Dram中子单粒子效应试验方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及单粒子效应试验技术领域，尤其涉及一种DRAM中子单粒子效应试验方法。
【背景技术】
[0002]DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)是机载电子设备的关键核心器件，该类器件在3km?20km的飞行高度中会遇到大约每小时每平方厘米300?18000个IMeV?100MeV的高能大气中子，产生单粒子效应，诱发机载电子设备产生大气中子单粒子软错误与硬故障，给机载电子设备带来安全隐患。
[0003]为提高机载电子设备的安全性，需要预先对DRAM中子单粒子效应进行试验，国内目前采用14MeV能量的中子对DRAM进行地面模拟试验，以获得敏感截面数据，为了确保得到试验结果的科学正确性，如何有效的对DRAM中子单粒子效应进行试验是目前亟待解决的问题。
【发明内容】
[0004](一)要解决的技术问题
[0005]本发明要解决的技术问题是提供一种DRAM中子单粒子效应试验方法，能够有效的对DRAM中子单粒子效应进行试验。
[0006]( 二 )技术方案
[0007]为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种DRAM中子单粒子效应试验方法，包括:
[0008]S1:配置DRAM，在所述DRAM中写入初始值，回读所述DRAM中的写入值得到第一回读结果;
[0009]S2:进行辐照，辐照第一预设的注量后，回读所述DRAM中的写入值得到第二回读结果，将第二回读结果与第一回读结果比较，统计发生的错误数；
[0010]S3:重复步骤S2直至统计发生的错误数达到预设的错误数或者当前辐照的总注入量达到第二预设的注量时停止试验。
[0011]进一步地，所述预设的错误数为90?110之间的任意值。
[0012]进一步地，所述第二预设的注量为10sn/cm2?K^n/cm2之间的任意值。
[0013]进一步地，在步骤S2中，辐照第一预设的注量后还包括:
[0014]记录所述DRAM的当前功耗电流，并判断所述当前功耗电流是否超出预设的功耗电流范围。
[0015]进一步地，在步骤S2中，辐照第一预设的注量后还包括:
[0016]记录所述DRAM的当前工作电压，并判断所述当前工作电压是否超出预设的工作电压范围。
[0017](三)有益效果
[0018]本发明实施方式提供的DRAM中子单粒子效应试验方法，通过将辐照后的回读结果与辐照前的回读结果相比较，统计得到发生的错误数，直至错误数达到预设的错误数或者总注入量达到第二预设的注量时停止试验，从而能够有效的对DRAM中子单粒子效应进行试验，提高其试验结果的准确性。
【附图说明】
[0019]图1是本发明实施方式提供的一种DRAM中子单粒子效应试验方法的流程图。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0021]图1是本发明实施方式提供的一种DRAM中子单粒子效应试验方法的流程图，包括:
[0022]S1:配置DRAM，在所述DRAM中写入初始值，回读所述DRAM中的写入值得到第一回读结果;
[0023]S2:进行辐照，辐照第一预设的注量后，回读所述DRAM中的写入值得到第二回读结果，将第二回读结果与第一回读结果比较，统计发生的错误数；
[0024]S3:重复步骤S2直至统计发生的错误数达到预设的错误数或者当前辐照的总注入量达到第二预设的注量时停止试验。其中，所述第二预设的注量大于第一预设的注量。
[0025]其中，所述预设的错误数为90?110之间的任意值，例如，该预设的错误数可以为100。
[0026]其中，所述第二预设的注量为10sn/cm2?K^n/cm2之间的任意值，例如，该第二预设的注量可以为109n/cm2。
[0027]优选地，在步骤S2中，辐照第一预设的注量后还包括:
[0028]记录所述DRAM的当前功耗电流，并判断所述当前功耗电流是否超出预设的功耗电流范围。
[0029]优选地，在步骤S2中，辐照第一预设的注量后还包括:
[0030]记录所述DRAM的当前工作电压，并判断所述当前工作电压是否超出预设的工作电压范围。
[0031]具体地，在试验之前，需对试验设备进行连接，具体地，通过使相应DRAM仿真器与相应器件(如CPU、FPGA、DSP)连接，可对试验件上的DRAM进行访问，仿真器的USB 口经过USB延长线(25米)与电脑上的USB接口相连，并进行配置和初始化操作等，而后开始对DRAM进行试验，并进行数据比较，具体地，包括:A:首先写入配置文件，对DRAM进行配置，写入初始值，而后对该DRAM进行回读，并进行保存得到第一回读结果，同时记录工作电压和功耗电流，B:开始辐照，辐照至第一预设的注量后，暂停辐照，记录工作电压和功耗电流，回读DRAM得到第二回读结果，与辐照前的第一回读结果比较，统计发生的错误数；C:当错误数达到100个时停止辐照，如果没有100个错误，则重复B步骤，直到注量达到109n(个)/cm2时停止辐照，例如，可在DRAM部分地址空间写入0x55数据，并查看写入55数据是否成功，开始进行辐照，间隔一段时间后，通过将写入55数据的地址区域与55比较，查看翻转的位数得到发生的错误数。
[0032]本发明实施方式提供的DRAM中子单粒子效应试验方法，通过将辐照后的回读结果与辐照前的回读结果相比较统计得到发生的错误数，直至错误数达到预设的错误数或者总注入量达到第二预设的注量时停止试验，从而能够有效的对DRAM中子单粒子效应进行试验，提高其试验结果的准确性。
[0033]以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种DRAM中子单粒子效应试验方法，其特征在于，包括:51:配置DRAM，在所述DRAM中写入初始值，回读所述DRAM中的写入值得到第一回读结果; 52:进行辐照，辐照第一预设的注量后，回读所述DRAM中的写入值得到第二回读结果，将第二回读结果与第一回读结果比较，统计发生的错误数； 53:重复步骤S2直至统计发生的错误数达到预设的错误数或者当前辐照的总注入量达到第二预设的注量时停止试验。2.根据权利要求1所述的DRAM中子单粒子效应试验方法，其特征在于，所述预设的错误数为90?110之间的任意值。3.根据权利要求1所述的DRAM中子单粒子效应试验方法，其特征在于，所述第二预设的注量为10sn/cm2?1ltVcm2之间的任意值。4.根据权利要求1所述的DRAM中子单粒子效应试验方法，其特征在于，在步骤S2中，辐照第一预设的注量后还包括: 记录所述DRAM的当前功耗电流，并判断所述当前功耗电流是否超出预设的功耗电流范围。5.根据权利要求1所述的DRAM中子单粒子效应试验方法，其特征在于，在步骤S2中，辐照第一预设的注量后还包括: 记录所述DRAM的当前工作电压，并判断所述当前工作电压是否超出预设的工作电压范围。
【专利摘要】本发明提供了一种DRAM中子单粒子效应试验方法，该DRAM中子单粒子效应试验方法包括：S1：配置DRAM，在所述DRAM中写入初始值，回读所述DRAM中的写入值得到第一回读结果；S2：进行辐照，辐照第一预设的注量后，回读所述DRAM中的写入值得到第二回读结果，将第二回读结果与第一回读结果比较，统计发生的错误数；S3：重复步骤S2直至统计发生的错误数达到预设的错误数或者当前辐照的总注入量达到第二预设的注量时停止试验。本发明能够有效的对DRAM中子单粒子效应进行试验，提高其试验结果的准确性。
【IPC分类】G11C29/08
【公开号】CN105590651
【申请号】CN201410568914
【发明人】王群勇, 陈冬梅, 阳辉, 陈宇, 薛海红, 张峰
【申请人】北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年10月22日