专利名称：硅化钨层的形成方法
背景技术：
1.发明领域本发明一般涉及硅化钨层的形成方法，且本发明更具体涉及使用钨源气体和含氯的硅源气体沉积硅化钨层(WSix)的方法。
2.相关技术描述随着半导体装置变得高度集成化，在单个芯片上形成的图案变得更小，而且图案间的间隔变得更窄。这些超细图案因常规使用多晶硅作为栅极和位线的布线材料而产生问题。即，由于这些图案的尺寸更小，多晶硅的电阻率增加了，这能造成多晶硅的RC时间延迟和IR电压降低。因此，已经建议用特性与多晶硅相似但电阻率小很多(例如，小几倍到几十倍)的复晶矽化物(polycide)作为超大规模集成电路(VLSI)的栅极和位线布线材料。更具体地，已经将多晶硅和难熔金属硅化物的复合层用作布线电极的复晶矽化物。
已经采用难熔金属例如钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)和钽(Ta)的硅化物，作为适用于制造VLSI电路的低电阻布线材料。将硅化物粘合到以高密度杂质掺杂的多晶硅上，由此，形成具有复晶矽化物结构的栅极。优选地，用低压化学气相沉积(LPCVD)法进行难熔金属硅化物的沉积。当结合到多晶硅上时，硅化钨呈现优良的自钝化性、对含湿化学品的稳定性、表面粗糙度、粘附力、抗氧化和可再现性。
使用前体气体甲硅烷(SiH4)和六氟化钨(WF6)形成硅化钨(WSix)薄膜，并经(LPCVD)沉积在半导体基底上。然而，有某些伴随LPCVD加工的缺陷。这种缺陷之一是，不能将硅化钨共形地沉积到基底的梯状部分。另一缺陷是，可观量的氟残留在硅化钨薄膜中，这又会导致制造半导体装置时的操作缺陷。即，当半导体晶片后来暴露在退火期间超过850℃的高温时，残留的氟离子经多晶硅层移入较低氧化硅层。这样增加了氧化硅层的有效厚度。导致带氧化硅层的半导体装置电特性不一致。
为此，已有用二氯甲硅烷(DCS；Si2HCl2)代替甲硅烷沉积硅化钨层的建议。和用甲硅烷沉积的硅化钨层(以下称为“MS硅化钨层”)相比，用二氯甲硅烷沉积的硅化钨层(以下称为“DCS硅化钨层”)呈现优良的梯状覆盖性及低氟含量。
鉴于这些优点，已经在MS硅化钨层之上优选DCS硅化钨层作为字线(及，栅极)和位线的布线材料。然而，DCS硅化钨层不是没有其缺陷。即，以下因素产生的各种问题，当二氯甲硅烷气体与六氟化钨(WF6)气体反应时，氯原子团残留在薄膜的表面和内部。
图1是显示DCS硅化钨层常规沉积方法的流程图。
参考图1，将硅晶片，即在其最上区域具有多晶硅层的半导体基底，载入等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置的加工室中(步骤S1)。然后，将六氟化钨(WF6)气体和二氯甲硅烷(Si2HCl2)气体导入该加工室，以便在多晶硅层表面上形成硅化钨晶核(步骤3)。然后，在压力约1-1.5乇，沉积时间10-25秒以及温度450-700℃的反应条件下，按约13∶180的比率将六氟化钨(WF6)气体和二氯甲硅烷(Si2HCl2)气体导入该加工室。结果，带硅化钨核的多晶硅层表面上沉积了硅化钨层(步骤5)。然后，进行约10秒的后冲洗加工，以便减少约300sccm流速将甲硅烷(SiH4)气体导入该加工室所带来的应力(步骤7)。
图2A是显示DCS硅化钨层沉积后，硅化钨层和多晶硅层中氯曲线(profile)的曲线图，而图2B是显示进行退火加工后，硅化钨层和多晶硅层中氯曲线(profile)的曲线图。
通常，于620℃沉积DCS硅化钨层，这比MS硅化钨层的沉积温度高约200℃。而且，该DCS硅化钨层呈现柱状结构，其中共存着六方相和四面体配位位置。另外，DCS硅化钨层具有体心立方结构，其中一个钨原子与8个硅原子两两之间形成共价键。未包括在共价键中的额外硅起堆垛层错作用。起堆垛层错作用的硅与二氯甲硅烷气体分解出的氯结合，从而形成氯化硅晶体。氯断开了Si-H和Si-Si键，使得其与硅结合，并且额外硅重新与氯结合。因此，如图2A所示，作为连续解离和结晶结合的多米诺现象的结果，氯从硅化钨层扩散到下方的多晶硅层中，使得氯以SiClx晶体形式集中到硅化钨层和多晶硅层之间的界面上。
