专利名称：薄膜磁头用滑动器的制造方法
技术领域：
本发明涉及具有与记录媒体相对的媒体对置面和配置在媒体对置面附近的薄膜磁头元件的薄膜磁头用滑动器的制造方法。
背景技术：
近年来，伴随硬盘装置的面记录密度的提高，要求提高薄膜磁头的性能。作为薄膜磁头，广泛使用复合型薄膜磁头，该复合型薄膜磁头将具有写入用的感应式电磁变换元件的记录头和具有读出用的磁阻(以下又称作MR(Magnetoresistive))元件的重放头层叠后构成。作为MR元件，有利用各向异性磁阻(以下又称作AMR(AnisotrpicMagnetoresistive))效应的AMR元件和使用巨大磁阻(以下又称作GMR(Giant Magnetoresistive))效应的GMR元件，使用了AMR元件的重放头称作AMR头或单称作MR头。AMR头用来作为记录面密度超过1G比特/(英寸)2的重放头，GMR头用来作为记录面密度超过3G比特/(英寸)2的重放头。近年来，几乎都使用GMR头。
作为提高重放头性能的方法，有将MR膜变成AMR膜至GMR膜等的磁阻灵敏度高的材料的方法和优化MR膜的图形宽度、即重放磁道宽度和MR高度等方法。MR高度是只从MR空气轴承面一侧的端部到相反一侧的端部的长度(高度)。此外，空气轴承面是指薄膜磁头的与磁记录媒体相对的面。
另一方面，伴随重放头性能的提高，也要求提高记录头的性能。为了提高记录头的性能中的面记录密度，有必要提高记录磁道密度。为此，有必要实现窄磁道结构的记录头，使将记录间隙层夹在中间在其上下形成的下部磁极和上部磁极的空气轴承面的宽度为几微米到亚微米量级。上述宽度是决定记录头的性能的主要因素之一。为了达到上述窄磁道结构，使用了半导体加工技术。此外，作为决定记录头性能的其它因素，有图形宽度、特别有喉部高度(Throat Height)。喉部高度是指2个磁极层经记录间隙层对置的部分、即磁极部分的从空气轴承面的端部到相反一侧的端部的长度(高度)。为了提高记录头的性能，希望缩小喉部高度。该喉部高度由空气轴承面加工时的研磨量决定。
这样，为了提高薄膜磁头的性能，使记录头和重放头平衡地形成很重要。
作为可实现高密度记录的薄膜磁头所要求的条件，对于重放头来说，有缩小重放磁道宽度、增加重放输出和降低噪声等，对于记录头来说，有缩小记录磁道、提高作为在已对记录媒体写入数据的区域重叠写入数据时的特性的重写特性、和提高非线性过渡偏移(Non-lineat transition shift)特性等。
硬盘装置等使用的浮动型薄膜磁头一般利用由在后端部形成了薄膜磁头元件的滑动器构成。滑动器利用因记录媒体旋转产生的空气流使其浮在记录媒体的表面。
这里，参照图23A到图26A、图23B到图26B和图27说明相关技术的薄膜磁头元件的制造方法的一个例子。再有，图23A到图26A表示与空气轴承面垂直的截面，图23B到图26B表示与磁极部分的空气轴承面平行的截面。
在该制造方法中，首先，如图23A和图23B所示，例如，在由氧化铝·碳化钛(Al2O3·TiC)形成的基板101上，淀积形成例如厚度约5～10μm左右的由氧化铝(Al2O3)形成的绝缘层102。其次，在绝缘层102上形成由磁性材料形成的重放头用的下部屏蔽层103。
其次，在下部屏蔽层103上例如利用溅射形成例如厚度为100～200nm。由氧化铝等绝缘材料形成的下部屏蔽间隙膜104。其次，在下部屏蔽间隙膜104上，形成厚度为几十nm的重放用MR元件105。其次，在下部屏蔽间隙膜104上，形成一对与MR元件105电连接的电极层106。
其次，在下部屏蔽间隙膜104、MR元件105和电极层106的上面，例如利用溅射形成由氧化铝等绝缘材料形成的上部屏蔽间隙膜107，并将MR元件105埋设在屏蔽间隙膜104、107内。
其次，在上部屏蔽间隙膜107的上面，形成由磁性材料构成的重放头和记录头这二者用的约3μm厚的上部屏蔽层兼下部磁极层(以下记作下部磁极层)108。
其次，如图24A和图24B所示，在下部磁极层108的上面，形成由绝缘膜、例如氧化铝膜形成的厚度为0.2μm的记录间隙层109。其次，为了形成磁路，对记录间隙层109进行部分刻蚀形成接触孔109a。其次，在磁极部分的记录间隙层109上形成由磁性材料形成的记录头用的厚度为0.5～1.0μm的上部磁极片110。与此同时，在用来形成磁路的接触孔109a的上面，形成用来形成磁路的由磁性材料形成的磁性层119。
其次，如图25A和图25B所示，以上部磁极片110作为掩模，利用离子刻蚀对记录间隙层109和下部磁性层108进行刻蚀。如图25B所示，将上部磁极部分(上部磁极片110)、记录间隙层109和部分下部磁极层108的各侧壁垂直地自对准地被形成的结构称作均衡(Trim)结构。
其次，全面形成厚度约3μm的由氧化铝膜形成的绝缘层111。其次，直到上部磁极片110和磁性层119的表面，对该绝缘层111进行研磨，使其平坦。
其次，在平坦的绝缘层111的上面，例如形成感应式记录头用的由铜(Cu)形成的第1层薄膜线圈112。其次，在绝缘层111和线圈112上按规定的图形形成光致抗蚀层113。其次，为了使表面平坦，在规定的温度下对光致抗蚀层113的表面进行热处理。其次，在光致抗蚀层113的上面形成第2层薄膜线圈114。其次，在光致抗蚀层113和线圈114的上面，按照规定的图形形成光致抗蚀层115。其次，为了使表面平坦，在规定的温度下对光致抗蚀层115的表面进行热处理。
其次，如图26A和图26B所示，在上部磁极片110、光致抗蚀层113、115和磁性层119的上面，形成由记录用的磁性材料、例如坡莫合金(NiFe)形成的上部磁极层116。其次，在上部磁极层116的上面形成例如由氧化铝形成的外敷层117。最后，对包含上述各层的滑动器进行机加工，形成包含记录头和重放头的薄膜磁头的空气轴承面118，完成薄膜磁头元件的制作。
图27是表示图26A和图26B所示的薄膜磁头元件的平面图。再有，在该图中，省略了外敷层117及其它绝缘层和绝缘膜。
其次，参照图28到图30说明滑动器的构成及其制造方法。图28是表示滑动器的空气轴承面的构成的一个例子的底面图。如该图所示，为了利用由磁盘等记录媒体的旋转产生的空气流使滑动器浮在记录媒体的表面，滑动器120中的空气轴承面形成一定的形状。再有，在图28中，符号121a表示凸部，121b表示凹部。此外，在滑动器120中的空气轴承面的空气流出侧(图28中的上侧)的端部附近配置薄膜磁头元件122。该薄膜磁头元件122的构成例如如图26A和图26B所示那样形成。图28中的C部与图26B对应。
滑动器120可以象以下那样制造。首先，在一个方向上切断将成为分别包含薄膜磁头元件122的滑动器部分(以下称作滑动器部分)排列成多列的膜片，形成将滑动器部分排成一列的称作条的模板。其次，对该条进行研磨加工形成空气轴承面，进而，形成凸部121a和凹部121b。其次，切断条分离出各个滑动器120。
图29是图28的沿29-29线的剖面图。在图29中，只表示薄膜磁头元件122中的主要部分。如图29所示，滑动器120的大部分例如由利用氧化铝·碳化钛形成的基板101构成。滑动器120的剩下部分例如由氧化铝绝缘层127、在该绝缘层127内形成的薄膜磁头元件122等构成。绝缘层127的大部分是外敷层117。
在滑动器120中的空气轴承面上，为了防止下部屏蔽层103、下部磁极层108、上部磁极片110和上部磁极层116等的腐蚀，例如象特开平9-93027号公报公开的那样，也可以形成使用了类金刚石碳(DLC)等的保护膜。图30是表示象这样在空气轴承面上形成了保护膜128的滑动器120浮在记录媒体140上的状态的截面图。
