光磁记录媒体的利记博彩app

专利名称：光磁记录媒体的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及光磁记录媒体，更详细地说，涉及将记录层的磁区扩大并复制在再生层上，使信号再生的磁区扩大再生方式的光磁记录媒体。
背景技术：
光磁记录媒体作为一种可以改写、存储容量大、而且可靠性高的记录媒体，引人注目，作为计算机存储器等已开始实用。另外，最近存储容量达6.0G字节的光磁记录媒体的标准化也取得了进展，达到了实用化程度。来自如此高密度的光磁记录媒体的信号的再生是利用MSR(Magnetically Super Resolution)法如下进行的，即通过照射激光，将光磁记录媒体的记录层的磁区复制在再生层上，同时为了只检测该复制的磁区，而在再生层上形成检测窗，从该形成的检测窗检测复制的磁区。
另外，还开发了这样一种磁区扩大再生技术在来自光磁记录媒体的信号再生过程中施加交变磁场，利用交变磁场扩大从记录层复制到再生层上的磁区，使信号再生，通过利用该技术，还设计了能在直径为12cm的盘上记录及/或再生14G字节的信号的光磁记录媒体。
这样的磁区扩大再生方式的光磁记录媒体一般具有再生层、在它上面形成的非磁性层、以及在该非磁性层上形成的记录层。由该光磁记录媒体的磁区扩大引起的信号再生时，从再生层一侧照射激光，从记录层一侧施加磁区扩大及消除用的外部磁场，因此记录层的磁区通过非磁性层进行静磁耦合而被复制在再生层上且被扩大。利用从再生层一侧照射的激光，检测被复制在再生层上且被扩大的磁区，从而使记录层中的信号再生。
由上述的静磁耦合进行的磁区的复制能随着从记录层至再生层的泄漏磁场而发生。可是，记录层的磁区长度是各种各样的，所以存在泄漏磁场的分布随磁区长度的不同而不同的问题。即，磁区长度短时，泄漏磁场的强度在磁区的中央部分为最大，而磁区长度长时，泄漏磁场的强度在磁区的中央部分变得相当弱。因此，短磁区能可靠地复制，而长磁区有时不能复制。
发明的公开本发明的目的在于提供一种与记录层的磁区长度无关地从记录层向再生层可靠地复制磁区的光磁记录媒体。
按照本发明，光磁记录媒体备有再生层；在再生层上形成的阻断层；在阻断层上形成的栅/磁场强化层；以及在栅/磁场强化层上形成的记录层。栅/磁场强化层有选择地抽出记录层内的各磁区，强化由此到达再生层的泄漏磁场，将该抽出的磁区复制在再生层内。阻断层阻断从栅/磁场强化层至再生层的交换耦合力。
上述栅/磁场强化层最好包括栅层和磁场强化层。栅层有选择地抽出各磁区。在阻断层和栅层之间形成磁场强化层，用来强化泄漏磁场。
或者上述栅/磁场强化层在再生温度下呈现从记录层一侧朝向阻断层一侧增大的磁饱和强度。
在上述光磁记录媒体中，由于与磁区的长度无关地有选择地抽出记录层内的磁区，所以该抽出的磁区能可靠地复制在再生层内。另外，由于到达再生层的泄漏磁场被强化，所以该抽出的磁区更能可靠地复制在再生层内。另外，由于设有阻断层，所以能阻断至再生层的交换耦合力，其结果，被复制在再生层内的磁区能圆滑地被扩大。
附图的简单说明

图1是表示本发明的第一实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图2A至2D是表示从图1所示的光磁记录媒体中的短磁区使信号再生的过程的图。
图3是表示图1所示的栅层的可旋转角与温度的依赖关系曲线图。
图4是表示图1所示的栅层及磁场强化层的磁饱和强度及矫顽力与温度的依赖关系曲线图。
图5A是表示从记录层的短磁区泄漏的磁场强度分布图，图5B是表示记录层内的短磁区被复制在磁场强化层上时，从该被复制的磁区泄漏的磁场强度分布图。
图6A至6D是表示从图1所示的光磁记录媒体中的长磁区使信号再生的过程的图。
图7A是表示从记录层内的长磁区泄漏的磁场强度分布图，图7B是表示记录层内的长磁区被复制在磁场强化层上时，从该被复制的磁区泄漏的磁场强度分布图。
图8是表示本发明的第二实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图9是表示图8所示的栅/磁场强化层中的Gd含有率的分布图。
