专利名称：：磁记录介质的利记博彩app
技术领域：
：本发明涉及安装在各种类型的磁记录装置中的磁记录介质。
背景技术：
："垂直磁记录系统"作为一种在磁记录法中实现高记录密度的技术，最近被投入到实际应用中。在垂直磁记录系统中，记录磁化方向垂直于记录介质平面，这种系统正在取代其中记录磁化方向平行于记录介质平面的常规纵向磁记录系统。在垂直磁记录技术中使用的垂直磁记录介质(以下简称为"垂直介质")主要由以下各层组成硬磁材料磁记录层、用于将磁记录层的记录磁化方向对准垂直方向的底层、用于保护磁记录层的表面的保护层、以及用于集中由用来在记录层上进行记录的磁头所产生的磁通量的一层软磁材料背衬层。将组成磁记录层的磁性颗粒之间的隔离增强以实现磁化反转单元的最小化是为高记录密度介质设计中的准则之一。因为磁记录层垂直于介质表面方向的厚度基本一致，减小磁化反转单元意味着在保持磁化反转单元高度的同时减小其横截面面积。结果，作用在磁化反转单元上的去磁磁场减小而反转磁场增加。因此，就磁化反转单元的配置而论，提高记录密度需要增大写磁场。另一方面，已知颗粒的能量值KuV相对于热能量kT需要足够大，以便确保记录信号的长时间稳定。这里，k是玻尔兹曼常数；T是绝对温度；Ku是晶体的磁性各向异性常数；以及V是激活作用体积。如上所述的减小磁化反转单元的大小意味着V的减小，这会影响信号不稳定性，造成所谓的"热扰动"问题。为了避免这个现象，必须增大Ku值，而由于Ku值与反转磁场成比例关系，这同样带来写磁场的增大。为解决这一问题，已提出一种技术，其中一种结构包括两层磁性层，且层之间的交换耦合能量被减小，以便在不使热稳定性变差的情况下减小反转磁场。这种类型的介质被称为交换耦合控制介质。例如，据专利文档l披露，在两层磁性层直接层叠的情况下交换耦合能量无穷大，反转磁场在交换耦合能量从无穷大开始减小时随之减小，在最佳耦合能量下取最小值，且随着耦合能量减小趋近于零时又增大。造成这种现象的原因是两层磁性层的非同时磁性反转过程，即非相干磁性反转过程，在两层磁性层之间维持了弱耦合。因而，耦合能量的最佳值，继而反转磁场的减小速率取决于上下磁性层的诸如饱和磁化强度Ms和Ku值之类的物理性质而有所不同。出于实用目的，提供一层耦合能量控制层以改变耦合能量并优化上下磁性层的物理性质。已提出了解决写性能问题的另一途径，也就是所谓的热辅助磁记录技术，其中考虑了与磁头的组合。这种方法利用磁性材料的一个特征即Ku的温度相关性，Ku随着温度升高而减小。通过加热磁记录层获得Ku值的临时减小以减小反转磁场，在Ku值临时减小期间进行这种方法中的写过程。在温度恢复或降低后，Ku值恢复原始高值，因此安全保持了记录信号。当构想这种新记录方法时，除了传统准则之外，对磁记录层的设计还必须要考虑层的温度特性。非专利文献2披露了记录比特的转变宽度由磁头磁场梯度和温度梯度确定。因为大的温度改变导致Ku值的差别增加，所以写阶段和保持阶段的Ku值差别增加，因此产生大的最终增益。就这一项目而言，已知反转磁场随钴铂合金磁性材料的温度变化而呈线性变化，其中钴铂合金磁性材料是当前主要用于垂直介质的材料，并被归类为铁磁材料。还已知这些磁性材料由于其组成而在该温度梯度内显示出相对小的变化；产生的值通常小于-20Oe/。C。另一方面，例如，普遍用在磁光记录介质中且被归类为亚铁磁记录材料的诸如铽铁钴之类的磁性材料显示出对反转磁场温度梯度的较大组成依从性，在记录温度附近设置补偿温度时，大于-100Oe/。C。除材料选择之外，还有一种控制总体温度变化的方法，该方法采用多层铁磁材料和亚铁磁材料层叠结构，尤其是使用亚铁磁材料或等效材料作为切换层，以在记录温度处产生或消除交换耦合能量。