在提高硬盘装置的性能特别是面记录密度的方法中，有提高线记录密度的方法和提高磁道密度的方法。在设计高性能的硬盘装置时，根据侧重点是放在线记录密度还是磁道密度，对记录头、重放头或薄膜磁头的整体的具体策略是不同的。即，当将侧重点放在磁道密度上进行设计时，例如要求记录头和重放头双方的磁道宽度小。
另一方面，当将侧重点放在线记录密度上进行设计时，例如对重放头，要求提高重放输出和缩小重放输出中的半峰值宽度。当将侧重点放在线记录密度上进行设计时，进而，要求缩小硬盘和滑动器之间的距离(以下称作磁间隙)。当要实现20～30G/(英寸)2的面记录密度时，磁间隙例如为15～25nm是必要的。
磁间隙的缩小可以通过缩小滑动器的上浮量来达到。磁间隙的缩小除了有助于重放头的重放输出的提高和半峰值宽度的缩小之外，还有助于提高记录头的重写特性。
下面，说明缩小磁间隙时存在的问题。以往，滑动器120的空气轴承面研磨例如使用金刚砂浆，在旋转的锡诺莫合金盘上进行。
可是，构成滑动器120的多种材料的硬度存在差异。例如，若把作为基板101使用的陶瓷材料的氧化铝·碳化钛和下部屏蔽层103、下部磁极层108、上部磁极片110、上部磁极层116等使用的磁性材料、例如NiFe以及绝缘层127使用的氧化铝的硬度进行比较，氧化铝·碳化钛的硬度最大，NiFe的硬度最小，氧化铝的硬度在氧化铝·碳化钛和NiFe之间。
这样，当使用作为研磨剂的金刚砂浆在锡诺莫盘上对包含硬度不同的多个层的滑动器120近进行研磨时，在硬度不同的多个层之间产生台阶差。例如，如图29所示，由NiFe等磁性材料形成的层、例如上部磁极层116和绝缘层之间，在上部磁极层116引入绝缘层127的状态下产生1～2nm的台阶差，在绝缘层127和基板101之间，在绝缘层127引入基板101的状态下产生4～5nm的台阶差。这时，薄膜磁头元件122的空气轴承面和除了保护膜128外的基板101的空气轴承面之间的台阶差为5～7nm。
这里，如图30所示，当保护层128的厚度为5nm时，薄膜磁头元件122的空气轴承面和与基板101对应部分的保护层128的空气轴承面之间的台阶差为10～12nm左右。而且若滑动器120上浮时滑动器120和记录媒体140之间的距离为10nm，则滑动器120的上浮时的薄膜磁头元件122的空气轴承面一侧的面与记录媒体140之间的距离，即磁间隙变成20～22nm。这一程度的磁间隙所能达到的面记录密度最高是30G/(英寸)2左右。
这样，在相关技术的薄膜磁头中，因为在滑动器120的空气轴承面上与薄膜磁头元件122对应的部分在引入的状态下比其它部分产生的台阶差大，故缩小磁间隙很困难，结果，存在难以提高记录密度的问题。
此外，如上所述，在相关技术的薄膜磁头中，难以缩小磁间隙，特别是，不能完全满足提高重放特性、即提高重放时的重放输出和缩小半峰值宽度的愿望。因此，在相关技术中，高密度记录用的硬盘装置的出错率上升，存在硬盘装置的成品率低的问题。
再有，在特开平8-339511号公报中公开了一种滑动器的制造方法，在研磨滑动器的空气轴承面的工序中，与构成薄膜磁头元件的构成部件相比，不均衡地侵蚀构成部件周围的绝缘体，使构成部件比绝缘体突出。
但是，在该技术中，在滑动器的空气轴承面上，因特别在绝缘体和构成部件之间产生很大的台阶差，故存在为了消除该台阶差而必须形成不必要的保护膜的厚度的问题。
另一方面，当磁间隙缩小时，滑动器和记录媒体容易产生碰撞，容易损坏记录媒体。为了防止出现这样的现象，有必要提高记录媒体表面的平滑性。但是，若提高记录媒体表面的平滑性，则容易产生滑动器和记录媒体之间的吸附。
因此，在特开平8-287440号公报、特开平8-293111号公报和特开平11-120528号公报等中，公开了一种在滑动器的与媒体相对的面上设置防止吸附用的突起的技术。
在特开平7-230615号公报中，公开了一种为了使滑动器的上浮面平坦而在加工滑动器的上浮面时在滑动器和磁头元件之间产生的凹部上设置由绝缘膜形成的保护膜的技术。在特开平7-230615号公报中，作为在凹部上设置保护膜的方法，示出了下面的第1方法和第2方法。第1方法是在利用溅射在包含滑动器的上浮面和磁头元件部的上浮面一侧的面的整个面上形成保护膜之后，通过研磨滑动器的上浮面来除去滑动器的上浮面上的保扩膜。第2方法是在包含滑动器的上浮面和磁头元件部的上浮面一侧的面的整个面上形成感光性有机膜，只使磁头元件部的上浮面上的感光性有机膜感光并除去，然后，利用溅射在整个面上形成保护膜，最后，除去剩下的感光有机膜。
但是，在特开平7-230615号公报公开的技术中，滑动器的上浮面、即与媒体相对的面虽然平坦了，但因在滑动器的与媒体相对的面上设有上述防止吸附用的突起等，故存在难以使滑动器的与媒体相对的面形成所需要的形状的问题。
此外，在特开平11-185418号公报中公开这样一种技术，为了防止滑动器和记录媒体的吸附，在滑动器的空气轴承面上的空气流入侧设置凸部，同时，除空气流出端的角部外，在记录媒体停止时，空气轴承面以不与记录媒体面平行的规定的角度进行接触。
但是，在特开平11-185418号公报中公开的技术中，虽然能够防止滑动器和记录媒体的吸附，但因不能消除空气轴承面的与薄膜磁头元件对应的部分和其它部分之间产生的台阶差，故存在难以缩小磁间隙的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜磁头用的滑动器的制造方法，能够使薄膜磁头用的滑动器的上浮低一些，而且能够将薄膜磁头用的滑动器的与媒体相对的面形成所需要的形状。
本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法是具有与记录媒体相对的媒体对置面和配置在媒体对置面附近的薄膜磁头元件的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，具有对于包含薄膜磁头元件的滑动器用的原料形成媒体对置面的工序；以及对媒体对置面的至少一部分进行刻蚀、使媒体对置面中与薄膜磁头元件对应的部分和其它部分之间的台阶差减小或将与薄膜磁头元件对应的部分配置在比其它部分中的至少一部分更靠近记录媒体的位置上的工序。
在本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法中，通过刻蚀媒体对置面的至少一部分，使滑动器的媒体对置面中与薄膜磁头元件对应的部分和其它部分之间的台阶差减小或将与薄膜磁头元件对应的部分配置在比其它部分中的至少一部分更靠近记录媒体的位置上。
在本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法中，形成媒体对置面的工序也可以包括研磨滑动器用原料中的成为媒体对置面的面。
此外，在本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法中，也可以进而具有在刻蚀工序之后在媒体对置面上形成保护膜的工序。这时，保护膜也可以由由类金刚石碳形成。此外，本发明的制造方法也可以进而具有在保护膜上形成凸部的工序。