图10是表示本发明的第三实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图11是表示图10所示的光磁记录媒体的初始磁化状态的图。
图12是表示图10所示的阻断层的磁饱和强度与温度的依赖关系曲线图。
图13是表示将激光照射在图10所示的光磁记录媒体上时的磁化状态的图。
图14是表示图13所示的被激光照射的部分的温度分布图。
图15是表示本发明的第四实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图16是表示图15所示的光磁记录媒体的初始磁化状态的图。
图17是表示图15所示的阻断层的磁饱和强度与温度的依赖关系曲线图。
图18是表示将激光照射在图15所示的光磁记录媒体上时的磁化状态的图。
图19是表示图18所示的被激光照射的部分的温度分布图。
图20是表示本发明的第五实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图21是表示图20所示的光磁记录媒体的初始磁化状态的图。
图22是表示将激光照射在图20所示的光磁记录媒体上时的磁化状态的图。
图23是表示本发明的第六实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图24是表示图23所示的光磁记录媒体的初始磁化状态的图。
图25是表示将激光照射在图23所示的光磁记录媒体上时的磁化状态的图。
图26是表示本发明的第七实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图27是表示本发明的第八实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图28是表示本发明的第九实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图29是表示本发明的第十实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图30是表示本发明的第十一实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图31是表示本发明的第十二实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图32是表示本发明的第十三实施形态的光磁记录媒体结构的剖面图。
图33是表示本发明的第十四实施形态的光磁记录媒体的再生层结构的剖面图。
实施发明用的最佳形态以下，参照附图详细说明本发明的实施形态。图中相同或相当的部分标以相同的符号，不重复说明。
第一实施形态本发明的第一实施形态的光磁记录媒体10备有透明基板1、在透明基板1上形成的底层2、在底层2上形成的再生层3、在再生层3上形成的阻断层4、在阻断层4上形成的磁场强化层5、在磁场强化层5上形成的栅层6、在栅层6上形成的记录层7、以及在记录层7上形成的保护层8。
透明基板1由聚碳酸酯或玻璃等构成。底层2由SiN构成。再生层3由含有18-23at.％的Gd的GdFeCo构成。阻断层4由SiN构成。磁场强化层5由含有18-23at.％的Gd的GdFeCo构成。栅层6由含有22-30at.％的Gd的GdFeCo构成。记录层7由TbFeCo构成。保护层8由SiN构成。
底层2的厚度为588-800埃。再生层3的厚度为200-400埃。阻断层4的厚度为200-300埃。磁场强化层5的厚度为600-1000埃。栅层6的厚度为800-2000埃。记录层7的厚度为500-2000埃。保护层8的厚度为500-800埃。
在该光磁记录媒体10中，记录层7的磁区通过栅层6、磁场强化层5及阻断层4而被复制在再生层3上，该被复制的磁区被外部磁场扩大，其结果，能利用从透明基板1一侧照射的激光检测该被扩大的磁区，因此能使信号再生。
