专利名称：用于列缺陷译码的冗余位模式的利记博彩app
技术领域：
本专利申请案的标的物大体来说涉及电子存储器。
背景技术：
非易失性存储器(NVM)是甚至在没有正向存储器施加电力时可保留所存储的 信息的电子存储器。一些类型的NVM包含快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM) ,FeRAM (铁-电存储器)、MRAM (铁-磁存储器)及PCRAM (相变存储器)。NVM用 于其中可需要在不使用电力的情况下保留信息的各种应用中，例如蜂窝式电话、通用串行 总线(USB)快闪驱动器或数码相机等。
发明内容
本发明揭示用于译码及解码用于列缺陷制图的冗余译码的技术。以不同于用于功 能单元群组的位模式的位模式对存储器阵列中经识别的有缺陷单元群组进行冗余编码。使 用所述存储器阵列中的冗余单元群组修复所述经识别的有缺陷单元群组。稍后通过检查所 述有缺陷单元群组中所编码的冗余位模式来重新识别所述单元群组。如果识别出新的有缺 陷单元群组，那么将所述存储器阵列识别为失败。如果没有识别出新的有缺陷单元群组，那 么将所述存储器阵列识别为通过，且修复所述经识别的有缺陷单元群组。此说明书中所描述的标的物的特定实施例可经实施以实现以下优点中的一者或 一者以上。用于列缺陷制图的冗余译码提供一种将存储器阵列中待修复的有缺陷列的地址 安全存储在所述存储器阵列中的方法。此存储甚至还可由所述有缺陷列自身来完成。所述 冗余译码是成本有效的，其仅利用所述存储器阵列的一小部分来存储制图数据。所述冗余 解码过程抵抗由于数据保持问题所引起的降级。
图1显示包含用于列缺陷制图的冗余译码的实例性存储器阵列。图2显示用于列缺陷制图的冗余译码的实例性过程。图3显示解码用于列缺陷制图的冗余译码的实例性过程。图4显示用于使用列缺陷制图的有缺陷列重新定位的实例性过程。图5显示用于实施参照图1至4所描述的特征及过程的实例性计算机系统的示意 图。
具体实施例方式实例性存储器阵列图1显示包含用于列缺陷制图的冗余译码的实例性存储器阵列100。一般来说，存 储器阵列(例如存储器阵列100)包含形成于集成电路(IC)或“芯片”上组织为若干行及 若干列的集合的多个位或单元位置。所述位位置的每一者可存储“1”(例如，“接通”)值或“0”(例如，“关断”)值。可组合行及列值以形成计算装置可用来存取由特定位位置存储的 值的地址。位位置的列可用来形成用于各种长度值的区块的存储位置，例如可以为8个位 的字节或可以为16个位、24个位、32个位、64个位或其它位长度(例如，相依于所述装置)的字。然而，某些位位置(例如)因IC制造期间的问题所致而为有缺陷的是常见情形。 一列中的一个或一个以上有缺陷位位置可造成整个列不可用。在一些实施方案中，具有有 缺陷位位置的IC可通过以下方法来挽救针对缺陷测试位位置、以列标记所述有缺陷位位 置及然后将有缺陷列地址重新指派给存储器阵列中已知功能列(例如，为存储器修复而预 先分配的修补列)的其它地址。在图1的实例中，存储器阵列100包含多个行及列，例如上部位行115(例如，第一 位行)、下部位行120 (例如，最后一个位行)及列125、130、135及140。列125、130、135及 140中的每一者包含上部位行115中的上部位值及下部位行120中的下部位值。在测试存储器阵列100期间，对所述位位置中的每一者进行锻炼(例如，探查)以 确定所述位位置是否可用。在存储器阵列100的图解说明中，不可用的位位置用“X”指示。 在其中发现一列中的所有位位置均为可用的列中，通过将“0”值存储在上部位行115中及 通过将“1”值存储在下部位行120中来将所述列标记为可用。无论在何处发现坏的位位置，都认为整个列为有缺陷或不可用。在一些情形下，不 可用列(例如，列130)包含上部位行115及下部位行120两者中的可用位。