专利名称：垂直磁记录交换弹簧型介质的利记博彩app
技术领域：
本发明总体涉及垂直磁记录介质，例如磁记录硬盘驱动器中使用的垂直
》兹记录盘，更具体地涉及具有"交换弹簧(exchange spring)"记录层结构的垂 直,兹记录介质。
背景技术：
水平或纵向磁记录介质是磁记录硬盘驱动器中使用的传统介质，该介质 中记录位大致平行于盘基表面和平面记录层的表面取向。垂直磁记录介质提 供了通向磁记录硬盘驱动器的超高记录密度的希望之路，该介质中记录位以 大致垂直的或自平面向外的取向(即，不平行于盘基表面和记录层表面)存 储在记录层中。普通类型的垂直磁记录系统是使用"双层"介质的系统。这 种类型的系统示于图1,其具有单写极型记录头。双层介质包括位于形成在 盘基上的"软"或较低矫顽力透磁衬层(SUL)上的垂直磁数据记录层(RL)。 RL通常为颗粒(granular)铁磁钴合金，例如具有c轴大致垂直于RL取向的六 方密堆(hcp)晶体结构的CoPtCr合金。
SUL用作自记录头的写极至返回极的磁场的磁通返回路径。图1中， RL被显示为具有垂直记录或^f兹化区，相邻区具有相反的,兹化方向，如箭头 所示。相邻的相反指向的磁化区之间的磁转变作为记录位是读元件或头可以 探测的。
图2是现有技术垂直磁记录盘的横截面的示意图，示出作用于记录层 RL的写入场H。该盘也包括硬盘基，所述盘基为后续设置的层提供基本上 平坦的表面。形成在盘基表面上的基本上平坦的层也可以包括用于SUL生 长的籽或开始层(OL)、用于中断SUL透磁膜和RL间的磁交换耦合并促进 RL的外延生长的交换中断层(EBL)、以及保护性外涂层(OC)。如图2所示， RL位于"表观(apparent)"记录头(ARH)的间隙内，与纵向或平面内记录相 比，这允许明显更大的写入场。该ARH包括盘上方的作为真正的写头(RWH) 的写极(图1 )和在RL之下的次写极(secondary write pole)(SWP)。 SWP得益于SUL,该SUL通过EBL而与RL退耦并在写过程中形成RWH的磁映 像。这实际上将RL置于ARH的间隙内，并允许RL内的大写入场H。然而， 此几何结构也导致RL内的写入场H几乎垂直于盘基表面和RL表面取向， 即沿RL晶粒的垂直易磁化轴(easy axis)取向，如具有易磁化轴2的代表性晶 粒1所示。写入场H和RL易磁化轴的几乎平行的排列的缺点在于，因为对 晶粒磁化施加最小的转矩，所以需要较高的写入场以反转磁化。而且，写入 场/易磁化轴对准增加了 RL晶粒的磁化反转时间，如M. Benakli等人IEEE Trans. MAG 37， 1564(2001)所述。
因为这些原因，理论上已经提出了 "倾斜"介质，如K.Z. Gao等人IEEE Trans. MAG 39, 704(2003)所述，其中RL的易》兹化轴相对于表面法线倾斜高 达约45度的角，从而磁化反转可以以较低的写入场实现，且反转时间不增 加。然而，还没有制造RL具有倾斜易,兹化轴的高质量记录介质的已知制造 工艺。
已经提出了仿效倾斜介质且与传统制造工艺兼容的垂直记录介质。这种 类型的介质使用RL中的"交换弹簧，，结构，以实现仿效倾斜介质的行为的 磁行为。在交换弹簧垂直记录介质中，RL结构是铁磁交换耦合的"硬，，磁 层(高矫顽力)和"软，，磁层(低矫顽力)的复合物。中间耦合层可以设置 在硬磁层和软磁层之间，以降低层间交换耦合的强度。该两个磁层通常具有 不同的各向异性场(Hk)。(具有单轴磁各向异性Ku的铁磁层的各向异性场Hk 是需要沿易磁化轴施加以改变磁化方向的磁场。)在有均匀写入场H的情况 下，低Hk层的磁化将首先旋转，并在高Hk层的磁化的反转中提供帮助，一 种有时被称为"交换弹簧，，行为的行为。R.H. Victora等人"Composite Media for Perpendicular Magnetic Recording"，正EE Trans MAG 41(2)， 537-542, Feb 2005和J.P. Wang等人"Composite media (dynamic tilted media) for magnetic recording" , Appl. Phys. Lett. 86(14) Art. No. 142504, Apr 4 2005描述了交换弹 簧垂直记录介质。2005年9月21日提交的且转让给本申请的相同受让人的 审理中的美国专利申请11/231516描述了一种垂直》兹记录介质，其具有由下 部高Hk铁磁层、上部低Hk铁磁层和这两个铁磁层之间的中间耦合层形成的 交换弹簧RL结构。
对于具有传统RL的垂直记录介质和具有交换弹簧RL结构的介质，存 在热衰退的问题。随着RL结构厚度减小，磁晶(magnetic grain)变得更易受到磁衰退的影响，即已磁化的区域自发地失去其磁化，导致数据丟失。这归 因于小磁晶的热活化(超顺磁效应)。磁晶的热稳定性很大程度上取决于
KUV,其中Ku是层的磁各向异性常数，V是磁晶的体积。于是，具有高Ku 的RL对热稳定性是重要的。然而，在具有交换弹簧RL结构的介质中，磁 层之一具有非常低的Ku，从而此层不能对RL的热稳定性作出贡献。.