在这样的信号再生过程中，为了与其磁区长度无关地将记录层7的磁区可靠地复制在再生层3上，所以需要通过交换耦合进行从记录层7至栅层6的磁区的复制(第一条件)。
另外，为了能利用外部磁场容易地扩大被复制在再生层3上的磁区，需要通过静磁耦合进行从栅层6至再生层3的磁区的复制，以便交换耦合力从其他磁性层到达不了再生层3上(第二条件)。
另外，为了通过静磁耦合进行从栅层6至再生层3的磁区的复制，需要增大从栅层6至再生层3的泄漏磁场(第三条件)。
因此，为了满足第一条件，接在记录层7之后形成栅层6。另外，为了满足第二条件，在栅层6和再生层3之间形成阻断层4。另外，为了满足第三条件，在栅层6和阻断层4之间形成磁场强化层5。
其次，参照图2A至2D，详细说明光磁记录媒体10的信号再生过程。
将激光照射在光磁记录媒体10上，而且在施加扩大磁区用的外部磁场之前，如图2A所示，栅层6是面内磁化膜，磁场强化层5及再生层3是利用初始化磁场而被沿同一方向磁化了的垂直磁化膜。记录层7是根据记录信号而被磁化了的垂直磁化膜。
接着，如图2B所示，如果从再生层3一侧照射激光LB，则记录层7中欲进行再生的磁区70的温度上升到再生温度100℃以上。栅层6在室温(例如0-40℃)下呈面内磁化状态，达到再生温度100℃以上时，呈垂直磁化状态。因此，如果根据栅层6的可旋转角与温度的依赖关系，如图3所示，在室温下可旋转角几乎为零，但如果达到再生温度Tr(100℃)，则可旋转角急剧增大。因此，在与磁区70相接的栅层6的区域内出现具有与磁区70的副晶格磁化方向71相同方向的副晶格磁化方向61的磁区60。即，通过交换耦合，记录层7的磁区70被复制在栅层6上。被复制在栅层6上的磁区60通过交换耦合，被复制在磁场强化层5上，在磁场强化层5中出现具有与副晶格磁化方向61相同方向的副晶格磁化方向51的磁区50。
这样，栅层6具有有选择地抽出记录层7内的各磁区的功能。为了使栅层6具有良好的磁区选择性，需要使用能在较低的温度即100℃左右容易复制记录层7的磁区的磁性材料。因此，栅层6具有图4所示的磁特性。在图4中，k1表示栅层6的矫顽力与温度的依赖关系，曲线k2表示栅层6的磁饱和强度与温度的依赖关系。由该曲线k2可知，栅层6的磁饱和强度伴随温度的上升而减小，其结果，泄漏磁场也变小。
这样由于再生温度为Tr时来自栅层6的泄漏磁场弱，所以难以通过静磁耦合只将在栅层6上从记录层7复制的磁区60可靠地复制在再生层3上。因此，设有具有图4所示的磁特性的磁场强化层5。在图4中，曲线k3表示磁场强化层5的矫顽力与温度的依赖关系，曲线k4表示磁场强化层5的磁饱和强度与温度的依赖关系。从该曲线k4可知，磁场强化层5的磁饱和强度在120℃时达到最大，120℃左右的磁饱和强度也比栅层6的大。因此，磁场强化层5将磁饱和强度弱的磁区60变换成磁饱和强度强的磁区50，因此具有通过阻断层4强化到达再生层3的泄漏磁场的功能。
这样由于在120℃时被磁场强化层5复制的磁区50的磁饱和强度达到最大，所以如果光磁记录媒体10的温度上升到120℃，则从该磁区50泄漏到再生层3的泄漏磁场也达到最大，如图2C所示，磁场强化层5的磁区50借助于静磁耦合，并通过阻断层4而被复制在再生层3上，其结果，在再生层3中出现具有与该磁区50的磁化方向51相同的磁化方向31的磁区30。信号再生后如果温度返回室温，则由于该磁区50的磁化方向51反转后返回初始状态，所以被复制在磁场强化层5内的磁区的直径经常是一定的。
这样在磁区30被复制在再生层3中的状态下，如图2D所示，从记录层7一侧施加外部磁场Hex(该外部磁场的峰值磁场强度为±3000e、而且是2-20MHz的交变磁场。以下同)。在施加了与磁区30的磁化方向31相同方向的外部磁场时，磁区30被扩大到磁区301。这时，由于再生层3不直接接触磁场强化层5这样的磁性层，只直接接触阻断层4这样的非磁性层，所以磁区30不受来自磁场强化层5的交换耦合力的作用，能可靠地扩大到磁区301。
在磁区30这样被扩大到磁区301时，利用从再生层3一侧照射的激光LB检测磁区301，因此记录层7的磁区70被复制在再生层3中，而且被扩大，能使信号再生。