列130包含有 缺陷位位置且通过将“1”值存储在上部位位置(例如，上部位行115)中及通过将“0”值存 储在下部位位置(例如，下部位行120)中来标记为不可用。一些列可包含上部位行115或下部位行120中的坏的位位置。举例来说，列140 包含下部位行120中的有缺陷位位置。在测试期间，将“1”值存储在上部位行115中。没 有值写入到下部位行120中的位位置，因为所述位位置有缺陷。一些列可包含上部位行115及下部位行120两者中的坏的位位置。举例来说，列 125及135两者都包含上部位行115及下步位行120中的坏的位位置。在一些实施方案中， 不尝试写入到坏的上部及下部位位置，因为所述位位置不可用。在一些实例中，列可包含上部位行115中强制为“0”值的有缺陷位位置及下部位 行120中强制为“1”值的有缺陷位位置。当检测到此情形时，认为存储器阵列100不可用。一旦已标记存储器阵列100中的所有列，即可确定不可用列(例如，那些在上部位 行115中没有用“0”标记且在下部位行120中没有用“1”标记的列)的数目。在一些实施 方案中，在识别每一不可用列之后递增(例如，在计数器中)表示不可用列的数目的值。当 不可用列的数目大于可用冗余列(例如，修补列)的数目时，认为存储器阵列100不可用且 可给所述存储器阵列加上作为失败的旗标。将不可用列的总数目存储在存储器阵列100中 的某一位置中以供稍后使用，此将参照图2进行描述。修复不可用列，此将参照图3进行描 述。在一些实施方案中，不可用列是在存储不可用列的总数目之前进行修复。列缺陷制图的译码过程图2显示用于列缺陷制图的冗余译码的实例性过程200。过程200包含标记存储 器阵列(例如，存储器阵列100)的列。过程200以选择第一位位置(例如，存储器单元) 列(步骤205)开始。测试(例如，探查)所述列内的所有位位置以检测有缺陷存储器位位置(步骤210)。当测试所述列内的所有位位置且发现所有所述位位置为可用时，确定所述列为良 好(决定215的“否”分支)。通过将旗标值存储于第一位位置中(步骤220)及通过将旗 标值存储于第二位位置中(步骤225)来将所述列标记为良好。用于所述两个位位置的旗 标值可不同。举例来说，在一些实施方案中，可通过将“0”值存储在列中的上部位位置中及 通过将“1”值存储在列的下部位位置中来将所述列标记为“良好”。所述过程移动到下一列 (步骤230)且通过针对不可用位位置测试所述下一列(步骤210)而继续。当测试并发现所述列内的一个或一个以上位位置为不可用时，确定所述列为坏的 (决定215的“是”分支)。检查第一位位置及第二位位置以确定所述位位置是否匹配“良 好”位模式(决定232)。所述“良好”位模式是存储在确定为良好的列中的位模式。即，如 果通过分别将“0”及“ 1，，存储在上部位位置及下部位位置中来将列标记为“良好”，则“良 好”位模式分别为上部位位置中的“0”及下部位位置中的“ 1 ”。当确定“良好”位模式在所 述列的第一及第二位位置中(决定232的“是”分支)时，则认为所述存储器阵列为不可用 且失败(步骤234)。可给出存储器阵列失败的指示。当确定“良好”位模式不在所述列的第一及第二位位置中(决定232的“否”分支) 时，通过将旗标值存储在第一位位置中(步骤235)及通过将旗标值存储在第二位位置中 (步骤240)来将所述列标记为坏的。举例来说，在一些实施方案中，可通过将“1”值存储在 列的上部位位置中及通过将“0”值存储在列的下部位位置中来将所述列标记为“坏的”。递增(例如，在计数器中)(步骤245)并存储(例如，在寄存器堆中)(步骤250) 表示有缺陷列的数目的值。在一些实施方案中，当有缺陷列的数目超过阈值(例如，可用修 补列的数目)时，可宣称整个存储器阵列为不可用。所述过程移动到下一列(步骤230)且 通过测试所述下一列(步骤210)而继续。在一些实施方案中，一旦确定整个存储器阵列不 可用，那么所述过程200终止且给出存储器阵列失败的指示。