例如，专利1提出了多种层结构。专利文献1:日本未审查专利申请公开2005-310368非专利文献1:J.Magn.Soc.Jpn.,31,178(2007)非专利文献2:IECE技术报告，MR2004-39(2004)交换耦合控制介质使用一种现存的钴铂合金磁性材料，并通过设计层的成分的组合对反转磁场与热稳定性之间的平衡进行调控。然而，由于包括Ms和Ku值在内的材料性质的限制，这种介质存在着局限。另一方面，在热辅助记录技术中，就一个尤其重要的温度变化控制问题而言，常规地仅仅使用钴铂合金磁性材料很难获得超过-20Oe/。C的反转磁场温度梯度。不过，使用亚铁磁材料则易于进行温度控制。然而，当使用过渡元素-稀土非晶合金材料时，磁化机制是所谓的磁畴壁移动型，且难以固定作为比特之间边界的磁畴壁。从高密度记录的观点看，比特边界的扰动是不希望有的。尽管需要使磁畴壁的宽度变窄以增大记录密度，但将宽度减小到一个颗粒边界宽度(大约lnm)是困难的，这被认为是微颗粒系统中比特之间的界限。此外，添加非磁性物质并形成磁颗粒被非磁性物质包围的微结构一一像钴铂合金磁性材料中看到的那样一一是困难的。由本发明的发明人进行的研究已经澄清，将交换耦合控制介质与热辅助记录技术结合，具有较弱交换耦合能量的介质呈现出较小的温度梯度。这个事实意味着，简单地将交换耦合介质应用到热辅助记录技术所能导致的反转磁场在加热状态与在非加热状态时的差别很小，因此，不能实现热辅助记录方法的最大目的。这归因于交换耦合能量随温度变化自身变化很小，即，归因于耦合能量的最佳值取决于上下磁性层在加热状态时已发生了改变的材料性质而发生的变化。如上所述，常规的记录系统通过热辅助记录方法可能实现了突破，在磁记录装置中获得了高记录密度。然而，还需要一种可应用于这种记录系统的介质，从而完成高密度写过程与温度特性控制之间的相容性。
发明内容基于以上所述的问题作出了本发明，且本发明的一个目的是提供一种能够用于在磁记录装置中实现高密度记录的磁记录介质，可在比保持信号状态的温度高的温度下进行写信号的过程。本发明的磁记录介质用于一种其中写信号的过程在比保持信号状态的温度高的温度下进行的磁记录装置中，且包括按顺序层叠到非磁性基板上的底层、磁记录层、保护层；磁记录层包括一种结构，其具有两层磁性层、和插入到该两层磁性层之间的交换耦合控制层；该两层磁性层通过该交换耦合控制层磁耦合；在写信号过程中的耦合能量与在保持信号状态中的耦合能量彼此不同；以及在写信号过程中的耦合能量Jw与在保持信号状态中的耦合能量Jr满足关系0<Jw<Jr。较佳地，该磁记录介质的磁记录层的交换耦合控制层包含磁性元素，且交换耦合控制层的饱和磁化强度Mse、设置在交换耦合控制层上面和下面的磁性层的饱和磁化强度Msl和Ms2在写信号的过程中满足不等式Mse<Msl和Mse<Ms2o较佳地，该磁记录介质的磁记录层的每一个磁性层和交换耦合控制层都包括一种结构，其中磁性晶粒被非磁性物质所包围。较佳地，交换耦合控制层的晶体磁性各向异性常数Ku至少为1.0xl06erg/cm3。较佳地，交换耦合控制层由多层层叠的薄膜层组成，其中的薄膜是包括磁性元素和添加到该磁性元素中去的氧化物或氮化物非磁性材料的薄膜、以及非磁性材料的薄膜。在写信号过程与保持信号状态之间，两层磁性层之间的交换耦合能量是变化的。在保持信号状态，该两层之间的耦合能量大，且反转磁场强。在写信号过程中，交换耦合消失，即，在高温时，变成与在该过程中的磁性层的材料性质相对应的最佳交换耦合能量，因此显示出减小反转磁场的效果。因为与其中在写过程和保持状态之间交换耦合能量几乎不改变的情况相比，获得了较大的温度改变，所以本发明可用于一种其中写信号的过程在比保持信号状态的温度高的温度下进行的新型记录系统。