擦伤等。
在LCD基片G的里面连接到滚轴317上端的状态下，通过滚轴314将LCD基片G搬入去除液体/漂洗区324d，并且为了搬出漂洗区324e，在去除液体/漂洗区324d中传输LCD基片G时，将滚轴401的上端保持在与滚轴317的上端相同的位置或比滚轴317的上端低的位置上，以便滚轴401不妨碍传输LCD基片G。
在框架部件403中，通过轴部件405来支撑未安装升降机构406的另一端。框架部件403沿该轴部件405自由旋转，在升降机构406抬起框架部件403的一端时，框架部件403旋转，在规定角度下保持为倾斜状态。当使框架部件403倾斜时，支撑在滚轴317上的LCD基片G变换为由滚轴401支撑的倾斜姿势。
将引导销404配置成位于比传输引导销上端的LCD基片G里面还低的部位，以使在去除液体/漂洗区324d中传输LCD基片G时，不妨碍传输LCD基片G。另外，引导销404在升降机构406使框架部件403倾斜时向上方突出，支撑LCD基片G的下方端面，防止LCD基片G滑落。
升降机构406使框架部件403旋转，以抬起LCD基片G传输方向前方侧(漂洗区324e侧)。在第一显影液提供区324b中，在从LCD基片G的传输方向前方侧向LCD基片G涂布显影液的情况下，在LCD基片G中抬起开始涂布显影液的端面侧，从LCD基片G上落下显影液，可在LCD基片G整体内均匀显影液接触LCD基片G的时间。因此，抑制显影不均的产生，提高线宽均匀性。
这种基片倾斜机构410的LCD基片G的倾斜角度θ最好为10度以上。当倾斜角度θ不足10度时，显影液去除时间超过1秒，基片面内的显影时间差大，产生显影不均。另一方面，只要倾斜角度θ为10度以上，则不会产生故障，即使超过15度倾斜，因为去除速度稳定在0.6-0.7秒左右，效果饱和，所以最好小于15度。但也可大于15度。
在基片倾斜机构410使LCD基片G倾斜时，从LCD基片G上落下的显影液被回收到显影液回收容器347中。回收到显影液回收容器347中的浓度高的显影液被送到回收管上进行循环。在显影液回收容器347中可移动地设置盖体348，使混入漂洗液的浓度低显影液或漂洗液不混入显影液回收容器347中。
漂洗液提供机构360具有喷出洗去保持为倾斜姿势的LCD基片G的显影液残渣的漂洗液、例如纯水的漂洗液喷出喷嘴352、和沿保持为倾斜姿势的LCD基片G表面以规定速度倾斜地移动漂洗液喷出喷嘴352的漂洗喷嘴移动机构385。漂洗喷嘴移动机构385具有以与LCD基片G相同的角度配置的引导导轨386、与引导导轨386嵌合并保持漂洗液喷出喷嘴352的喷嘴保持臂387、和沿引导导轨386使喷嘴保持臂387移动的驱动机构388。
通过边从由基片倾斜机构410保持为倾斜姿势的LCD基片G的上方端向下方端沿LCD基片G表面移动漂洗液喷出喷嘴352、边从漂洗液喷出喷嘴352向LCD基片G喷出漂洗液，可去除LCD基片G的显影液残渣。漂洗液喷出喷嘴352的移动可在短时间内去除LCD基片G的显影液残渣，以便可通过以例如不小于200mm/秒的速度进行漂洗来降低基片面内尺寸不规则。
为了通过漂洗液喷出喷嘴352有效去除LCD基片G的显影液残渣，最好适用以规定的高喷出压喷出漂洗液。另外，漂洗液喷出喷嘴352最好使用在LCD基片G宽度方向(Y方向)长、喷出基本带状漂洗液的喷嘴，以便通过漂洗液喷出喷嘴352的一次移动就可向LCD基片G整体喷出漂洗液。也可从漂洗液喷出喷嘴352中喷射状地喷出漂洗液。
从漂洗液喷出喷嘴352中喷出的漂洗液的喷出压高，因此，由于以倾斜姿势保持LCD基片，就会有从LCD基片G溅回后飞散到第二显影液提供区324c上。为了防止向第二显影液提供区324c飞散，在第二显影液提供区324c和去除液体/漂洗区324d之间，最好在不阻碍水平传输LCD基片G的高度上设置隔板346。从漂洗液喷出喷嘴352中喷出的漂洗液被回收在设置于去除液体/漂洗区324d中的漂洗液回收容器349中，通过排液管排出。另外，漂洗液喷出喷嘴352也可由液刀构成。
