专利名称：半导体微型薄片封装方法
技术领域：
本发明涉及半导体封装方法，特别是一种半导体微型薄片封装方法。
半导体封装技术演进极为快速，并且朝多插脚数、高集积度、小型化、轻巧化的趋势发展。近来由于行动式设备、平面显示器、掌上型设备、手机等装置的热潮，使得半导体封装不得不开发更薄的封装技术。目前应用于比扁平封装(Flat Package)还薄的薄型半导体封装方式常使用簿片型导线架(例如Lead Frame型号C7025型)，该导线架设有一沟槽，以便于后续工序上点上凸块，该习知制造过程为a、黏着晶片于导线架的适当位置上贴上晶片(chip)；b、打线I在导线架所留沟槽内打上凸块(bump)；c、打线II在晶片与凸块间打上金属线导通电性；d、封胶将晶片、金属线与导线架以合成树脂封装起来；e、蚀刻以蚀刻方式将蚀刻区域去除，仅保留其电路布局部分；f、切割依需要予以切割。
上述习知的封装方法虽可获得一薄型封装，但亦潜存着一些缺点1、此封装方法须采用特定厂商既有的专用导线架规格，成本较高；2、该打线制程须先植出金属凸块，方能打上金属线，造成制程上的多一道作业时间；3、由于导线架固定规格上的限制，无法制作出超薄的封装厚度。
本发明的目的在于针对以上的各项缺点，提供一种应用在半导体晶片上的微型薄片封装方法。
本发明的目的是这样实现的一种半导体微型薄片封装方法，主要于基底上承载晶片，并在基底铝垫上焊上金属线与晶片导通之后，先予以封装，再以蚀刻加工去除基底不必要的部分，只留下电路布局，有效制作出超薄型封袋厚度，其主要制程为
A.胶黏晶片，在一基底上黏贴晶片；B.打线，在该晶片上焊上金属线与基底上的铝垫导通；C.封胶，以合成树脂封装晶片、金属线与基底等部份；D.蚀刻，利用蚀刻制程，将蚀刻区域去除，仅保留该电路布局的部份；E.切割，切割出各成型单元即成所需封装模组。
应用自行制作的基底，再于基底上承载晶片，并在基底铝垫上打上金属线与晶片导通之后，先予以封装，再以蚀刻加工，去除基底不必要的部份，只留下电路布局，最后切割成所须模组大小。本发明的基底为自行制作，可依需要变更基底材料或加工前厚度，制作较容易，并因自行控制规格，可提供一较薄的封装厚度，且整个制造过程中，打线的制造过程仅须进行一次即可，有助於制造过程的缩减。
下面结合附图进一步详细说明本发明，以更加清楚了解本发明所达成的上述目的及优点所应用的技术手段。
图1a～图1e是习知的薄型封装制程示意图。
图2a～图2d是本发明的封装制程示意图。
图中件号说明1、导线架，11、沟槽，12、凸块，13、金属线，14、晶片，15、合成树脂，16、蚀刻区域；2、基底，21，铝垫，22、金属线，23、晶片，24、合成树脂，25、蚀刻区域。
请参阅图1a至图1e所示，该习知制程为a、黏着晶片于导线架1的适当位置上贴上晶片(chip)14，如图1a所示。
b、打线I在导线架1所留沟槽11内打上凸块(bump)12，如图1b所示。
c、打线II在晶片14与凸块12间打上金属线13导通电性，如图1c所示。
d、封胶将晶片14、金属线13与导线架1以合成树脂15封装起来，请参照图1d。
e、蚀刻以蚀刻方式将蚀刻区域16去除，仅保留其电路布局部份，如图1e所示。
f、切割依需要予以切割。
从中可以看出，习知的封装方法虽可获一薄型封装，但存在一些缺点此封装方法须采用特定厂商既有的专用导线架规格，成本较高；该打线制程须先植出金属凸块，方能打上金属线，造成制造过程上的多了一道作业时间。
请参阅图2a至图2d，为本发明的主要制造过程示意图。本发明为一种应用在半导体晶片的微型薄片封装方法，利用自行制作的基底(substrate)，再于基底上承载晶片(Die)，并在基底铝垫(Al Pad)上焊上金属线(Wire Bond)与晶片导通之后，先予以封袋(Molding)，再以蚀刻(Etching)加工，去除基底不必要的部份，只留下电路布局，可有效制作出超薄型封装厚度。
请参阅图2a至图2d，为本发明的主要制造过程示意图，其制程为A.胶黏晶片(Die Attach)，在一基底2上黏贴晶片(Die)23，如图2a所示；B.打线(Wire Bond)，在该晶片23上焊上金属线22与基底2上的铝垫21导通，如图2b所示；C.封胶(Molding)，以合成树脂24封装晶片23、金属线22与基底2等部份，如图2c所示；D.蚀刻(Etching)，利用蚀刻制程，将蚀刻区域25(含多余的基底2)去除，仅保留该电路布局的部份，如图2d所示。
E.切割(Saw)，切割出各成型单元即成所需封装模组。
据此，本发明的制程因可自行制作该基底2，使整体制作极富弹性，且不受即存的成型导线架所拘束，能减小整体封装厚度，并可缩减制程。
虽然本发明以一较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种变化与修改，因此本发明的保护范围应同时结合以权利要求书所限定的内容。
权利要求
1.一种半导体微型薄片封装方法，主要于基底上承载晶片，并在基底铝垫上焊上金属线与晶片导通之后，先予以封装，再以蚀刻加工去除基底不必要的部分，只留下电路布局，有效制作出超薄型封袋厚度，其主要制程为A.胶黏晶片，在一基底上黏贴晶片；B.打线，在该晶片上焊上金属线与基底上的铝垫导通；C.封胶，以合成树脂封装晶片、金属线与基底等部份；D.蚀刻，利用蚀刻制程，将蚀刻区域去除，仅保留该电路布局的部份；E.切割，切割出各成型单元即成所需封装模组。
全文摘要
一种半导体微型薄片封装方法,主要于基底上承载晶片,并在基底铝垫上焊上金属线与晶片导通之后,先予以封装,再以蚀刻加工去除基底不必要的部分,只留下电路布局,有效制作出超薄型封袋厚度。据此,本发明的制程因可自行制作该基底,使整体制作极富弹性,且不受即存的成型导线架所拘束,能减小整体封装厚度,并可缩减制程。
文档编号H01L21/02GK1338773SQ00123569
公开日2002年3月6日 申请日期2000年8月22日 优先权日2000年8月22日
发明者谢文乐 申请人:华泰电子股份有限公司