专利名称：管理一次写入式记录介质上的缺陷的方法、装置和介质的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一次写入式记录介质上的缺陷的管理，更特别地，本发明涉及一种用于管理一次写入式记录介质中的缺陷而且保持与可重写的再现和/或记录装置的兼容性的方法、一种用于实现上述方法的再现和/或记录装置、一种由此而来的一次写入式记录介质、以及一种包括用于控制所述方法的实现的计算机可读代码的介质。
背景技术：
缺陷管理是一种当将用户数据记录在用户数据区域的先前尝试导致具有缺陷的已记录的用户数据时而将用户数据存储在备用区域中的处理。传统上，通过使用线性替换或滑动替换来进行记录介质上的缺陷管理。线性替换(linear replacement)是利用备用区域中没有缺陷的扇区替换用户数据区域中的有缺陷扇区的处理。滑动替换(slipping replacement)是跳过缺陷扇区并且使用紧接着该缺陷扇区的第一良好扇区的处理。
线性替换和滑动替换这两者只能用于能将数据重写到其中的和/或能利用随机访问写入数据的记录介质，举例来说，DVD-RAM盘和DVD-RW盘。换句话说，将传统的线性替换和滑动替换应用到一次写入式记录介质是困难的。能够通过实际上将数据写入到记录介质上来验证是否缺陷已经发生。但是，由于数据不能被重写到一次写入式记录介质中，所以通过使用这些传统的方法不能对一次写入式记录介质进行缺陷管理。
同时，随着CD-R和DVD-R记录介质的发展，已经开发了具有几十GB容量的高密度一次写入式记录介质。这些记录介质价格便宜并且能使用随机访问来读取数据，从而具有快的读取速度。因为这些优点，所以它们通常被用于系统备份(backup)。但是，由于在一次写入式记录介质上没有进行缺陷管理，所以当在备份期间出现有缺陷的扇区时则中断备份。特别地，由于通常当不频繁使用系统时进行备份，即，在夜间，当操作者不在时，存在备份被中断而没有被恢复的高度可能性。
传统上，通过已定义的规范(举例来说，DVD规范)中的规则公开了为缺陷管理所提供的区域的位置信息，并且再现和/或记录装置设计者基于规范来设计再现和/或记录装置。因此，如果将新的区域增加到记录介质，除了用于传统的缺陷管理的区域之外，传统的再现和/或记录装置不能正确地识别新的区域，以及不能正确地进行缺陷管理。
发明内容
本发明的实施例提供了用于管理一次写入式记录介质上的缺陷以便允许在一次写入式记录介质上顺利地进行记录的方法、一种用于实现上述方法的再现和/或记录装置、一种由此而来的一次写入式记录介质、以及一种包括用于控制所述方法的实现的计算机可读代码的介质。
本发明的实施例也提供了用于管理一次写入式记录介质上的缺陷，以便该一次写入式记录介质与可重写的再现和/或记录装置相兼容的方法、一种用于实现上述方法的再现和/或记录装置、一种由此而来的一次写入式记录介质、以及一种包括用于控制所述方法的实现的计算机可读代码的介质。
本发明的附加方面和/或优点将在随后的描述中被部分地提出，并且，部分地，将从描述中是显而易见的，或者可以通过本发明的实践来学会。
为了实现上述和/或其它的方面和优点，本发明的实施例包括一种用于管理记录介质上的缺陷的方法，所述记录介质包括用于管理在记录介质上所检测的缺陷的多个临时缺陷管理区域，所述方法包括通过使用多个临时缺陷管理区域进行缺陷管理；以及当一个临时缺陷管理区域用完时，将用于指示多个临时缺陷管理区域中的一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到剩余的多个临时缺陷管理区域中的至少一个中。
为了实现上述和/或附加的方面和优点，本发明的实施例还包括用于对具有单一记录层的记录介质上的缺陷进行管理的方法，在所述单一记录层上顺序地设置了导入区域、数据区域、和导出区域，其中所述数据区域在其各自相对的末端处具有第一备用区域和第二备用区域，所述方法包括将第一临时缺陷管理区域分配到记录介质的导入区域和导出区域中的至少一个上；将第二临时缺陷管理区域分配在第一备用区域和用户数据区域之间或分配在用户数据区域和第二备用区域之间；通过使用第一和第二临时缺陷管理区域来进行记录介质的缺陷管理；以及当第一和第二临时缺陷管理区域中的一个用完时，将用于指示第一和第二临时缺陷管理区域中的一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到第一和第二临时缺陷管理区域中的另一个中。