在去除液体/漂洗区324d中，为了短时间进行通过基片倾斜机构410的去除来去除漂洗液的显影液残渣之前的处理，可对LCD基片G整体均匀地停止进行显影反应。因此，可抑制产生显影不均，提高线宽均匀性。另外，在进行通过基片倾斜机构410的去除来去除漂洗液的显影液残渣之前的处理时，考虑第一显影液提供区324b的显影液涂布方向，在LCD基片G中，抬起开始涂布显影液的一侧，使显影液从LCD基片G上流下，进行显影液的去除，可提高显影精度。
在漂洗区324e中，安装向LCD基片G喷出纯水等漂洗液的漂洗喷嘴353。在漂洗区324e中，边以规定速度传输LCD基片G，边向LCD基片G的表面和里面喷出漂洗液，彻底去除附着在LCD基片G上的显影液并洗净LCD基片G。漂洗喷嘴353具有比LCD基片G的宽度长的形状，可向LCD基片G的宽度方向整体喷出漂洗液。
在通过漂洗区324e传输LCD基片G的干燥区324f中，设置以规定风压喷射氮气等干燥气体的空气喷嘴(气刀)354。在干燥区324f中，边以规定速度传输LCD基片G，边向LCD基片G的表面和里面喷射干燥气体，吹去LCD基片G上附着的漂洗液，干燥LCD基片G。另外，气刀354具有比LCD基片G的宽度长的形状，可向LCD基片G的宽度方向整体喷出干燥气体。通过滚轴传输机构314，将干燥处理结束后的LCD基片G传输到i线UV照射单元(i-UV)325。
下面说明显影处理单元(DEV)324的显影处理工序。图26是表示显影处理工序示意的说明图(流程图)。通过滚轴传输机构314，将搬入传送单元(PASS)373中的LCD基片G通过导入区324a搬入第一显影液提供区324b(步骤1)。从该传送单元(PASS)373到第一显影液提供区324b的LCD基片G的传输速度例如设为65mm/秒。
在第一显影液提供区324b中，作为使LCD基片G停止在规定位置上的状态(步骤2)，边以例如所谓240mm/秒的高速从基片传输方向的前方向后方移动显影喷嘴351a、351b，边向LCD基片G的表面涂布显影液(步骤3)。通过形成使LCD基片G停止的状态，可容易驱动控制显影喷嘴351a、351b。另外，稳定后将显影液形成LCD基片形。
使滚轴传输机构314动作，例如以46mm/秒的传输速度向第二显影液提供区324c传输在第一显影液提供区324b中结束了涂液的LCD基片G(步骤4)。在LCD基片G通过第二显影液提供区324c时，从显影液补充喷嘴315c向LCD基片G上补充显影液，补充在传输LCD基片G时从LCD基片G上落下的显影液(步骤5)。
将传输到第二显影液提供区324c中的LCD基片G传输到去除液体/漂洗区324d(步骤6)，在那里，通过基片倾斜机构410将LCD基片G变换为倾斜姿势后，使LCD基片G上的显影液流下(步骤7)。因此，从LCD基片G上流下的显影液回收将显影液回收容器347中，送到回收管中。
基本在与LCD基片G到达规定的倾斜角度θ的同时，边从漂洗液喷出喷嘴352向LCD基片G喷出漂洗液、例如纯水，边沿LCD基片G的表面以例如500mm/秒的速度移动漂洗液喷出喷嘴352(步骤8)。此时，通过盖体348封闭显影液回收容器347的开口部，以防漂洗液混入显影液回收容器347中。
在该步骤7中，最好缩短将LCD基片G变换为倾斜姿势时的动作时间。另外，在将LCD基片G保持为规定角度的倾斜姿势后，最好迅速进行开始从漂洗液喷出喷嘴352提供漂洗液并停止显影反应的步骤8。例如，在步骤7中，在LCD基片G的倾斜姿势保持时间长的情况下，由于存在显影液落下的痕迹或LCD基片G部分不沾显影液的部分，所以容易产生显影不均。但是，通过在步骤7后迅速进行步骤8，可防止发生显影不均。
因为通过升降机构406的动作和漂洗液喷出喷嘴352的高速移动，可在短时间内进行步骤7和步骤8的处理，所以可对LCD基片G整体均匀停止显影反应。去除液体/漂洗区324d中的步骤7和步骤8的一连串处理与第一显影液提供区324b中的显影液涂布方向无关，可实现抑制LCD基片G中产生显影不均和提高线宽均匀性的效果。对此，考虑第一显影液提供区324b的显影液涂布方向，通过进行LCD基片G中抬起开始涂布显影液的一侧以便从LCD基片G上流下显影液的步骤7的处理，可提高显影精度。
