专利名称：覆晶构装的晶片接合方法
半导体晶片的应用方式十分多样化，而近年来则有模组化的趋势，有些晶片的设计需和另一晶片作密切合作来运作，其彼此之间的脚线距离若是过长过远则会影响到其运作效能，则此时会选择以两晶片堆叠(stack)的方式来封装，使其脚位间的距离能靠近；而目前传统同尺寸晶片堆叠作法乃是将一母晶片先贴在基底(Substrate)上并以金属线打线方式与基底导通，再于母晶片顶面上堆黏一子晶片，并亦以金属线打线方式连接基底，最后以合成胶整体封装。
依此传统作法，由于该二晶片皆采用黏贴晶片并打线方式接合基底，其母晶片所占用的金属线脚位己占有一段不小的面积范围，再加上第二层的晶片与基底连接时所占的面积需更宽广(需避开母晶片的金属线)，造成整体封装起来的面积大为膨胀。
另由于二打线的晶片彼此堆叠，子晶片贴在母晶片上时，需以银胶垫高其母晶片上的金属线高度后方能贴在母晶片上，使得整体的封装厚度亦大为增加，故此传统封装方式无法用在注重其厚度大小的设备上。
本发明的目的在于提出一种覆晶构装之晶片接合，可以在基底上以本母案的覆晶技术先贴合一母承载晶片，再以打线方式接合贴在母晶片上的子晶片使与基底电气相连，此构装方式因母承载晶片不需打线，可与子晶片作紧密贴合，且可使得子晶片的金属线所布面积得以缩小，有助缩小整体封装的体积。
本发明的目的是这样实现的一种覆晶构装的晶片接合方法，其主要是在堆叠两相同尺寸的晶片于同一基底时，先将母承载晶片上的凸块与预先在相对位置处制作有金属焊料凸块的基底予以加热压合，然后在母承载晶片上方胶贴一子晶片，该子晶片采用打线方式以金属线导通子晶片与基底，并封装整组由基底、母承载晶片与子晶片所构成的模组。
应用本发明提供的覆晶构装的晶片接合方法，其封装方式可有效缩小整体封装厚度，并可节省掉习知技艺中母承载晶片所用的打线制程，提升制造效能。
下面结合附图进一步详细说明本发明
图1为习用技艺的堆叠结构剖视图。
图2a至图2e为本发明的堆叠结构制程剖视示意图。
请参阅图1所示，目前传统同尺寸晶片堆叠作法乃是将一母晶片11先贴在基底(Substrate)12上并以金属线14打线方式与基底12导通，再于母晶片11顶面上堆黏一子晶片13，并亦以金属线15打线方式连接基底12，最后以合成胶16整体封装。
请参阅图2a至2e图所示，为本发明的堆叠结构制程流程剖视图。
本发明是一种覆晶构装的晶片接合，主要是由基底22、填胶27、表面设有接合凸块的母晶片21、黏晶胶28、与母晶片21同尺寸的子晶片23、金属线24及合成胶26所组成A、首先将母承载晶片21与基底22以母案的覆晶技术接合；a1先在基底22(可以是金属焊料凸块221)上填胶(underfill)27，如图2a所示。
a2再将母承载晶片21翻转，使该接合凸块(bump)211与基底22相加热压合，完成电气连接，如图2b所示。
B、再采用表面黏着方式黏贴子晶片23b在母承载晶片22上方涂布黏晶胶28，以胶合一子晶片23，如图2c所示。
C、将子晶片23打线c子晶片23以金属线24导通子晶片23的铝垫与基底22预留的钉脚，使其电气连接，如图2d所示。
D、将整组构件封装d以合成胶26封装整组由基底22、母承载晶片21与子晶片23所构成的模组，如图2e所示。
依上述本发明方式实施，可较习用封装方法省却一道母晶片的打线制程，且可以大幅地缩减封装所需的面积与体积，又可降低信号延迟。
虽然本发明以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种变换和修改，因此本发明的保护范围应同时参照权利要求书中的内容进行界定。
权利要求
1.一种覆晶构装的晶片接合方法，其主要是在堆叠两相同尺寸的晶片于同一基底时，先将母承载晶片上的凸块与预先在相对位置处制作有金属焊料凸块的基底予以加热压合，然后在母承载晶片上方胶贴一子晶片，该子晶片采用打线方式以金属线导通子晶片与基底，并封装整组由基底、母承载晶片与子晶片所构成的模组。
全文摘要
一种覆晶构装的晶片接合方法,其主要是在堆叠两相同尺寸的晶片于同一基底时,先将母承载晶片上的凸块与预先在相对位置处制作有金属焊料凸块的基底予以加热压合,然后在母承载晶片上方胶贴一子晶片,该子晶片采用打线方式以金属线导通子晶片与基底,并封装整组由基底、母承载晶片与子晶片所构成的模组。
文档编号H01L21/02GK1335642SQ0012146
公开日2002年2月13日 申请日期2000年7月24日 优先权日2000年7月24日
发明者谢文乐, 庄永成, 黄宁, 陈慧萍, 蒋华文, 张衷铭, 涂丰昌, 黄富裕, 张轩睿, 胡嘉杰 申请人:华泰电子股份有限公司