为了解决交换弹簧介质中的热衰退问题，2006年3月9日提交且转让 给本申请的相同受让人的审理中的美国专利申请11/372295描述了一种具有 交换弹簧RL结构的垂直记录介质，该结构由通过中间非磁性或弱铁磁耦合 层铁磁交换耦合的、具有基本上类似的各向异性场Hk的两个铁磁层形成。 由于写头在RL的上部形成了更大的磁场和更大的磁场梯度，同时场强在RL 内部进一步减小，所以上部铁磁层可以具有高各向异性场。上部铁磁层所在 的RL的顶部附近的高磁场和磁场梯度反转该上部铁磁层的磁化，该磁化于 是在下部铁磁层的磁化反转中提供帮助，并引起对交换弹簧介质而言常见的 总体非均匀磁化反转。由于此交换弹簧型RL中的两个铁磁层均具有高各向 异性场且充分地交换耦合，所以该介质的热稳定性没有受到危害。
采用颗粒铁/磁钴合金记录层的水平,兹记录介质和垂直,兹记录介质因增 大的线记录密度而具有增大的本征介质噪声。介质噪声起因于所记录的磁转 变的不规则，并导致读回信号峰的随机漂移。高介质噪声导致高误码率 (BER)。于是，为了获得更高面记录密度，需要降低记录介质的本征介质噪 声，即增大信噪比(SNR)。于是，RL结构中的颗粒钴合金应当具有被充分隔 离的细晶粒结构，以减小粒间(intergranular)交换耦合，该粒间交换耦合是造 成高本征介质噪声的原因。钴合金RL中晶粒偏析(grain segregation)的促进 可以通过诸如Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B的氧化物的偏析物(segregant)的 添加来实现。这些氧化物倾向于沉淀至晶界，并且与钴合金的元素一起形成 非磁性的粒间材料。
然而，与水平记录介质(其中粒间交换耦合的完全缺乏提供最佳的SNR) 不同，在垂直记录介质中，在某种中间程度的粒间交换耦合的情况下实现最 佳SNR。而且，粒间交换耦合改善了介质晶粒内磁化状态的热稳定性。于是， 在垂直记录介质中，某种程度的粒间交换耦合是有利的。
2006年9月14日提交的且转让给本申请的相同受让人的审理中的美国 专利申请11/532055描述了一种具有交换弹簧RL结构的垂直磁记录介质，该结构具有与上部磁层接触且调和上部磁层中的粒间交换耦合的横向耦合
层(LCL)。
所需要的是具有交换弹簧RL结构的垂直i兹记录介质，该交换弹簧RL 结构具有最优的粒间交换耦合，以除了出众的可写性外获得高SNR和高热 稳定性。
发明内容
本发明是一种具有RL结构的垂直磁记录介质，该RL结构包括交换弹 簧结构和调和交换弹簧结构内的粒间交换耦合的铁^磁横向耦合层(LCL)。该 交换弹簧结构由两个铁磁交换耦合磁层(MAGI和MAG2 )构成，每个磁层 具有垂直磁各向异性。MAGI和MAG2可以具有位于其间的耦合层(CL), 该耦合层允许调整至MAGI和MAG2之间的适当的铁磁层间耦合强度。该 LCL与MAGI直接接触，且位于MAG1之上或之下。
该LCL可以由Co或例如CoCr合金的铁磁Co合金形成。Co合金可以 包括Pt和B之一或两者。该LCL中的铁磁合金具有比其所接触的MAGI 中的铁磁合金大得多的粒间交换耦合，MAGI中的铁磁合金通常包括例如 Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B的氧化物的偏析物。该LCL合金优选地应当 不包括任何氧化物或其它非金属偏析物，它们倾向于减小LCL中的粒间交 换耦合。由于LCL晶界与其所接触的MAGI的常规偏析和退耦的晶粒的边 界重叠，且LCL和MAGI晶粒垂直地强耦合，所以LCL引发了 MAGI中 的有效的粒间交换耦合，或者更确切地，其使得组合的LCL+MAG1系统具 有可调程度的粒间交换。
本发明还是一种垂直》兹记录系统，其包括上述介质和》兹记录写头。