此外，本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法进而具有在形成媒体对置面之后在媒体对置面上形成保护膜的工序，在刻蚀工序中，也可以部分地刻蚀保护膜。这时，保护膜也可以由类金刚石碳形成。此外，保护膜的厚度也可以大于等于刻蚀工序前的状态下的媒体对置面中的与薄膜磁头元件对应的部分与其它部分中的至少一部分之间的台阶差。
此外，在本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法中，也可以在刻蚀工序中在媒体对置面中的其它部分上形成凸部。
此外，本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法中，可以在刻蚀工序中使用离子研磨，也可以使用反应性离子刻蚀。
此外，本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法中，也可以在刻蚀工序中利用聚焦离子束进行刻蚀。这时，在刻蚀工序中，也可以以媒体对置面的端部为基准进行聚焦离子束的位置对准。
此外，在本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法中，在利用聚焦离子束进行刻蚀的工序中，也可以使媒体对置面的形状成为在媒体对置面中与空气流入侧的端部和空气流出侧的端部相比其中间部分向记录媒体一侧突出的形状。这时，在利用聚焦离子束进行刻蚀的工序中，媒体对置面的形状也可以是从媒体对置面上的空气流入侧的端部到空气流出侧的端部呈弧形的形状。
此外，在本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法中，薄膜磁头元件也可以具有磁阻元件，在利用聚焦离子束进行刻蚀的工序中，也可以控制从磁阻元件的媒体对置面一侧的端部到相反一侧的端部的长度。
此外，在本发明的薄膜磁头用的滑动器的制造方法中，薄膜磁头元件也可以具有包含相互以磁的方式耦合的、在媒体对置面一侧相互对置的磁极部分，且具有分别包含至少一层的第1和第2磁性层、设在第1磁性层的磁极部分与第2磁性层的磁极部分之间的间隙层和至少一部分在第1和第2磁性层之间对第1和第2磁性层在绝缘状态下设置的薄膜线圈，在利用聚焦离子束进行刻蚀的工序中，也可以控制从磁极部分的媒体对置面一侧的端部到相反一侧的端部的长度。
通过以下说明也许能够充分了解本发明的其它目的、特征和利益。
图1A和图1B是表示薄膜磁头元件的制造方法的一个例子中的一个工序的截面图。
图2A和图2B是用来说明图1A和图1B的工序下一个工序的截面图。
图3A和图3B是用来说明图2A和图2B的工序下一个工序的截面图。
图4A和图4B是用来说明图3A和图3B的工序下一个工序的截面图。
图5A和图5B是用来说明图4A和图4B的工序下一个工序的截面图。
图6A和图6B是表示一例薄膜磁头元件的构成的截面图。
图7是表示图6A和图6B所示的薄膜磁头元件的主要部分的平面图。
图8是表示滑动器的空气轴承面的一例的构成的底面图。
图9是用来说明本发明第1实施例的滑动器制造方法中的一个工序的截面图。
图10是表示图9的下一个工序的截面图。
图11是在表示图10的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。
图12是表示利用本发明的第1实施例的制造方法制造的滑动器的薄膜磁头元件的一例重放输出波形的特性图。
图13是用来说明本发明的第2实施例的滑动器制造方法的一个工序的截面图。
图14是在表示图13的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。
图15是用来说明本发明的第3实施例的制造方法的一个工序的截面图。
图16是在表示图15的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。
图17是用来说明本发明的第4实施例的制造方法的一个工序的截面图。
图18是在表示图17的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。
图19是用来说明本发明的第5实施例的制造方法的一个工序的截面图。
图20是在表示图19的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。
图21是用来说明本发明的第6实施例的制造方法的一个工序的截面图。
图22是在表示图21的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。
图23A和图23B是用来说明关连技术的薄膜磁头元件的制造方法的一个工序的截面图。
图24A和图24B是用来说明图23A和图23B的工序下一个工序的截面图。
图25A和图25B是用来说明图24A和图24B的工序下一个工序的截面图。
图26A和图26B是关连技术薄膜磁头元件的截面图。
图27是关连技术薄膜磁头元件的平面图。
图28是表示滑动器的空气轴承面的一例构成的底面图。
图29是图28的沿29-29线的剖面图。
图30是表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。
具体实施例方式
下面，参照附图详细说明本发明的实施例。
适用于本发明的第1实施例的薄膜磁头用滑动器(以下单称为滑动器)具有作为与记录媒体相对的媒体对置面的空气轴承面和配置在空气轴承面附近的薄膜磁头元件。
首先，参照图1A至图6A、图1B至图6B和图7，说明适用于本发明的第1实施例的滑动器的薄膜磁头元件的一例制造方法。再有，图1A至图6A表示与空气轴承面垂直的截面，图1B至图6B表示与磁极部分的空气轴承面平行的截面。
本例的薄膜磁头元件的制造方法如图1A和图1B所示，首先，例如在由氧化铝·碳化钛(Al2O3·TiC)形成的基板1上淀积例如由氧化铝(Al2O3)形成的厚度约5μm的绝缘层2。其次，在绝缘层2上形成由磁性材料、例如坡莫合金形成的约3μm厚的重放头用的下部屏蔽层3。下部屏蔽层3例如以光致抗蚀膜作为掩模，利用电镀法在绝缘层2上有选择地形成。其次，整体地形成例如4～5μm厚的由氧化铝形成的绝缘层，利用例如CMP(化学机械研磨)进行研磨直到露出下部屏蔽层3，再对表面进行平坦化处理(未图示)。
其次，如图2A和图2B所示，在下部屏蔽层3上形成例如厚度约20～40nm的作为绝缘膜的下部屏蔽间隙膜4。其次，在下部屏蔽间隙膜4上形成几十nm厚的重放用MR元件5。MR元件5例如通过有选择地对利用溅射形成的MR膜进行刻蚀来形成。再有，MR元件5可以采用使用了AMR元件、GMR元件或TMR(隧道磁阻效果)元件等显示磁阻效应的磁敏膜的元件。其次，在下部屏蔽间隙膜4上形成几十nm厚的与MR元件5电连接的一对电极层6。其次，在下部屏蔽间隙膜4和MR元件5上形成例如约20～40nm厚的作为绝缘膜的上部屏蔽间隙膜7，并将MR元件5埋设在屏蔽间隙膜4、7内。作为屏蔽间隙膜4、7使用的绝缘材料，有氧化铝、氮化铝、类金刚石碳(DLC)等。此外，屏蔽间隙膜4、7可以利用溅射法形成，也可以利用化学汽相生长法(CVD)形成。
其次，在上部屏蔽间隙膜7的上面，有选择地形成重放头和记录头用的约1.0～1.5μm厚的由磁性材料形成的上部屏蔽层兼下部磁极层(以下记作下部磁极层)8。再有，下部磁极层8由该第1层8a和后述的第2层8b、第3层8c构成。下部磁极层8的第1层8a配置在与后述的薄膜线圈的至少一部分相对的位置上。