检测了磁区301后，如果施加与磁区301的磁化方向31相反方向的外部磁场，则磁区301消失，返回图2A所示的初始状态。通过重复上述过程，记录层7的磁区接连不断地被复制在再生层3中，而且被扩大，其结果，能使被记录在记录层7中的信号再生。
以上说明了从较短的磁区70使信号再生的过程。如图5A所示，在磁区长度短的情况下，在该磁区70的中央存在与磁化方向71相同方向的最大磁场710，在磁区70的两端存在与磁化方向71相反方向的磁场711及711。因此，来自较短的磁区70的泄漏磁场的强度这样分布从磁区70的两端到中央磁场强度越来越大。如图5B所示，记录层7内的短磁区70被复制在磁场强化层5内作为磁区50。该磁区50也与磁区70同样短，所以来自该磁区50的泄漏磁场的强度分布也与来自上述的磁区70的泄漏磁场的强度分布相同。即，在该磁区50的中央存在与磁化方向51相同方向的最大磁场510，在磁区50的两端存在与磁化方向51相反方向的磁场511及511。其结果，磁区50能通过静磁耦合可靠地复制在再生层3上。
另一方面，参照图6A至6D说明磁区长度长时的信号再生过程。
与图2A一样，光磁记录媒体10的各磁性层3、5-7在初始状态下，如图6A所示被磁化。
接着如图6B所示，从再生层3一侧照射激光LB，如果记录层7的磁区72达到100℃，则记录层7的磁区72便被复制在栅层6中，在栅层6中出现具有与磁化方向73相同的磁化方向63的磁区62。该磁区62的长度比磁区72还短，与图2B所示的磁区60大致相同。这样形成栅层6的GdFeCo是这样一种磁性材料如果超过100℃，则在比记录层7的最小磁区小的区域内，从面内磁化膜变为垂直磁化膜。因此，栅层6与在记录层7中形成的磁区的长度无关地有选择地抽出各磁区，如后文所述，将该抽出的磁区通过磁场强化层5及阻断层4，复制在再生层3中。
被复制在栅层6中的磁区62再通过交换耦合而复制在磁场强化层5中，作为磁区52。
如上所述，由于磁场强化层5的磁饱和强度在120℃时变为最大，所以从磁区52到达再生层3的泄漏磁场也变为最大。因此，如图6C所示，磁区52借助于静磁耦合，并通过阻断层4而被复制在再生层3中，其结果，在再生层3中出现具有与磁化方向53相同的磁化方向33的磁区32。
这样在磁区32被复制在再生层3中的状态下，如图6D所示，从外部施加交变磁场Hex。在施加了与磁区32的磁化方向33相同方向的磁场时，磁区32被扩大为磁区321。该被扩大的磁区321利用激光LB加以检测，因此，能使记录在记录层7中的信号再生。
在磁区长度长的情况下，其泄漏磁场的强度分布呈图7A所示的形状。在该磁场分布中，在磁区72的两端附近存在与磁化方向73方向相同的磁场730及730，在磁区72的两端存在与磁化方向73相反方向的磁场731及731。磁区72中央的磁场强度非常弱。因此，通过静磁耦合将这样的长磁区72直接复制在再生层3中是困难的。
可是，在该光磁记录媒体中，由于接着记录层7形成栅层6，所以如上所述，记录层7的磁区72通过交换耦合而被复制在栅层6中，再复制在磁场强化层5中。而且，通过长磁区72的复制而在磁场强化层5中出现的磁区52的长度与通过短磁区70的复制而在磁场强化层5中出现的磁区50的长度相同，所以如图7B所示，来自磁区52的泄漏磁场的强度分布与图5B所示的相同。即，该磁场分布如下在磁区52的中央存在与磁化方向53相同方向的最大磁场530，在磁区52的两端存在与磁化方向53相反方向的磁场531及531。因此，该磁场强化层5的磁区52也能通过静磁耦合可靠地复制在再生层3上。
其次，说明该光磁记录媒体10的各层2-8的形成方法。
用RF磁控管溅射法形成底层2的SiN，用SiN作为对阴极。Ar气流量、气体压力、基板温度及RF功率如表1所示。
表1底层的形成条件

另外，也用RF磁控管溅射法形成再生层3的GdFeCo，用Gd及FeCo作为对阴极。Ar气流量、气体压力、基板温度及RF功率如表2所示。这里，RF功率独立地加在各对阴极上。
表2再生层的形成条件