另外，在约800℃进行完退火加工后，硅化钨层由于四面体配位位置晶体结构而有了稳定的化学计量，由此，在多晶硅层区域中视为SiClx晶体的氯的量增加，该层具有较充足量的硅(参见图2B)。
如上述，按照常规DCS钨沉积法，实质量的SiClx晶体残留在多晶硅层的薄膜中和表面中，由此，出现“银河”现象(即，在光学显微镜中所观察到的闪烁点集合)，这是由于SiClx晶体散射光所致，因此，产生视觉缺陷。此视觉缺陷影响随后的光刻法，使其难于进行这种光刻法。
另外，包含在DCS硅化钨层和多晶硅层中的氯原子以SiClx晶体的形式扩散到硅化物层的内部，结果，使多晶硅层异常生长。
即，尽管多晶硅层的结晶温度为约530-550℃，但多晶硅层最初以无定形态沉积，并且在沉积DCS硅化钨层时，在加工室中于约620℃进行多晶硅层结晶。这时，DCS硅化钨层中包含的额外硅与氯结合形成SiClx晶体。在此状态下，作为连续解离和结晶结合多米诺现象的结果，SiClx晶体从硅化钨层扩散到下方的多晶硅层中。由于SiClx晶体、从Si-Si键或Si-H键解离的硅向多晶硅层扩散，从而，引起多晶硅层的生长和结晶。具体地，在沉积DCS硅化钨层后进行的甲硅烷后冲洗加工连续将额外硅供给到硅化钨层中。因此，在DCS硅化钨层沉积加工后以及在完成甲硅烷后冲洗之后，源于额外硅扩散，将局部发生无定形态多晶硅层的生长和结晶。因此，多晶硅层经形成于其上的硅化钨层突出，由此造成已知称作“模糊现象”的裂纹。
根据本发明的另一方面，提供硅化钨层的形成方法，该方法包括，将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中，通过将用于还原氯原子团的氢化合物气体导入该加工室中，预冲洗多晶硅层的表面，将硅源气体、钨源气体和该氢化合物气体导入该加工室中，使得在多晶硅层的表面上形成硅化钨的晶核，并将硅源气体、钨源气体导入该加工室中，使得在该多晶硅层上沉积硅化钨层。
根据本发明的再一方面，提供硅化钨层的形成方法，该方法包括，将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中，通过将用于还原氯原子团的氢化合物气体导入该加工室中，预冲洗多晶硅层的表面，将硅源气体、钨源气体和该氢化合物气体导入该加工室中，使得在多晶硅层的表面上形成硅化钨的晶核，并将该硅源气体、钨源气体和该氢化合物导入该加工室中，使得在该多晶硅层上沉积硅化钨层。
按照本发明，当通过把例如六氟化钨(WF6)气体和二氯甲硅烷(Si2HCl2)气体导入该加工室，而在多晶硅层上沉积硅化钨层时，还向该加工室中导入例如B2H6，PH3，AsH3和/或NH3的氢化合物气体。结果，从二氯甲硅烷气体解离的氯原子团通过该氢化合物被还原成氯化氢，并与废气引起被去除。因此，可以避免多晶硅层中SiClx晶体所引起的视觉缺陷和异常生长。
优选实施方案详述图3是冷壁型等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置的示意图，该装置可用于进行根据本发明一个或多个实施方案的方法。
参见图3，PECVD装置具有加工室23，位于加工室23中且半导体基底18，例如硅晶片置于其上的接受器20，安装在接受器20下面用于恒温加热该半导体基底18的加热器21，向加工室23施加压力并控制压力的压力控制部分30，用于将反应气体40、41和42供应到加工室23的气体管线(未标数字)，以及RF电源48。
加热器21可包括，例如卤素灯或陶瓷加热器，且压力控制部分30可包括真空泵(未示出)。
气体管线可配备调节气体流速和量的质量流量控制器(MFC)阀门，且反应气体可经这些阀门供应到混合室22中。