其次，在下部磁极层8由该第1层8a的上面，形成厚度约1.5～2.5μm的下部磁极层8的第2层8b和第3层8c。第2层8b形成下部磁极层8的磁极部分，并与第1层8a的后述的记录间隙层一侧(图2A和图2B中的上侧)的面连接。第3层8c是用来与第1层8a和后述的上部磁极层连接的部分，配置在后述的薄膜线圈的中心附近的位置上。在第2层8b中的与相对于上部磁极层的部分的空气轴承面30相反一侧的端部位置决定喉部高度。
下部磁极层8的第2层8b和第3层8c可以使用NiFe(Ni80％的重量，Fe20％的重量)、高饱和磁通密度材料NiFe(Ni45％的重量，Fe55％的重量)、利用电镀法形成，也可以使用高饱和磁通密度材料FeN、FeZrN等材料、利用溅射法形成。除此之外，也可以使用高饱和磁通密度材料CoFe、Co系的非晶材料等。
其次，如图3A、和图3B所示，整体地形成厚度约0.3～0.6μm的由氧化铝形成的绝缘膜9。
其次，利用光刻工序使光致抗蚀膜形成图形，形成用来利用框架电镀法形成薄膜线圈的框架。其次，利用框架电镀法，使用该框架形成例如厚度约1.0～2.0μm、线圈间距约1.2～2.0μm的例如由铜(Cu)形成的薄膜线圈。其次，除去框架，再有，图中，符号10a表示用来连接薄膜线圈10和后述的导电层(引线)的连接部。
其次，如图4A和图4B所示，整体地形成厚度约3～4μm的由氧化铝形成的绝缘层11。其次，例如利用CMP法对绝缘层11进行研磨，直到露出下部磁极层8的第2层8b和第3层8c，然后，对表面进行平坦化处理。这里，虽然在图4A中没有露出薄膜线圈10，但也可以露出薄膜线圈10。
其次，在露出的下部磁极层8第2层8b和第3层8c以及绝缘层11的上面，形成由绝缘材料形成的例如厚度为0.2～0.3μm的记录间隙层12。作为记录间隙层12使用的绝缘材料，一般有氧化铝、氮化铝、氧化硅系材料、氮化硅系材料和类金刚石碳(DLC)等。此外，记录间隙层12可以利用溅射法形成，也可以利用CVD法形成。
其次，为了形成磁路，在下部磁极层8的第3层8c的上面，对记录间隙层12进行部分刻蚀形成接触孔。此外，在薄膜线圈10的连接部10a的之上的部分，对记录间隙层12和绝缘层11进行部分刻蚀形成接触孔。
其次，如图5A和图5B所示，在记录间隙层12的上面，从空气轴承面30到下部磁极层8的第3层8c的上面部分形成厚度约2.0～3.0μm的上部磁极层13，同时，形成厚度约2.0～3.0μm的导电层16，以便连接薄膜线圈10的连接部10a。上部磁极层13经在下部磁极层8的第3层8c上面的部分形成的接触孔，与下部磁极层8的第3层8c接触，以磁的方式耦合。
上部磁极层13可以使用NiFe(Ni80％的重量，Fe20％的重量)、高饱和磁通密度材料NiFe(Ni45％的重量，Fe55％的重量)等、利用电镀法形成，也可以使用高饱和磁通密度材料FeN、FeZrN等材料、利用溅射法形成。此外，也可以使用高饱和磁通密度材料CoFe、Co系的非晶材料等。此外，为了改善高频特性，也可以使上部磁极层13形成为重叠好几层无机绝缘膜和坡莫合金等的磁性层的结构。
其次，以上部磁极层13作为掩模，利用离子刻蚀对记录间隙层12进行有选择地刻蚀。这时的离子刻蚀例如可以采用使用了BCl2、Cl2等氯元素系的气体和CF4、SF6等氟元素系气体等气体的反应性离子刻蚀(RIE)。其次，利用例如氩离子研磨，对下部磁极层8的第2层8b有选择地刻蚀约0.3～0.6μm，形成图5B所示的均衡结构。若按照该均衡结构，可以防止因窄磁道写入时发生的磁力线的展宽而引起的有效磁道宽度的增加。
其次，如图6A和图6B所示，整体地形成例如由氧化铝形成的厚度为20～40μm的外敷层17，并使其表面平坦化，再形成未图示的电极用焊区。最后，进行包含上述各层的滑动器的研磨加工，形成包含记录头和重放头的薄膜磁头的空气轴承面30，从而完成薄膜磁头元件的制作。
图7是表示图6A和图6B所示的薄膜磁头元件的主要部分的平面图。再有，在图7中，省略了外敷层17、其它绝缘层和绝缘膜。
本例中的薄膜磁头元件具有与记录媒体相对的媒体对置面(空气轴承面30)、重放头和记录头(感应式电磁变换元件)。重放头具有MR元件5和对MR元件5进行屏蔽的下部屏蔽层3和上部屏蔽层(下部磁极层8)，该下部屏蔽层3和上部屏蔽层8使其空气轴承面30一侧的一部分将MR元件5夹在中间而相对配置。
记录头包含相互以磁的方式连结、且空气轴承面30一侧相互对置的磁极部分，具有至少包含1层的下部磁极层8和上部磁极层13、设在下部磁极层8和上部磁极层13的磁极部分之间的记录间隙层12和至少一部分在下部磁极层8和上部磁极层13之间并与它们绝缘设置的薄膜线圈10。
其次，参照图8说明使用本实施例的滑动器的制造方法的一例滑动器。图8是表示滑动器的空气轴承面的一例的构成的底面图。如该图所示，将滑动器20中的空气轴承面形成一定的形状，以便利用因磁盘等记录媒体的旋转产生的空气流使滑动器20浮在记录媒体表面。再有，在图8中，符号21a表示凸部，21b表示凹部。此外，在滑动器20中的空气轴承面的空气流出侧(图8中的上侧)的端部附近配置薄膜磁头元件22。该薄膜刺眼元件22的构成例如如图6A和图6B所示那样形成。图8中的A部与图6B对应。
其次，参照图9至图11说明本实施例的滑动器的制造方法。图9是用来说明本实施例的滑动器制造方法中的一个工序的截面图。图10是表示图9的下一个工序的截面图。图11是在表示图10的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。图9至图11表示由图8中的9-9线表示的剖面。此外，在图9至图11中，只表示薄膜磁头元件22中的主要部分。
在本实施例的滑动器的制造方法中，首先，在一个方向上切断将成为分别包含薄膜磁头元件22的滑动器20的部分(以下称作滑动器部分)排列成多列的膜片，形成使滑动器部分排成一列的称作条的模板。条与本发明的滑动器所用的原料对应。
其次，如图9所示，对包含成为滑动器20的部分的条进行研磨加工形成空气轴承面30，滑动器的大部分例如通过由氧化铝·碳化钛形成的基板1构成。滑动器20剩下的部分例如由氧化铝绝缘层27和在该绝缘层27内形成的薄膜磁头元件22等构成。绝缘层27的大部分是外敷层17。
在上述研磨加工之后，在滑动器20的空气轴承面30上产生硬度不同的多个层之间的台阶差。研磨加工例如使用作为研磨剂的金刚砂加上碱性润滑液构成的碱性金刚砂浆，在旋转的锡诺莫盘上进行。这时，因为可以在利用碱性金刚砂浆对由氧化铝形成的绝缘层27进行化学刻蚀的同时对绝缘层27和由磁性材料形成的下部屏蔽层3、下部磁极层8及上部磁极层13进行机械研磨，所以，能够使绝缘层27、下部屏蔽层3、下部磁极层8和上部磁极层13之间的台阶差近似为0。
但是，即使使用上述碱性金刚砂浆来研磨，也不能消除绝缘层27和基板1之间的台阶差，在绝缘层27和基板1之间，绝缘层27被引入基板1，产生4～5nm的台阶差。这时，在薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和基板1的空气轴承面30一侧的面之间的台阶差为4～5nm左右。
其次，在本实施例中，如图10所示，在滑动器20的空气轴承面30中的与薄膜磁头元件22和绝缘层27对应的部分上有选择地形成光致抗蚀膜31。其次，以光致抗蚀膜31作为掩模，通过刻蚀、最好是象离子研磨或反应性离子刻蚀那样的的干刻蚀，对空气轴承面30进行部分刻蚀。这时的刻蚀量大于等于薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和基板1的空气轴承面30一侧的面之间的台阶差，例如是5nm。在本实施例中，对空气轴承面30进行部分刻蚀的工序变成对基板1的刻蚀。