另外，也用RF磁控管溅射法形成阻断层4的SiN，用SiN作为对阴极。Ar气流量、气体压力、基板温度及RF功率如表3所示。
表3阻断层的形成条件

另外，也用RF磁控管溅射法形成磁场强化层5的GdFeCo，用Gd及FeCo作为对阴极。Ar气流量、气体压力、基板温度及RF功率如表4所示。这里，RF功率独立地加在各对阴极上。在该条件下形成的GdFeCo的补偿温度Tcomp为-30℃＜Tcomp＜50℃。因此，用激光LB检测了被扩大了的磁区301或321之后，该磁场强化层5的温度一旦返回室温，便迅速地返回初始的磁化状态。
表4磁场强化层的形成条件

另外，也用RF磁控管溅射法形成栅层6的GdFeCo，用Gd及FeCo作为对阴极。Ar气流量、气体压力、基板温度及RF功率如表5所示。这里，RF功率独立地加在各对阴极上。加在Gd对阴极上的RF功率比加在表4所示的Gd对阴极上的RF功率大。
表5栅层的形成条件

另外，也用RF磁控管溅射法形成记录层7的TbFeCo，用TbFeCo作为对阴极。Ar气流量、气体压力、基板温度及RF功率如表6所示。
表6记录层的形成条件

另外，也用RF磁控管溅射法形成保护层8的SiN，用SiN作为对阴极。Ar气流量、气体压力、基板温度及RF功率如表7所示。
表7保护层的形成条件

如上所述，由于该光磁记录媒体10的所有的层2-8都能利用RF磁控管溅射法形成，所以有利于批量生产。
如上所述，如果采用本发明的第一实施形态，则由于在再生层3和磁场强化层5之间形成阻断层4，所以能阻断从磁场强化层5至再生层3的交换耦合力，能圆滑地扩大被复制在再生层3中的磁区30或32。另外，接着记录层7形成栅层6，所以能有选择地抽出记录层7的各磁区70或72。其结果，能与记录层7的磁区长度无关地经常获得同一长度的磁区60或62。另外，由于接着栅层6形成磁场强化层5，所以能强化从磁场强化层5到达再生层3的泄漏磁场。其结果，通过静磁耦合能可靠地将从记录层7抽出的磁区50或52复制在再生层3中。
第二实施形态参照图8，在本发明的第二实施形态的光磁记录媒体11中，形成栅/磁场强化层110，用以代替上述第一实施形态的栅层6及磁场强化层5。该栅/磁场强化层110由GdFeCo构成，该Gd的含有率在阻断层4一侧的端部为18-23at.％，在记录层7一侧的端部为22-30at.％。因此，该栅/磁场强化层110中的Gd的含有率在图9所示的斜线区域内从记录层7一侧向阻断层4一侧慢慢减少。因此，该栅/磁场强化层110在100℃时的磁饱和强度从记录层7一侧向阻断层4一侧增大。即，该栅/磁场强化层110具有上述第一实施形态的栅层6及磁场强化层5两者的功能。其结果，该栅/磁场强化层110能有选择地抽出记录层7内的各磁区，强化到达再生层3的泄漏磁场，通过静磁耦合可靠地将抽出的磁区通过阻断层4复制在再生层3内。
该光磁记录媒体11的各层也是在上述表1至表7所示的条件下，利用RF磁控管溅射法形成的。栅/磁场强化层110的厚度为1400-3000埃。
第三实施形态参照图10，在本发明的第三实施形态的光磁记录媒体12中，形成由磁性材料构成的阻断层120，用以代替上述第一实施形态中的由非磁性材料构成的阻断层4。更具体地说，该阻断层120由Tb15-40(fe85 -100Co0-15)60-85(脚标表示各成分原子的含有率)构成，其厚度为30-300埃。
因此，如图11所示，形成该阻断层120的磁性材料在室温下沿垂直方向磁化。即，阻断层120在初始化磁场的作用下，被沿着与再生层3及磁场强化层5相同的方向磁化。
另外，如图12所示，该磁性材料具有比再生温度100℃低的居里温度。如果超过居里温度，则磁饱和强度变为零。
如图13所示，如果将激光LB照射在这样的光磁记录媒体12上，则如图14所示，其被照射的部分温度上升。由于阻断层120的居里温度Tc比该升温部分的最高温度Tmax低、而且也比再生温度Tr(＜Tmax)低，所以阻断层120中超过居里温度Tc的部分121被消磁。因此磁场强化层5内的磁区50通过静磁耦合而被复制在再生层3内，因此在再生层3内出现磁化区30。阻断层120中的消磁部分121阻断了从磁场强化层5加到再生层3上的交换耦合力，所以施加了与磁化方向31相同方向的磁场时，磁区30被圆滑地扩大。