接着，将LCD基片G传输到漂洗区324e中(步骤9)，在那里，边以规定速度传输LCD基片G，边向LCD基片G的表面和里面喷出漂洗液，彻底去除和洗净附着在LCD基片G上的显影液(步骤10)。将进行了这种漂洗处理且通过漂洗区324e的LCD基片G传输到干燥区324f(步骤11)。在干燥区324f中，边以规定速度传输LCD基片G，边由空气喷嘴354进行干燥处理(步骤12)。通过滚轴传输机构314，将结束干燥处理的LCD基片G传输到i线UV照射单元(i-UV)325(步骤13)，在那里进行规定的紫外线照射处理。
上面虽然说明了本发明的实施例，但本发明不限于上述实施例。例如，因为去除液体/漂洗区324d中的一连串处理与第一显影液提供区324b中的显影液涂布方向无关，可实现抑制LCD基片G中产生显影不均的效果，所以第一显影液提供区324b中的显影液涂布方向不必一定是基片传输方向的反方向。
另外，虽然通过基片倾斜机构410抬起基片传输方向的前方侧来使LCD基片G变为倾斜姿势，但也可通过抬起基片传输方向的后方侧来使LCD基片G变为倾斜姿势。此时，在第一显影液提供区324b中，从基片传输方向的后方侧向前方侧涂布显影液，最好不设置第二显影液提供区324c，以缩短传输路径。
升降机构406既可从去除液体/漂洗区324d的上方拉起框架部件403的一端，也可从LCD基片G的传输面的下方抬起。另外，使用可调节框架部件403两端高度位置的升降机构，以基本水平姿势不变地由滚轴401支撑、抬起滚轴317上支撑的LCD基片G整体后，可倾斜成规定角度。本发明不限于适用于LCD基片G，也可适用于用于其它LCD以外的其它用途的玻璃基片等或陶瓷基片等的液处理。
如上所述，根据本发明的液处理装置和液处理方法，因为可在基片整体中均匀处理液与基片接触的时间，所以可在基片整体中均匀基片的液处理。因此，实现可得到高质量基片的优良效果。另外，因为不高速传输基片，所以提高了处理安全性，抑制了基片的破损或损坏，停止传输用的空间也不必变大。通过移动向基片提供处理液的喷嘴，可在短时间内进行第一液处理部和第二液处理部中的液处理，可提高生产率。
权利要求
1.一种基片处理装置，具有传输路径，在水平方向上铺设基本水平地载送被处理基片用的传输体来构成；传输驱动部件，驱动所述传输体，以在所述传输路径上传输所述基片；处理液提供部件，包含向所述传输路径上的所述基片的被处理面提供规定处理液用的一个或多个喷嘴；和基片倾斜部件，在所述传输路径上，向所述传输路径的前方或后方倾斜所述基片，以便液体因重力而从所述基片上落下。
2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于所述基片倾斜部件具有升降部件，在传输路径的第一位置和其上方的第二位置之间移动基片；和倾斜状态保持部件，保持在第二位置上倾斜基片的状态。
3.根据权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于所述基片倾斜部件具有基片姿势切换部件，在第二位置上在水平状态和倾斜状态之间切换基片的姿势。
4.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于所述基片倾斜部件具有传输体倾斜部件，在移动传输路径上设定的区间中，在传输路径上的基本水平的第三位置和液体落下用的倾斜的第四位置之间移动传输体；和倾斜状态保持部件，保持在第四位置的传输体上倾斜基片的状态。
5.根据权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于具有离合器机构，使属于该区间的传输体可装卸地连接于传输驱动部件上。
6.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于具有用于收集落到传输路径下面的液体的集液部件。
7.根据权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于所述集液部件在传输路径上前后邻接设定的第一和第二区间内包含分别用于收集落到传输路径下的液体的第一和第二集液部。
8.根据权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于所述处理液提供部件包含分别配置在第一和第二区间内的第一和第二喷嘴。