通过上述刻蚀，如图11所示，在保护膜28形成之前的滑动器20的空气轴承面30上，或者减小与薄膜磁头元件22对应的部分和与基板1对应的部分之间的台阶差，或者，与薄膜磁头元件22对应的部分处在比与基板1对应的部分中的至少一部分更靠近记录媒体40的位置上。在减小与薄膜磁头元件22对应的部分和与基板1对应的部分之间的台阶差的情况下，最好使两部分形成为同一平面。
其次，在滑动器20的空气轴承面30上，例如，如图8所示那样形成凸部21a和凹部21b，使空气轴承面30形成一定的形状，以便利用记录媒体的旋转产生的空气流使滑动器20浮在记录媒体表面。
其次，如图11所示，在滑动器20的空气轴承面30的整个面上形成用来保护薄膜磁头元件22的保护膜28。该保护膜28的材料例如可以使用类金刚石碳(DLC)。
最后，切断条，分离出各个滑动器20。再有，在本实施例中，在在滑动器20的空气轴承面30上形成凸部21a和凹部21b的工序中，如图11所示，在滑动器20的空气轴承面30一侧的边缘，对薄膜磁头元件22附近的空气流出侧(图11中的左侧)的边缘进行倒角处理。
如图11所示，在利用本实施例的制造方法制造的滑动器20中，若设保护层28的厚度为5nm、滑动器20上浮时滑动器20和记录媒体40之间的距离为10nm，则滑动器20上浮时薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面与记录媒体40之间的距离、即磁间隙为15nm。该滑动器20中的磁间隙与图30所示的相关技术的滑动器120中的磁间隙相比，缩小5nm以上。
如以上说明的那样，在本实施例中，在保护膜28形成前的滑动器20的空气轴承面30上，对空气轴承面30进行部分刻蚀，使与薄膜磁头元件22对应的部分和与基板1对应的部分之间的台阶差减小，或者，使与薄膜磁头元件22对应的部分处在比与基板1对应的部分中的至少一部分更靠近记录媒体40的位置上，然后，在空气轴承面30的整个面上形成保护膜28。
因此，若按照本实施例，可以使薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和基板1的空气轴承面30一侧的面的台阶差为0或接近0，或者，使薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面配置在比基板1的空气轴承面30一侧的面更靠近记录媒体40的位置上。结果，若按照本实施例，利用磁间隙的缩小，可以提高重放头的重放输出和缩小半峰值宽度，结果，可以提高记录密度。图12示出利用本实施例的制造方法制造的滑动器20的薄膜磁头元件22中的一例重放输出波形。在该图中，符号PW50表示重放输出的半峰值宽度。半峰值宽度PW50是重放输出为峰值时的50％以上的时间。
此外，若按照本实施例，通过缩小磁间隙，可以提高记录头中的重写特性。
此外，若按照本实施例，因对滑动器20的空气轴承面30进行了部分刻蚀，故可以使滑动器20的空气轴承面30形成所要的形状，例如如图11所示那样，形成使与薄膜磁头元件22对应的部分处在比与基板1对应的部分更靠近记录媒体40的位置上的形状。
此外，若按照本实施例，因在滑动器20的空气轴承面30一侧的边缘对薄膜磁头元件22附近的空气流出侧(图11中的左侧)的边缘进行倒角处理，故可以使滑动器20的上浮更低。
下面，参照图13和图14说明本发明的第2实施例的滑动器的制造方法。图13是用来说明本实施例的滑动器的制造方法的一个工序的截面图。图14是在表示图13的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。图13和图14表示由图8的9-9线表示的剖面。此外，在图13和图14中，只示出薄膜磁头元件22的主要部分。
在本实施例的滑动器的制造方法中，如图9所示，直到对包含成为滑动器部分的条进行研磨加工形成空气轴承面30的工序为止，与第1实施例一样。
其次，在本实施例中，如图13所示那样，在滑动器20的空气轴承面30中，在与薄膜磁头元件22和绝缘层27对应的部分上，有选择地形成光致抗蚀膜31。这时，同时，在滑动器20的空气轴承面30中，在一部分与基板1对应的部分上，形成用来形成具有后述的防止吸附等功能的凸部的光致抗蚀膜32。
其次，以光致抗蚀膜31、32作为掩模，通过刻蚀、最好是象离子研磨或反应性离子刻蚀那样的的干刻蚀，对空气轴承面30进行部分刻蚀。这时的刻蚀量大于等于薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和基板1的空气轴承面30一侧的面之间的台阶差，例如是5nm。在本实施例中，对空气轴承面30进行部分刻蚀的工序变成对基板1的刻蚀。
通过上述刻蚀，如图14所示，在保护膜28形成之前的滑动器20的空气轴承面30上，在一部分与基板1对应的部分上形成具有防止吸附等功能的凸部33。同时，在保护膜28形成前的滑动器20的空气轴承面30上，或是减小与薄膜磁头元件22对应的部分和与基板1对应的部分之间的台阶差，或是将与薄膜磁头元件22对应的部分配置在比与基板1对应的部分中的至少一部分(除了与凸部33对应的部分)更靠近记录媒体40的位置上。在减小与薄膜磁头元件22对应的部分和与基板1对应的部分之间的台阶差的情况下，最好使与薄膜磁头元件22对应的部分和与基板1对应的部分(除了与凸部33对应的部分)在同一平面上形成。
其次，在滑动器20的空气轴承面30上，例如，如图8所示那样形成凸部21a和凹部21b，将空气轴承面30形成所要的形状，以便利用记录媒体的旋转产生的空气流使滑动器20浮在记录媒体表面。
其次，如图14所示，在滑动器20的空气轴承面30的整个面上形成用来保护薄膜磁头元件22的保护膜28。该保护膜28的材料例如可以使用类金刚石碳(DLC)。
最后，切断条，分离出各个滑动器20。再有，在本实施例中，在在滑动器20的空气轴承面30上形成凸部21a和凹部21b的工序中，如图14所示，在滑动器20的空气轴承面30一侧的边缘上，对薄膜磁头元件22附近的空气流出侧(图14中的左侧)的边缘进行倒角处理。
若按照本实施例，因在保护膜28形成前对滑动器20的空气轴承面30进行了部分刻蚀，故可以将滑动器20的空气轴承面30形成所要的形状，例如，形成为具有防止吸附用的凸部33那样的形状。
此外，若按照本实施例，因在滑动器20的空气轴承面30上，在一部分与基板1对应的部分上设置凸部33，故在记录媒体开始旋转时能够防止滑动器20和记录媒体40的吸附，同时，在记录媒体40从旋转状态转到旋转停止状态而且滑动器20与记录媒体40接触时，能够减轻相互间的碰撞。
本实施例的其它的构成、作用和效果与第1实施例一样。
下面，参照图15和图16说明本发明的第3实施例的滑动器的制造方法。图15是用来说明本实施例的滑动器的制造方法的一个工序的截面图。图16是在表示图15的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。图15和图16表示由图8的9-9线表示的剖面。此外，在图15和图16中，只示出薄膜磁头元件22的主要部分。
在本实施例的滑动器的制造方法中，如图9所示，直到对包含成为滑动器部分的条进行研磨加工形成空气轴承面30的工序为止，和第1实施例一样。
