存储器的编程校验方法和编程校验装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种存储器的编程校验方法和一种编程校验装置。
【背景技术】
[0002]存储器的存储单元一般处于一个大的存储阵列中，基于存储器的结构特征，同一根位线(BL)上会连接很多(通常有几千个)存储单元。
[0003]当选中某一 BL线上的一个存储单元进行操作时，在该BL线连接上的其他存储单元虽被选中仍会对该BL线造成影响。存储器的编程校验中，会选中某一 BL线上的一个存储单元进行测试，但是由于BL线上的其他存储单元的影响导致该BL线内的电流不准确，从而影响了校验结果。而且随着工艺尺寸的不断缩小，存储单元对BL线的影响变得越来越大，使得编程校验的结果越来越不准确，一些已经编程成功的存储单元可能无法通过编程校验，导致编程效率降低。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种存储器的编程校验方法，以解决编程校验结果不准确的问题。
[0005]相应的，本发明实施例还提供了一种编程校验装置，用以保证上述方法的实现及应用。
[0006]为了解决上述问题，本发明公开了一种存储器的编程校验方法，包括:发送执行编程校验的数据读取指令，其中所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据；依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流；所述存储器的读取放大器读取所述位线的实际电流；将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。
[0007]可选的，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压之前，还包括:从所述数据读取指令中获取所述选中存储单元；依据所述存储器的存储阵列查找所述选中存储单元的阵列信息；依据所述阵列信息查找与所述选中存储单元位于同一位线的其他存储单元。
[0008]可选的，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元提供设定负电压，包括:所述存储器的电压生成模块在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，以使连接所述选中存储单元的漏极的位线接收所述漏极产生的电流；所述存储器的电压生成模块在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压，以降低连接所述其他存储单元的漏极的位线接收的漏电流。
[0009]可选的，还包括:所述存储器的读取放大器的第一输入端读取所述预设电流；所述存储器的读取放大器读取所述位线上的实际电流，包括:所述存储器的读取放大器确定所述选中存储单元的漏极连接的位线，并采用第二输入端读取所述位线上流过的实际电流。
[0010]可选的，所述将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验通过与否，包括:将所述第二输入端读取的实际电流与所述第一输入端读取预设电流进行比较；当所述实际电流小于或等于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验成功；当所述实际电流大于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验失败。
[0011]相应的，本发明还公开了一种编程校验装置，包括:发送模块，用于发送执行编程校验的数据读取指令，其中所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据；电压输入模块，用于依据所述数据读取指令，为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流；电流读取模块，用于读取所述位线的实际电流；校验检测模块，用于将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。
[0012]可选的，还包括:阵列信息确定模块，用于从所述数据读取指令中获取所述选中存储单元；依据所述存储器的存储阵列查找所述选中存储单元的阵列信息；依据所述阵列信息查找与所述选中存储单元位于同一位线的其他存储单元。
[0013]可选的，所述电压输入模块，用于在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，以使连接所述选中存储单元的漏极的位线接收所述漏极产生的电流；在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压，以降低连接所述其他存储单元的漏极的位线接收的漏电流。
[0014]可选的，所述电流读取模块，还用于触发读取放大器的第一输入端读取所述预设电流；且所述电流读取模块，具体用于触发读取放大器确定所述选中存储单元的漏极连接的位线，并采用第二输入端读取所述位线上流过的实际电流。
[0015]可选的，所述校验检测模块，用于将所述第二输入端读取的实际电流与所述第一输入端读取预设电流进行比较；当所述实际电流小于或等于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验成功；当所述实际电流大于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验失败。
[0016]与现有技术相比，本发明实施例包括以下优点:
[0017]综上所述，发送用于从选中存储单元中读取数据的读取指令，依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流，使得位线上受漏电流的影响较小，位线上的实际电流更加接近选中存储单元产生的电流，使得读取放大器将读取的位线的实际电流与预设电流的比较结果更加准确，确保编程校验的准确性。
【附图说明】
[0018]图1是存储器的校验中读操作的窗口示意图；
[0019]图2是本发明的一种存储器的编程方法实施例的步骤流程图；
[0020]图3是本发明一种存储器的编程校验方法可选实施例中存储阵列示意图；
[0021]图4是本发明一种存储器的编程校验方法可选实施例中读取放大器示意图；
[0022]图5是本发明一种存储器的编程校验方法可选实施例的步骤流程图；
[0023]图6是本发明一种编程校验装置实施例的结构框图。
【具体实施方式】
[0024]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0025]本发明实施例的核心构思之一在于，提出一种存储器的编程校验方法，以解决编程校验结果不准确的问题。发送用于从选中存储单元中读取数据的读取指令，依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流，使得位线上受漏电流的影响较小，位线上的实际电流更加接近选中存储单元产生的电流，使得读取放大器将读取的位线的实际电流与预设电流的比较结果更加准确，确保编程校验的准确性。
[0026]本发明实施例对存储器如快闪存储器进行编程校验，例如快闪存储器是一种非易失类存储器，它通过改变浮