9.根据权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于所述基片倾斜部件包括第一基片倾斜部，该倾斜部使基片倾斜，以便在第一区间中提供的基片上的液体进入第二区间之前落入第一集液部中。
10.一种对基片进行规定液处理的液处理装置，具备第一液处理部，在基本保持水平姿势的基片上涂布处理液；第二液处理部，从涂布了所述处理液的基片上去除所述处理液；和基片传输机构，从所述第一液处理部向所述第二液处理部以基本水平姿势向一个方向传输基片，所述第一液处理部具有处理液提供机构，从所述基片传输机构的基片传输方向的前方向后方，在所述基片上涂布所述处理液，所述第二液处理部具有基片倾斜机构，抬起涂布了所述处理液的基片的传输方向的前方，将所述基片变换为倾斜姿势，去除涂布在所述基片上的处理液。
11.一种对基片进行规定液处理的液处理装置，具备第一液处理部，在基本保持水平姿势的基片上涂布第一处理液；第二液处理部，从涂布了所述第一处理液的基片上去除所述第一处理液；和基片传输机构，从所述第一液处理部向所述第二液处理部以基本水平姿势向一个方向传输涂布了所述第一处理液的基片，所述第二液处理部具有基片倾斜机构，抬起涂布了所述第一处理液的基片的一端，将所述基片变换为倾斜姿势，去除涂布在所述基片上的第一处理液；处理液喷出喷嘴，从由所述基片倾斜机构保持为倾斜姿势的基片中流出所述第一处理液的残渣，向所述基片喷出第二处理液；和喷嘴移动机构，沿由所述基片倾斜机构保持为倾斜姿势的基片表面，斜向移动所述处理液喷出喷嘴。
12.一种对基片进行规定液处理的液处理装置，具备第一液处理部，在基本保持水平姿势的基片上涂布第一处理液；第二液处理部，从涂布了所述第一处理液的基片上去除所述第一处理液；和基片传输机构，从所述第一液处理部向所述第二液处理部以基本水平姿势向一个方向传输基片，所述第一液处理部具有第一处理液提供机构，从所述基片传输机构的基片传输方向的前方向后方，在所述基片上涂布所述第一处理液，所述第二液处理部具有基片倾斜机构，抬起涂布了所述第一处理液的基片的传输方向前端侧，将所述基片变换为倾斜姿势，去除涂布在所述基片上的第一处理液；和第二处理液提供机构，边从所述基片的上方端向下方端移动所述第二处理液提供位置，边向所述基片提供从由所述基片倾斜机构保持为倾斜姿势的基片中流出所述第一处理液残渣所用的第二处理液。
13.根据权利要求12所述的液处理装置，其特征在于所述第一处理液提供机构具备喷出所述第一处理液的第一处理液喷出喷嘴；和基本水平地沿所述基片的表面以规定速度移动所述第一处理液喷出喷嘴的第一喷嘴移动机构。
14.根据权利要求12所述的液处理装置，其特征在于所述第二处理液提供机构具备喷出所述第二处理液的第二处理液喷出喷嘴；和倾斜地沿所述基片的表面以规定速度移动所述第二处理液喷出喷嘴的第二喷嘴移动机构。
15.根据权利要求14所述的液处理装置，其特征在于从所述第二处理液喷出喷嘴中向垂直方向喷出所述第二处理液。
16.根据权利要求14所述的液处理装置，其特征在于所述第二处理液喷出喷嘴在与所述基片传输机构的基片的传输方向垂直方向上具有长的形状，向所述基片基本带状地喷出所述第二处理液。
17.根据权利要求11所述的液处理装置，其特征在于还具备处理液回收部件，回收从由所述基片倾斜机构变换成倾斜姿势的基片中流下的第一处理液。
18.根据权利要求17所述的液处理装置，其特征在于所述处理液回收部件具备捕集从所述基片中落下的第一处理液的回收容器；开闭所述回收容器上面的可移动盖体；和向规定场所传送所述回收容器中捕集的第一处理液的回收管。
19.根据权利要求10所述的液处理装置，其特征在于在所述第一液处理部和所述第二液处理部之间设置防止所述第一液处理部和所述第二液处理部之间的处理液相互飞散的隔板。
20.根据权利要求10所述的液处理装置，其特征在于所述基片倾斜机构具有在所述基片里面的规定位置上对接并支撑所述基片的支撑部件；为了防止所述基片转换成倾斜姿势时所述基片滑落而支撑作为所述基片下端端面的引导销；保持所述支撑部件的框部件；和倾斜所述框部件的驱动机构。