为了更充分地理解本发明的本质和优点，应当参照结合附图的以下详细 说明。
图1是现有技术垂直磁记录系统的示意图2是现有技术垂直磁记录盘的横截面的示意图，示出作用于记录层 (RL)的写入》兹场H;
图3A是具有交换弹簧记录层(RL)的垂直磁记录盘的横截面的示意图，该RL由两个铁磁交换耦合的磁层(MAGI和MAG2 )组成；
图3B是具有交换弹簧记录层(RL)的垂直磁记录盘的横截面的示意图，
该RL由两个被非磁性或弱铁磁耦合层(CL)隔开的磁层(MAGI和MAG2 )
组成，磁场HI和H2分别作用于MAGI和MAG2;
图4A是一示意图，示出本发明的一种实施方式，其中横向耦合层(LCL)
直接沉积在MAGI上；
图4B是一示意图，示出本发明的另一实施例，其中MAG1直接沉积在
UX上；
图5A-5B是不具有LCL (图5A )和具有LCL (图5B )情况下的MAG1 中的晶粒和磁化的示意性示图。
具体实施例方式
图3A是具有交换弹簧记录层(RL)的根据现有技术的垂直磁记录盘的横 截面示意图，该RL由两个铁磁交换耦合的磁层(MAG1和MAG2)组成。 MAG1和MAG2均具有垂直磁各向异性。然而，MAG1和MAG2具有不同 的磁性能，从而它们对所施加的写入场有不同的反应。例如，MAG1和MAG2 之一可以是软磁的，另一个可以是硬磁的。硬磁层中的磁晶粒彼此交换退耦， 这意味着硬磁层中有非常低的粒间交换耦合。通过MAG1和MAG2中晶粒 间的适当层间交换耦合，软/f兹晶粒在外加写入场下将首先旋转，同时向硬磁 晶粒提供交换场以在硬磁层中的晶粒的磁化反转中提供帮助，于是引起仿效 有效易磁化轴的倾斜的磁化反转。其位置更接近写头且通常由低Hk材料形 成的MAG2有时被称为交换弹簧层(ESL)，下部层且通常由高Hk材料形成的 MAG1有时被称为介质层(ML)。
图3B示出与先前引用的审理中的美国专利申请11/372295中描述的介 质一样的交换弹簧介质，其中在MAG1和MAG2之间设置有耦合层(CL)。 此复合RL具有至少两个铁磁交换耦合的磁层(MAG1和MAG2)，它们被 CL隔开，每个磁层均具有大体垂直的磁各向异性并具有很大程度上相似的 各向异性场Hk。 CL在所述磁层之间提供了适当的铁磁耦合强度。复合RL 结构利用了与深度相关的写入场H,即总体上写头在RL的表面附近产生更 大的;兹场和更大的》兹场梯度，同时场强在RL内部进一步降低。MAG2所在 的RL的顶部附近的大磁场和磁场梯度使得MAG2能够由高Hk材料形成。在MAG2的磁化被写入场反转时，其在下部磁层MAG1的磁化反转中提供 帮助。在MAG1和MAG2的此非连贯,兹化反转中，MAG2响应写入场而改 变其磁化取向，接着放大作用于MAG1的"转矩(torque)"或反转场，导致 MAG1响应比相反没有MAG2时所需的写入场更弱的写入场而改变其磁化 方向。虽然作用于MAG1的写入场可以显著小于作用于MAG2的写入场， 但是因为MAG2的磁化反转导致的转矩，MAG1可以具有基本上相同的Hk。 于是，MAGI和MAG2可以具有很大程度上相似的各向异性场Hk，甚至可 以基本上具有相同的材料成分。
呈盘的形式的介质以剖视图示于图3B，其中示出写入场H。如图3B的 放大部分所示，MAG2中的代表性晶粒IO具有沿易磁化轴12的大致垂直的 或自平面向外(out-of-plane)的,兹化，并且受到写入场H2的作用。MAG2晶
粒10下方的MAG1中的代表性晶粒20也具有沿易磁化轴22的垂直磁化， 并受到小于H2的写入场Hl的作用。在存在外加写入场H2的情况下，MAG2 通过将磁转矩施加于MAG1上用作写辅助层，该磁转矩在反转MAG1的磁 化时提供帮助。