在混合室22中混合反应气体40、41和42以及惰性载气38，然后将它们经过喷淋头24供入加工室23中。此时，经喷淋头24供应的反应气体通过与RF电源48连接的两个电极44和46辉光放电，使得反应气体转变成等离子体。将混合气体16所转变成的等离子体供应到半导体基底的表面上，这样在半导体基底上沉积了一层。将未反应气体经一吹送机构34导入过滤器36，并通过排气管线37将其排到外部。
图4为流程图，用于解释根据本发明第一实施方案的硅化钨层沉积方法。同时参见图3，将在其最上层上具有多晶硅层的半导体基底18载入PECVD装置的载荷闭锁舱(loadlock chamber)(未示出)的盒中。然后，泵压使载荷闭锁舱的压力直至200毫乇，以便使载荷闭锁舱维持在真空状态。用输送装置，例如机械手将半导体基底18输送到加工室23中的接受器20上(步骤S10)。
然后，用加热器21将半导体基底18到约450-700℃的温度，优选加热到约500-600℃的温度。此时，加工室23中的压力保持在约1000-1500毫乇。半导体基底18的温度对其上形成的层的均一性和该层的生长速率有重要影响。特别是，当硅化钨的沉积温度攀升时，该薄膜中的氯含量增加。由于氯含量增加，削弱了硅化钨层的表面张力。表面张力影响该层的步进覆盖，这使得需要精确控制半导体基底18的温度。另外，为了使反应气体40、41和42容易转变成等离子气体或为了使其容易离子化，需要将加工室23中的压力降低到真空压力。
然后，将流速13sccm的钨源气体40、流速180sccm的硅源气体42和流速10sccm的氢化合物气体在混合室22中与惰性载气38一起混合。将这样混合的气体16经过喷淋头24导入加工室23中(步骤S12)。此时，考虑使得该层组成比为WSix(x＝2)的温度条件，调节硅源气体的量。优选，以约1∶14∶1的比率供应钨源气体40、硅源气体42和氢化合物气体41。按照本实施方案，供应5-30sccm的钨源气体40，供应150-200sccm的硅源气体42，并供应5-100sccm的氢化合物气体41。
该钨源气体可为六氟化钨(WF6)气体，且该硅源气体42可为二氯甲硅烷(Si2HCl2)气体。另外，该硅源气体42可为二甲基二氯硅烷(DMDCS)气体或三甲基氯硅烷(TMCS)气体。这些源气体可单独使用或以它们的混合物使用。惰性载气38可以是氩气、氮气或氦气。这些惰性载气也可以单独使用或以它们的混合物使用。
在沉积硅化钨层的同时，氢化合物气体41防止从二氯甲硅烷气体42解离的氯原子团与硅结合形成SiClx晶体，并进一步防止氯原子团的相互作用。即，氢化合物气体41将由二氯甲硅烷气体42产生的氯原子团还原为氯化氢(HCl)，使得能将氯原子团与废气一起排出到外部。该氢化合物气体41可为，例如B2H6，PH3，AsH3和/或NH3。优选使用包括硼(B)、磷(P)或砷(As)的氢化合物气体，其作为一种硅化钨层中的掺杂剂。例如，当采用B2H6气体作为氢化合物气体41时，其中的硼(B)在硅化钨层中起p-型掺杂剂的作用，以致产生低Fermy水平，即一种接收器水平，从而增加空穴密度。结果，能降低硅化钨层的电阻率。同样，当采用PH3气体作为氢化合物气体41时，其中的(P)起在硅化钨层中n-型掺杂剂的作用，以致电子的密度增加，从而降低硅化钨层的电阻率。
此后，通过RF电源48向加工室23施加RF功率。在将RF功率施加到加工室23时，注入加工室23的混合气体16通过两个电极44和46被辉光放电，以致混合气体16解离或离子化。解离或离子化的混合气体16结合到半导体基底18的表面，从而在半导体基底上沉积硅化钨层(步骤14)。此时，从二氯甲硅烷气体42解离的氯原子团被氢化合物气体例如B2H6气体41还原成氯化氢，由此，在硅化钨层中不出现这些氯原子团。