其次，在本实施例中，如图15所示那样，在滑动器20的空气轴承面30的整个面上，形成用来保护薄膜磁头元件22的保护膜28。该保护膜28的材料例如使用类金刚石碳(DLC)。该保扩膜28的厚度大于等于薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和基板1的空气轴承面30一侧的面的台阶差，例如为5nm。
其次，在滑动器20的空气轴承面30中，在与薄膜磁头元件22和绝缘层27对应的部分上，有选择地形成光致抗蚀膜31。这时，同时在滑动器20的空气轴承面30中，在一部分与基板1对应的部分上，形成用来形成具有后述的防止吸附等功能的凸部的光致抗蚀膜32。
其次，以光致抗蚀膜31、32作为掩模，通过刻蚀、最好是象离子研磨或反应性离子刻蚀那样的的干刻蚀，对空气轴承面30进行部分刻蚀。这时的刻蚀量最好大于等于薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和基板1的空气轴承面30一侧的面之间的台阶差，例如是5～10nm。在本实施例中，对空气轴承面30进行部分刻蚀的工序变成对保护膜28的刻蚀，根据情况，有时变成基板1的刻蚀。
通过上述刻蚀，如图16所示，在滑动器20的空气轴承面30上，在一部分与基板1对应部分形成具有防止吸附等功能的凸部34。同时，在空气轴承面30上，或是减小与薄膜磁头元件22对应的部分和与基板1对应的部分之间的台阶差，或是将与薄膜磁头元件22对应的部分配置在比与基板1对应的部分中的至少一部分(除了与凸部34对应的部分)更靠近记录媒体40的位置上。在减小与薄膜磁头元件22对应的部分和与基板1对应的部分之间的台阶差的情况下，最好使与薄膜磁头元件22对应的部分和与基板1对应的部分(除了与凸部33对应的部分)在同一平面上形成。
其次，在滑动器20的空气轴承面30上，例如，如图8所示那样形成凸部21a和凹部21b，使空气轴承面30形成所要的形状，以便利用记录媒体的旋转产生的空气流使滑动器20稍微浮在记录媒体表面。
最后，切断条，分离出各个滑动器20。再有，在本实施例中，在在滑动器20的空气轴承面30上形成凸部21a和凹部21b的工序中，如图16所示，在滑动器20的空气轴承面30一侧的边缘上，对薄膜磁头元件22附近的空气流出侧(图14中的左侧)的边缘进行倒角处理。
如图16所示，在利用本实施例的制造方法制造的滑动器20中，若设保护膜28的厚度为5nm，滑动器20上浮时滑动器20和记录媒体40之间的距离为10nm，则滑动器20上浮时薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和记录媒体40之间的距离、即磁间隙为15nm。该滑动器20中的磁间隙与图30所示的关连技术的滑动器120中的磁间隙相比，缩小5nm以上。
如以上说明的那样，在本实施例中，在具有台阶差的空气轴承面30上形成保护膜28后，在滑动器20的空气轴承面30上，对保护膜28进行部分刻蚀，使与薄膜磁头元件22对应的部分和与基板1对应的部分之间的台阶差减小，或者，使与薄膜磁头元件22对应的部分配置在比与基板1对应的部分中的至少一部分(除了与凸部34对应的部分)更靠近记录媒体40的位置上。
因此，若按照本实施例，可以使包含保护膜28薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和基板1的空气轴承面30一侧的面的台阶差为0或接近0，或者，使包含保护膜28的薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面配置在比基板1的空气轴承面30一侧的面更靠近记录媒体40的位置上。结果，若按照本实施例，和第1实施例一样，可以使滑动器20上浮量小，即可以缩小磁间隙。此外，若按照本实施例，通过缩小磁间隙，可以提高重放头的重放输出和缩小半峰值宽度，结果，可以提高记录密度。
此外，若按照本实施例，因对滑动器20的空气轴承面30进行了部分刻蚀，故可以将滑动器20的空气轴承面30形成所要的形状，例如，如图16所示，形成为具有防止吸附用的凸部34那样的形状。
此外，若按照本实施例，因在滑动器20的空气轴承面30上，在一部分与基板1对应的部分设置凸部34，故在记录媒体开始旋转时能够防止滑动器20和记录媒体40的吸附，同时，在记录媒体40从旋转状态转到旋转停止状态而且滑动器20与记录媒体40接触时，能够减轻相互间的碰撞。
本实施例的其它的构成、作用和效果与第1实施例一样。
下面，参照图17和图18说明本发明的第4实施例的滑动器的制造方法。图17是用来说明本实施例的滑动器的制造方法的一个工序的截面图。图18是在表示图17的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。图17和图18表示由图8的9-9线表示的剖面。此外，在图17和图18中，只示出薄膜磁头元件22的主要部分。
在本实施例的滑动器的制造方法中，如图9所示，直到对包含成为滑动器部分的条进行研磨加工形成空气轴承面30的工序为止，和第1实施例一样。
其次，在本实施例中，如图17所示，在滑动器20的空气轴承面30上，利用聚焦离子束(Focused Ion Beam；以下，记作FIB)100对空气轴承面30的至少一部分进行刻蚀，使与薄膜磁头元件22对应的部分和其它部分之间的台阶差减小。利用FIB100的刻蚀可以只对滑动器20的空气轴承面30中的与基板1对应的部分进行，也可以对空气轴承面30的整个面进行。
当利用FIB100只对滑动器20的空气轴承面30中的与基板1对应的部分进行刻蚀时，例如，首先在空气轴承面30上以基板1和绝缘层27的边界位置为基准对准FIB100的位置，其次，使FIB100扫描基板1，进行刻蚀。FIB100的扫描方向可以是图17中的左右方向，可以是与纸面垂直的方向，也可以是其它方向。此外FIB100对基板1的刻蚀量等于或接近薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和基板1的空气轴承面30一侧的面的台阶差，例如，为5nm。
当对空气轴承面30的整个面进行FIB100的刻蚀时，例如，首先以空气轴承面30的空气流出侧(图17的左侧)的端部为基准对准FIB100的位置，其次，使FIB100扫描空气轴承面30的整个面，进行刻蚀。这时，由于在空气轴承面30上存在因薄膜磁头元件22和绝缘层27被引入基板1而产生的台阶差，所以在开始利用FIB100大概是只对基板1进行刻蚀，直到该台阶差消失为止。当台阶差消失后，刻蚀薄膜磁头元件22和绝缘层27。FIB的扫描方向可以是图17中的左右方向，可以是与纸面垂直的方向，也可以是其它方向。此外，FIB100对基板1的刻蚀量等于或接近薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和基板1的空气轴承面30一侧的面的台阶差，例如，为5nm。当利用FIB100刻蚀薄膜磁头元件22和绝缘层27时，刻蚀量比上述台阶差多。
此外，当利用FIB100刻蚀薄膜磁头元件22和绝缘层27时，也可以通过控制刻蚀量，控制从MR元件5的空气轴承面30一侧的端部到相反一侧的端部的长度(高度)、即MR高度和从记录头的磁极部分的空气轴承面30一侧的端部到相反一侧的端部的长度(高度)、即喉部高度。
