专利名称：异质磊晶发光二极体晶粒及其制造方法
技术领域：
本发明涉及发光二极体晶粒，特指一种异质磊晶发光二极体晶粒及其制造方法。
目前常用的异质磊晶发光二极体晶粒及其制造方法如
图1-图4所示，其制造步骤如下步骤1在基板1上形成活化层2；步骤2在活化层2的上方形成凸出状似垒形的第二电极4，在基板1的下方形成与基板1完全平行的第一电极3；步骤3分别在两个第二电极4之间预切割位置5，进行晶粒切割，制成异质磊晶发光二极体晶粒。
其主要缺陷在于基板1(N)层上加上活化层2(P层)形成P/N接面磊晶发光层，其发出的光线经由正面及侧面射出发亮，但朝背面基板1方向行进的光线，会因背面基板1的吸光性使光的能量衰减，其发光的亮度较差。
本发明的目的在于提供一种异质磊晶发光二极体晶粒及其制造方法，通过在晶粒的基板上形成凹孔，再植入高透光性的填充料，再经加热固化，达到提升发光亮度的目的。
本发明的目的是这样实现的一种异质磊晶发光二极体晶粒，包括在基板上设有活化层，在活化层上方设有凸出状垒形的第二电极，该基板的下方设有与基板平行的第一电极，其特征在于该基板的侧面设有凹孔，该凹孔的顶边切齐于活化层，该凹孔内布满固化的高透光性的填充料；该基板包括GaP、GaAs、GaAsP、AlGaAs、或Si吸光结构；所述的高透光性的填充料包括环氧树脂、硅树脂封装料或含添加剂的高透光性填充料；该异质磊晶结构包括AlGaInP/GaAs或AlGaAs/GaAs异质磊晶构造。
一种异质磊晶发光二极体晶粒的制造方法，其特征在于该制造方法包括如下步骤(一)在基板上形成活化层，在活化层的上方形成凸出状垒形的第二电极，在基板的下方形成与基板平行的第一电极；(二)在活化层的表面对应两个第二电极之间形成伸入基板内的切槽；(三)从该切槽处通过切割式化学腐蚀方法将基板部分腐蚀，形成扩大的凹孔；(四)于上述凹孔内填入高透光性的填充料，再通过加热固化技术使填充料固化切齐于活化层；(五)以上述切槽为切割位置进行晶粒切割，制成本发明的异质磊晶发光二极体晶粒。
该基板包括GaP、GaAs、GaAsP、AlGaAs、或Si吸光结构；所述的高透光性的填充料包括环氧树脂、硅树脂封装料或含添加剂的高透光性填充料；该异质磊晶结构包括AlGaInP/GaAs或AlGaAs/GaAs异质磊晶构造；该步骤(三)中所述的化学腐蚀方法包括干式化学腐蚀和/或湿式化学腐蚀方法；该步骤(四)所述的填入填充料的技术包括静止涂布法、旋转涂布法或低压真空涂布法；该步骤(四)所述的加热固化技术包括加热盘加热固化法、热烤炉加热固化法、红外线加热固化法或紫外线加热固化法。
本发明的主要优点是1、本发明的产品具有提升异质磊晶发光二极体晶粒的发光亮度的功效；2、本发明的制造方法简易，且优良率高，具有高度的产业利用价值。
下面结合较佳实施例和附图进一步说明。
图1为常用构造的示意图；图2为常用构造的制造步骤1示意图；图3为常用构造的制造步骤2示意图；图4为常用构造的制造步骤3示意图；图5为本发明的产品构造示意图6为本发明的制造步骤(一)示意图；图7为本发明的制造步骤(二)示意图；图8为本发明的制造步骤(三)示意图；图9为本发明的制造步骤(四)示意图；图10为本发明的制造步骤(五)示意图。
参阅图5，本发明的异质磊晶发光二极体晶粒的构造，包括在基板1上设有活化层2，在活化层2上方设有凸出状垒形的第二电极4，该基板1的下方设有与基板1平行的第一电极3，其特征在于该基板1的侧面设有凹孔7，该凹孔7的顶边切齐于活化层2，该凹孔7内布满固化的高透光性的填充料8，可使产生的光，特别是朝向基板1方向进行的光，经由高透光性的填充料8为路径白晶粒的侧面导引出外界，提升其发光效果，相对提升其发光亮度。
参阅图6-图10，本发明的异质磊晶发光二极体晶粒的制造方法，包括如下步骤(一)在基板1上形成活化层2，在活化层2的上方形成凸出状垒形的第二电极4，在基板1的下方形成与基板1平行的第一电极3，如图6所示；(二)在活化层2的表面对应两个第二电极4之间形成伸入基板1内的切槽6；如图7所示；(三)从该切槽6处通过切割式化学腐蚀方法将基板1部分腐蚀，形成扩大的凹孔7，如图8所示；(四)于上述凹孔7内填入高透光性的填充料8，再通过加热固化技术使填充料8固化切齐于活化层2，如图9所示；(五)以上述切槽6为切割位置进行晶粒切割，制成本发明的异质磊晶发光二极体晶粒，如图10所示。