列缺陷制图的解码过程图3显示解码用于列缺陷制图的冗余译码的实例性过程300。通常，在存储器阵 列(例如存储器阵列100)的启动时执行过程300。举例来说，可在每次向包含所述存储器 阵列的IC施加电力时执行所述过程300。所述过程300定位及记录有缺陷列的数量及位 置。在一些实施方案中，所述过程可通过与所述存储器阵列包含在同一 IC上的处理装置来 执行。在其它实施方案中，所述过程可通过不与所述存储器阵列包含在同一 IC上的处理装 置执行。过程300以读取一列的上部位(步骤305)开始。所述过程通过读取所述列的下 部位(步骤310)而继续。在一些实施方案中，在过程300期间读取的列可为所述存储器阵 列中的第一列。当上部位具有“0”值且下部位具有“1”值时，确定所述列为良好(决定315 的“是”分支)。当上部位不具有“0”值或下部位不具有“ 1 ”值时，确定所述列为坏的(决定315 的“否”分支)，将所述列编号(例如，识别符或索引)存储在寄存器堆中(步骤320)及递 增(例如，在计数器中)表示失败列的数目的值(步骤325)。在一些实施方案中，将表示失 败列的数目的值及/或所述寄存器堆存储在存储器阵列中。在一些实施方案中，将表示失 败列的数目的值及/或所述寄存器堆存储在与所述存储器阵列分离的位置中(例如，RAM、磁性存储器、处理器寄存器)当确定表示失败列的数目的值已达到列修复限制(决定330的“是”分支)时，所 述存储器失败(步骤335)。在一些实施方案中，列修复限制等于存储器阵列中冗余列(例 如，修补列)的数目。当确定表示失败列的数目的值未达到列修复限制(决定330的“否” 分支)时，评估所述列以确定所述列是否为存储器阵列的最后一列(决定340)。当确定所 述列不为最后一列(决定340的“否”分支)时，所述过程移动到下一列(步骤345)。类 似地，当确定所述列为良好(决定315的“是”分支)且确定其不为最后一列(决定340的 “否”分支)时，所述过程移动到下一列(步骤345)。当确定所述列为最后一列(决定340的“是”分支)时，将表示失败列的数目的值 与经修复列的数目相比较(决定350)。在一些实施方案中，经修复列的数目为(例如)在 测试先前参照图1所描述的存储器阵列100期间先前存储在所述存储器阵列中的值。当 确定失败列的数目等于经修复列的数目(决定350的“是”分支)时，所述存储器阵列通过 (步骤355)。在一些实施方案中，当存储器阵列通过(步骤355)时，用所述存储器阵列中 的冗余列(例如，修补列)修复失败列。当确定失败列的数目不等于经修复列的数目(决 定350的“否”分支)时，存储器阵列失败(步骤335)。当失败列的数目不同于经修复列的 数目时，一个或一个以上列可自从最初测试存储器阵列时变为有缺陷。新的列失败可能由 数据保持问题所引起。在一些实施方案中，给出存储器阵列是通过(步骤355)还是失败(步骤335)的 指示。在一些实施方案中，当确定存储器阵列失败(步骤335)时，可采取一个或一个以上 动作，其中所述一个或一个以上动作中的至少一者相依于存储在存储器阵列中的数据的安 全等级。举例来说，如果存储在存储器阵列中的数据为敏感数据(例如，个人信息或安全信 息)，那么失败存储器阵列的指示可触发擦除存储在存储器阵列中的敏感数据。缺陷列重新定位过程图4显示用于使用列缺陷制图的有缺陷列重新定位的实例性过程400。通常，可使 用过程400解码对来自非易失性存储器(NVM)的数据列的数据的请求以拦截将数据存储到 有缺陷位列及/或从有缺陷位列读取数据的请求且将所述请求重新选路到NVM中的可用替 代地址。在一些实施方案中，NVM为存储器阵列100。过程400接收从NVM中的列读取数据及/或将数据写入到NVM中的列的请求(步 骤410)，其中所述请求包含所请求列的所请求地址。检查寄存器堆以确定所请求地址是否 存储在寄存器堆中(决定420)。寄存器堆包含NVM中已知有缺陷列的地址的集合。