用于热辅助磁记录设备中的内部激光功率监控的辐射热测量计的利记博彩app
【专利摘要】装置包括具有空气轴承面(ABS)的滑块，ABS上或附近的写入极，和ABS上或附近和连接至该滑块的一对读取器接合焊盘的读取器。近场换能器(NFT)形成于滑块上或ABS上或附近，光学波导形成于滑块内部并配置为接收来自激光源的光。传感器位于邻近写入极，在滑块的内部，接收至少沿着波导传输的一些光的位置。该传感器可以电耦合于读取器接合焊盘，与读取器并联，并配置为产生指示激光源的输出光学功率的信号。
【专利说明】用于热辅助磁记录设备中的内部激光功率监控的辐射热测量计
[0001]相关专利文献
[0002]本申请要求2015年3月24号提交的临时专利申请S/N.62/137，396的权益，依据35U.S.C.§119(e)要求对其的优先权，并且该申请通过引用整体结合于此。
【发明内容】
[0003]实施例涉及一种装置，包括:滑块，所述滑块具有上表面、空气轴承下表面(ABS)以及在上表面和下表面之间延伸的内部体。写入极位于ABS处或附近，读取器位于ABS处或附近并连接到滑块的一对读取器接合焊盘。该读取器接合焊盘被配置为在读操作期间电偏置该读取器。近场换能器(NFT)形成于ABS处或附近的滑块上，光学波导形成于滑块里并从滑块的上表面穿过滑块的内部体然后延伸至NFT。该波导配置为接收来自激光源的光。辐射热测量计位于邻近写入极，在滑块的内部体内的接收至少沿着波导传输的一些光的位置。辐射热测量计电耦合于接合焊盘，比如读取器接合焊盘，用于偏置该辐射热测量计，并配置为在写操作期间产生指示激光源的输出光学功率的信号。
[0004]其他实施例涉及一种装置，包括具有空气轴承面(ABS)的滑块，在ABS处或附近的写入极，和在ABS处或附近且连接至该滑块的一对读取器接合焊盘的读取器。近场换能器(NFT)形成于ABS处或附近的滑块上，光学波导形成于滑块内部并配置为接收来自激光源的光。传感器位于邻近写入极，在滑块的内部的接收至少沿着波导传输的一些光的位置。该传感器电耦合于读取器接合焊盘，与读取器并联，并配置为产生指示激光源的输出光学功率的信号。
【附图说明】
[0005]图1是滑块的透视图，在其中可以实现本文公开的不同实施例；
[0006]图2示出根据不同实施例的包括内部辐射热传感器的滑块的详细局部剖视图；
[0007]图3示出根据一些实施例的包括内部辐射热传感器的滑块的详细局部剖视图；
[0008]图4示出根据其他实施例的包括内部辐射热传感器的滑块的详细局部剖视图；
[0009]图5示出根据进一步实施例的包括内部辐射热传感器的滑块的详细局部剖视图；
[0010]图6示出根据公开实施例的辐射热传感器的不同细节，其包括于滑块的内部体中；
[0011]图7为示出根据公开的实施例作为芯到传感器间距CSS的函数的辐射热传感器的温度响应的图；
[0012]图8为示出根据公开的实施例作为芯到传感器间距CSS的函数的以输出传感器信号来表不的福射热传感器的响应的图；
[0013]图9为示出根据公开的实施例辐射热传感器的存在对波导模式分布的影响的图；
[0014]图10为根据公开的实施例包括读取器和并联耦合于滑块的一对电接合焊盘的偏置分流器的电路；
[0015]图11为根据公开的实施例包括读取器和并联耦合于滑块的一对电接合焊盘的辐射热测量计的电路;和
[0016]图12是根据不同实施例的用于热辅助磁记录滑块的输出光学功率监测器的示图。
[0017]图不一定是按比例的。图中所使用的相同的编号表示相同组件。然而，可以理解，使用数字来表示给定图形中的组件不打算利用相同编号标记的另一图形中的组件。
【具体实施方式】
[0018]本公开总地涉及在数据存储设备中的采用热辅助磁记录(HAMR)的激光器电源监控，也被称为能量辅助磁记录(EAMR)，热辅助磁记录(TAMR)和热辅助记录(TAR)。本技术使用激光源和近场换能器(NFT)，在记录期间加热磁盘上的小点。热量降低了斑点处的磁矫顽性，从而允许写换能器改变该点的磁域的取向。由于冷却之后介质的相对较高的矫顽性，数据不太容易受到可导致数据误差的顺磁效应的影响。