通过使用饱和磁化强度至少在写信号过程中比上下磁性层的饱和磁化强度小的交换耦合控制层，交换耦合能量的随温度的变化增大。用在交换耦合控制层中的材料不是非晶材料，而是一种有磁性晶粒被非磁性物质所包围的结构的材料。因此，提供了适合于新型记录系统的一种介质，实现了高密度记录。图1是根据本发明的磁记录介质的截面示意图2是根据本发明的磁记录介质中的磁记录层的截面示意图；以及图3是根据本发明的磁记录介质中的磁记录层的平面示意图。附图标记说明10:非磁性基板20:软磁背衬层30:底层40:磁记录层41、43:磁性层4A:磁性部分4B:非磁性部分42:交换耦合控制层50:保护层具体实施例方式下面将参考本发明的一些较佳实施例。图1示出本发明的磁记录介质的结构的例子，且是示出有软磁背衬层的结构的截面图。参考图l，一种磁记录介质包括非磁性基板10;以及按顺序层叠在非磁性基板10上的软磁背衬层20、底层30、磁记录层40、以及保护层50。还可在保护层50上形成一层润滑层。没有软磁底层20的结构也是可能的。本发明的特征是磁记录层40包括一种由磁性层41、磁性层43、以及交换耦合控制层42组成的结构。较佳地，磁性层41、磁性层43、以及交换耦合控制层42均有一种磁性晶粒被非磁性物质所包围的结构。图2和图3示出了本发明中的磁记录层40的结构的例子，示出磁记录层的结构由磁性层41、磁性层43、以及交换耦合控制层42三层组成。图2是截面图而图3是平面图。如图2和图3所示，磁性部分4A较佳地为磁性晶粒，在所有三层中可位于相同的位置；而非磁性部分4B是呈现在晶粒之间的非磁性物质，在所有三层中可位于相同的位置。所得的结构有从底层起穿过所有三层形成的磁性部分的圆柱。在该结构中，上下磁性层的磁性部分通过交换耦合控制层耦合，而磁性部分的圆柱被非磁性物质相互隔离，形成了独立的磁化反转单元。以下参考图1说明本发明的一个实施例。可用于本发明的磁记录介质中的非磁性基板10可从在常规磁记录介质中使用的镀磷化镍的铝合金、强化玻璃、以及晶化玻璃中选择。如果在薄膜沉积的过程中和在记录过程中基板温度被保持在约IOO'C之内，则也可使用由聚碳酸酯、聚烯烃等树脂组成的塑料基板。还可使用硅基板。与在现有的垂直磁记录系统中一样，较佳地形成一层软磁背衬层20,用于控制由磁头产生的磁通量以改善读一写性能。可省略该层。可用在软磁背衬层20中的材料包括镍铁合金、铝硅铁粉合金(FeSiAl)、以及钴铁合金的晶体合金；以及铁钽碳、钴铁镍、以及钴镍磷的微晶体材料。为了改善记录性能，软磁底被沉层20较佳地具有大的饱和磁化强度。软磁背衬层20的薄膜厚度的最佳值取决于用于磁记录的磁头的结构和特性而有所不同，在和其它层一起通过连续沉积形成的情况下，考虑到与生产率的平衡，该厚度最佳值较佳地在10nm到500nm的范围内。薄膜沉积可如常通过溅射方法实现，也可通过电镀方法。相对较大的软磁背衬层20的薄膜厚度会引起磁畴壁的形成、以及记录层附近磁化强度的扰动，产生磁化强度的正交分量并制造噪声。为了抑制该现象，通过为软磁背衬层20提供反铁磁层或硬磁层较佳地将软磁背衬层做成单磁畴结构。该附加层可直接设置在软磁背衬层上、直接在背衬层下、或插入背衬层之间。此外，也可以同时层叠两种层。另一种可能的结构是将软磁底层与非磁性层层叠。通过控制非磁性层的厚度以及利用通过非磁性层的反铁磁性耦合，可抑制磁化强度的正交分量。底层30用于以下目的(1)控制晶粒直径和底层上的记录层材料的晶体排列，以及(2)避免软磁背衬层20与磁记录层40之间的磁耦合。因此，底层宜为非磁性的，且需要对应于底层上的磁记录层材料适当地选择底层的晶体结构。