然后，在关掉RF供应源后，通过向加工室23中以流速120sccm提供氢化合物气体41例如B2H6气体70-120秒(步骤S16)，对硅化钨层的表面进行后冲洗加工。进行该后处理加工以便释放应力并防止结合到硅化钨层表面。
接着，将加工室23的压力泵至20毫乇，以便在加工室23中形成高真空态，并用传送装置将半导体基底18输送到载荷闭锁舱中。当已经将晶片载入载荷闭锁舱中的盒内后，经与该载荷闭锁舱连接的通风管线向该载荷闭锁舱供应排出气体，如氮气或氩气，直到该载荷闭锁舱中的压力达到760乇。然后，载荷闭锁舱进行排气通风，使得可从该PECVD装置中取出那些晶片(步骤S18)。
按照本发明的第一实施方案，当沉积硅化钨层时，将能够还原氯原子团的氢化合物气体例如B2H6气体导入加工室。因此，从二氯甲硅烷气体解离的氯原子团被氢化合物气体还原成氯化氢(HCl)，并和废气一起排到外部。结果，氯没有与硅化钨层中的硅结合，从而避免了在硅化钨中形成SiClx晶体。因此，有可能避免SiClx晶体引起的视觉缺陷(即，“银河”现象)，并避免SiClx晶体扩散所引起的低级多晶硅层的异常生长(即，模糊现象)。
另外，由于B2H6气体和PH3气体分别含硼和磷，它们作为硅化钨层中的掺杂剂，所以，能降低硅化钨层的电阻率。
图5是根据本发明第二实施方案的硅化钨层沉积方法的流程图。
参考图5，将最上区域具有多晶硅层的半导体基底装载在加工室中的接受器上(步骤20)。然后，将该半导体基底加热到约450-约700℃，优选到约500-600℃，且加工室中的压力保持在约1000-1500毫乇。在维持此压力和温度的条件下，通过将氢化合物气体例如B2H6气体以约120sccm的流速导入加工室约60秒，对多晶硅层表面进行预冲洗加工(步骤S22)。进行该预冲洗加工是为了释放应力及促进晶核形成。按照本发明实施方案，通过用B2H6气体进行预冲洗加工，将B2H6粘合到多晶硅的表面。
然后，将混合气体导入该室，并且该混合气体包括流速约1sccm的六氟化钨(WF6)，流速约300sccm的二氯甲硅烷(Si2HCl2)，流速约60sccm的B2H6，以及流速约20sccm的氩。然后，将RF功率施加到该加工室，形成混合气体的等离子反应，使得厚度不超过约200硅化钨晶核沉积在多晶硅层的表面上(步骤S24)。此时，通过与粘附到多晶硅层表面的氢原子团反应，从二氯甲硅烷气体解离的氯原子团被还原成氯化氢。以此方式，可将氯原子团与废气一起排出加工室外部。因此，在多晶硅层没有累积氯。
然后，将流速约13sccm的六氟化钨(WF6)气体、流速约180sccm的二氯甲硅烷(Si2HCl2)气体和流速约200sccm的氩气导入加工室中，使得硅化钨层经等离子反应沉积到多晶硅层上，达到约1000的厚度(步骤S26)。
然后，关闭RF源，并通过以流速约120sccm将B2H6气体供入该加工室约70-120秒，对硅化钨层表面进行后冲洗加工(步骤S28)。进行该后冲洗加工，以便释放应力并进一步防止氯原子团结合到硅化钨层的表面上。
此后，将半导体基底输送到PECVD装置的载荷闭锁舱中，并且当该载荷闭锁舱通风时，从该PECVD装置取出该基底(步骤S30)。
图6是曲线图，显示根据本发明第二实施方案的硅化钨层和多晶硅层中的氯曲线。线A代表根据常规DCS硅化钨层沉积方法的硅化钨层和多晶硅层中的氯曲线。线B代表根据本发明第二实施方案，将PH3气体用作氢化合物气体情况下的硅化钨层和多晶硅层中的氯曲线。在用PH3气体预冲洗多晶硅层表面后，通过将PH3气体与六氟化钨气体和二氯甲硅烷气体混合，进行约20秒的成核加工。
正如可从图6曲线看到的，用PH3气体预冲洗多晶硅层表面后，当通过导入PH3气体进行成核加工时，在硅化钨层和多晶硅层之间界面的两侧，氯的密度降低。
即，当PH3粘附到多晶硅层表面上以后进行成核加工时，从二氯甲硅烷气体所产生的氯原子团与粘附在多晶硅层表面的氢原子团反应，使得氯原子团被还原成氯化氢。因此，氯倾向于不堆叠在多晶硅层上，且因此，多晶硅层表面上和附近氯的密度降低。