[0019]HAMR驱动器通常使用激光二极管来加热记录介质，以在记录过程中提供辅助。该激光二极管产生热，也被磁性滑块中的其他组件加热(写、读、加热元件)。在写操作期间，例如，激光二极管加热可以改变激光二极管的结温，造成激光发射波长的移动，导致从滑块中的光路到激光二极管的空腔的光学反馈的变化，已知的现象是导致激光二极管的模式跳变和/或功率不稳定。模式跳变在单频激光器的情况下尤其成问题。在一些外部影响下，单频激光器可能在一个谐振模式(如意第一波长产生能量)上操作(/运转)一段时间，但突然切换到另一个模式(通常以不同的大小，以第二波长，产生能量)执行“模式跳变”。已知温度变化造成激光二极管中的模式跳变。模式跳变对于HAMR应用是有问题的，因为模式跳变导致激光器输出功率跳跃和磁性转变从一个数据块移动到另一个。在数据块中的大的转变移动可能不能被信道解码恢复，造成错误位(error bits)。
[0020]监控激光器功率对于确保激光二极管的正常运转和避免诸如模式跳变的不稳定是重要的。传统的激光器功率监控包括使用位于副支架(submount)(其也支承激光二极管)的外部光电二极管。该光电二极管感测激光二极管的光学功率输出，可以用来确定激光器性能是否足够的稳定，以确保充足的写性能。然而，未来的集成的HAMR记录换能器不能够包括外部观点二极管，由于减少了的副支架的尺寸。对于HAMR硬驱动器，关键是要在最小化任何光传输损耗的同时，检测激光器至NFT的输出光学功率中的小幅波动。典型地，诸如内部激光器功率监控器的电器元件(如光电二极管)需要额外的、专用的电接合焊盘。因为额外的接合焊盘给头部万向架组件增加了成本和复杂性，期待无需额外的接合焊盘，提供激光器输出光学功率的感测。
[0021]本公开的实施例涉及滑块内部的传感器的排布，其可以用于帮助激光二极管的输出光学功率的监控。本公开的实施例涉及可以位于滑块的光路的附近传感器，对波导效率和/或NFT的性能基本上没有或仅为可忽略的影响。实施例涉及一种共享现有滑块组件的电接合焊盘的传感器，因此省去让额外的接合焊盘来偏置该传感器的需求。
[0022]根据不同实施例，辐射热传感器可以位于形成于滑块内的光波导的芯附近，以便激光二极管产生的光照射在辐射热传感器上或被辐射热传感器收获。辐射热传感器可以位于滑块的光路里或附近，以便其吸收或收获沿波导传输的光，同时最低程度地或可以忽略地影响光传播(例如，最低程度地或可以忽略地影响波导效率和/或沿光传输路径的模式分布)。例如，辐射热传感器可以位于滑块的内部体内邻近波导的芯，例如在波导的包层里。在不同实施例中，辐射热传感器包括薄金属元件，如具有高电阻热系数(TCR)的导线。
[0023]当小的偏置电流被施加到该辐射热传感器上时，辐射热传感器温度的任何改变会产生测量的电压的相应改变。因此，辐射热传感器可以用于监控激光输出光学功率中的波动，其造成辐射热传感器中的吸收和温度的波动。通常地，根据本公开实施例的基于辐射热测量计的内部功率监控器还没有明显地减少光路效率，依然吸收足够的光来产生足够大的信号用于检测。另外，辐射热传感器的实施例不需要任何额外的接合焊盘，理想地与现有的记录换能器的传感器串联或并联连接。
[0024]HAMR滑块100的实施例在图1中示出。如图所示，HAMR滑块100包括光源(如激光二极管)102，其位于邻近该滑块100的尾缘表面104。光源102产生的光波(如激光束)传输至模式转换器106，例如高阶模式转换器(HOMC)，并且通过光学波导110从模式转换器106到NFT112(见图2)。通常地，模式转换器106可以使用外部移相器(未示出)，其接收模式转换的光并移动相位以适合激发NFT 112。在此配置中，模式转换器106可以做得紧凑并引入可忽略的光学损失。离开模式转换器106的光波被引导到位于邻近读/写头113的NFT 112上。NFT112与滑块100的空气轴承面(ABS)114的平面对齐，读/写头113的一条边缘是在ABS 114上。在设备运转期间，空气轴承面114面朝磁介质118的表面116，并且被保持邻近于磁介质118的表面116(见图2)。在下文中，ABS 114也被称为介质面向表面(media-facing surface)114。