然而，也可使用非晶结构。例如，如果直接在底层上的磁性层使用了主要由六方最紧密堆积(hcp)结构的钴组成的磁记录层材料，则底层30优选具有相同的hcp结构或面心立方(fcc)结构。优选使用的具体材料包括钌、铼、铑、铂、钯、铱、镍、钴、以及包含这些元素的合金。至于薄膜厚度，虽然层越薄就会使得写操作越容易，但鉴于上面提到的目的(1)和(2)，仍然需要特定适当的厚度，且较佳的厚度是在3到30nm的范围内。磁记录层40包括一种由两层磁性层(41、43)和交换耦合控制层42形成的结构。为了实现本发明的效果，两层磁性层(41、43)通过交换耦合控制层42磁耦合，且在写信号过程的耦合能量Jw和在保持信号状态的耦合能量Jr满足关系0〈w々r。较佳地，交换耦合控制层42包含磁性元素，且饱和磁化强度Mse、Msl、以及Ms2满足不等式Mse<Msl以及Mse<Ms2，其中Mm表示在写信号过程中交换耦合控制层42的饱和磁化强度，M^和Ms2分别表示设置在交换耦合控制层下面和上面的磁性层(41、43)的饱和磁化强度。较佳地，磁性层(41、43)和交换耦合控制层42具有一种结构，其中磁性部分4A由磁性晶粒组成，并被非磁性物质的非磁性部分4B所包围。较佳地，从常用的晶体磁性层材料中选择磁性层(41、43)的材料。在一个较佳结构中，圆柱状晶粒直径为几个纳米，主要由诸如钴、铁或镍之类的磁性元素组成，且被厚度为1纳米以下的非磁性物质所隔开。较佳地，磁性晶粒所使用的材料可以是有添加金属铬、硼、钽、或钨的钴铂合金，非磁性物质所使用的材料较佳地包含例如硅、铬、钴、钛、或钽的氧化物或氮化物。例如，薄膜沉积方法可以是磁控管溅射方法。在一个较佳结构中，磁性晶粒即磁性部分4A外延生长在底层30的晶粒上，而非磁性物质即非磁性部分4B位于底层30的颗粒边界，因此，晶体生长得以适宜地以一一对应的方式进行。较佳地，磁记录层40中包括的磁性层(41、43)中的至少一层由呈现大的晶体磁性各向异性常数的材料组成至少为5.0x106erg/cm、更佳地至少为1,107erg/cm3。较佳地，磁性层的厚度至多为20nm，更佳地至多为10nm。可用于交换耦合控制层42的材料可以是包含钴、铁、和镍中之一、以及非磁性金属的合金。如果设置在交换耦合控制层42上、下的磁性层(41、43)中的磁性晶粒是具有hcp结构的晶粒，则交换耦合控制层的材料优选具有相同的hcp结构或fcc结构。为了获得良好晶体排列，所包含的非磁性金属元素较佳地为铬、铂、钯、钌、钨、或钽。可用于交换耦合控制层的材料包括例如镍铬、镍铂、镍钯、钴钯、钴铂、以及镍钴铂。与磁性层(41、43)类似，交换耦合控制层的较佳材料包含硅、铬、钴、钛、或钽的氧化物或氮化物等添加剂。与以上提到的材料呈现出同等性质的、适宜使用的材料是由钴或镍、和非磁性氧化物或氮化物添加剂组成的材料、以及非磁性材料的多层层叠薄膜。这样的多层层叠薄膜的例子包括一种结构，该结构具有各自由钴一二氧化钛薄膜和钯薄膜各一层组成的数个重复叠层，还包括一种结构，该结构具有各自由镍一二氧化硅薄膜和铂薄膜各一层组成的重复叠层。因为交换耦合控制层所要求的性质，组成多层层叠薄膜的每一层的厚度需为至多2.0nm，较佳地至多为1.0nm。如前所述，饱和磁化强度必须至少在写信号过程中比磁性层(41、43)的饱和磁化强度小。即，在写信号过程中，交换耦合控制层42的磁化强度自身必须几乎不对磁记录层40的磁化强度值和磁性各向异性在总体上产生影响，并且起到减弱上下磁性层之间的交换耦合的作用。如果饱和磁化强度大，交换耦合控制层42的性质会有不良影响，主要引起热稳定性的退化。