21.一种对以基本水平姿势沿一个方向传输的基片实施规定液处理的液处理方法，具有以基本水平姿势向在基片上涂布第一处理液的第一液处理区域传输基片的第一工序；在所述基片上涂布所述第一处理液的第二工序；以基本水平姿势从所述基片向去除第一处理液的第二液处理区域传输涂布了所述第一处理液的基片的第三工序；抬起所述基片的传输方向前方侧，并使所述基片倾斜规定角度，从所述基片上去除所述第一处理液的第四工序；和将所述基片保持在倾斜规定角度的状态，边从所述基片的上方端向下方端移动所述第二处理液的提供位置，边向所述基片提供从所述基片中流出所述第一处理液的第二处理液的第五工序。
22.根据权利要求21所述的液处理方法，其特征在于在所述第二工序中，在停止所述基片的状态下，通过在所述基片上移动喷出所述第一处理液的喷嘴，从所述基片传输方向的前方向后方在所述基片上涂布所述第一处理液。
23.根据权利要求21所述的液处理方法，其特征在于在所述第四工序中，所述基片的倾斜角度为10度以上。
24.根据权利要求21所述的液处理方法，其特征在于在所述第五工序中，边从喷出所述第二处理液的喷嘴中喷出所述第二处理液，边沿所述基片表面倾斜地以规定速度移动所述喷嘴。
25.根据权利要求24所述的液处理方法，其特征在于在所述第五工序中，作为喷出所述第二处理液的喷嘴，采用在与所述基片的传输方向垂直方向上具有长的形状，向所述基片呈大致带状地喷出所述第二处理液的喷嘴。
26.一种对实施了曝光处理的基片实施显影处理的液处理装置，具备第一液处理部，在基本保持水平姿势的基片上涂布显影液；第二液处理部，从涂布了所述显影液的基片上去除所述显影液；和基片传输机构，从所述第一液处理部向所述第二液处理部以基本水平姿势向一个方向传输基片，所述第二液处理部具有基片倾斜机构，抬起涂布了所述显影液的基片的传输方向前方侧，将所述基片变换为倾斜姿势，去除涂布在所述基片上的显影液；漂洗喷嘴，喷出清洗所述显影液的漂洗液；和漂洗喷嘴移动机构，沿所述基片表面以规定速度倾斜地移动所述漂洗喷嘴，以便边从所述基片倾斜机构保持为倾斜姿势的基片的上方端向下方端移动所述第二处理液的提供位置边向所述基片喷出所述漂洗液。
27.根据权利要求26所述的液处理装置，其特征在于所述第一液处理部具有显影喷嘴，喷出所述显影液；和显影喷嘴移动机构，基本水平地沿所述基片表面以规定速度移动所述显影喷嘴，以便从所述基片传输机构的基片传输方向的前方向后方在所述基片上涂布所述显影液。
28.一种进行了曝光处理的基片的显影处理的的液处理方法，具有以基本水平姿势向在基片上涂布显影液的第一液处理区域传输基片的第一工序；在所述基片上涂布显影液的第二工序；以基本水平姿势从所述基片向去除显影液的第二液处理区域传输涂布了所述显影液的基片的第三工序；抬起所述基片的传输方向前方侧，并使所述基片倾斜规定角度，从所述基片上去除所述显影液的第四工序；和将所述基片保持在倾斜规定角度的状态，边从所述基片的上方端向下方端移动所述漂洗液的提供位置，边向所述基片提供从所述基片中流出所述显影液的漂洗液的第五工序。
29.根据权利要求28所述的液处理方法，其特征在于在所述第二工序中，在停止所述基片的状态下，通过在所述基片上移动喷出所述显影液的喷嘴，从所述基片传输方向的前方向后方在所述基片上涂布所述显影液。
全文摘要
目的在于在传输路径上以单位时间高效地从基片上去除处理液。当基片(G)偏离规定位置时，停止旋转传输滚轴(138)，使基片(G)静止。之后，操作驱动部(188)使升降轴(186)上升。此时，(基板)182和起模顶杆(184)也上升，起模顶杆(184)从下突起，向传输路径(108)的上方抬起基片(G)。接着，以传输路径(108)的宽度方向上延伸的轴(196)为中心向后仅旋转基板(182)规定角度。此时，起模顶杆(192)、止动部件(194)、基片(G)也在传输路径(108)上向后方仅倾斜相同角度。基片(G)止动于止动部件(194)上，基片(G)上的液体(Q)由于重力而在基片倾斜面上向后方滑落，落到基片的外部。从基片(G)落下的液体(Q)收集在盘(130)中。
文档编号H01L21/027GK1392454SQ0214100
公开日2003年1月22日 申请日期2002年6月19日 优先权日2001年6月19日
发明者立山清久, 元田公男, 佐田彻也, 宫崎一仁, 筱木武虎 申请人:东京毅力科创株式会社