[0025]在这个代表性的例子中，光源102可以为一个整体的边缘点火设备，虽然应当理解的是可以使用任何电磁能量的源。例如，表面发射激光器(SEL)可以作为源102使用，来取代边缘点火激光器。光源也可能可选地安装在滑块100的其他表面，例如尾缘表面104。虽然图1中的代表性实施例示出集成于滑块100的波导110，可以使用任何种类的光传输配置。例如，在自由空间光传输配置中，光源102可在滑块100的外部，并且通过光纤和/或波导耦合至模式转换器106。例如，在此排布中的滑块100可以包括光栅親合器，光源102被親合于该光栅耦合器内，通过使用滑块集成的波导110，电磁能量可以传输至模式转换器106。
[0026]HAMR设备使用上述的多种光学设备来加热磁记录介质(如硬盘)，以克服超顺磁效应，其限制典型磁介质的面数据密度。当用HAMR设备写入时，电磁能量(如激光或光)集中于在磁介质118的道上的一个小的热点，其为写发生的地方，如图2所示。来自源102的光传播至NFT 112，例如，要么直接来自源102，要么通过模式转换器106或借助于聚焦元件。其他光学元件，诸如耦合器、镜、棱镜等，也可与滑块一体形成。图2，例如，示出邻近光源102的耦合器107，其配置为将光源102产生的光耦合到波导1KLHAMR记录头中使用的光学元件一般被称为集成光学器件。
[0027]集成光学器件的场与光学设备在衬底上的构造相关，有时结合电子组件以产生功能系统或子系统。例如，集成的光学设备可以通过矩形介质板或通道波导在组件之间传输光，该矩形介质板或通道波导是用层沉积技术建于衬底上。这些波导可能形成为具有适当的相对折射率的材料的层，使得光以类似于通过光纤的方式通过波导而传播。
[0028]作为已知为衍射极限的结果，光学组件无法用于将光聚焦到小于约光波长的一半的尺寸。用于一些HAMR设计的激光器产生具有700到1550nm数量级的波长的光，然而期望的热点是在50nm或更低的数量级。因此，期望的热点尺寸远低于光波长的一半。无法使用光学聚焦器来获得期望的热点尺寸，其在此标度下是衍射受限的。因此，采用NFT 112来在介质上产生热点。
[0029]NFT 112为配置为以指定的(即设计)波长产生局部表面等离子共振的近场光学设备。NFT 112通常由在衬底上的等离子体材料(例如，金、银、铜)的薄膜形成。在HAMR滑块100中，NFT 112位于邻近读/写头113的写入极126 JFT 112与ABS 114的平面对齐，与磁介质118的读/写表面116平行。波导110和/或模式转换器106和/或其他光学元件将电磁能量(如光)引导到NFT 112上。
[0030]NFT 112响应于入射的电磁能量，实现表面等离子共振。由此共振产生的等离子体从NFT 112向磁介质118发射，在磁介质118处等离子体被吸收产生热点。在共振时，由于电子在磁介质118的金属表面(如衬底)的集体振荡的缘故，高电场围绕NFT 112。至少围绕NFT112的电场的一部分隧穿到磁介质118中，并且被其吸收，由此在数据被记录时升高了在介质118上的点的温度。
[0031]图2示出基于不同实施例的HAMR滑块100的实施例的详细局部剖视图。如图所示，NFT 112位于邻近ABS(或介质面向表面)114和磁写入极126。在设备运转期间，ABS 114所示位于邻近磁介质118的表面116。在如图2所示的取向中，介质面向表面(或ABS) 114排布成与x-z平面平行。电磁能量(如激光)120从光源(如激光二极管)102通过耦合器107传输至模式转换器106，并沿波导110在y-方向上传播。光波122离开转换器106，并沿波导124在y-方向上传输至NFT 112。邻近磁介质118的表面116，NFT 112产生表面等离子加强的近场电磁能量，并在y_方向离开NFT 112。当紧邻滑块100的ABS 114时，这可能导致在介质表面116上的高度局部化的热点(未示出)。写入极126产生磁场(如在y-或垂直方向)，该磁场用于在写期间改变表面116上的热点的磁取向。