在一些 实施方案中，寄存器堆可包含通过图3的过程300(步骤320)存储的地址。在一些实施方 案中，寄存器堆具有等于存储器阵列中的冗余列的数目(例如，列修复限制)的条目位置数 目。如果确定所请求地址不包含在所述寄存器堆中(决定420的“否”分支)，那么在不解 码所请求地址的情形下将所述请求发送到所请求地址(步骤430)。使用非经解码的所请求 地址存取NVM中的位置。如果确定所请求地址作为有缺陷列地址包含在寄存器堆中(决定420的“是”分 支)，那么通过地址替代过程解码所请求地址(步骤440)，所述地址替代过程包含将所述请 求从所请求但有故障的地址重新引导到NVM中已知良好替代地址。举例来说，如果发现所 请求地址为寄存器堆中的第二条目，那么可使用此信息(例如，寄存器堆中存储所请求地址的索引)来将所述请求重新引导到NVM中第二替代地址。类似地，确定读取或写入数据 的请求包含作为第七条目存储在有缺陷列的地址的集合中的所请求地址将致使地址替代 过程将所述请求重新引导到第七已知良好替代地址。此文档中所描述的各种实施方案及过程涉及成列及成行存储及处理数据。本文中 所描述的实施方案及过程并不限于所描述的定向，而是可以任何定向来实践。举例来说，存 储器阵列100可成行存储字节、字或其它长度值，且存储在上部位行115及下部位行120中 的旗标位可分别存储在左边位列及右边位列中。可将单元(例如，位)位置群组布置为单 元行或单元列。单元群组的其它布置也是可能的。已描述为“上部位”及/或“下部位”的位不必必须位于一列或一行位位置中的第 一位及最后一位处。所述“上部”及“下部”位可位于列或行内的任何位置处或存储器阵列 100的其它位置处。尽管将指示功能列的位模式描述为在上部位位置中为“0”且在下部位 位置中为“ 1 ”，但其它位模式也是可能的(例如，在上部位位置中为“ 1，，且在下部位位置中 为“0”)。有缺陷列的位模式为具有与功能列的位模式的相应位值相反的位值的位模式。举 例来说，如果对于功能列来说，将两个位设定为“0”，那么对于有缺陷列来说应将两个位设 定为“1”。本文中所描述的实施方案及过程使用两个位来识别有缺陷列、行或单元群组，但 并不限于使用两个位。有缺陷列可通过可经配置以指示行、列或单元群组是否可用于数据 存储及/或检索的两个、三个、四个或更多个位的集合来识别。可将此说明书中所描述的所有功能操作实施于数字电子电路中，或实施于计算机 硬件、固件、软件或其组合中。可将此说明书中所描述的标的物的设备实施于有形地体现于 机器可读存储装置中以供可编程处理器执行的计算机程序产品中；且此说明书中所描述的 标的物的方法步骤可由可编程处理器来执行，所述可编程处理器执行指令程序以通过操作 输入数据及产生输出来执行功能。此说明书中所描述的标的物可有利地实施于一个或一个以上可在可编程系统上 执行的计算机程序中，所述可编程系统包含至少一个可编程处理器(其经耦合以从数据存 储系统接收数据及指令且将数据及指令传输至所述数据存储系统)、至少一个输入装置及 至少一个输出装置。如果需要，可以高级程序或面向对象编程语言或以汇编或机器语言实 施每一计算机程序；且在任一情况下，所述语言可为编译或解译语言。适合的处理器包含(举例来说)通用及专用微处理器两者。大体来说，处理器将 从只读存储器及/或随机存取存储器接收指令及数据。大体来说，计算机将包含用于存储 数据文件的一个或一个以上大容量存储装置；此类装置包含磁盘(例如，内部硬盘及可装 卸盘)；磁光盘；及光盘。适合于有形地体现计算机程序指令及数据的存储装置包含所有形 式的非易失性存储器，其包含(举例来说)半导体存储器装置(例如，EPROM、EEPROM及快 闪存储器装置)；磁盘(例如，内部硬盘及可装卸盘)；磁光盘；及CD-ROM盘。前述者中的 任一者均可由ASIC (专用集成电路)进行补充或并入于所述ASIC中。为提供与用户的互动，可将此说明书中所描述的标的物实施于计算机系统上，所 述计算机系统具有显示装置(例如，监视器或LCD屏幕)，其用于向用户显示信息；及键盘 及指向装置(例如，鼠标或轨迹球)，用户可借助其向所述计算机系统提供输入。可编程所 述计算机系统以提供图形用户界面，计算机程序通过所述图形用户界面与用户进行互动。