本发明中，交换弹簧RL中具有附加层的多层RL结构不但具有交换弹 簧RL的改善的可写性，还有具有更高程度的粒间交换耦合的RL结构中得 到的噪音减小和热稳定性提高。如图4A中的一种实施方式所示，称为横向 耦合层(LCL)的附加层位于交换弹簧结构中的MAG1之上且与之接触。如图 4B中的另一实施方式所示，LCL位于MAG1之下，MAG1在LCL之上且 与之接触。LCL调和交换弹簧结构中的粒间交换耦合。虽然LCL在图4A和 4B中被描绘为以包括CL的交换弹簧结构(与图3B所示的一样)实施，但 是该LCL也可完全应用于没有CL的交换弹簧结构(与图3A所示的一样)。
现在将说明图4A-4B所示的本发明的代表性盘结构。硬的盘基可以是 市场上可买到的任何玻璃基底，但是也可以是具有NiP表面涂层的传统铝合 金，或任选基底，例如珪、硅碱钙石(canasite)或碳化硅。
用于SUL生长的粘合层或OL可以是AlTi合金或类似材料，厚度为约 2-10nm。 SUL可以由透,兹材料形成，例如CoNiFe、 FeCoB、 CoCuFe、 NiFe、 FeAlSi、 FeTaN、 FeN、 FeTaC、 CoTaZr、 CoFeTaZr、 CoFeB和CoZrNb合金。 SUL也可以是叠层或多层SUL,其由被非磁性膜隔开的多个软磁膜形成，例 如Al或CoCr导电膜。SUL也可以是由被例如Ru、 Ir、或Cr或其合金的层间膜隔开的多个软磁膜形成的叠层或多层SUL，该层间膜调和反铁磁耦合。 EBL位于SUL之上。它用于中断SUL的透磁膜和RL之间的磁交换耦 合，还用于促进RL的外延生长。EBL可以是非必须的，但是如果使用，则 它可以是非磁性钛(Ti)层；非电导材料，例如Si、 Ge和SiGe合金；例如Cr、 Ru、 W、 Zr、 Nb、 Mo、 V和A1的金属；例如非晶CrTi和NiP的金属合金； 例如CNx、 CHx和C的非晶碳；或自Si、 Al、 Zr、 Ti和B构成的组选出的元 素的氧化物、氮化物或碳化物。如果使用EBL,则籽层可以在EBL的沉积 之前用在SUL之上。例如，如果Ru用作EBL,则l-8nm厚的NiFe或NiW 籽层可以;陂沉积在SUL上，然后是3-30nm厚的Ru EBL。 EBL也可以是多 层EBL。
MAG1和MAG2层可以由具有垂直磁各向异性的任何已知的非晶或颗 粒材料和结构形成。于是，MAG1和MAG2均可以是具有例如Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B的氧化物的适当的偏析物的例如CoPt或CoPtCr合金的颗 粒多晶钴合金层。而且，MAG1和MAG2均可以由具有垂直石兹各向异性的 多层组成，例如Co/Pt、 Co/Pd、 Fe/Pt和Fe/Pd多层，所述多层含有例如上述 材料的适当的偏析物。另外，包含稀土元素的垂直》兹层可用于MAG1和 MAG2,例如CoSm、 TbFe、 TbFeCo、 GdFe合金。MAG1 (也称为介质层或 ML)和MAG2 (也称为交换弹簧层或ESL)可以具有很大程度上不同的磁 性能，例如不同的各向异性场(Hk)，以确保它们对外加写入场有不同的反应， 由此具有交换弹簧行为以改善可写性。MAG1和MAG2也可以具有基本上 相同的各向异性场Hk (这意味着具有低Hk的层的Hk值是具有高Hk的层的 HJ直的至少70% (以及高达至少90%)),并依然具有图3B所示介质的如上 所述的交换弹簧行为。
CL可以是六方密堆(hcp)材料，其可以调和弱《力磁耦合，也可为MAG2 的生长提供良好的模板。由于CL必须使适当的层间交换耦合强度成为可能， 所以其应当是非磁性的或弱铁磁性的。于是，CL可以由具有低Co含量(< 约65原子百分比)的RuCo和RuCoCr合金，或者具有高Cr和/或B含量 (Cr+B〉约30原子百分比)的CoCr和CoCrB合金形成。Si氧化物或如Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B的氧化物的其它氧化物可以添加到这些合金中。CL也 可以由面心立方(fcc)材料例如Pt或Pd或基于Pt或Pd的合金形成，因为这 些材料使得磁层之间的可调强度的铁磁耦合成为可能(即它们通过增加厚度来减小耦合)且可与介质生长兼容。