[0032]根据不同实施例，图2所示的滑块100包括传感器202，该传感器位于光路(如波导110)的附近并邻近NFT 112。根据一些实施例，传感器202包括光-热转换器，其配置为响应于激光器102的输出光学功率的波动。例如，传感器202可以实现为辐射热测量计或辐射热传感器202的形式。在一些实施例中，传感器202包括薄金属导线，该薄金属导线置于滑块的内部体内跨越光路(如波导110)且在耦合器107和NFT 112之间的位置。通过光路传输的激光器102的输出光学功率的一小部分被导线吸收，并被转换为热能，由此增加导线的温度。激光器102的输出光学功率的波动与传感器202的热功率和温度的波动相关。温度中的这些波动可以被电路检测，所述电路被配置成通过使用小的偏置电流和高电阻热系数材料来监测导线中的电阻波动。通过光的直接吸收而加热极大地降低了响应时间并且增加了输出光学功率监测器的带宽。该导线可以置于光路中或邻近光学器件来收获散射的光。
[0033]根据图2所示实施例，辐射热传感器202位于光路(如波导110)附近，并置于模式转换器106和NFT 112之间。图2所示实施例中，根据一些实施例，辐射热传感器202可以被置于在y-方向离开NFT 112或模式转换器106—段约2μπι的很小的距离。在其他实施例中，此间隔距离可以在2 μπι和1 μπι之间的范围。在进一步的实施例中，此间隔可为大约1 μπι或更大的距离。例如，辐射热传感器202可以位于NFT 112和模式转换器106之间，以便辐射热传感器202与NFT 112隔开约2口111和5(^111之间的距离(如24111和3(^111)。通常地，图9的数据暗示了辐射热传感器202的存在在离辐射热传感器202比约2μπι更远的距离处没有干扰波导110中的模式分布。因此，福射热传感器202和光传输系统的其他任何组件(如输入親合器107、模式转换器106或NFT 112)之间的最小间隔约为2μπι。
[0034]如图2所示，辐射热传感器202有一根纵轴，该纵轴取向横向于波导110的纵轴。更具体地，如图2所示的辐射热传感器202有一根纵轴，该纵轴取向基本垂直于波导110的纵轴。在一些实施例中，辐射热传感器202与波导110的芯隔开，置于X-方向上波导110上面。在另外的实施例中，辐射热传感器202与波导110的芯隔开，置于X-方向上波导110下面。辐射热传感器202也可以安置来提取不然就浪费了的光能，虽然该传感器响应比邻近波导时候可能更受限。
[0035]图3示出图2所示实施例的变例。如在图2实施例的情况下，图3的辐射热传感器202位于光路(如波导110)附近，并置于模式转换器106和NFT 112之间。而不是取向垂直于波导110，图3的辐射热传感器20 2的纵轴相对于波导110的纵轴而斜对地(d i agona 11 y)取向。与传感器202的垂直取向相比，将辐射热传感器202相对于波导110斜对地取向就将传感器202的更多的表面面积暴露给沿波导110传输的光能。在图3所示实施例中，辐射热传感器202可以与NFT 112以大约2μπι和50μπι之间(如2μπι和30μπι之间)的距离隔开。
[0036]根据图4所示实施例，辐射热传感器202位于光路(如波导110)附近，并置于模式转换器106和NFT 112之间。在图4所示实施例中，在y-方向上在辐射热传感器202和模式转换器106或输入耦合器107之间的间隔距离可以是小至2μπι、约2μπι和ΙΟμπι之间的距离、或大约ΙΟμπι或更大的距离。值得注意的是模式转换器106可以与NFT 112隔开大约3(^111和5(^111之间的距离，耦合器107可以与NFT 112隔开大约6(^111和8(^111之间的距离。例如，辐射热传感器202可以位于模式转换器106和耦合器之间，与NFT 112在y-方向上隔开大约30μπι和80μπι(如50μηι和70μηι之间)之间的距离。
[0037]图4所示的辐射热传感器202有一根纵轴，该纵轴取向横向于波导110的纵轴。具体地，如图4所示的辐射热传感器202有一根纵轴，该纵轴取向基本垂直于波导110的纵轴。在一些实施例中，辐射热传感器202可与波导110的芯隔开，置于X-方向上波导110上面。在另一些实施例中，辐射热传感器202可与波导110的芯隔开，置于X-方向上波导110下面。图5示出图4所示实施例的变例。图5的辐射热传感器202位于光路(如波导110)附近，并置于耦合器107和模式转换器106之间。图5的辐射热传感器202的纵轴相对于波导110的纵轴而斜对地取向。