该阻断层120也与其他层3、5-7一样，能利用RF磁控管溅射法形成。
如果采用上述第三实施形态，则由于阻断层120也与其他层3、5-7一样，能利用RF磁控管溅射法形成，所以各层膜的质量好。
第四实施形态参照图15，在本发明的第四实施形态的光磁记录媒体13中，形成由Tb15-40(fe65-92Co8-35)60-85构成的阻断层130，用以代替上述第三实施形态中的阻断层120，该膜的厚度为30-300埃。
如图16所示，该阻断层130的磁性材料在室温下沿垂直方向磁化。另外，如图17所示，该磁性材料具有比再生温度Tr(100℃)高的居里温度Tc。
如图18所示，如果将激光LB照射在这样的光磁记录媒体13上，则其被照射的部分温度上升。如图19所示，并非激光LB的中央部分的温度最高，实际上激光LB的传播方向的后方部分的温度最高。这样阻断层130的居里温度Tc比被激光LB升温的部分的最高温度Tmax低。因此，阻断层130中比居里温度Tc高的部分131被消磁。这里，由于应使信号再生的磁区的温度(再生温度Tr)比居里温度Tc低，所以阻断层130的磁化区41不消失。其结果，磁场强化层5内的磁区50通过交换耦合而被复制在阻断层130内，该被复制的磁区40再通过交换耦合而被复制在再生层3内，因此在再生层3内出现磁区30。
这样由于被消磁的部分131阻断了从磁场强化层5加到再生层3上的交换耦合力，所以如果施加与磁化方向31相同方向的磁场，则磁区30能被圆滑地扩大。
如果采用上述第四实施形态，则由于磁场强化层5内的磁区50通过交换耦合而被复制在再生层3内，所以在再生层3内能更可靠地出现具有与该磁区50的磁化方向51相同方向的磁化方向31的磁区30。
第五实施形态参照图20，在本发明的第五实施形态的光磁记录媒体14中，形成由Gd22-30(fe65-90Co10-35)70-78构成的阻断层140，用以代替上述第四实施形态中的阻断层130，该阻断层140的厚度为300-1500埃。
如图21所示，该阻断层140在室温下也沿垂直方向磁化。但是，在比图19所示的最高温度Tmax低、而且比再生温度Tr高的规定温度(与图19所示的居里温度Tc对应的温度)下，该阻断层140从沿垂直方向磁化变为沿平面方向磁化。
如图22所示，如果将激光LB照射在这样的光磁记录媒体14上，则应使信号再生的磁区的温度上升。阻断层140中比上述规定的温度高的部分141变成面内磁化膜。
因此，与上述第四实施形态一样，磁场强化层5内的磁区50通过交换耦合而被复制在阻断层140内，该被复制的磁区40再通过交换耦合而被复制在再生层3内，因此在再生层3内出现磁区30。由于成为面内磁化膜的部分141阻断了从磁场强化层5加到再生层3上的交换耦合力，所以施加了与磁化方向31相同方向的磁场时，磁区30能被圆滑地扩大。
第六实施形态参照图23，在本发明的第六实施形态的光磁记录媒体15中，形成掩蔽层150及151，用以代替上述第一实施形态中的栅层6。另外，形成再生层3的GdFeCo中的Gd的含有率为18-28at.％或25-34at.％。另外形成磁场强化层5的GdFeCo中的Gd的含有率为15-31at.％或15-25at.％。
掩蔽层150由GdFeCo构成，Gd的含有率为24-32at.％、25-35at.％或28-37at.％。掩蔽层151也由GdFeCo构成，Gd的含有率为20-25at.％、18-28at.％或19-25at.％。掩蔽层150、151也与其他层3-5、7一样，利用RF磁控管溅射法形成。
如图24所示，掩蔽层150在室温下沿平面方向磁化，而且如后文所述，在再生温度以上时沿垂直方向磁化。掩蔽层151在室温下沿垂直方向磁化，而且如后文所述，在比再生温度高的规定温度以上时沿平面方向磁化。因此，掩蔽层151与再生层3及磁场强化层5同时利用初始化磁场，与这些层3、5沿同一方向被磁化。