取决于用于CL的材料的选择，更具体地取决于CL中钴(Co)的浓度， CL可以具有小于3.0nm的厚度，更优选地具有约0.2nm与约2.5nm之间的 厚度。由于Co是高》兹性的，所以CL中Co的更高浓度可以通过增厚CL来 弥补，以实现MAG1和MAG2之间的优化的层间交换耦合。通过调整CL 的材料和厚度，可以部分地优化MAG1和MAG2之间的层间交换耦合。CL 应当提供充足的从而对反转磁场(以及反转磁场分布)有很大影响的耦合强 度，但该耦合强度应当足够小以不将MAG1和MAG2层牢固地耦合在一起。
LCL可以由Co、或铁磁Co合金例如CoCr合金形成。该Co合金可以 包括Pt和B之一或两者。在图4A的实施方式中LCL直接沉积在MAG1上； 或者在图4B的实施方式中LCL沉积在EBL上，且MAG1直接沉积在LCL 上。与MAG1中的铁磁合金相比，LCL中的铁爿磁合金具有显著更大的粒间 交换耦合。LCL合金优选地不应当包括任何氧化物或其它非金属偏析物，它 们倾向于减小LCL中的粒间交换耦合。由于LCL晶粒边界与其所接触的 MAG1的常规偏析和退耦的晶粒的边界重叠，且LCL和MAG1晶粒强烈地 垂直耦合，所以LCL引发了 MAG1中的有效粒间交换耦合，或者更确切地 它使得复合LCL+MAG1系统能够具有可调程度的粒间交换。这示于图 5A-5B，其示意性示出没有LCL (图5A)和具有LCL (图5B )的MAG1 中的晶粒和;兹化。总的LCL+MAG1厚度应当在约2-15nm的范围内，优选 地在约3-10纳米的范围内。总的LCL+MAG1厚度的LCL部分应当在约 10-卯％之间，优选范围为约20-60%。通过改变厚度并测量盘的性能以确定 哪个厚度为复合LCL+MAG1系统提供最适当程度的粒间交换耦合，可以试 验地确定优化的LCL厚度。
形成在RL上的OC可以是非晶"类金刚石"碳膜或者其它已知的保护 性外涂层，例如Si的氮化物(Si-nitride)。
虽然已经参照优选实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域技术人 员将理解，在不悖离本发明的精神和范围的情况下，可做形式和细节上的各 种改变。因此，所公开的发明将仅被当作是示意性的，且仅限于所附权利要 求所确定的范围。
权利要求
1.一种垂直磁记录介质，包括基底；该基底上的且具有自平面向外的易磁化轴的第一铁磁层；具有自平面向外的易磁化轴的第二铁磁层，该第二铁磁层被铁磁交换耦合于该第一铁磁层；以及与该第一铁磁层接触的铁磁横向耦合层LCL。
2. 如权利要求1的介质，其中该LCL位于该基底与该第一铁磁层之间。
3. 如权利要求l的介质，其中该LCL位于该第一铁磁层和该第二铁磁 层之间。
4. 如权利要求1的介质，其中该LCL选自Co和铁磁Co合金构成的组。
5. 如权利要求4的介质，其中该LCL是包括Cr和选自B和Pt构成的 组的元素的铁磁Co合金。
6. 如权利要求4的介质，其中该LCL是实质上仅由Co和Cr构成的铁 磁合金。
7. 如权利要求l的介质，还包括耦合层CL，所述耦合层在该第一铁磁 层和该第二铁磁层之间，且允许该第一铁磁层与该第二铁磁层的铁磁交换耦合。
8. 如权利要求7的介质，其中该LCL在该第一铁磁层和该第二铁磁层 之间且直接位于该第一铁磁层上，该CL位于该LCL和该第二铁》兹层之间。
9. 如权利要求7的介质，其中该CL由选自以下组的材料形成，该组 由a)Co少于约65原子百分比的RuCo合金、b) Co少于约65原子百分比的 RuCoCr合金、以及c) Cr和B的组合含量大于约30原子百分比的Co与Cr 和B中的一种或更多种的合金构成。