[0038]根据公开实施例，图6示出辐射热传感器202的不同细节，其包括于滑块的内部体。图6示出辐射热传感器202，与波导110(如通道波导)以芯到传感器间距(core-to-sensorspacing)CSS隔开。辐射热传感器202置于以距离CSS离开波导110的芯，以便吸收真够的光能来产生充足的辐射热响应，否则最低程度地(即可忽略地)干扰光能沿着波导110传输。在一些实施例中，例如，辐射热传感器202可以形成于波导110的包层里。一个有效实施例的建模包括具有折射率η为2.06的波导芯，具有折射率η为1.46的波导包层，和具有折射率η为3.47的传感导线202。该芯和包层的消光系数k为0，该导线的消光系数k为2.8。可以理解的是这些和其他参数值提供了用于非限制性的举例说明的目的。
[0039]根据不同实施例，辐射热传感器202可以与波导110间隔开一个芯到传感器间距CSS(约50nm到300nm)。在一些实施例中，辐射热传感器202可以与波导110间隔开一个芯到传感器间距CSS(约75nm到150nm)。在其他实施例中，辐射热传感器202可以与波导110间隔开一个芯到传感器间距CSS(约10nm)。实验已经示出波导效率(P出/Pa)随着CSS接近零而下降，对于通道波导，随着条纹宽度增加而下降。辐射热传感器202可以实现为包括宽度w线在约50和300nm之间、高度h线在约25和I OOnm之间的线和长度I线在约I和5μπι之间的导线。通常地，TCR的值为1.SeH1或更高是合适的，虽然运转条件可以改变来适应更低的TCR值。即，可测量的信号与偏置电流乘以TCR再乘以温度变化再乘以传感器的固有电阻(S卩I*TCR*dT*Ro)成比例，所以可以施加稍微更高的偏置电流，或可以设计更高的固有电阻来弥补更低的TCR0
[0040]图7为示出作为芯到传感器间距CSS的函数的辐射热传感器202的温度响应的图。图的X轴示出在O和约350nm之间的CSS值。图的y轴示出在O和80之间的传感器温度(Δ T平均/PA(K/mW)值。绘出了三个不同导线配置的数据(1: 1、2:1和1:2)。一个导线配置(绘制为圆圈)代表宽高比为1:1(如50nm x 50nm)的导线。第二个导线配置(绘制为方块)代表宽高比为2:1(如10nm x 50nm)的导线。第三个导线配置(绘制为菱形)代表宽高比为1: 2(如50nmX 10nm)的导线。图8为示出作为芯到传感器间距CSS的函数的用输出传感器信号来表示的辐射热传感器202的响应的图。图的X轴示出在O和约350nm之间的CSS值。图的y轴示出在O和
0.12之间的传感器信号幅度(&￥4^(1^/111￥/1^)值。图7绘出了上述三组不同导线配置的数据(1:1、2:1和1:2)。
[0041]从图7的数据可以看出传感器的温度响应随CSS增加而下降。值得注意的是ΔT随输出光学功率波动接近线性改变。从图8的数据可以看出传感器的输出信号幅度随CSS增加而下降。图7和8反映的数据由计算机建模生成，使用通过传感器导线的ImA偏置电流，沿波导传输的20mW激光，当CSS在O和10nm范围内时，产生0.5至2mV的信号。
[0042]图9为示出辐射热传感器的存在对波导模式分布的影响的图。Y轴示出归一化的O和I之间的模式强度的值。虽然基本的TE模式在图9中表示，公开的实施例可扩展至更高阶模式。X轴示出波导内在y方向(用y坐标(μπι)表示)上的辐射热传感器的上游(即-2μπι)和下游(S卩+2μπι)位置的值。图9绘制的数据证明了波导模式被位于波导之上的辐射热传感器的存在稍微干扰，但在离传感器约2微米内的下游就恢复了。对于ΤΕ(0，0)的通道波导模式，波导模式的恢复也发生在离传感器约2微米内。图9指示的模式分布扰动的程度对波导效率(P出/PA)没有明显的影响(即仅为可忽略的影响)。
