磁记录介质和磁记录装置的利记博彩app

专利名称：磁记录介质和磁记录装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及磁记录介质和磁记录装置，尤其涉及适合利用热辅助磁记录来记录信
息的用途的磁记录介质和磁记录装置。
背景技术：
在硬盘驱动器(HDD)等的磁记录装置的大容量、低成本化中，记录介质中的记录 密度的提高是必不可少的。HDD是用作为记录层的磁性薄膜上的磁性粒子(由一个或多个 晶粒构成的磁性团簇)的磁化状态作为数据的位信息的装置，但为了提高记录密度，需要 縮小磁性粒子。但是，如果磁性粒子过于縮小，则热稳定性大幅度降低，记录的磁化方向会 发生紊乱，记录的信息会消失，所以把磁性粒子縮小是有限度的，而且认为现状是已经接近 其极限。 如果设磁各向异性能为Ku、磁性粒子的体积为V，则磁性粒子的磁能用Ku *V表示。 如果与热能KB *T (KB :玻耳兹曼常数、T :温度)相比，磁能足够大，则保证磁性粒子的磁化的 热稳定性，所以也认为通过在记录层中使用磁各向异性能Ku比现有技术大的磁性材料可以 促进磁性粒子的进一步縮小。此时，由于磁各向异性能与磁性粒子的矫顽力成比例，所以此 时为了记录必须把由磁头产生的记录磁场强度增大到现有技术以上。但是，即使增大记录 磁场强度，记录磁场强度现在也已经接近其技术上的极限。 于是，为了解决该问题，近年来开始研究热辅助磁记录方式。它是这样一种记录方 式，即，利用磁性材料的矫顽力在成为高温时降低的现象，通过使用磁各向异性能大的磁性 材料并在记录时用激光等加热磁性粒子，即使用现有程度的记录磁场强度也能够进行磁记 录，通过随后的冷却以高的矫顽力保证了热稳定性。但为了使热辅助磁记录方式实用化，问 题也很多(参照非专利文献1)。〈非专利文献1>庄野敬二、押木满雅，"热辅助磁记录的现状和问题"，日本应用磁 学会会刊，2005年，第29巻第l期，第5 13页。 为了使热辅助磁记录方式实用化，有效的磁性粒子的加热、冷却法是特别重要的 问题。如果解决不了该问题，则加热、记录后的磁性粒子保持高温而降低热稳定性，或者热 还传导到为了记录而加热了的磁性粒子周边的磁性粒子而使周边磁性粒子的热稳定性降 低，记录的信息消失。

发明内容
本发明正是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供在使用热辅助记录方式 的HDD用磁记录介质中，为了磁记录而高效率地加热、冷却记录层内的磁性粒子，且确保记 录时被加热的磁性粒子及该磁性粒子的周边磁性粒子的热稳定性，抑制磁记录消失，且高 密度、高可靠性的磁记录介质和使用了它的磁记录装置。 本发明的使用热辅助记录方式的HDD用磁记录介质，在记录层的上部配置由具有 不同热传导率的多个材料构成的热传导层，此时，在记录层的数据记录区上部配置由多个材料中的热传导率最高的材料构成的薄膜。然后，在热传导层内，在由高热传导率材料构成 的薄膜之间配置由与多个材料中的热传导率最高的材料相比热传导率相对较低的材料构 成的薄膜。 由此，在用激光等加热时，把热有效地传导到数据记录区，在非加热时从数据记录 区有效地除去热。 根据本发明，能够提供在使用热辅助记录方式的HDD用磁记录介质中，为了磁记 录而高效率地加热、冷却记录层内的磁性粒子，且确保记录时被加热的磁性粒子及该磁性 粒子的周边磁性粒子的热稳定性，抑制磁记录消失，且高密度、高可靠性的磁记录介质和使 用了它的磁记录装置。


图1是根据本发明的实施方式1的磁记录介质的径向的剖面图。
图2是磁记录介质8的平面图。 图3是示出整面介质中的记录层3的样子的平面图。 图4是根据本发明的实施方式1的磁记录介质的热传导层的平面图(其一 )。 图5是在图1所示的磁记录介质中，在由高热传导率的材料构成的薄膜6与由低
热传导率的材料构成的薄膜7的界面上设置了扩散阻挡层300时的剖面图。 图6是在图1所示的磁记录介质中，在衬底1与基底层2之间设置了籽层时的剖面图。 图7是在图6所示的磁记录介质中的基底层2中，构成为在第一基底层100与第 二基底层101之间夹着记录磁化稳定化层10时的剖面图。 图8是在图1所示的磁记录介质中，在保护膜5中设置了由高热传导率的材料构 成的薄膜6时的剖面图。 图9是在图1所示的磁记录介质中，在保护膜5中设置了由低热传导率的材料构 成的薄膜7时的剖面图。 图IO是在图l所示的磁记录介质中，热传导层4兼具保护膜5的功能并省略了保 护膜5时的剖面图。 图11是根据本发明的实施方式1的磁记录介质的热传导层的平面图(其二)。
图12是用来说明根据本发明的实施方式1的磁记录介质的制造工序的剖面图 (其一)。 图13是用来说明根据本发明的实施方式1的磁记录介质的制造工序的剖面图 (其二)。 图14是用来说明根据本发明的实施方式1的磁记录介质的制造工序的剖面图 (其三)。 图15是用来说明根据本发明的实施方式1的磁记录介质的制造工序的剖面图 (其四)。 图16是包括根据本发明的实施方式1的磁记录介质的磁记录装置的立体图。