在写信号过程中，饱和磁化强度值较佳地不大于100emu/cm3，更佳地不大于20emu/cm3。甚至在饱和磁化强度小的情况下，过大的厚度也会使交换耦合控制层42的磁性实际上显现出来，因此，需要薄的薄膜，较佳地不厚于5nm，更佳地不厚于3nm。除上述性质之外，晶体磁性各向异性常数Ku值在室温时至少为106erg/cm3，此时该层处于保持信号状态。该条件在室温时有助于改善热稳定性。保护层50可使用常规所使用的保护层，例如，主要由碳组成的保护层。除单层之外，层叠结构也是可能的，例如由两层不同性质的碳层组成、由金属薄膜和碳薄膜组成、以及由氧化物薄膜和碳薄膜组成。以下说明根据本发明用于制造垂直磁记录介质的方法的一些实施例。这些实施例仅仅是代表性地用于适当地说明本发明的磁记录介质的制造方法，而不是为了限制本发明。实施例实施例h使用有平滑表面的碟形的玻璃基板作为非磁性基板10。清洗之后，基板被送入溅射装置中，并在5mTorr的氩气压力下使用Co88Nb7Zr5靶沉积80nm厚的CoNbZr薄膜，以形成CoNbZr的软磁背衬层20。其后，在30mTorr的氩气压力下使用钌靶沉积有20nm厚度的钌底层30。之后，在60mTorr的氩气压力下使用((:07512()0"5)94-(8102)6靶形成厚度为8nm的CoPtCr-Si02磁性层41;其后，在30mTorr的氩气压力下使用(1^940"6)94-(8102)6靶形成厚度为1nm的NiCr-Si02交换耦合控制层42;然后，在60mTorr的氩气压力下使用(0)750"2oPts)94-(Si02)6靶形成厚度为8nm的CoCrPt-Si02磁性层43。如此，形成了由CoPtCr-Si02/NiCr-Si02/CoCrPt-Si02组成的磁记录层40。然后，通过化学气相沉积法沉积4nm厚的碳保护层，接着从真空装置中移出基板。之后，通过浸镀法形成2nm厚的全氟聚醚液体润滑层。如此，即制造出了一种磁记录介质。该制造过程中的溅射方法是，用于沉积磁性层(41、43)的RF磁控溅射方法，以及用于沉积其它层的DC(直流)磁控溅射方法。比较例1:以和实施例1中相同的方式制造一种磁记录介质，但不形成NiCr-Si02交换耦合控制层42。比较例2:以和实施例1中相同的方式制造一种磁记录介质，但NiCr-Si02交换耦合控制层42的厚度改为8nm。比较例3:以和实施例1中相同的方式制造一种磁记录介质，但交换耦合控制层42是由用(Co95Crs)94-(Si02)6靶形成的CoCr-Si02层代替NiCr-Si02层。比较例4:以和实施例1中相同的方式制造一种磁记录介质，但交换耦合控制层42是由用TbFe靶形成的TbFe层代替NiCr-Si02层。比较例5:以和实施例1中相同的方式制造一种磁记录介质，但交换耦合控制层42是由用Ru94-(SK)2)6靶形成的0.2nm厚的Ru-Si02层代替NiCr-Si02层。评估1为了掌握实施例和比较例中使用的磁性层(41、43)和交换耦合控制层42的基本性质，对各层磁性层和交换耦合控制层的单一层的晶体结构和磁性质都进行了评估。以下说明结果。层结构是基板/钽/钌/磁性层或交换耦合控制层。磁性层或交换耦合控制层的厚度为20nm。用X射线衍射装置对晶体结构进行评估；用VSM(振动样品磁强计)对磁性质进行评估。对于(C075Pt2()Cr5)94-(Si02)6磁性层，其晶体结构为hcp，且200'C时饱和磁化强度为568emu/cm3;对于(Co7sCr2。Pt5)94-(Si02)6磁性层，其晶体结构为hcp，且200°C时饱和磁化强度为393emu/cm3。在表1中汇总了交换耦合控制层的结果。接下来，将说明实施例的和比较例的垂直介质的性能评估结果。