动态随机存储器的缺陷修复方法及电路的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种动态随机存储器的缺陷修复方法及电路。
【背景技术】
[0002]随着计算机、移动终端的广泛应用，以及数据处理能力的不断提升，对DRAM(动态随机存储器)的需求也随之增加。对于大容量DRAM来说，生产过程中带来的defect(缺陷)在所难免，如何进行有效修补、规避缺陷，从而提升产品良率非常重要。
[0003]图1示出现有的DRAM缺陷修复电路结构，其中，DRAM芯片中包含阵列排布的多个子阵列100，每个子阵列100的结构如图2所示，包含多条WL(Word Line，字线)与BL(Bit Line，位线)，每条WL与BL的交点代表一个Bit Cell(位存储单元)。在Normal WL(正常字线)101之夕卜，还有少量的Redundancy WL(冗余字线)102，用来修复有缺陷的正常字线，例如缺陷字线105;同样地，在Normal BL(正常位线)103之外，也有少量的Redundancy BL(冗余位线)104，用来修复有缺陷的正常位线(未示出)。如图1所示，外部控制器(未示出)将需要访问的地址(正常字线地址/正常位线地址)送入DRAM，替换熔丝(字线替换熔丝111/位线替换熔丝112)中的比较器比较所需访问的地址与其中所记录的已经被修复过的地址，若两者相符，则通过数据选择器120将用作修复的冗余地址(冗余字线地址/冗余位线地址)传送给DRAM;若不相符，则通过数据选择器120将外部控制器所给地址(正常字线地址/正常位线地址)传送给DRAM。也就是说，现有方法是用冗余字线替换有缺陷的正常字线，用冗余位线替换有缺陷的正常位线，这种方法对于集中在单根字线或者位线上的缺陷比较有效，但是对于Cluster(簇集)类型的缺陷(此种缺陷通常呈较大规模聚集)，修复效率低下。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种动态随机存储器的缺陷修复方法及电路，实现方式简单，修复效率较高，适于动态随机存储器中簇集类型缺陷的修复。
[0005]基于以上考虑，本发明的一个方面提供一种动态随机存储器的缺陷修复方法，包括:记录缺陷所在的地址区域;访问动态随机存储器时，跳过缺陷所在的地址区域;得到一块完整无缺陷的动态随机存储器。
[0006]优选地，通过非易失性存储器记录缺陷所在的地址区域。
[0007]优选地，所述非易失性存储器为快闪存储器或熔丝存储器。
[0008]优选地，通过地址映射跳过缺陷所在的地址区域。
[0009]优选地，跳过缺陷所在的字线、位线或子阵列的地址区域。
[0010]本发明的另一方面提供一种动态随机存储器的缺陷修复电路，包括缺陷记录模块和地址映射模块;所述缺陷记录模块用于记录缺陷所在的地址区域;所述地址映射模块用于跳过缺陷所在的地址区域。
[0011]优选地，所述缺陷记录模块和地址映射模块分别设置于外部控制器中、动态随机存储器中或者外部控制器与动态随机存储器之间。
[0012]优选地，所述缺陷记录模块包括非易失性存储器。
[0013]优选地，所述非易失性存储器为快闪存储器或熔丝存储器。
[0014]优选地，所述地址映射模块用于跳过缺陷所在的字线、位线或子阵列的地址区域。
[0015]本发明的动态随机存储器的缺陷修复方法及电路，通过缺陷记录模块记录缺陷所在的地址区域，通过地址映射模块跳过(或舍弃)缺陷较多的字线、位线或子阵列，因而在应用端看到的是一块容量稍小但完整无缺陷的DRAM。本发明的实现方式简单，并且对于簇集类型的缺陷修复效率较高，从而大大提高DRAM出货的良率，使得一些对良率非常倚重的产品(如三维集成电路，大容量DRAM等)获益。
【附图说明】
[0016]通过参照附图阅读以下所作的对非限制性实施例的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
[0017]图1为现有的动态随机存储器的缺陷修复电路的示意图；
图2为现有的动态随机存储器的一个子阵列的示意图；
图3为本发明的动态随机存储器的缺陷修复电路的示意图；
图4为本发明的动态随机存储器的一个子阵列的示意图；
图5为本发明的动态随机存储器的多个子阵列的示意图。
[0018]在图中，贯穿不同的示图，相同或类似的附图标记表示相同或相似的装置(模块)或步骤。
【具体实施方式】
[0019]为解决上述现有技术中的问题，本发明提供一种动态随机存储器的缺陷修复方法及电路，通过缺陷记录模块记录缺陷所在的地址区域，通过地址映射模块跳过(或舍弃)缺陷较多的字线、位线或子阵列，因而在应用端看到的是一块容量稍小但完整无缺陷的DRAM。本发明的实现方式简单，并且对于簇集类型的缺陷修复效率较高，从而大大提高DRAM出货的良率，使得一些对良率非常倚重的产品(如三维集成电路，大容量DRAM等)获益。
[0020]在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本发明一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本发明的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本发明的所有实施例。可以理解，在不偏离本发明的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本发明的范围由所附的权利要求所限定。
[0021]本发明的一个方面提供一种动态随机存储器的缺陷修复方法，包括:记录缺陷所在的地址区域;访问动态随机存储器时，跳过缺陷所在的地址区域;得到一块完整无缺陷的动态随机存储器。
[0022 ]图3示出本发明的DRAM缺陷修复电路结构，其中，DRAM芯片中包含阵列排布的多个子阵列200，每个子阵列200的结构如图4所示，包含多条正常字线201、冗余字线202、正常位线203、冗余位线204。当遇到冗余字线202与冗余位线204都无法修复的缺陷时，例如缺陷较多的多根字线205，首先通过测试手段确定缺陷所在的地址区域，然