图17是根据本发明的实施方式2的磁记录介质的径向的剖面图(其一 )。
图18是根据本发明的实施方式2的磁记录介质的径向的剖面图(其二 )。
图19是根据本发明的实施方式2的磁记录介质的径向的剖面图(其三)。
图20是根据本发明的实施方式2的磁记录介质的径向的剖面图(其四)。
图21是根据本发明的实施方式2的磁记录介质的径向的剖面图(其五)。
图22是根据本发明的实施方式2的磁记录介质的径向的剖面图(其六)。
图23是根据本发明的实施方式2的磁记录介质的径向的剖面图(其七)。
图24是示出离散磁道介质中的记录层的样子的平面图。
图25是根据本发明的实施方式3的磁记录介质的径向的剖面图(其一 )。
图26是根据本发明的实施方式3的磁记录介质的径向的剖面图(其二 )。
图27是根据本发明的实施方式4的磁记录介质的径向的剖面图(其一 )。
图28是根据本发明的实施方式4的磁记录介质的径向的剖面图(其二 )。
图29是示出已构图的介质中的记录层的样子的平面图。 图30是根据本发明的实施方式5的磁记录介质的圆周方向的剖面图(其一 )。
图31是根据本发明的实施方式5的磁记录介质的圆周方向的剖面图(其二 )。
图32是根据本发明的实施方式6的磁记录介质的圆周方向的剖面图(其一 )。
图33是根据本发明的实施方式6的磁记录介质的圆周方向的剖面图(其二 )。
(附图标记说明) 1 :衬底;2、21、100、101、200、201 :基底层;3、22 :记录层;4 :热传导层；5、保护膜;6 :高热传导率薄膜；7 :低热传导率薄膜；8 :磁记录介质；9 :籽层；10、27 :记录磁化稳定化层；11 :光刻胶；12 :低热传导率材料埋入用沟部；13 :主轴；14 :滑块；15 :悬臂；16 :音圈马达；17 :信号处理用LSI ;18 :半导体激光用封装；19 :波导；20、24、26 :软磁性层；23 :预涂层；25 :磁耦合层;28、30 :记录磁道;29、31 :记录磁道以外的磁道;32、33 :记录区；34 :记录区以外的区域；300 :扩散阻挡层。
具体实施例方式
下面，用图1 33说明根据本发明的各实施方式。
(实施方式1) 下面，用图1 16说明根据本发明的实施方式1。 图1是根据本发明的实施方式1的磁记录介质的径向的剖面图。 图2是磁记录介质8的平面图。 图3是示出整面介质中的记录层3的样子的平面图的一部分。 图4是根据本发明的实施方式1的磁记录介质的热传导层的平面图(其一 )。 图5是在图1所示的磁记录介质中，在由高热传导率的材料构成的薄膜6与由低
热传导率的材料构成的薄膜7的界面上设置了扩散阻挡层300时的剖面图。 图6是在图1所示的磁记录介质中，在衬底1与基底层2之间设置了籽层时的剖面图。 图7是在图6所示的磁记录介质中的基底层2中，构成为在第一基底层100与第二基底层101之间夹着记录磁化稳定化层10时的剖面图。 图8是在图1所示的磁记录介质中，在保护膜5中设置了由高热传导率的材料构成的薄膜6时的剖面图。
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图9是在图1所示的磁记录介质中，在保护膜5中设置了由低热传导率的材料构成的薄膜7时的剖面图。 图IO是在图l所示的磁记录介质中，热传导层4兼具保护膜5的功能并省略了保护膜5时的剖面图。 图11是根据本发明的实施方式1的磁记录介质的热传导层的平面图(其二 )。
图12 15是用来说明根据本发明的实施方式1的磁记录介质的制造工序的剖面图。 图16是包括根据本发明的实施方式1的磁记录介质的磁记录装置的立体图。 本实施方式的基本的磁记录介质形成为圆片状，其径向的剖面图如图1所示。它
是图2的平面图中的沿A-A'的剖面的一部分。图l所示的磁记录介质，在衬底l上具有基
底层2，在该基底层2上具有记录层3。另外，在该记录层3上形成热传导层4，在该热传导
层4上形成保护膜5。另外，在保护膜5上涂敷了润滑材料，但图中省略了。 如作为其平面图的一部分的图3所示，记录层3的整个面由磁性体构成(暂时把