表2示出实施例和比较例的磁性质和电磁转换特性的结果。用能够进行温度依从性测量的Kerr效应测量装置进行磁性质(矫顽磁性)的评估。通过安装了激光斑加热装置并使用GMR磁头(巨磁阻磁头)的旋转台架测试仪进行电磁转换特性、信噪比(SNR)和改写性能(OW)评估。对激光功率加以调节以获得200'C的记录层温度；并且在记录或改写时就开启，而在读取时就关闭。所使用的GMR磁头是用于140nm的记录磁道宽度和90nm的播放磁道宽度。与比较例相比，实施例1呈现出从室温到20(TC矫顽磁性的最大减少率、以及最高SNR值，其中SNR值是记录密度的标志。已知在本测量中使用的GMR磁头在OW值不小于35[-dB]时具有足够的写能力，而该OW值对应于介质矫顽磁性小于大约4.5[kOe]。因此，实施例1中是在其中矫顽磁性已经通过加热被充分地减小至适合写过程的值的情况下进行记录的。如此，即通过有效利用介质的性能而获得了合适的SNR值。相比之下，比较例1在加热情况下呈现出5.9[kOe]的高矫顽磁性值。获得的OW值比35[-dB]小得多，这对饱和记录构成妨碍并严重地降低了SNR。因为比较例1和实施例1在室温下的矫顽磁性相当，所以介质的记录密度性能也相当。然而，比较例1的介质的性能没有得到充分利用。在室温下比较例2呈现出比实施例1小得多的矫顽磁性。这是因为交换耦合控制层42的磁性质显著地影响到整个记录层且极大降低了介质的记录密度能力。这种降低可归因于交换耦合控制层42比实施例1中的更厚的厚度以及大的总磁化量。因此，尽管OW值为45[-dB]展示出足够的写能力，可是SNR值非常低，为9.3[犯]。比较例3展示出比实施例1小的由加热引起的矫顽磁性减小、以及OW不足和低SNR。这些特性和比较例1中的特性相似，比较例1中没有交换耦合控制层42。如表1中所示，在加热状态该饱和磁化强度比磁性层43的大。磁性层(41、43)之间的交换耦合甚至在加热情况下也是如此之强，以致于矫顽磁性的减少与没有交换耦合控制层42的情况相似。从相反角度看，弄清了实施例1的效果，其中通过加热减弱了磁性层之间的交换耦合能量。在室温下比较例4呈现出比实施例1小得多的矫顽磁性。这是由设置在交换耦合控制层42上的磁性层43的微结构的劣化引起的。与实施例1、比较例1、2、3、以及5中不同，比较例4的晶体结构是非晶结构，该结构中断了从底层30幵始的hcp/hcp、hcp/fcc、fcc/hcp的外延生长。交换耦合控制层42上所得的磁性层43在晶体排列方面发生退化，而与此同时，在磁性颗粒和非磁性物质之间的隔离结构方面也发生退化，这意味着介质的记录密度性能的退化。作为这种退化的反映，虽然OW值相对高，但比较例4呈现出极小的SNR值。在室温下比较例5呈现出比实施例1小的矫顽磁性。这并不像比较例2和比较例4中的一样由介质记录密度性能的退化引起，而是由上下磁性层(41、43)之间的交换耦合能量适度减小造成的矫顽磁性减小效应引起的。该效应也通过比比较例2和4中大的SNR值体现出来。不过，SNR值比实施例1中的小，这是由于20(TC时的矫顽磁性大，使得OW和写性能退化。当釆用非磁性交换耦合控制层42时，交换耦合能量J几乎不随温度升高而变化，而矫顽磁性的减小仅来源于材料性质的改变，即，上下磁性层的Ku值的减小。比较该结果，实施例l的效果是明显的，其中交换耦合能量随温度变化。实施例2:这是其中交换耦合控制层的晶体磁性各向异性常数被改变的实施例。以和实施例1中相同的方式制造一种磁记录介质，但用Co-Ti02靶和钯靶交替地沉积0.3nm的Co-Ti02层和0.4nm的钯层各5次以获得[Co-TKVPd]5层叠层来代替NiCr-Si02层。