参照图25，详细说明记录层7的各磁区以高分辨率被复制在再生层3中的机构。如果将激光LB照射在以规定的转速旋转的光磁记录媒体15上，则光磁记录媒体15的温度在激光LB的光轴LBO上靠后方的位置L1处达到最高，从位置L1开始在激光LB的传播方向DR一侧，光磁记录媒体15的温度分布变得陡峻，从位置L1开始在与激光LB的传播方向DR相反一侧，光磁记录媒体15的温度分布变得平缓。
在这样的温度分布下，掩蔽层151在温度T2以上时，从垂直磁化膜变为面内磁化膜，掩蔽层150在比温度T2低的温度T1以上时，从面内磁化膜变为垂直磁化膜。因此，掩蔽层151中在比温度T1低的区域存在与记录层7的磁区75交换耦合的垂直磁化的磁区158，在比温度T2高的区域存在面内磁化的磁区157。另外，掩蔽层150中在比温度T1低的区域存在面内磁化的磁区154，在比温度T2高的区域保持垂直磁化。
于是，记录层7中在比温度T2高的区域存在的磁区74被阻止从掩蔽层151的面内磁化的磁区157向再生层3的复制。另外，记录层7中在比温度T1低的区域存在的磁区75虽然作为磁区158被向掩蔽层151复制，但被阻止从掩蔽层150的面内磁化的磁区154向再生层3的复制。
因此，在温度为T2时由于掩蔽层151变为面内磁化膜，所以记录层7中从温度T1至温度T2的范围内的具有磁化方向71的磁区70作为具有与磁化方向71相同方向的磁化方向156的磁区155被通过交换耦合复制到掩蔽层151上，在掩蔽层150中，在温度为T1以上时，变成垂直磁化膜，所以掩蔽层151的磁区155通过交换耦合，作为具有与磁化方向71相同方向的磁化方向153的磁区152被复制到掩蔽层150中。然后，掩蔽层150的磁区152通过交换耦合，作为具有与磁化方向153相同方向的磁化方向51的磁区50被复制在磁场强化层5中，强的泄漏磁场从磁场强化层5的磁区50通过阻断层4到达再生层3。其结果，磁场强化层5的磁区50能可靠地通过阻断层4，作为磁区30被复制在再生层3中。
这里，掩蔽层150从面内磁化膜变为垂直磁化膜的温度T1被设定在100-160℃的范围内，掩蔽层151从垂直磁化膜变为面内磁化膜的温度T2被设定在120-180℃的范围内。而且，温度T1和温度T2的温度差的适当范围为20-40℃，通过将T2-T1设定在20-40℃的范围内，能独立地将记录层7的各磁区复制在再生层3中。
通过控制激光LB的强度、以及光磁记录媒体15的转速，能使记录层7中温度从T1至T2的区域小于最短磁畴长度，所以在光磁记录媒体15中能独立地将记录层7的各磁区可靠地复制在再生层3中。其结果，能使高分辨率的信号再生。
第七实施形态参照图26，在本发明的第七实施形态的光磁记录媒体16中，按照相反的顺序形成上述第六实施形态中的掩蔽层150及151。
第八实施形态参照图27，在本发明的第八实施形态的光磁记录媒体17中，形成上述第三实施形态中的阻断层120，用以代替上述第六实施形态中的阻断层4。
第九实施形态参照图28，在本发明的第九实施形态的光磁记录媒体18中，按照相反的顺序形成上述第八实施形态中的掩蔽层150及151。
第十实施形态参照图29，在本发明的第十实施形态的光磁记录媒体19中，形成上述第四实施形态中的阻断层130，用以代替上述第六实施形态中的阻断层4。
第十一实施形态参照图30，在本发明的第十一实施形态的光磁记录媒体20中，按照相反的顺序形成上述第十实施形态中的掩蔽层150及151。
第十二实施形态参照图31，在本发明的第十二实施形态的光磁记录媒体21中，形成上述第五实施形态中的阻断层150，用以代替上述第六实施形态中的阻断层4。
第十三实施形态参照图32，在本发明的第十三实施形态的光磁记录媒体22中，按照相反的顺序形成上述第十二实施形态中的掩蔽层150及151。
第十四实施形态如图33所示，也可以形成重叠结构的再生层34，用以代替上述实施形态中的单一结构的再生层3。在该再生层34中，交替地形成由贵重金属构成的层35、以及由过渡性金属构成的层36。作为贵重金属，例如采用Pt、Pd、Cu、Au，作为过渡性金属，例如采用Co、Fe、FeCo.