图7是根据本发明第三实施方案的硅化钨层沉积方法的流程图。
参考图7，将最上区域具有多晶硅层的半导体基底装载到加工室中的接受器上(步骤S50)。然后，将该半导体基底加热到约450-700℃的温度，优选加热到约500-600℃的温度，并将加工室的压力维持在约1000-1500毫乇。
在维持以上压力和温度的同时，通过以流速约120sccm将氢化合物气体例如B2H6气体导入该加工室60秒，对多晶硅层表面进行预冲洗加工(步骤S52)。进行预冲洗加工是为了释放应力并促进成核。按照本发明的实施方案，通过用B2H6气体进行预冲洗，B2H6被粘附到多晶硅的表面。
然后，将混合气体导入该室，其包括流速约1sccm的六氟化钨(WF6)，流速约300sccm的二氯甲硅烷(Si2HCl2)，流速约60sccm的B2H6，以及流速约20sccm的氩。然后，将RF源施加到该加工室，形成混合气体的等离子反应，使得厚度不超过约200硅化钨晶核沉积在多晶硅层的表面上(步骤S54)。此时，通过与粘附到多晶硅层表面的氢原子团反应，从二氯甲硅烷气体解离的氯原子团被还原成氯化氢。以此方式，可将氯原子团与废气一起排出加工室外部。因此，在多晶硅层没有累积氯。
然后，将流速约13sccm的六氟化钨(WF6)气体、流速约180sccm的二氯甲硅烷(Si2HCl2)气体、流速约10sccm的B2H6气体和流速约200sccm的氩气导入加工室中。从而通过前述气体的等离子体反应，在多晶硅层上沉积厚度约1000的硅化钨层(步骤S56)。从二氯甲硅烷气体解离的氯原子团被B2H6气体还原成氯化氢(HCl)，并与废气一起被排出外部，由此，在硅化钨层中不存在排出的氯原子团。另外，包含于B2H6气体中的硼(B)在硅化钨层中起p-型掺杂剂的作用，因此，增加了空穴密度并降低了硅化钨层的电阻率。
然后，关闭RF源，并通过以流速约120sccm将B2H6气体供应到该加工室约70-120秒，对硅化钨层表面进行后冲洗加工(步骤S58)。进行该后冲洗加工，以便释放应力并进一步防止氯原子团结合到硅化钨层的表面上。
此后，将半导体基底输送到PECVD装置的载荷闭锁舱中，并且当该载荷闭锁舱通风时，从该PECVD装置取出该基底(步骤S60)。
如上述，按照本发明的硅化钨层沉积方法，将氢化合物气体例如B2H6气体、PH3气体、AsH3气体或NH3气体与钨源气体例如六氟化钨(WF6)气体、和硅源气体例如二氯甲硅烷(Si2HCl2)气体一起导入PECVD装置的加工室中。硅源气体中的氯原子团被氢化合物气体还原成氯化氢，使得能将其与废气一起排出外部。因此，能够避免由SiClx晶体引起的视觉缺陷和由SiClx晶体扩散引起的下方多晶硅层的异常生长。
另外，当用B2H6，PH3，和AsH3作为氢化合物气体时，这些气体所含的硼、磷或砷在硅化钨层中起p-型掺杂剂或n-型掺杂剂作用，从而增加电子密度或空穴密度。因此，能减少硅化钨层的电阻率。
尽管参考本发明的优选实施方案详述了本发明，但是，本领域的技术人员应当理解，能够不背离所附权利要求定义的本发明范围，而就此作出各种变化、替代和变更。
权利要求
1.一种形成硅化钨层的方法，包括将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中；并并将硅源气体、钨源气体和氢化合物气体导入该加工室中，以便在多晶硅层上沉积硅化钨层，其中该硅源气体包含氯，且其中用该氢化合物气体的氢原子团还原该硅源气体的氯原子团。
2.权利要求1的方法，其中将该氯原子团还原成氢氯化合物，且其中该方法进一步包括，从该加工室中排出该氢氯化合物。
3.权利要求1的方法，其中该硅源气体包括二氯甲硅烷(Si2HCl2)、二甲基二氯硅烷(DMDCS)和三甲基氯硅烷(TMCS)中的至少一种。
4.权利要求1的方法，其中该钨源气体包括六氟化钨(WF6)气体。