它称为"整面介质")。 另外，热传导层4，其特征在于，像表示图4的磁记录介质的热传导层的平面图的一部分所示那样，由具有热传导率相互不同的多个材料构成，在记录层3内的进行数据记录的磁道上部具有由多个材料中的热传导率最高的材料构成的薄膜(以下也简称为"高热传导率薄膜")6，热传导层内的其它部分由多个材料中的热传导率比高传导率材料相对较低的材料构成的薄膜(以下也简称为"低热传导率薄膜")7构成。此时，如图4所示，有高热传导率薄膜6被配置成在圆片状的磁记录介质的径向上离散而在圆周方向上连续。由此，通过该高热传导率薄膜6，为了记录数据而加热时把热有效地传导到数据记录区，在非加热时有效地除去热。另外，在除了具有记录时被加热了的区域的磁道以外的磁道上，因为在磁道上部的高热传导率薄膜6之间配置的低热传导率薄膜7而难以传导热，可以确保磁性粒子的磁记录的热稳定性，抑制磁记录消失。 在此，衬底1是例如玻璃衬底、铝衬底、铝合金衬底等。记录层3由CoCrPt、CoCrPt-Si(^等、磁性合金、磁性合金与氧化物等的颗粒膜、或者向它们添加了添加元素得到的材料等构成。另外，基底层2，优选地，由包含Cr、W、Mo等、具有体心立方结构的材料构成。由此，提供记录层3的磁性原子的容易磁化轴相对于衬底面在水平方向上取向、水平磁各向异性强、稳定的水平磁记录介质。另外，保护膜5由包含类金刚石碳、氧化硅、氮化硅、氧化铝等的材料形成。另外，由多个材料构成的热传导层4内的高热传导率薄膜6由包含铜、银、金、铝、金刚石、类金刚石碳、碳纳米管等的材料形成，低热传导率薄膜7由包含氧化硅、氮化硅、氧化铜、氧化铝等的材料形成。另外，优选地，高热传导率薄膜6的材料的热传导率比记录层3的构成材料高，低热传导率薄膜7的材料的热传导率比记录层3的构成材料低。由此，可以有效地进行加热和记录后的除热。另外，优选地，热传导层4具有例如1 10nm的膜厚。 其次，作为热传导层4的另一构成，也可以在高热传导率薄膜6与低热传导率薄膜7的界面区域、或热传导层4与记录层3的界面区域、或热传导层4与保护膜5的界面区域中的一个或多个界面上，为了抑制构成热传导层的材料的扩散而形成扩散阻挡层。例如，在图1所示的磁记录介质中，在高热传导率薄膜6与低热传导率薄膜7的整个界面上形成扩散阻挡层300时的径向的剖面图如图5所示。另外，该扩散阻挡层300，例如，由包含氮化钛、氮化钽、钨、钌等的材料构成。另外，优选地，扩散阻挡层300具有例如1 10nm的膜厚。
其次，本实施方式中的磁记录介质的另一构成，也可以是，像图6中示出其径向的剖面那样，在衬底1上具有籽层9，在该籽层9上具有基底层2，在基底层2上具有记录层3。此时，与没有籽层9时相比，基底层2的体心立方结构的(100)晶面容易与衬底面平行地生长，因此基底层上的记录层的磁性原子的容易磁化轴也容易相对于衬底面在水平方向上取向。另外，籽层9由Ni合金等构成。或者，也可以是，像图7中示出其径向的剖面那样，在衬底1上具有籽层9，在该籽层9上具有第一基底层IOO，在该第一基底层100上具有由磁性材料构成的记录磁化稳定化层IO，而且在该记录磁化稳定化层IO上具有第二基底层101的结构。此时，第二基底层101还起到磁耦合层的作用，通过使记录磁化稳定化层10的磁矩与记录层3的磁矩反铁磁性耦合，可以成为热稳定性更好的磁记录介质。另外，虽然图中未示出，也可以在基底层100上交替地具有多层记录磁化稳定化层和非磁性的磁耦合层。
其次，本实施方式的磁记录介质的保护膜5的另一构成，也可以是，像图8中示出其径向的剖面那样，作为保护膜5，使用低热传导率的包含氧化硅、氮化硅、氧化铝等的材料，与热传导层4的低热传导率薄膜成为一体的结构；像图9中示出其径向的剖面那样，作为保护膜5，使用高热传导率的类金刚石碳等的材料，与热传导层4的高热传导率薄膜成为一体的结构；像图10中示出其径向的剖面那样，作为热传导层的高热传导率薄膜6的材料，使用能够兼作保护膜5的类金刚石碳等的材料，作为低热传导率薄膜7的材料，使用能够兼作保护膜的包含氧化硅、氮化硅、氧化铝等的材料的结构。这些图8 图10的结构的磁记录介质，与图1所示的磁记录介质相比，具有能够减小工艺的工序数目的优点。
其次，本实施方式中的磁记录介质的另一构成，也可以是，像图11的表示磁记录介质的热传导层4的一部分的平面图所示那样，热传导层4由多个材料构成，将记录层3内的进行数据记录的磁道在圆周方向上离散地区分成磁记录区和其它区域，在磁记录区上部具有多个材料中的高热传导率薄膜6，热传导层4的其它部分由低热传导率薄膜7构成。此时，如图11所示，在磁记录介质的径向、圆周方向上都离散地配置有高热传导率薄膜6，能够仅对于数据记录磁道的磁记录区特别有效地加热、除热。另外，即使在同一磁道内，因为在除了被加热了的磁记录区以外的记录区上，在记录区上部的高热传导率薄膜6之间配置的低热传导率薄膜7而难以传导热，可以进一步提高磁性粒子的磁记录的热稳定性。
下面，说明本实施方式的磁记录介质的制造方法的一例。在此，用图12 图15说明具有图6的结构的磁记录介质的制造方法。首先，在衬底1上用镀敷法、溅射法、CVD(化学汽相沉积)法等形成籽层9。然后，用溅射法、CVD法等依次形成基底层2、记录层3。此时，为了使各层平坦，也可以用CMP(化学机械抛光)法等。然后，用溅射法、CVD法等，如图12所示，在记录层3上形成热传导层的高热传导率薄膜6，涂敷构图用的光刻胶11 。