通过上述FIB100的刻蚀，如图18所示，在保护膜28形成前的滑动器20的空气轴承面30上，可以使基板1、薄膜磁头元件22和绝缘层27之间的台阶差为0或接近0。
其次，在滑动器20的空气轴承面30上，例如，如图8所示那样形成凸部21a和凹部21b，使空气轴承面30形成所要的形状，以便利用记录媒体的旋转产生的空气流使滑动器20稍微浮在记录媒体表面上。
其次，如图18所示那样，在滑动器20的空气轴承面30的整个面上，形成用来保护薄膜磁头元件22的保护膜28。该保护膜28的材料例如使用类金刚石碳(DLC)。该保护膜28的厚度例如为3～5nm。
最后，切断条，分离出各个滑动器20。再有，在本实施例中，在在滑动器20的空气轴承面30上形成凸部21a和凹部21b的工序中，如图18所示，在滑动器20的空气轴承面30一侧的边缘，对薄膜磁头元件22附近的空气流出侧(图14中的左侧)的边缘进行倒角处理。
如图18所示，在利用本实施例的制造方法制造的滑动器20中，若设保护膜28的厚度为5nm，滑动器20上浮时滑动器20和记录媒体40之间的距离为10nm，则滑动器20上浮时薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和记录媒体40之间的距离、即磁间隙为15nm。该滑动器20中的磁间隙与图30所示的关连技术的滑动器120中的磁间隙相比，大致缩小了5～7nm以上。
如以上说明的那样，在本实施例中，在形成保护膜28之前的滑动器20的空气轴承面30上，对空气轴承面30的至少一部分进行FIB100的刻蚀，使与薄膜磁头元件22对应的部分和其它部分之间的台阶差减小，然后，在空气轴承面30的整个面上形成保护膜28。
因此，若按照本实施例，可以使薄膜磁头元件22的空气轴承面30一侧的面和基板1的空气轴承面30一侧的面的台阶差为0或接近0。结果，若按照本实施例，可以使滑动器20上浮量小，即可以缩小磁间隙。此外，若按照本实施例，通过缩小磁间隙，可以提高重放头的重放输出和缩小半峰值宽度，结果，可以提高记录密度。利用本实施例的制造方法制造的滑动器20的薄膜磁头元件22中的重放输出波形例如如图12所示那样。
此外，若按照本实施例，通过缩小磁间隙，可以提高记录头的重写特性。
此外，若按照本实施例，因利用FIB100对滑动器20的空气轴承面30的至少一部分进行了刻蚀，故可以将滑动器20的空气轴承面30形成所要的形状，例如，在空气轴承面30上，形成为将与薄膜磁头元件22对应的部分配置在比与基板1对应的部分更靠近记录媒体40的位置上那样的形状。
此外，若按照本实施例，因在滑动器20的空气轴承面30一侧的边缘对薄膜磁头元件22附近的空气流出侧(图18中的左侧)的边缘进行倒角处理，故可以使滑动器20的上浮更低。
此外，若按照本实施例，因在利用FIB100刻蚀薄膜磁头元件22和绝缘层27的同时通过控制其刻蚀量可以控制MR高度和喉部高度，故可以高精度地控制MR高度和喉部高度。
此外，若按照本实施例，例如以空气轴承面30的空气流出侧的端部为基准去对准FIB100的位置，通过使FIB100扫描空气轴承面30的整个面并进行刻蚀，与利用使用了定盘的研磨加工形成的面相比，可以提高空气轴承面30的平坦度。
下面，参照图19和图20说明本发明的第5实施例的滑动器的制造方法。图19是用来说明本实施例的滑动器的制造方法的一个工序的截面图。图20是在表示图19的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。图19和图20表示由图8的9-9线表示的剖面。此外，在图19和图20中，只示出薄膜磁头元件22的主要部分。
在本实施例的滑动器的制造方法中，如图9所示，直到对包含成为滑动器20部分的条进行研磨加工形成空气轴承面30、进而如图19所示在滑动器20的空气轴承面30上利用FIB100对空气轴承面30的至少一部分进行刻蚀使与薄膜磁头元件22对应的部分和其它部分之间的台阶差减小的工序为止，和第4实施例一样。
其次，在本实施例中，在滑动器20的空气轴承面30上，例如，如图8所示那样形成凸部21a和凹部21b，使空气轴承面30形成所要的形状，以便利用记录媒体的旋转产生的空气流使滑动器20稍微浮在记录媒体表面。
其次，如图20所示那样，在滑动器20的空气轴承面30的整个面上，形成用来保护薄膜磁头元件22的保护膜28。该保护膜28的材料例如使用类金刚石碳(DLC)。
其次，在一部分与基板1对应的部分的保护膜28上，例如利用剥离法(lift-off)形成具有防吸附等功能的凸部35。该凸部35的材料例如使用类金刚石碳(DLC)。
最后，切断条，分离出各个滑动器20。再有，在本实施例中，在滑动器20的空气轴承面30上形成凸部21a和凹部21b的工序中，如图20所示，在滑动器20的空气轴承面30一侧的边缘，对薄膜磁头元件22附近的空气流出侧(图20中的左侧)的边缘进行倒角处理。
若按照本实施例，因在滑动器20的空气轴承面30上，在一部分与基板1对应的部分设置凸部35，故在记录媒体40开始旋转时能够防止滑动器20和记录媒体40的吸附，同时，在记录媒体40从旋转状态转到旋转停止状态而且滑动器20与记录媒体40接触时，能够减轻相互间的碰撞。
本实施例的其它的构成、作用和效果与第4实施例一样。
下面，参照图21和图22说明本发明的第6实施例的滑动器的制造方法。图21是用来说明本实施例的滑动器的制造方法的一个工序的截面图。图22是在表示图21的下一个工序的同时还表示滑动器浮在记录媒体表面上的状态的截面图。图21和图22表示由图8的9-9线表示的剖面。此外，在图21和图22中，只示出薄膜磁头元件22的主要部分。
在本实施例的滑动器的制造方法中，如图9所示，直到对包含成为滑动器20部分的条进行研磨加工形成空气轴承面30的工序为止，和第1实施例一样。
其次，在本实施例中，如图21所示，利用FIB100对空气轴承面30的整个面进行刻蚀。只是，在本实施例中，如图22所示那样，通过增加FIB100的刻蚀量使之在空气流入侧和空气流出侧的各端部侧的刻蚀量一样多，使空气轴承面30的形状变成在空气轴承面30中与空气流入侧的端部和空气流出侧的端部相比其中间部分向记录媒体40一侧突出的形状(以下称为冠状)。这时，空气轴承面30的形状最好是从空气流入侧端部到空气流出侧端部为弧形的形状，即圆筒表面的形状或与此相似的形状，也可以是屋顶形状、圆顶帽形状、圆锥形状等其它形状。
其次，在滑动器20的空气轴承面30上，例如，如图8所示那样形成凸部21a和凹部21b，使空气轴承面30形成所要的形状，以便利用记录媒体的旋转产生的空气流使滑动器20稍微浮在记录媒体表面上。
其次，如图22所示那样，在滑动器20的空气轴承面30的整个面上，形成用来保护薄膜磁头元件22的保护膜28。该保护膜28的材料例如使用类金刚石碳(DLC)。
最后，切断条，分离出各个滑动器20。再有，在本实施例中，在在滑动器20的空气轴承面30上形成凸部21a和凹部21b的工序中，如图22所示，在滑动器20的空气轴承面30一侧的边缘上，对薄膜磁头元件22附近的空气流出侧(图20中的左侧)的边缘进行倒角处理。
若按照本实施例，因利用FIB100对滑动器20的空气轴承面30进行刻蚀，所以，通过对每一部分控制刻蚀量，可以使滑动器20的空气轴承面30的形状变成所要的形状，例如象上述那样的冠形形状。