10. 如权利要求l的介质，其中该第一和第二铁磁层中的每一个包括颗 粒多晶钴合金和Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B中的一种或更多种的氧化物。
11. 如权利要求l的介质，其中该第一和第二4失》兹层的各向异性场是4艮 大程度上相似的。
12. 如权利要求l的介质，其中该第一和第二铁磁层的各向异性场是很大程度上不同的。
13. 如权利要求l的介质，还包括该基底上的透^f兹材料衬层；以及该 衬层和该第一铁磁层之间的用于防止该衬层和该第一铁磁层之间的磁交换 耦合的交换中断层。
14. 一种垂直石兹记录盘，包才舌 基底；该基底上的透磁材料衬层；该衬层上的且包括第一和第二交换耦合的铁一磁层的交换弹簧结构，所述 第一和第二铁磁层中的每一个具有自平面向外的易磁化轴且包括颗粒多晶 钴合金，所述第一铁磁层还包括Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B中的一种或更 多种的氧化物；以及与该第一铁磁层接触的铁磁横向耦合层(LCL)，该LCL包括含Co和Cr 的无氧化物铁磁合金。
15. 如权利要求14的盘，其中该LCL位于该基底和该第一铁磁层之间。
16. 如权利要求14的盘，其中该LCL位于该第一铁磁层和该第二铁磁 层之间。
17. 如权利要求14的盘，其中该LCL合金包括自B和Pt构成的组选 出的元素。
18. 如权利要求14的盘，还包括耦合层CL，所述耦合层在该第一铁磁 层和该第二铁磁层之间，且允许该第一铁磁层与该第二铁磁层的铁磁交换耦合。
19. 如权利要求18的盘，其中该LCL在该第 一铁磁层和该第二铁磁层 之间且直接位于该第一铁磁层上，该CL位于该LCL和该第二铁磁层之间。
20. 如权利要求18的盘，其中该CL由选自以下组的材料形成，该组 由a) Co少于约65原子百分比的RuCo合金、b) Co少于约65原子百分比的 RuCoCr合金、以及c) Cr和B的合含量大于约30原子百分比的Co与Cr和 B中的一种或更多种的合金、d)Pt、 e)Pd、 f)Pt基合金、以及g)Pd基合金构 成。
21. 如权利要求14的盘，还包括该衬层和该第一铁磁层之间的用于防 止该衬层和该第 一铁磁层之间的磁交换耦合的交换中断层。
22. —种垂直;兹记录系统，包括如权利要求14的盘；写头，用于磁化所述盘的该第二铁磁层、该铁磁交换耦合的第一铁磁层、 以及与该第一铁磁层接触的该LCL中的区域；以及 读头，用于探测所述被磁化的区域之间的;兹转变。
全文摘要
本发明公开了垂直磁记录系统和介质，其具有包括交换弹簧结构和铁磁横向耦合层(LCL)的多层记录层。交换弹簧结构由均具垂直磁各向异性的两铁磁交换耦合的磁层(MAG1和MAG2)形成。MAG1和MAG2可具有位于其间的允许MAG1与MAG2的铁磁交换耦合的耦合层(CL)。LCL位于MAG1上或下且直接接触MAG1，调和MAG1中的有效粒间交换耦合。LCL中的铁磁合金具有比MAG1中的铁磁合金大得多的粒间交换耦合，后者通常包括如氧化物的偏析物。LCL优选无氧化物或其他非金属偏析物，其倾向于减小LCL中的粒间交换耦合。因LCL晶界与MAG1的常规偏析和退耦的晶粒的边界重叠，且LCL和MAG1晶粒垂直地强耦合，所以LCL引发MAG1中的有效粒间交换耦合。
文档编号G11B5/64GK101290778SQ20081009262
公开日2008年10月22日 申请日期2008年4月16日 优先权日2007年4月17日
发明者埃里克·E·富勒顿, 安德烈亚斯·K·伯杰, 戴维·T·马古利斯, 拜伦·H·伦格斯菲尔德三世 申请人:日立环球储存科技荷兰有限公司