然后，用光刻、显影，如图13所示，除去要用蚀刻除去的高热传导率薄膜6上部的光刻胶ll。然后，如图14所示，进行蚀刻之后，用丙酮等的溶液除去残留的光刻胶11。然后，如图15所示，在形成的沟部12中用溅射法、CVD法等埋入低热传导率薄膜7，用CMP法等进行表面的平坦化。然后，用溅射法、CVD法等，形成保护膜5，制造图6所示的磁记录介质。另外，在实际的制造工艺中，随后在图6的介质上涂敷润滑材料，但图中省略了。
本实施方式的适合热辅助记录方式的磁记录介质，以例如图16所示的方式作为磁记录装置使用。图16具有本实施方式的磁记录介质8、主轴13、磁头、搭载了加热元件的滑块14。滑块14被保持在悬臂15上，利用音圈马达16针对磁盘上的所希望的磁道进行定位。用信号处理用LSI 17处理向磁头发送的记录信号或用磁头读出的再生信号。在悬臂上固定半导体激光用封装18，利用波导19把由它产生的激光传送到加热元件，利用由加热元件产生的近场光加热磁记录介质的所希望的记录磁道。
(实施方式2) 下面，用图17 图23说明根据本发明的实施方式2。 图17 图23是根据本发明的实施方式2的磁记录介质的径向的剖面图。 实施方式1假设的是，记录层内的磁性原子的容易磁化轴相对于衬底面在水平方
向上取向、记录磁化朝着水平方向的所谓水平磁记录方式。 与此相对，本实施方式用于记录层内的磁性原子的容易磁化轴相对于衬底面在垂直方向上取向、记录磁化朝着垂直方向的所谓垂直磁记录方式。 本实施方式的基本的磁记录介质形成为圆片状，其径向的剖面如图17所示。它是图2的平面图中的沿A-A'的剖面的一部分。图17所示的磁记录介质，在衬底1上具有软磁性层20，在软磁性层20上具有基底层21，在该基底层21上具有记录层22，然后，在记录层22上形成有热传导层4，在热传导层4上形成有保护膜5。另外，在保护膜5上涂敷了润滑材料，但图中省略了。 记录层22是实施方式1的图3所示的、整个面由磁性体构成的整面介质。
热传导层4，像表示图4的磁记录介质的热传导层4的一部分的平面图所示那样，具有与实施方式1的热传导层4同样的结构，通过高热传导率薄膜6，为了记录数据而加热时把热有效地传导到数据记录区，在非加热时有效地除去热。另外，在除了具有记录时被加热了的区域的磁道以外的记录磁道上，因为在记录磁道上部的高热传导率薄膜6之间配置的低热传导率薄膜7而难以传导热，可以确保磁性粒子的磁记录的热稳定性，抑制磁记录消失。衬底1是例如玻璃衬底、铝衬底、铝合金衬底等。软磁性层20由NiFe、FeTaC、CoTaZr等、铁合金、镍合金、钴合金等构成。另外，记录层22由CoCrPt、CoCrPt-Si02等、磁性合金、磁性合金与氧化物等的颗粒膜、或者向它们添加了添加元素得到的材料等构成。另外，基底层21，优选地，由包含Ru、0s、Re等、具有密排六方结构的材料构成。由此，提供记录层的磁性原子的容易磁化轴相对于衬底面在垂直方向上取向、垂直磁各向异性强、稳定的垂直磁记录介质。另外，保护膜5由包含类金刚石碳、氧化硅、氮化硅、氧化铝等的材料形成。另外，优选地，热传导层4是与实施方式1同样的材料构成。由此，可以有效地进行加热和记录后的除热。另外，优选地，热传导层4具有例如1 10nm的膜厚。 其次，作为热传导层4的另一构成，也可以在高热传导率薄膜6与低热传导率薄膜7的界面区域、或热传导层4与记录层3的界面区域、或热传导层4与保护膜5的界面区域中的一个或多个界面上，为了抑制构成热传导层的材料的扩散而形成扩散阻挡层。另外，该扩散阻挡层，例如，由包含氮化钛、氮化钽、钨、钌等的材料构成。另外，优选地，扩散阻挡层具有例如1 10nm的膜厚。 其次，本实施方式中的磁记录介质的另一构成，也可以是，像图18中示出其径向的剖面那样，在衬底1上具有预涂层23，在该预涂层23上具有软磁性层20，在该软磁性层20上具有基底层21，在该基底层上具有记录层22，然后在记录层22上形成有热传导层4，在热传导层4上形成有保护膜5的结构。在衬底1是玻璃衬底时，预涂层23是NiTa、NiTaZr等的合金；在衬底1是铝衬底、铝合金衬底时，由与这些衬底材料组成不同的铝合金等构成。此时，与没有预涂层23时相比，提高与衬底的紧密结合性。 其次，本实施方式中的磁记录介质的另一构成，也可以是，像图19中示出其径向的剖面图那样，在衬底1上具有预涂层23，在该预涂层23上具有第一软磁性层24，在该第一软磁性层24上具有磁耦合层25，在该磁耦合层25上具有第二软磁性层26，在该第二软磁性层26上具有基底层21，在该基底层21上具有记录层22，然后在记录层22上形成有热传导层4，在该热传导层4上形成有保护膜5的结构。此时，通过使第一软磁性层24的磁矩与第二软磁性层26的磁矩反铁磁性耦合，能够降低来自软磁性层的磁噪声。另外，上述磁耦合层25由包含Ru、Os、Re等的非磁性材料构成。另外，虽然图中未示出，也可以在预涂层23上交替地具有多层软磁性层和磁耦合层。 其次，本实施方式中的磁记录介质的另一构成，也可以是，像图20中示出其径向的剖面图那样，在第一基底层200上具有由磁性材料构成的记录磁化稳定化层27，在该记录磁化稳定化层27上具有第二基底层201的结构。