实例性计算机系统现在参照图5，其显示实例性计算机系统500的示意图。系统500可用于相关于图 2中所示的过程200、图3中所示的过程300及/或图4中所示的过程400描述的操作。系 统500包含处理器510、存储器520、存储装置530及输入/输出装置540。组件510、520、 530及540中的每一者可(举例来说)使用系统总线550互连。处理器510能够处理用于 在系统500内执行的指令。在一个实施方案中，处理器510为单线程处理器。在另一实施 方案中，处理器510为多线程处理器。处理器510能够处理存储在存储器520中或存储装 置530上的指令以在输入/输出装置540上显示用户界面的图形信息。在一些实施例中， 可采用经由网络连接的一组并行处理系统500，将其聚集成一个或一个以上服务器中心。存储器520将信息存储在系统500内。在一个实施方案中，存储器520为计算机 可读媒体。在一个实施方案中，存储器520是易失性存储器单元。在另一实施方案中，存储 器520是非易失性存储器单元。存储装置530能够给系统500提供大容量存储。在一个实施方案中，存储装置530 为计算机可读媒体。在各种不同实施方案中，存储装置530可(举例来说)包含硬盘装置、 光盘装置或一些其它大容量的存储装置。输入/输出装置540为系统500提供输入/输出操作。在一个实施方案中，输入/ 输出装置540包含键盘及/或指向装置。在另一实施方案中，输入/输出装置540包含用 于显示图形用户界面的显示单元。此说明书中已描述了多个实施例。然而，应了解，在不背离此说明书中所描述的标 的物的精神及范围的前提下，可作出各种修改。因此，其它实施例均在以上权利要求书的范 围内。
权利要求
一种方法，其包括确定存储器阵列中的有缺陷列的数目；以冗余位模式编码所述存储器阵列中的有缺陷列及无缺陷列；及将有缺陷列的所述数目存储在所述存储器阵列的位置中。
2.如权利要求1所述的方法，其中编码有缺陷列及无缺陷列进一步包括在无缺陷列的两个或两个以上部分中编码第一冗余位模式；及在有缺陷列的两个或两个以上部分中编码第二冗余位模式，其中所述第二冗余位模式 不同于所述第一冗余位模式。
3.一种方法，其包括针对存储器阵列的一组单元群组中的每一单元群组确定所述单元群组是否有缺陷；如果所述单元群组无缺陷，那么将第一值存储在所述单元群组的第一单元位置中且将 第二值存储在所述单元群组的第二单元位置中；及如果所述单元群组有缺陷，那么将与所述第一值相反的第三值存储在所述单元群组的 所述第一单元位置中且将与所述第二值相反的第四值存储在所述单元群组的所述第二单 元位置中。
4.如权利要求3所述的方法，其进一步包括响应于确定所述单元群组有缺陷，递增有缺陷单元群组的数目。
5.如权利要求4所述的方法，其进一步包括确定有缺陷单元群组的所述数目是否大于修复限制；及如果有缺陷单元群组的所述数目大于所述修复限制，那么指示所述存储器阵列失败。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述修复限制等于所述存储器阵列中的冗余单元群 组的数目。
7.如权利要求4所述的方法，其进一步包括在针对所述组单元群组中的所有有缺陷单元群组递增缺陷的单元群组的所述数目之 后，将有缺陷单元群组的所述数目存储在所述存储器阵列的非易失性位置中。
8.如权利要求7所述的方法，其进一步包括在存储有缺陷单元群组的所述数目之前，用所述存储器阵列中的冗余单元群组修复所 述有缺陷单元群组。