[0043 ]通常地，在滑块中包括如辐射热测量计的电气元件将要求额外的专用的电垫来偏置该元件。因为额外的接合焊盘给头部万向架组件增加了显著的成本和复杂度，本公开实施例涉及与滑块的另外的电气组件串联或并联地电连接的辐射热传感器。图10是电路1000，其包括耦合于滑块的一对电接合焊盘(R+和R-)的读取器1002。读取器1002也通过电阻Rl和R2与地耦合，典型地用作静电放电(ESD)保护目的。在一些滑块的应用中，如图10所示，偏置分流器1004与读取器1002并联耦合，通常有量级为1ΚΩ的电阻。
[0044]依据包括于滑块的内部体内的辐射热传感器的不同实施例，偏置分流器1004被辐射热测量计1102替换，如图11所示。在图11的电路1100中，在读操作期间，福射热测量计1102同时用作光-热转换器和偏置分流器。因为读和写数据是磁盘驱动器中不会同时发生的操作，辐射热测量计1102和读取器1002可以共享相同的接合焊盘，而不干扰任何一组件的正常操作。因为激光器仅在写操作期间运转，辐射热测量计1102仅在写操作期间需要，而在读操作期间不需要。值得注意的是前置放大器和磁盘驱动器固件需要修改，以便适应辐射热测量计和读取器信号的时分复用。也值得注意的是辐射热测量计1102不需要替换现有的滑块组件，如图10所示的偏置分流器1004，但可以包括额外的并联耦合于读取器1002的滑块组件，如图11所示。应该明白的是在一些实施例中，辐射热测量计1102可以被专用的接合焊盘偏置。
[0045]图12是根据不同实施例的用于HAMR滑块的输出光学功率监测器的示图。图12示出的装置1200包括图11示出的电路1100，具有并联耦合的辐射热测量计1102和共享的具有读取器1002的接合焊盘。辐射热测量计1102耦合于功率监测控制器系统1202，其配置为检测由辐射热测量计1102产生的传感器信号中的波动，如对应于激光器的输出光学功率中的波动的波动。功率监测控制器系统1202耦合于电源1204，该电源向激光二极管102提供电力。电源1204配置为响应于从功率监测控制器系统1202接收的信号，调节供应至激光二极管102的电力。使用内部辐射热测量计1102，对于激光二极管102的输出光学功率中的波动的监控，提供了激光二极管102的输出光学功率的稳定性的高精准控制，和减少的模式跳跃风险。
[0046]本文中所公开的系统、设备或方法可包括本文中所描述的特征结构、方法或其组合中的一个或多个。例如，设备或方法可被实现成包括以上的特征和/或过程中的一个或多个。意味着这样的设备或方法不需要包括本文中所描述的所有特征和/或过程，但可被实现成包括提供有用的结构和/或功能的选择的特征和/或过程。可对以上讨论的所公开的实施例作出各种变形和添加。因此，本公开的范围不应受到以上所描述的具体实施例的限制，而只应由下面阐述的权利要求和其等效物进行限定。
【主权项】
1.一种设备，包括: 滑块，所述滑块具有上表面、空气轴承下表面(ABS)以及在上表面和下表面之间延伸的内部体； 写入极，所述写入极在所述ABS处或附近； 读取器，所述读取器在所述ABS处或附近，并与所述滑块的一对读取器接合焊盘连接，所述读取器接合焊盘配置为在读操作期间电偏置所述读取器； 近场换能器(NFT)，所述近场换能器(NFT)形成于ABS处或附近的所述滑块上； 光学波导，所述光学波导形成于所述滑块里并从所述滑块的上表面穿过所述滑块的内部体延伸至所述NFT，该波导配置为接收来自激光源的光;和 辐射热测量计: 位于邻近所述写入极，在所述滑块的内部体内的接收至少沿着所述波导传输的一些光的位置； 电耦合于所述读取器接合焊盘，用于偏置所述辐射热测量计;并 配置为在写操作期间产生指示所述激光源的输出光学功率的信号。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射热测量计连接到所述一对读取器接合焊盘，所述读取器接合焊盘与读取器并联。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，在读操作期间，所述辐射热测量计用作偏置分流器。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射热测量计配置为在写操作期间运转和在读操作期间不运转。