为了实现上述和/或另外的方面和优点，本发明的实施例包括一种用于对在具有第一记录层和第二记录层的记录介质上的缺陷进行管理的方法，所述第一记录层包括根据记录路径顺序地设置的导入区域、数据区域、和外部区域，其中第一记录层的数据区域具有在其各自相对的末端处的第一备用区域和第二备用区域，所述第二记录层包括根据记录路径顺序地设置的外部区域、数据区域、和导出区域，其中第二记录层的数据区域具有在其各自相对的末端处的第三备用区域和第四备用区域，所述方法包括将第一临时缺陷管理区域分配到在记录介质的导入区域、导出区域、和外部区域之中的至少一个上；将第二临时缺陷管理区域分配在第一备用区域和用户数据区域之间和/或分配在第四备用区域和用户数据区域之间；通过使用第一和第二临时缺陷管理区域来进行记录介质的缺陷管理；以及当第一和第二临时缺陷管理区域中的一个用完时，将用于指示第一和第二临时缺陷管理区域中的一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到第一和第二临时缺陷管理区域中的另一个中。
为了实现上述和/或仍然另外的方面和优点，本发明的实施例包括一种再现和/或记录装置，其包括拾取器，用于将数据写入到记录介质或从记录介质读取数据；以及控制单元，用于验证由拾取器写入到记录介质的或从记录介质所读取的数据，通过使用在记录介质上所提供的多个临时缺陷管理区域来进行缺陷管理，以及当一个临时缺陷管理区域用完时，控制拾取器以便将用于指示多个临时缺陷管理区域中的一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到剩余的临时缺陷管理区域中的至少一个中。
为了实现上述和/或其它的方面和优点，本发明的实施例包括一种具有单一记录层的一次写入式记录介质，在该单一记录层上顺序地设置了导入区域、数据区域、和导出区域，所述数据区域具有顺序地设置的第一备用区域、用户数据区域、和第二备用区域，所述一次写入式记录介质包括在导入区域和导出区域中的至少一个中所提供的缺陷管理区域，其包括用于在重放期间进行一次写入式记录介质的缺陷管理的缺陷管理信息；在导入区域和导出区域中的至少一个中所提供的第一临时缺陷管理区域，其包括利用预定的周期记录到一次写入式记录介质上的临时管理信息；以及在第一备用区域和用户数据区域之间或在用户数据区域和第二备用区域之间提供的第二临时缺陷管理区域，其包括利用与所述预定的周期不相同的周期记录到一次写入式记录介质上的临时管理信息，其中将指示第二临时缺陷管理区域是否用完的满标志信息记录在第一临时缺陷管理区域中，和将指示第一临时缺陷管理区域是否用完的满标志信息记录在第二临时缺陷管理区域中。
为了实现上述和/或其它的方面和优点，本发明的实施例包括一种具有第一记录层和第二记录层的一次写入式记录介质，所述第一记录层包括根据记录路径顺序地设置的导入区域、数据区域、和外部区域，其中所述数据区域具有在其各自相对的末端处的第一备用区域和第二备用区域，所述第二记录层包括根据记录路径顺序地设置的外部区域、数据区域、和导入区域，其中数据区域具有在其各自相对的末端处的第三备用区域和第四备用区域，所述一次写入式记录介质包括在导入区域、导出区域、和外部区域中的至少一个中提供的缺陷管理区域，其包括缺陷管理信息；在导入区域、导出区域、和外部区域中的至少一个中提供的第一临时缺陷管理区域，其包括利用预定的周期记录到一次写入式记录介质上的临时管理信息；以及在第一记录层的第一备用区域和用户数据区域之间和/或在第二记录层的第四备用区域和用户数据区域之间提供的第二临时缺陷管理区域，其包括利用与所述预定的周期不相同的周期记录到一次写入式记录介质上的临时管理信息，其中将指示第二临时缺陷管理区域是否用完的满标志信息记录在第一临时缺陷管理区域中，和将指示第一临时缺陷管理区域是否用完的满标志信息记录在第二临时缺陷管理区域中。
为了实现上述和/或仍然其它的方面和优点，本发明的实施例包括一种记录介质，其包括缺陷管理区域，其记录用于在用户数据的重放期间在所述记录介质上所记录的用户数据的缺陷管理的缺陷管理信息；以及多个临时缺陷管理区域，其记录了用于在将用户数据记录在记录介质上的记录期间的用户数据区域的缺陷管理的临时管理信息，并且包括关于该多个临时缺陷管理区域中的一个是否已经用完的信息，其中当最后完成所述记录介质时，将多个临时缺陷管理区域中的一个中所记录的临时管理信息缺陷信息记录在缺陷管理区域中，来作为缺陷管理信息。
为了实现上述和/或其它的方面和优点，本发明的实施例包括一种缺陷管理方法，包括记录多个临时缺陷管理区域，该多个临时缺陷管理区域包括用于在将用户数据记录在记录介质上的记录期间的用户数据区域的缺陷管理的临时缺陷信息，和记录关于所述多个临时缺陷管理区域中的一个是否已经用完的信息；以及将多个临时缺陷管理区域中的一个记录在记录介质的缺陷管理区域中，以便用于在用户数据的重放期间在记录介质上所记录的用户数据的缺陷管理。