此时，第二基底层201还起到磁耦合层的作用，通过使记录磁化稳定化层27的磁矩与记录层22的磁矩反铁磁性耦合，可以成为热稳定性更好的磁记录介质。另外，虽然图中未示出，也可以在第一基底层200上交替地具有多层记录磁化稳定化层和非磁性的磁耦合层。 其次，本实施方式的磁记录介质的保护膜5的另一构成，在图17所示的记录介质的构成中，也可以是，像图21中示出其径向的剖面图那样，作为保护膜5，使用低热传导率的包含氧化硅、氮化硅、氧化铝等的材料，与热传导层的低热传导率薄膜成为一体的结构；像图22中示出其径向的剖面那样，作为保护膜5，使用高热传导率的类金刚石碳等的材料，与热传导层的高热传导率薄膜成为一体的结构；像图23中示出其径向的剖面那样，作为热传导层的高热传导率薄膜6的材料，使用能够兼作保护膜的类金刚石碳等的材料，作为低热传导率薄膜7的材料，使用能够兼作保护膜的包含氧化硅、氮化硅、氧化铝等的材料的结构。另外，这些图21 图23的结构的磁记录介质，与图17所示的磁记录介质相比，具有能够减小工艺的工序数目的优点。 另外，本实施方式中的磁记录介质，也可以是，像图11的表示磁记录介质的热传导层4的一部分的平面图所示那样，热传导层4由多个材料构成，将记录层22内的进行数据记录的磁道在圆周方向上区分成磁记录区和其它区域，在磁记录区上部具有多个材料中的高热传导率薄膜6，热传导层4的其它部分由上述多个材料中的低热传导率薄膜7构成。此时，具有能够仅对于数据记录磁道的磁记录区特别有效地加热、除热的优点。另外，即使在同一磁道内，在除了被加热了的磁记录区以外的记录区上，因为在记录区上部的高热传导率薄膜之间配置的低热传导率材料而难以传导热，可以进一步提高磁性粒子的磁记录的热稳定性。 本实施方式的磁记录介质能够用例如，与实施方式1中记载的方法类似的制造方法制造。另外，本实施方式的磁记录介质，与实施方式1同样地，以例如图16所示的方式作为磁记录装置使用。[OOSS](实施方式3) 下面，用图24 图26说明根据本发明的实施方式3。
图24是示出离散磁道介质中的记录层的样子的平面图的一部分。 图25和图26是根据本发明的实施方式3的磁记录介质的径向的剖面图。 实施方式1中，磁记录介质以水平磁记录方式记录，由记录层3全部用磁性体构成
的整面介质构成。 与此相对，本实施方式是，以水平磁记录方式记录，由在记录层3内，记录磁道的
部分用磁性材料、记录磁道以外的区域用非磁性材料的所谓离散磁道介质构成。 首先，用图24简单地说明离散磁道介质的结构。 离散磁道介质是，记录层3的记录中使用的记录磁道28用磁性材料、它们之间的 沟状的记录磁道以外的部分29用非磁性材料而构成的圆片状的介质。该离散磁道介质，由 于记录磁道被磁气分离地形成，所以能够减轻相邻磁道的磁影响和热波动现象，能够期待 高的记录密度。 本实施方式的基本的磁记录介质形成为圆片状，其径向的剖面如图25所示。它是 图2的平面图中的沿A-A'的剖面的一部分。本实施方式的磁记录介质成为如下结构与 实施方式1的图1所示的磁记录介质相比，记录层3以外的部分相同，记录层3的部分如图 25所示，成为如下结构记录磁道28由磁性材料构成，记录磁道以外的磁道29由非磁性材 料构成，且成为这些材料在圆周方向上连续的所谓离散磁道结构。此时，由于记录磁道间被 磁气分离，能够更加降低周边磁道的记录磁化造成的磁气作用(噪声)。记录磁道28由与 实施方式1中的记录层3同样的材料构成。从工艺简单化、减少层间剥离的角度出发，优选 地，由非磁性材料构成的记录磁道以外的磁道29由具有与基底层2同样结构的材料构成， 或者由与低热传导率薄膜7同样的材料构成。 其次，本实施方式中的磁记录介质的另一构成，也可以是，像图26中示出其径向 的剖面那样，除了记录磁道28上部以外在记录磁道28侧部也具有高热传导率薄膜6的结 构。此时，可以比图25的结构更加有效地对记录磁道加热、除热。 另外，本实施方式的磁记录介质，也可以是，在实施方式1的图5 图10中所示的 任一个磁记录介质中，记录层3以外的部分相同，记录层3的部分是如图25或图26所示的 结构。 另外，本实施方式中的磁记录介质，也可以是，像图11的表示热传导层的一部分 的平面图所示那样，热传导层4由多个材料构成，记录磁道28在圆周方向上区分成记录区 和其它区域，在记录区上部具有由多个材料中的热传导率最高的材料6构成的薄膜，热传 导层4的其它部分由多个材料中的低热传导率薄膜7构成的结构；或者，在记录区上部和侧 部(记录层3内的记录区邻接部)都具有高热传导率薄膜6的结构。在这些情况下，具有 能够仅对于记录磁道的记录区特别有效地加热、除热的优点。另外，即使在同一磁道内，在 除了被加热了的记录区以外的记录区上，因为在记录区上部的高热传导率薄膜6之间配置 的低热传导率薄膜7而难以传导热，可以进一步提高磁性粒子的磁记录的热稳定性。