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射热测量计位于邻近但间隔于所述波导的芯。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射热测量计与所述波导的芯以约50nm至Ij300nm隔开。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射热测量计位于以约2μπι到80μπι的间隔距离邻近所述NFT。8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射热测量计与所述波导的芯间隔，并与所述芯垂直地取向。9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射热测量计与所述波导的芯间隔，并相对于所述芯斜对地取向。10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述辐射热测量计包括具有高电阻热系数的材料，所述高电阻热系数为约1.或更高。11.如权利要求1所述的装置，其特征在于: 所述波导包括在邻近所述波导的末端处的耦合器以及所述耦合器的远端的模式转换器;和 所述辐射热测量计位于所述耦合器和模式转换器之间。12.如权利要求1所述的装置，其特征在于: 所述波导包括在邻近所述波导的末端处的耦合器以及所述耦合器的远端的模式转换器;和 所述辐射热测量计位于所述模式转换器和所述写入极之间。13.—种设备，包括: 滑块，所述滑块具有空气轴承表面(ABS)； 写入极，所述写入极在所述ABS处或附近； 读取器，所述读取器在所述ABS处或附近，并与所述滑块的一对读取器接合焊盘连接； 近场换能器(NFT)，所述近场换能器(NFT)形成于ABS处或附近的所述滑块上； 光学波导，所述光学波导形成于所述滑块里，并配置为接收来自激光源的光;和 传感器: 位于邻近写入极，在滑块的内部的接收至少沿着波导传输的一些光的位置； 电耦合于所述读取器接合焊盘，所述读取器接合焊盘与读取器并联;并 配置为产生指示所述激光源的输出光学功率的信号。14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述传感器配置为仅在写操作期间产生所述信号。15.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述传感器与所述波导的芯以约50nm到300nm隔开。16.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述辐射热测量计位于以约2μπι到80μπι的间隔距离邻近所述NFT。17.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述传感器与所述波导的芯间隔，并相对于所述芯垂直地取向。18.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述传感器与所述波导的芯间隔，并相对于所述芯斜对地取向。19.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述传感器包括具有高电阻热系数的材料，所述高电阻热系数为约1.δθΙΓ—1或更高。20.如权利要求13所述的装置，其特征在于: 所述波导包括在邻近所述波导的末端处的耦合器以及所述耦合器的远端的模式转换器;和 所述传感器位于所述耦合器和模式转换器之间。21.如权利要求13所述的装置，其特征在于: 所述波导包括在邻近所述波导的末端处的耦合器以及所述耦合器的远端的模式转换器;和 所述传感器位于所述模式转换器和所述写入极之间。
【文档编号】G11B5/127GK106024020SQ201610168566
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月23日
【发明人】J·C·杜达, 杨若希, J·G·维瑟尔
【申请人】希捷科技有限公司