此外，若按照本实施例，通过将空气轴承面30的形状加工成冠状，故在记录媒体40开始旋转时能够防止滑动器20和记录媒体40的吸附，同时，在记录媒体40从旋转状态转到旋转停止状态而且滑动器20与记录媒体40接触时，能够减轻相互间的碰撞。
本实施例的其它的构成、作用和效果与第4实施例一样。
再有，本发明不限于上述各实施例，可以进行种种变更。例如，本发明可以适用于没有感应式电磁变换元件的重放专用薄膜磁头、只有感应式电磁变换元件的记录专用薄膜磁头和利用感应式电磁变换元件进行记录和重放的薄膜磁头。
如以上说明的那样，若按照本发明的薄膜磁头用滑动器的制造方法，对媒体对置面的至少一部分进行刻蚀，从而，在媒体对置面上，或是减小与薄膜磁头对应的部分和其它部分之间的台阶差，或是使与薄膜磁头对应的部分配置在比其它部分中的至少一部分更靠近记录媒体的位置上，所以，可以降低薄膜磁头用滑动器的上浮，而且，可以将薄膜磁头用滑动器的与媒体相对的面形成所要的形状。
此外，在本发明的薄膜磁头用滑动器的制造方法中，当在媒体对置面上形成保护膜并在保护膜上形成凸部时，能够防止滑动器和记录媒体的相互吸附。
此外，在本发明的薄膜磁头用滑动器的制造方法中，当在刻蚀工序中在媒体对置面的与薄膜磁头元件对应的部分以外的部分形成凸部时，能够防止滑动器和记录媒体的相互吸附。
此外，在本发明的薄膜磁头用滑动器的制造方法中，当利用聚焦离子束进行刻蚀使媒体对置面的形状变成在媒体对置面中与空气流入侧的端部和空气流出侧的端部相比其中间部分向记录媒体一侧突出的形状时，能够防止滑动器和记录媒体的相互吸附。
此外，在本发明的薄膜磁头用滑动器的制造方法中，当利用聚焦离子束进行刻蚀并控制从磁阻元件的媒体对置面一侧的端部到相反一侧的端部长度时，可以高精度地控制该长度。
此外，在本发明的薄膜磁头用滑动器的制造方法中，当利用聚焦离子束进行刻蚀并控制从磁极部分的媒体对置面一侧的端部到相反一侧的端部长度时，可以高精度地控制该长度。
根据上述说明，对于可以实施本发明的各种形态及其变形例这一点更明白了。因此，在下面权利要求范围的均等范围内，对于上述最佳实施例以外的形态，也可以实施本发明。
权利要求
1.一种薄膜磁头用的滑动器的制造方法，该方法是具有与记录媒体相对的媒体对置面和配置在上述媒体对置面附近的薄膜磁头元件的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于，具有形成包括基板、配置在上述基板上的绝缘层以及在上述绝缘层内形成的薄膜磁头元件的滑动器用的基材的工序；以及在上述滑动器用的基材中，通过研磨与上述基板和绝缘层的交界面交叉的面，对于上述滑动器用的基材形成与上述基板和绝缘层的交界面交叉的媒体对置面的工序；在上述形成媒体对置面的工序中，通过上述研磨，在上述媒体对置面中，以与薄膜磁头元件对应的部分相对于与基板对应的部分缩入的状态来产生台阶差；薄膜磁头用的滑动器的制造方法，在上述形成媒体对置面工序之后，还具有将与上述基板对应的部分刻蚀，以使在上述媒体对置面中，与薄膜磁头元件对应的部分配置在比与基板对应的部分中的至少一部分更靠近记录媒体的位置上的工序。
2.如权利要求1记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于还包括在上述刻蚀工序之后在上述媒体对置面上形成保护膜的工序。
3.如权利要求2记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于上述保护膜由类金刚石碳形成。
4.如权利要求2记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于还包括在上述保护膜上形成凸部的工序。
5.如权利要求1记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于还包括在形成上述媒体对置面的工序之后在上述媒体对置面上形成保护膜的工序，在上述刻蚀工序中，对上述保护膜进行部分刻蚀。
6.如权利要求5记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于上述保护膜由类金刚石碳形成。
7.如权利要求5记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于上述保护膜的厚度大于或等于上述刻蚀工序前上述媒体对置面中，与薄膜磁头元件对应的部分和与基板对应的部分中的至少一部分之间的台阶差。
8.如权利要求1记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于在上述刻蚀工序中，在媒体对置面中的与上述基板对应的部分上形成凸部。
9.如权利要求1记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于在上述刻蚀工序中使用离子研磨。
10.如权利要求1记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于在上述刻蚀工序中使用反应性离子刻蚀。
11.如权利要求1记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于在上述刻蚀工序中利用聚焦离子束进行刻蚀。
12.如权利要求11记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于在上述刻蚀工序中，以媒体对置面的端部为基准进行聚焦离子束的位置对准。
13.如权利要求11记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于在上述刻蚀工序中，使上述媒体对置面的形状成为在媒体对置面中与空气流入侧的端部和空气流出侧的端部相比，它们的中间部分向记录媒体一侧突出的形状。
14.如权利要求13记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于在上述刻蚀工序中，上述媒体对置面的形状是从媒体对置面上的空气流入侧的端部到空气流出侧的端部呈弧形的形状。
15.如权利要求11记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于上述薄膜磁头元件具有磁阻元件，在上述刻蚀工序中，控制从上述磁阻元件的媒体对置面一侧的端部到相反一侧的端部的长度。
16.如权利要求11记载的薄膜磁头用的滑动器的制造方法，其特征在于上述薄膜磁头元件具有包含相互以磁的方式耦合的、在媒体对置面一侧相互对置的磁极部分，且具有分别包含至少一层的第1和第2磁性层、设在上述第1磁性层的磁极部分与上述第2磁性层的磁极部分之间的间隙层和至少一部分在上述第1和第2磁性层之间在对于上述第1和第2磁性层绝缘的状态下设置的薄膜线圈，在上述刻蚀工序中，控制从上述磁极部分的媒体对置面一侧的端部到相反一侧的端部的长度。
全文摘要
本发明的制造方法具有对包含薄膜磁头元件的滑动器用的原料形成空气轴承面的工序和对空气轴承面的至少一部分进行刻蚀、使空气轴承面中的与薄膜磁头元件对应的部分和其它部分在同一平面上形成、或将与薄膜磁头元件对应的部分配置在比其它部分更靠近记录媒体的位置上的工序。
文档编号G11B5/60GK1707615SQ200510075578
公开日2005年12月14日 申请日期2001年1月2日 优先权日2000年2月22日
发明者佐佐木芳高 申请人:Tdk株式会社