评估2在实施例i、实施例2、以及比较例5之间比较热稳定性。如前所述用旋转台架测试仪在20(TC的加热情况下以100kFCI写信号，并评估输出信号的衰减。结果是实施例1为-0.003(%/十秒)，实施例2为-0.0001(%/十秒)，比较例5为-0.02(%/十秒)。实施例2中热稳定性最高，实施例1中热稳定性第二高，比较例5中热稳定性第三高。该结果可归因于交换耦合控制层的热稳定性贡献。对交换耦合控制层的Ku值的评估导致实施例1为0.6xl06erg/cm3，实施例2为2.3xl06erg/cm3，比较例5为0，与热稳定度相对应。实施例2呈现出SNR值为15.0[-dB],OW值为39.6[dB]，这与实施例1的相应值近似相同。如上所述，根据本发明的实施方式，已在具有包括磁性颗粒被非磁性物质包围的微结构的磁记录层中获得了磁性质随温度变化而发生大的变化，其中该结构对高记录密度有利。因此，提供了一种能够进行高密度记录的磁记录介质，可用在其中写信号的过程在比保持信号状态的温度高的温度下进行的磁记录装置中。表l:<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表2:实施例和比较例的评估结果<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>权利要求1.一种磁记录介质，用于其中写信号的过程在比保持信号状态的温度高的温度下进行的磁记录装置、且包括依次层叠在非磁性基板上的底层、磁记录层、以及保护层；所述磁记录层包括一种结构，该结构有两层磁性层和插入在所述磁性层之间的一层交换耦合控制层；所述两层磁性层通过所述交换耦合控制层磁耦合；在写信号过程中的耦合能量与在保持信号状态中的耦合能量互不相同；以及在写信号过程中的耦合能量Jw与在保持信号状态中的耦合能量Jr满足关系0<Jw<Jr。2.如权利要求l所述的磁记录介质，其特征在于，所述交换耦合控制层包含磁性元素，且交换耦合控制层的饱和磁化强度Mse、设置在交换耦合控制层上面和下面的磁性层的饱和磁化强度Ms,和Ms2在写信号的过程中满足不等式Mse<Msl和Mse<Ms2。3.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述磁性层和交换耦合控制层各包括一种结构，其中磁性晶粒被非磁性物质包围。4.如权利要求1至3中任一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述交换耦合控制层的晶体磁性各向异性常数Ku至少为1.0xl06erg/cm3。5.如权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于，所述交换耦合控制层由一种包括磁性元素和添加到所述磁性元素中的氧化物或氮化物非磁性材料的薄膜和一种非磁性材料的薄膜的多层层叠层组成。全文摘要本发明的目的是提供一种用于同时实现高密度写操作和对温度特性的良好控制的热辅助记录技术的磁记录介质。一种用于热辅助记录技术的磁记录介质包括依次层叠到非磁性基板上的底层、磁记录层、以及保护层。磁记录层具有一种由两层磁性层和一层插入到该两磁性层之间的交换耦合控制层组成的结构，该两层磁性层通过交换耦合控制层磁耦合。在写信号过程中的耦合能量Jw和在保持信号状态中的耦合能量Jr满足关系0＜Jw＜Jr。文档编号G11B5/012GK101393750SQ20081014927公开日2009年3月25日申请日期2008年9月19日优先权日2007年9月21日发明者渡边真幸申请人:富士电机电子技术株式会社