另外，再生层3也可以由贵重金属和过渡性金属的合金构成。作为贵重金属和过渡性金属的合金，例如有PtCo、PdCo、CuCo、AuCo、PtFe、PdFe、CuFe、AuFe、PtFeCo、PdFeCo、CuFeCo、AuFeCo。
另外，还可以将Nd或Pr添加到由GdFeCo构成的再生层3中。即，再生层3也可以由NdGdFeCo或PrGdFeCo构成。
如果用上述的磁性材料形成再生层，则相对于400nm这样的波长较短的激光的可旋转角比由GdFeCo构成的再生层3的可旋转角大。
此次公开的实施形态在所有方面的例示中，都应考虑不受这些例示的限制。本发明的范围在上述说明中未提及，将在权利要求书中给出，意图在于包括在与权利要求均等的含义及范围内的全部变更。
工业上利用的可能性本发明的光磁记录媒体能用于CD(密纹盘)、CD-ROM(密纹盘-只读存储器)、DVD(数字视频盘)之类的光盘。
权利要求
1．一种光磁记录媒体，其特征在于备有再生层(3、34)；在上述再生层上形成的阻断层(4)；在上述阻断层上形成的栅/磁场强化层(5、6、110、150、151)；以及在上述栅/磁场强化层上形成的记录层(7)，上述栅/磁场强化层有选择地抽出记录层内的各磁区(70、72)，强化由此到达上述再生层的泄漏磁场，将该抽出的磁区复制在上述再生层内，上述阻断层阻断从上述栅/磁场强化层至上述再生层的交换耦合力。
2．根据权利要求1所述的光磁记录媒体，其特征在于上述栅/磁场强化层包括有选择地抽出上述各磁区的栅层(6、150、151)；以及在上述阻断层和上述栅层之间形成的用来强化上述泄漏磁场的磁场强化层(5)。
3．根据权利要求2所述的光磁记录媒体，其特征在于上述磁场强化层在再生温度下具有比上述栅层的饱和磁场强度大的磁饱和强度。
4．根据权利要求3所述的光磁记录媒体，其特征在于上述栅层在室温下沿平面方向磁化，而且在上述再生温度以上时沿垂直方向磁化，上述磁场强化层的磁饱和强度在比上述再生温度高的温度下变为最大。
5．根据权利要求4所述的光磁记录媒体，其特征在于上述栅层实质上由含有22至30at.％的Gd的GdFeCo构成，上述磁场强化层实质上由含有16至23at.％的Gd的GdFeCo构成。
6．根据权利要求1所述的光磁记录媒体，其特征在于上述栅/磁场强化层在再生温度下呈现从上述记录层一侧朝向再生层一侧增大的磁饱和强度。
7．根据权利要求6所述的光磁记录媒体，其特征在于上述栅层含有稀土类金属，其含有率从上述记录层一侧向上述阻断层一侧减少。
8．根据权利要求1所述的光磁记录媒体，其特征在于上述阻断层实质上由非磁性材料构成。
9．根据权利要求1所述的光磁记录媒体，其特征在于上述阻断层实质上由具有比上述光磁记录媒体中被激光(LB)升温的部分的最高温度低的居里温度的磁性材料构成。
10．根据权利要求1所述的光磁记录媒体，其特征在于上述阻断层在室温下沿垂直方向磁化，而且在比上述最高温度低的温度以上时沿平面方向磁化。
11．根据权利要求1所述的光磁记录媒体，其特征在于上述栅层包括在室温下沿平面方向磁化，而且在上述再生温度以上时沿垂直方向磁化的第一掩蔽层(150)，以及在室温下沿垂直方向磁化，而且在比上述再生温度高的温度以上时沿平面方向磁化的第二掩蔽层(151)。
全文摘要
在包括记录层(7)及再生层(3)的磁区扩大再生方式的光磁记录媒体中,在记录层上形成有选择地抽出记录层内的各磁区的栅层(6),在栅层上形成强化到达再生层的泄漏磁场的磁场强化层(5),再在磁场强化层上形成阻断从磁场强化层加到再生层的交换耦合力的阻断层(4)。
文档编号G11B11/105GK1287663SQ99801981
公开日2001年3月14日 申请日期1999年8月18日 优先权日1998年8月31日
发明者山口淳, 高木直之, 三谷健一郎, 野口仁志 申请人:三洋电机株式会社