9.如权利要求3所述的方法，其中所述第一值不同于所述第二值。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一值为0且所述第二值为1。
11.如权利要求3所述的方法，其中至少一个单元群组为所述存储器阵列的一列。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一单元位置为所述列的第一行，且所述第 二单元位置为所述列的最后一行。
13.如权利要求3所述的方法，其中至少一个单元群组为所述存储器阵列的一行的一 部分。
14.如权利要求3所述的方法，其中所述存储器阵列为非易失性存储器阵列。
15.一种上面存储有指令的计算机可读媒体，所述指令在由处理器执行时致使所述处 理器执行包括以下各项的操作针对存储器阵列的一组单元群组中的每一单元群组如果所述单元群组无缺陷，那么将第一值存储在所述单元群组的第一单元位置中且将 第二值存储在所述单元群组的第二单元位置中；如果所述单元群组有缺陷，那么确定所述单元群组的所述第一单元位置是否设定为所 述第一值且确定所述单元群组的所述第二单元位置是否设定为所述第二值；如果所述单元群组的所述第一单元位置设定为所述第一值且所述单元群组的所述第 二单元位置设定为所述第二值，那么指示所述存储器阵列失败；及如果所述单元群组的所述第一单元位置没有设定为所述第一值或所述单元群组的所 述第二单元位置没有设定为所述第二值，那么将与所述第一值相反的第三值存储在所述单 元群组的所述第一单元位置中且将与所述第二值相反的第四值存储在所述单元群组的所 述第二单元位置中。
16.如权利要求15所述的计算机可读媒体，其中所述第一值不同于所述第二值。
17.如权利要求15所述的计算机可读媒体，其中所述存储器阵列为非易失性存储器阵列。
18.一种方法，其包括针对存储器阵列的一组单元群组中的每一单元群组 读取所述单元群组的第一单元位置中的第一值； 读取所述单元群组的第二单元位置中的第二值； 确定所述第一值是否等于第三预定值； 确定所述第二值是否等于第四预定值；及如果所述第一值不同于所述第三预定值或所述第二值不同于所述第四预定值从而指 示所述单元群组有缺陷，那么将所述有缺陷单元群组的索引存储在寄存器堆的相应位置 中。
19.如权利要求18所述的方法，其进一步包括响应于确定所述第一值不同于所述第三预定值或确定所述第二值不同于所述第四预 定值，递增有缺陷单元群组的数目。
20.如权利要求19所述的方法，其进一步包括 修复所述有缺陷单元群组。
21.如权利要求20所述的方法，其中修复所述有缺陷单元群组进一步包括 针对所述寄存器堆的第一数目个有缺陷单元群组位置通过有缺陷单元群组的存储在所述寄存器堆的所述相应位置中的所述索引识别所述 有缺陷单元群组；通过所述寄存器堆的所述相应位置的索引识别所述存储器阵列的冗余单元群组；及 将所述有缺陷单元群组重新定位到所述冗余单元群组。
22.如权利要求19所述的方法，其进一步包括确定有缺陷单元群组的所述数目是否大于修复限制；及如果有缺陷单元群组的所述数目大于所述修复限制，那么指示所述存储器阵列失败。
23.如权利要求22所述的方法，其中所述寄存器堆具有等于所述修复限制的位置数
24.如权利要求22所述的方法，其中所述修复限制等于所述存储器阵列中的冗余单元 群组的数目。
25.如权利要求19所述的方法，其进一步包括在针对所述组单元群组中的所有有缺陷 单元群组递增有缺陷单元群组的所述数目之后确定有缺陷单元群组的所述数目是否等于经修复单元群组的数目； 如果有缺陷单元群组的所述数目等于经修复单元群组的所述数目，那么指示所述存储 器阵列通过；及如果有缺陷单元群组的所述数目不同于经修复单元群组的所述数目，那么指示所述存 储器阵列失败。
26.如权利要求25所述的方法，其中指示所述存储器阵列失败进一步包括执行一个或一个以上动作，其中所述一个或一个以上动作中的至少一者取决于存储在 所述存储器阵列中的数据的安全等级。
