专利名称：带源线电压补偿的闪存写入电路的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及闪存写入电路，具体涉及带源线电压补偿的闪存写入电路。
背景技术：
闪存(Flash)，由于其轻巧且在断电的情况下仍可保存数据，因此在便携电子装置中的应用非常广泛，例如手机、数码相机、MP3播放器等。而目前闪存中普遍使用的存储单元为分裂栅极存储单元，其横截面如
图1所示，漏极11与源极12在衬底10上被沟道区13 隔开，在源极12与沟道区13上方设置一个处于绝缘材料，如二氧化硅层14的包围之中不与任何部分相连的栅极，称为“浮栅” 15，在浮栅15和沟道区13上方设置另一个栅极，由导线引出，称为“控制栅” 16。通常情况下，浮栅15不带电荷，则存储单元处于不导通状态，存储单元的漏极电平为高，例如为Vcc，则表示数据1。写入时，存储单元的源极12加上编程电压Vpp，控制栅16加上开启电压，漏极11电压接近OV且电流为Idp。这样大量电子从漏极11流向源极12，形成相当大的电流，产生大量热电子，并从衬底10俘获电子，由于电子的密度大，有的电子就到达了衬底10与浮栅15之间的二氧化硅层14，这时由于控制栅16加有电压，在电场作用下，这些电子又通过二氧化硅层到达浮栅15，并在浮栅15上形成电子团。浮栅15上的电子团即使在掉电的情况下，仍然会存留在浮栅15上，所以信息能够长期保存，通常来说，这个时间可达10年。由于浮栅15电压为负，所以控制栅16电压为正，在存储单元写入电路中，漏极电压接近0V，所以相当于存储单元导通，漏极电平为低，即数据 0被写入。多位存储器由加在控制栅上的不同级电压来控制，譬如二位存储器，00，01，10，11 需要3个额外的电压。图2为分裂栅极存储单元的等效电路图，选择晶体管21与存储晶体管22串联在源线(SL)与位线(BL)之间，并且选择晶体管选择栅211与存储晶体管控制栅221由字线 (WL)来控制，在存储单元导通时，浮栅222捕获电子并存储，执行完写入过程。分裂栅极存储单元的写入操作对应的各端电流电压如下
权利要求
1.一种带源线电压补偿的闪存写入电路，与闪存相连，所述带源线电压补偿的闪存写入电路包括电荷泵；稳压模块，输入端与所述电荷泵输出端相连；源线电压模式补偿模块，输入端与稳压模块输出端相连；第一开关，输入端与所述源线电压模式补偿模块输出端相连；第一源线驱动模块，输入端与所述第一开关输出端相连，输出端与闪存第一输入端相连；字线选择模块，输出端与闪存第二输入端相连； 位线选择模块，输出端与闪存第三输入端相连； 编程电流产生模块，输出端与位线选择模块输入端相连；其特征在于，所述带源线电压补偿的闪存写入电路还包括第二源线驱动模块，第二开关，电流镜像电路与源线电压监测模块，所述第二开关输入端与第一开关输入端连接，所述第二源线驱动模块输入端与第二开关输出端连接，所述第二源线驱动模块和第一源线驱动模块相同，所述第二开关与所述第一开关相同，所述电流镜像电路第一端与编程电流产生模块位线电流端相连，电流镜像电路第二端与所述第二源线驱动模块输出端相连，所述源线电压监测模块与所述第二源线驱动模块输出端连接。
2.根据权利要求1所述的带源线电压补偿的闪存写入电路，其特征在于，所述闪存由多行和多列存储单元组成，所述存储单元为分裂栅极存储单元，所述分裂栅极存储单元栅极与字线相连，所述分裂栅极存储单元漏极与位线相连，所述分裂栅极存储单元源极与源线相连。
3.根据权利要求1或2所述的带源线电压补偿的闪存写入电路，其特征在于，所述第二开关为一 PM0S，所述PMOS源极与第一开关输入端连接，漏极与第二源线驱动模块输入端连接。
4.根据权利要求3所述的带源线电压补偿的闪存写入电路，其特征在于，所述第二源线驱动模块包括多个PM0S，所述PMOS的个数等于存储单元所连字线数目与分配因子的商向上取整所得的值，所述多个PMOS漏极与第二开关PMOS漏极连接，源极与源线电压监测模块数据端连接。
5.根据权利要求4所述的带源线电压补偿的闪存写入电路，其特征在于，所述分配因子为2。
6.根据权利要求4所述的带源线电压补偿的闪存写入电路，其特征在于，所述分配因子为4。
7.根据权利要求4所述的带源线电压补偿的闪存写入电路，其特征在于，所述分配因子为8。
8.根据权利要求1或2所述的带源线电压补偿的闪存写入电路，其特征在于，所述电流镜像电路包括第一 NMOS和第二 NM0S，所述第一 NMOS和第二 NMOS栅极相连且源极接地， 所述第一 NMOS栅极与漏极相连且漏极与编程电流产生模块位线电流端相连，所述第二源线驱动模块输出端与第二 NMOS漏极相连，所述第一 NMOS栅极宽长比和所述第二 NMOS栅极宽长比之间的比例等于编程电流产生模块产生的位线电流和流过第一开关与第一源线驱动模块的电流之间的比例。
9.根据权利要求1或2所述的带源线电压补偿的闪存写入电路，其特征在于，所述源线电压监测模块为一 NM0S，源极与所述第二源线驱动模块输出端相连，漏极为源线电压监测端。
10.根据权利要求1或2所述的带源线电压补偿的闪存写入电路，其特征在于，所述闪存写入电路还包括比较器，所述比较器第一个输入端与源线电压监测模块数据端相连，第二个输入端接收参考电压，输出端与电荷泵相连。
全文摘要
一种带源线电压补偿的闪存写入电路，包括电荷泵；稳压模块；源线电压模式补偿模块；第一开关；第一源线驱动模块；字线选择模块；位线选择模块；编程电流产生模块；源线电压监测模块；第二源线驱动模块，第二开关与电流镜像电路，所述第二源线驱动模块和第一源线驱动模块相同，所述第二开关与所述第一开关相同，所述电流镜像电路第一端与编程电流产生模块位线电流端相连，电流镜像电路第二端与所述第二源线驱动模块输出端连接。本发明的写入电路可以避免源线监测模块监测到的电压达到闪存存储单元的最低写入电压，而实际电路中闪存存储单元的电压低于最低写入电压造成存储单元未正确写入的问题。
文档编号G11C7/10GK102270491SQ20111005835
公开日2011年12月7日 申请日期2011年3月10日 优先权日2011年3月10日
发明者杨光军 申请人:上海宏力半导体制造有限公司