本实施方式的磁记录介质能够用例如与实施方式1中记载的方法类似的制造方 法制造。另外，本实施方式的磁记录介质，与实施方式1同样地，以例如图16所示的方式作 为磁记录装置使用。
(实施方式4) 下面，用图27和图28说明根据本发明的实施方式4。
图27和图28是根据本发明的实施方式4的磁记录介质的径向的剖面图。 实施方式2中，磁记录介质以垂直磁记录方式记录，由记录层22全部用磁性体构
成的整面介质构成。 与此相对，本实施方式是，圆片状的磁记录介质以垂直磁记录方式记录，由在记录 层22内，记录磁道的部分用磁性材料、记录磁道以外的区域用非磁性材料的所谓离散磁道 介质构成。 本实施方式的基本的磁记录介质形成为圆片状，其径向的剖面图如图27所示。它 是图2的平面图中的沿A-A'的剖面的一部分。本实施方式的磁记录介质，与实施方式2的 图17所示的磁记录介质相比，记录层3以外的部分相同，记录层3的部分是如图27所示那 样，记录磁道30由磁性材料构成、记录磁道以外的磁道31由非磁性材料构成的结构，是这 些材料在圆周方向上连续的所谓离散磁道结构。此时，由于记录磁道间被磁气分离，能够更 加降低周边磁道的记录磁化造成的磁气作用(噪声)。记录磁道30由与实施方式2中的记 录层22同样的材料构成。从工艺简单化、减少层间剥离的角度出发，优选地，由非磁性材料 构成的记录磁道以外的磁道31由具有与基底层2同样结构的材料构成，或者由与低热传导 率薄膜7同样的材料构成。 其次，本实施方式中的磁记录介质的另一构成，也可以是，像图28中示出其径向 的剖面那样，除了记录磁道上部以外在记录磁道侧部也具有高热传导率薄膜6的结构。此 时，可以比图27的结构更加有效地对记录磁道加热、除热。 另外，本实施方式的磁记录介质，也可以是，在实施方式2的图18 图23中所示 的任一个磁记录介质中，除记录层22以外的部分相同，记录层22的部分是如图27或图28 所示的结构。 另外，本实施方式中的磁记录介质，也可以是，像图ll的表示热传导层4的一部分 的平面图所示那样，热传导层4由多个材料构成，记录磁道30在圆周方向上区分成记录区 和其它区域，在记录区上部具有多个材料中的高热传导率薄膜6，热传导层4内的其它部分 由多个材料中的低热传导率薄膜7构成的结构；或者，在记录区上部和侧部(记录层内的记 录区邻接部)都具有高热传导率薄膜6的结构。在这些情况下，具有能够仅对于记录磁道 的记录区特别有效地加热、除热的优点。另外，即使在同一磁道内，在除了被加热了的记录 区以外的记录区上，因为在记录区上部的高热传导率薄膜6之间配置的低热传导率薄膜7 而难以传导热，可以进一步提高磁性粒子的磁记录的热稳定性。 本实施方式的磁记录介质能够用例如与实施方式1中记载的方法类似的制造方 法制造。另外，本实施方式的磁记录介质，与实施方式1同样地，以例如图16所示的方式作 为磁记录装置使用。
(实施方式5) 下面，用图29 图31说明根据本发明的实施方式5。 图29是示出已构图的介质中的记录层3的样子的平面图的一部分。 图30和图31是根据本发明的实施方式5的磁记录介质的圆周方向的剖面图。 实施方式3中，磁记录介质以水平磁记录方式记录，由在记录层3内的记录磁道的
部分用磁性材料、记录磁道以外的区域用非磁性材料的所谓离散磁道介质构成。 与此相对，本实施方式是，以水平磁记录方式记录，由在记录层3内，具有记录区的磁道的记录区离散地使用磁性材料，而具有记录区的磁道的记录区以外的区域用非磁性 材料的所谓已构图的介质构成。 首先，用图29简单地说明已构图的介质的结构。 已构图的介质是，在记录层3的记录磁道上离散地配置磁性材料，除此之外的部 分由非磁性材料构成的圆片状的介质。该已构图的介质，虽然制造方法复杂，但与离散磁道 介质相比，能够更加减轻来自周边记录区的磁影响和热波动现象，能够期待高的记录密度。
本实施方式的磁记录介质，与实施方式3的图25所示的磁记录介质相比，记录层3 以外的部分相同，记录层3的部分，如果像图29那样沿记录区中的A-A'剖切则其径向的剖 面图与图25相同，但圆周方向的剖面图(图2所示的磁记录介质8的平面图中的沿B-B' 的剖面的一部分)，在具有记录区的磁道(图29的C-C'剖面)上在径向同样像图30那样 记录区成为离散的，在没有记录区的磁道(图29的D-D'剖面)上是像图31那样的结构的 所谓已构图的介质结构。此时，记录区3，除了磁道间以外，在磁道内也被磁气分离，与离散 磁道介质相比，能够更加降低周边记录区的记录磁化造成的磁气作用(噪声)，对提高密度 有效。 其次，本实施方式中的磁记录介质的另一构成，也可以是，如果像图29那样沿记 录区中的A-A'剖切则其径向的剖面图是实施方式3的图26所示的结构；圆周方向的剖面 图，在具有记录区的磁道上是图30所示的结构，在没有记录区、具有有记录区的磁道之间 的非磁性层29的磁道上是图31所示的结构，在具有记录区的磁道侧部也具有高热传导率 薄膜6的结构。 