27.如权利要求26所述的方法，其中所述一个或一个以上动作中的所述至少一者包含 擦除存储在所述存储器阵列中的数据。
28.如权利要求18所述的方法，其中 所述存储器阵列为装置的一部分；且 当给所述装置通电时执行所述方法。
29.如权利要求18所述的方法，其中所述第三预定值不同于所述第四预定值。
30.如权利要求29所述的方法，其中所述第三预定值等于0且所述第四预定值等于1。
31.如权利要求18所述的方法，其中至少一个单元群组为所述存储器阵列的一列。
32.如权利要求31所述的方法，其中所述第一单元位置为所述列的第一行，且所述第 二单元位置为所述列的最后一行。
33.如权利要求18所述的方法，其中至少一个单元群组为所述存储器阵列的一行的一 部分。
34.如权利要求18所述的方法，其中所述存储器阵列为非易失性存储器阵列。
35.一种方法，其包括通过检查存储器阵列的列中所编码的冗余位模式确定所述存储器阵列中的有缺陷列 的数目；及如果有缺陷列的所述数目不超过所述存储器阵列中的修补列的数目，那么用所述存储 器阵列中的修补列修复所述有缺陷列。
36.如权利要求35所述的方法，其中检查冗余位模式进一步包括 检查所述列的第一部分中的第一所编码值；检查所述列的第二部分中的第二所编码值；及 确定所述第一及第二所编码值是否匹配指示有缺陷列的预定义位模式。
37.一种系统，其包括 存储器阵列；及处理器，其耦合到所述存储器阵列，所述处理器可操作以执行包括以下各项的操作 通过检查所述存储器阵列的列中所编码的冗余位模式确定所述存储器阵列中的有缺 陷列的数目；及如果有缺陷列的所述数目不超过所述存储器阵列中的修补列的数目，那么用所述存储 器阵列中的修补列修复所述有缺陷列。
38.一种上面存储有指令的计算机可读媒体，所述指令在由处理器执行时致使所述处 理器执行包括以下各项的操作针对存储器阵列的一组列中的每一列 读取所述列的第一部分中的第一值； 读取所述列的第二部分中的第二值；如果所述第一及第二值匹配指示所述列有缺陷的预定义位模式，那么将所述有缺陷列 的索引存储在寄存器堆的相应位置中。
39.如权利要求38所述的计算机可读媒体，其中所述指令致使所述处理器执行进一步 包括以下各项的操作如果所述第一及第二值匹配指示所述列有缺陷的所述预定义位模式，那么递增有缺陷 列的数目。
40.如权利要求39所述的计算机可读媒体，其中所述指令致使所述处理器执行进一步 包括以下各项的操作修复所述有缺陷列。
41.如权利要求39所述的计算机可读媒体，其中所述指令致使所述处理器执行进一步 包括以下各项的操作确定有缺陷列的所述数目是否大于修复限制；及如果有缺陷列的所述数目大于所述修复限制，那么指示所述存储器阵列失败。
42.如权利要求39所述的计算机可读媒体，其中所述指令致使所述处理器在针对所述 组列中的所有有缺陷列递增有缺陷列的所述数目之后执行进一步包括以下各项的操作确定有缺陷列的所述数目是否等于经修复列的数目；如果有缺陷列的所述数目等于经修复列的所述数目，那么指示所述存储器阵列通过；及如果有缺陷列的所述数目不同于经修复列的所述数目，那么指示所述存储器阵列失败。
全文摘要
本发明涉及用于译码及解码用于列缺陷制图的冗余译码的技术。以不同于用于功能单元群组的位模式的位模式对存储器阵列中的经识别的有缺陷单元群组进行冗余编码。使用所述存储器阵列中的冗余单元群组修复所述经识别的有缺陷单元群组。稍后通过检查所述有缺陷单元群组中所编码的冗余位模式来重新识别所述单元群组。如果识别出新的有缺陷单元群组，那么将所述存储器阵列识别为失败。如果没有识别出新的有缺陷单元群组，那么将所述存储器阵列识别为通过，且修复所述经识别的有缺陷单元群组。
文档编号G11C29/00GK101939792SQ200880121004
公开日2011年1月5日 申请日期2008年12月15日 优先权日2007年12月17日
发明者伊夫·富塞拉, 马克·梅朗达 申请人:爱特梅尔卢梭公司