5.权利要求1的方法，其中该氢化合物包括B2H6、PH3、AsH3和NH3中的至少一种。
6.权利要求1的方法，其中以约1∶14∶1的比率提供该钨源气体、硅源气体和氢化合物气体。
7.权利要求1的方法，其中在约450-700℃的温度，和约1000-1500毫乇的压力下沉积该硅化钨层。
8.权利要求6的方法，进一步包括，在沉积硅化钨层后，通过向该加工室中导入氢化合物气体，对该硅化钨层的表面进行后冲洗加工。
9.权利要求6的方法，其中该化学气相沉积装置为冷壁型化学气相沉积装置。
10.一种硅化钨层的形成方法，包括将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中；通过将氢化合物气体导入该加工室中，预冲洗该多晶硅层的表面；将硅源气体、钨源气体和该氢化合物气体导入该加工室中，使得在该多晶硅层的表面上形成硅化钨的晶核；并且将该硅源气体和该钨源气体导入该加工室中，使得在该多晶硅层上沉积硅化钨层，其中该硅源气体包括氯，且其中用该氢化合物气体的氢原子团还原该硅源气体的氯原子团。
11.权利要求10的方法，其中将该氯原子团还原成氢氯化合物，且其中该方法进一步包括，从该加工室中排出该氢氯化合物。
12.权利要求10的方法，其中该硅源气体包括二氯甲硅烷(Si2HCl2)、二甲基二氯硅烷(DMDCS)和三甲基氯硅烷(TMCS)中的至少一种。
13.权利要求10的方法，其中该钨源气体包括六氟化钨(WF6)气体。
14.权利要求10的方法，其中该第二氢化合物气体包括B2H6、PH3、AsH3和NH3中的至少一种。
15.权利要求10的方法，其中以约1∶14∶1的比率提供该钨源气体、硅源气体和氢化合物气体。
16.权利要求10的方法，进一步包括，在沉积硅化钨层后，通过向该加工室中导入氢化合物气体，对该硅化钨层的表面进行后冲洗加工。
17.一种硅化钨层的形成方法，包括将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中；通过将氢化合物气体导入该加工室中，预冲洗该多晶硅层的表面；将硅源气体、钨源气体和该氢化合物气体导入该加工室中，使得在该多晶硅层的表面上形成硅化钨的晶核；并且将该硅源气体、该钨源气体和该氢化合物气体导入该加工室中，使得在该多晶硅层上沉积硅化钨层，其中该硅源气体包括氯，且其中用该氢化合物气体的氢原子团还原该硅源气体的氯原子团。
18.权利要求17的方法，其中将该氯原子团还原成氢氯化合物，且其中该方法进一步包括，从该加工室中排出该氢氯化合物。
19.权利要求17的方法，其中该硅源气体包括二氯甲硅烷(Si2HCl2)、二甲基二氯硅烷(DMDCS)和三甲基氯硅烷(TMCS)中的至少一种。
20.权利要求17的方法，其中该钨源气体包括六氟化钨(WF6)气体。
21.权利要求17的方法，其中氢化合物包括B2H6、PH3、AsH3和NH3中的至少一种。
22.权利要求17的方法，其中以约1∶14∶1的比率提供该钨源气体、硅源气体和氢化合物气体。
23.权利要求17的方法，其中在约450-700℃的温度，和约1000-1500毫乇的压力下沉积该硅化钨层。
24.权利要求17的方法，进一步包括，在沉积硅化钨层后，通过向该加工室中导入氢化合物气体，对该硅化钨层的表面进行后冲洗加工。
全文摘要
本发明提供一种硅化钨层形成方法,将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中。将硅源气体、钨源气体和用于还原氯原子团的氢化合物气体导入该加工室中,从而在该多晶硅层上沉积硅化钨层。该硅源气体的氯原子团被氢化合物气体还原成氯化氢,并与废气一起除去。
文档编号H01L21/02GK1377064SQ02107970
公开日2002年10月30日 申请日期2002年3月22日 优先权日2001年3月23日
发明者元济亨 申请人:三星电子株式会社