另外，本实施方式中的磁记录介质，也可以是，像图ll的表示热传导层4的一部分 的平面图所示那样，热传导层4由多个材料构成，在记录层3的记录区上部具有多个材料中 的高热传导率薄膜6，热传导层4的其它部分由多个材料中的低热传导率薄膜7构成。此时， 记录层3，如果像图29那样沿记录区中的A-A'剖切则其径向的剖面图与图25相同，圆周 方向的剖面图，在具有记录区的磁道上在径向同样像图25那样记录区和高热传导率薄膜6 被离散地配置，在没有记录区的磁道上是像图31那样，具有能够仅对于记录区32特别有效 地加热、除热的优点。另外，即使在同一磁道内，在除了被加热了的记录区以外的记录区上， 因为在记录区上部的高热传导率薄膜6之间配置的低热传导率薄膜7而难以传导热，可以 进一步提高磁性粒子的磁记录的热稳定性。 其次，本实施方式中的磁记录介质的另一构成，也可以是，如果像图29那样沿记 录区中的A-A'剖切则其径向的剖面是图26所示的结构；圆周方向的剖面图中，在具有记 录区的磁道上在径向同样像图26那样，在没有记录区、具有有记录区的磁道之间的非磁性 层29的磁道上是图31所示的结构，记录区上部和侧面部全都与高热传导率薄膜6相接，记 录区被高热传导率薄膜6包围的结构。此时，可以更加有效地对记录区加热、除热。
另外，本实施方式的磁记录介质，也可以是，在实施方式1的图5 图10中所示的 任一个磁记录介质中，记录层3以外的部分相同，对于记录层3的部分，如果像图29那样沿 记录区中的A-A'剖切则其径向的剖面图是图25或图26所示的结构；圆周方向的剖面图 为，在具有记录区的磁道上是图30、图25或图26所示的结构，在没有记录区的磁道上是图 31所示的结构。 本实施方式的磁记录介质能够用例如与实施方式1中记载的方法类似的制造方
13法制造。另外，本实施方式的磁记录介质，与实施方式1同样地，以例如图16所示的方式作
为磁记录装置使用。(实施方式6) 下面，用图32和图33说明根据本发明的实施方式6。 图32和图33是根据本发明的实施方式6的磁记录介质的圆周方向的剖面图。 实施方式4中，磁记录介质以垂直磁记录方式记录，由在记录层22内的记录磁道
的部分用磁性材料、记录磁道以外的区域用非磁性材料的所谓离散磁道介质构成。 与此相对，本实施方式是，以垂直磁记录方式记录，由在记录层22内，具有记录区
的磁道的离散的记录区使用磁性材料，而具有记录区的磁道的记录区以外的区域用非磁性
材料的所谓已构图的介质构成。 本实施方式的磁记录介质，与实施方式4的图27所示的磁记录介质相比，记录层 22以外的部分相同，记录层22的部分，如果像图29那样沿记录区中的A-A'剖切则其径向 的剖面图与图27相同，但圆周方向的剖面图(图2所示的本发明的磁记录介质8的平面图 中的沿B-B'的剖面的一部分)，在具有记录区的磁道(图29的C-C'剖面)上在径向同 样像图32那样记录区成为离散，在没有记录区的磁道(图29的D-D'剖面)上是像图33 那样的结构的所谓已构图的介质结构。此时，记录区，除了磁道间以外在磁道内也被磁气分 离，能够更加降低周边记录区的记录磁化造成的磁气作用(噪声)，对提高密度有效。
其次，本实施方式中的磁记录介质的另一构成，也可以是，如果像图29那样沿记 录区中的A-A'剖切则其径向的剖面图是实施方式4的图28所示的结构；圆周方向的剖面 图，在具有记录区的磁道上是图32所示的结构，在没有记录区、具有记录区之间的非磁性 层31的磁道上是图33所示的结构，在具有记录区的磁道侧部也具有高热传导率材料的结 构。 另外，本实施方式中的磁记录介质，也可以是，像图ll的表示热传导层4的一部分 的平面图所示那样，热传导层4由多个材料构成，在记录层22的记录区上部具有多个材料 中的高热传导率薄膜6，热传导层4内的其它部分由多个材料中的低热传导率薄膜7构成。 此时，记录层22，如果像图29那样沿记录区中的A-A'剖切则其径向的剖面图与图27相 同，圆周方向的剖面图为，在具有记录区的磁道上在径向同样像图27那样记录区和高热传 导率薄膜6被离散地配置，在没有记录区的磁道上是像图33那样，具有能够仅对于记录区 特别有效地加热、除热的优点。另外，即使在同一磁道内，在除了被加热了的记录区以外的 记录区上，因为在记录区上部的高热传导率薄膜6之间配置的低热传导率薄膜7而难以传 导热，可以进一步提高磁性粒子的磁记录的热稳定性。 其次，本实施方式中的磁记录介质也可以是，如果像图29那样沿记录区中的 A-A'剖切则其径向的剖面图是图28所示的结构；圆周方向的剖面图为，在具有记录区的 磁道上在径向同样像图28那样，在没有记录区、具有记录区之间的非磁性层31的磁道上是 图33所示的结构，记录区上部和侧面部全都与高热传导率薄膜6相接，记录区被高热传导 率材料包围的结构。此时，可以更加有效地对记录区加热、除热。 另外，本实施方式的磁记录介质，也可以是，在实施方式2的图17 图23中所示 的任一个磁记录介质中，记录层22以外的部分相同，记录层22的部分，如果像图29那样沿 记录区中的A-A'剖切则其径向的剖面图是图27或图28所示的结构；圆周方向的剖面图在具有记录区的磁道上是图32、图27或图28所示的结构，在没有记录区的磁道上是图33 所示的结构。 本实施方式的磁记录介质能够用例如，与实施方式1中记载的方法类似的制造方 法制造。另外，本实施方式的磁记录介质，与实施方式1同样地，以例如图16所示的方式作 为磁记录装置使用。