其中本发明的基板1包括GaP、GaAs、GaAsP、AlGaAs、或Si等吸光结构。
本发明的步骤(三)中所述的化学腐蚀方法包括干式化学腐蚀和/或湿式化学腐蚀方法，因其为现有技术，故不详述。
本发明的步骤(四)中所述的高透光性的填充料8包括环氧树脂、硅树脂封装料或含添加剂的高透光性填充料；其填入技术包括静止涂布法、旋转涂布法或低压真空涂布法；其加热固化技术包括加热盘加热固化法、热烤炉加热固化法、红外线加热固化法或紫外线加热固化法，其均为现有技术，故不详述。
本发明的异质磊晶结构包括AlGaInP/GaAs或AlGaAs/GaAs异质磊晶构造。
权利要求
1.一种异质磊晶发光二极体晶粒，包括在基板上设有活化层，在活化层上方设有凸出状垒形的第二电极，该基板的下方设有与基板平行的第一电极，其特征在于该基板的侧面设有凹孔，该凹孔的顶边切齐于活化层，该凹孔内布满固化的高透光性的填充料。
2.如权利要求1所述的异质磊晶发光二极体晶粒，其特征在于该基板包括GaP、GaAs、GaAsP、AlGaAs、或Si吸光结构。
3.如权利要求1所述的异质磊晶发光二极体晶粒，其特征在于所述的高透光性的填充料包括环氧树脂、硅树脂封装料或含添加剂的高透光性填充料。
4.如权利要求1所述的异质磊晶发光二极体晶粒，其特征在于该异质磊晶结构包括AlGaInP/GaAs或AlGaAs/GaAs异质磊晶构造。
5.一种异质磊晶发光二极体晶粒的制造方法，其特征在于该制造方法包括如下步骤(一)在基板上形成活化层，在活化层的上方形成凸出状垒形的第二电极，在基板的下方形成与基板平行的第一电极；(二)在活化层的表面对应两个第二电极之间形成伸入基板内的切槽；(三)从该切槽处通过切割式化学腐蚀方法将基板部分腐蚀，形成扩大的凹孔；(四)于上述凹孔内填入高透光性的填充料，再通过加热固化技术使填充料固化切齐于活化层；(五)以上述切槽为切割位置进行晶粒切割，制成本发明的异质磊晶发光二极体晶粒。
6.如权利要求5所述的异质磊晶发光二极体晶粒的制造方法，其特征在于该基板包括GaP、GaAs、GaAsP、AlGaAs、或Si吸光结构。
7.如权利要求5所述的异质磊晶发光二极体晶粒的制造方法，其特征在于所述的高透光性的填充料包括环氧树脂、硅树脂封装料或含添加剂的高透光性填充料。
8.如权利要求5所述的异质磊晶发光二极体晶粒的制造方法，其特征在于该异质磊晶结构包括AlGaInP/GaAs或AlGaAs/GaAs异质磊晶构造。
9.如权利要求5所述的异质磊晶发光二极体晶粒的制造方法，其特征在于该步骤(三)中所述的化学腐蚀方法包括干式化学腐蚀和/或湿式化学腐蚀方法。
10.如权利要求5所述的异质磊晶发光二极体晶粒的制造方法，其特征在于该步骤(四)所述的填入填充料的技术包括静止涂布法、旋转涂布法或低压真空涂布法。
11.如权利要求5所述的异质磊晶发光二极体晶粒的制造方法，其特征在于该步骤(四)所述的加热固化技术包括加热盘加热固化法、热烤炉加热固化法、红外线加热固化法或紫外线加热固化法。
全文摘要
一种异质磊晶发光二极体晶粒及其制造方法,包括在基板上设有活化层,在活化层上方设有凸出状垒形的第二电极,该基板的下方设有与基板平行的第一电极,该基板的侧面设有凹孔,该凹孔的顶边切齐于活化层,该凹孔内布满固化的高透光性的填充料。本发明的产品具有提升异质磊晶发光二极体晶粒的发光亮度的功效。本发明的制造方法简易,且优良率高,具有高度的产业利用价值。
文档编号H01L33/00GK1311535SQ00103318
公开日2001年9月5日 申请日期2000年2月29日 优先权日2000年2月29日
发明者倪国烟, 张嘉甫, 江守权, 邱奕岩 申请人:汉光科技股份有限公司