权利要求
一种磁记录介质，是在衬底上具有基底层，在上述基底层上具有记录层的磁记录介质，其特征在于在上述记录层上配置有热传导层，该热传导层由具有不同热传导率的多个材料构成的薄膜形成，在上述记录层的一部分磁道上配置有由上述多个材料中的热传导率最高的材料构成的第一薄膜，在上述热传导层内，在上述第一薄膜之间配置有由热传导率比上述第一薄膜相对较低的材料构成的第二薄膜。
2. 如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于 上述第一薄膜离散地配置在上述记录层的一部分磁道上。
3. —种磁记录介质，是在衬底上具有基底层、在上述基底层上具有记录层的圆片状的 磁记录介质，其特征在于上述记录层的记录磁道由在径向上离散、在圆周方向上连续的磁性材料形成，上述记 录层的除上述记录磁道以外的区域由非磁性材料形成，在上述记录层上配置有热传导层，该热传导层由具有不同热传导率的多个材料构成的 薄膜形成，在上述记录层的上述记录磁道上配置有由上述多个材料中的热传导率最高的材料构 成的第一薄膜，在上述热传导层内，在上述第一薄膜之间配置有由热传导率比上述第一薄膜相对较低 的材料构成的第二薄膜。
4. 如权利要求3所述的磁记录介质，其特征在于 上述第一薄膜离散地配置在上述记录层的上述记录磁道上。
5. —种磁记录介质，是在衬底上具有基底层，在上述基底层上具有记录层的圆片状的磁记录介质，其特征在于上述记录层的记录磁道的记录区在径向、圆周方向上都由磁性材料离散地形成，上述 记录层的除上述记录区以外的区域由非磁性材料形成，在上述记录层上配置有热传导层，该热传导层由具有不同热传导率的多个材料构成的 薄膜形成，在上述记录层的上述记录磁道上配置有由上述多个材料中的热传导率最高的材料构 成的第一薄膜，在上述热传导层内，在上述第一薄膜之间配置有由热传导率比上述第一薄膜相对较低 的材料构成的第二薄膜。
6. 如权利要求5所述的磁记录介质，其特征在于 上述第一薄膜配置在上述记录区上。
7. 如权利要求3所述的磁记录介质，其特征在于上述第一薄膜除了配置在上述记录磁道上方以外，还配置在上述记录磁道的侧面上。
8. 如权利要求3所述的磁记录介质，其特征在于上述第一薄膜除了配置在上述记录磁道上以外，还离散地配置在上述记录磁道的侧面上。
9. 如权利要求6所述的磁记录介质，其特征在于上述第一薄膜除了配置在上述记录磁道上以外，还配置在上述记录区的侧面上。
10. 如权利要求2所述的磁记录介质，其特征在于 上述第一薄膜和上述第二薄膜分别具有1 10nm的膜厚。
11. 如权利要求2所述的磁记录介质，其特征在于上述第一薄膜由包含铜、银、金、铝、金刚石、类金刚石碳、碳纳米管中的任一种的材料 形成，上述第二薄膜由包含氧化硅、氮化硅、氧化铜、氧化铝中的任一种的材料形成。
12. 如权利要求2所述的磁记录介质，其特征在于在上述热传导层中的上述第一薄膜与上述第二薄膜的界面区域、上述热传导层与上述 记录层的界面区域、上述热传导层与保护膜的界面区域中的一个或多个界面上，具有扩散 阻挡层。
13. 如权利要求12所述的磁记录介质，其特征在于 上述扩散阻挡层具有1 10nm的膜厚。
14. 如权利要求12所述的磁记录介质，其特征在于 上述扩散阻挡层由包含氮化钛、氮化钽、钨、钌中的任一种的材料形成。
15. —种磁记录装置，其特征在于包括如权利要求1所述的磁记录介质。
全文摘要
提供一种磁记录介质和磁记录装置，在使用热辅助记录方式的HDD用磁记录介质中，为了磁记录而高效率地对记录层内的磁性粒子进行加热、除热，且确保记录时被加热的磁性粒子及该磁性粒子的周边磁性粒子的热稳定性，抑制磁记录消失，为此，在记录层的上部配置由具有不同热传导率的多个材料构成的热传导层，此时，在记录层的数据记录区上部配置由多个材料中的热传导率最高的材料构成的薄膜。然后，在热传导层内，在由高热传导率材料构成的薄膜之间配置由与由多个材料中的热传导率最高的材料构成的薄膜相比热传导率相对较低的材料构成的薄膜。
文档编号G11B5/65GK101783145SQ20101000381
公开日2010年7月21日 申请日期2010年1月13日 优先权日2009年1月15日
发明者钟江义晴 申请人:株式会社日立制作所