为了实现上述和/或其它的方面和优点，本发明的实施例还包括包含计算机可读代码的介质，所述计算机可读代码控制上述方法的实现，从而对再现和/或记录装置进行控制以便通过使用多个临时缺陷管理区域和满标志信息的记录来进行缺陷管理。
从下列结合附图对实施例进行的描述中，本发明的这些和/或其它方面和优点将变得显而易见和更加容易理解，其中图1是根据本发明的一个实施例的用于进行缺陷管理的装置的方框图；图2是根据本发明的一个实施例的包括图1中所示的装置的再现和/或记录装置的方框图；图3A和3B是说明根据本发明的实施例的其上分配了多个临时缺陷管理区域的记录介质的物理和数据结构的图；图4是说明根据本发明的另一个实施例的其上分配了多个临时缺陷管理区域的记录介质的物理和数据结构的图；图5A和5B是说明根据本发明的实施例的写入到临时缺陷管理区域的信息的图；图6A和6B是说明根据本发明的实施例的临时缺陷管理区域的数据结构的图；图7是说明根据本发明的一个实施例的将数据写入到用户数据区域和备用区域的操作的图；图8是说明根据本发明的一个实施例的分别写入到第一临时缺陷管理区域的TDFL#1和TDFL#2的数据结构的图；图9是说明根据本发明的一个实施例的分别写入到第二临时缺陷管理区域的TDFL#1、TDFL#2、和TDFL#3的数据结构的图；以及图10是说明根据本发明的一个实施例的、图8和9中所示的、关于缺陷#1的信息的数据结构的图。
具体实施例方式
现在将详细地说明本发明的实施例，在附图中说明了本发明的实施例的例子，其中全文中同样的标号指示同样的元件。下面通过参考附图来描述实施例以便解释本发明。
图1是根据本发明的一个实施例的用于进行缺陷管理的装置的方框图。参照图1，该装置包括写入/读取单元1、控制单元2、和存储器单元3。写入/读取单元1将数据写入到例如信息存储介质的记录介质100上，并且为了验证已写入的数据而读取已写入的数据。控制单元2能根据本发明的实施例来控制缺陷管理的实现。换句话说，控制单元2通过使用在记录介质100上的不同类型的区域中所提供的多个临时缺陷管理区域来进行缺陷管理。当利用临时管理信息填满两个临时缺陷管理区域中的一个时，控制单元2将该一个临时缺陷管理区域为满写入到另一个临时缺陷管理区域去，以便再现和/或记录装置能够识别该一个临时缺陷管理区域已经用完了，从而给系统提供可靠性。其后，控制单元2仅仅通过使用另一个临时缺陷管理区域来进行缺陷管理。
在本发明的这个实施例中，控制单元2使用写入后验证的验证技术，在该技术中将数据写入进预定的单元中并且验证所写入的数据来检测缺陷。控制单元2将用户数据写入进预定的单元中并且验证该用户数据以便检测有缺陷的扇区。根据本发明的实施例，控制单元2然后产生用于指示所检测的有缺陷扇区的位置的缺陷信息，将缺陷信息存储在存储器单元中，直到收集到预定数量的缺陷信息为止，以及将所收集的缺陷信息写入到在记录介质100上所提供的两个临时缺陷管理区域上。写入到临时缺陷管理区域上的信息被称为临时管理信息，以区别于写入到用于缺陷管理的缺陷管理区域上的管理信息。所述两个临时缺陷管理区域能够具有不同的周期，利用所述周期写入临时管理信息。
根据本发明的实施例，无论何时填满记录介质100上的数据区域中的预定数量的簇时或者当在至少一次写入后完成验证时，控制单元2从存储器单元3读取缺陷信息，将缺陷信息提供到写入/读取单元1，以及将缺陷信息写入到一个临时缺陷管理区域上，来作为临时管理信息。而且，当用户按下在装置上的弹出按钮(未示出)来移去记录介质100时，在完全将预定的数据写入到记录介质100之后，控制单元2预测一次记录操作将结束。然后，控制单元2从存储器单元3中读取缺陷信息，将其提供到写入/读取单元1，并且命令写入/读取单元1来将其写入到另一个临时缺陷管理区域。
在缺陷管理期间，当使用至少一个临时缺陷管理区域并且更多的信息不能被写入到那里时，控制单元2将用于指示更多的信息不能被写入到至少一个临时缺陷管理区域中的事实的满标志信息写入到至少一个其它的临时缺陷管理区域中。在写入满标志信息之后，控制单元2仅仅将临时管理信息写入到另一个临时缺陷管理区域中。
当将数据完全写入到记录介质100时，也就是说，当最终完成记录介质100从而终止数据记录时，控制单元2将关于记录介质100的最近更新(mostupdated)的临时管理信息写入到记录介质100上的缺陷管理区域中。
通常，在可重写的记录介质中分配的缺陷管理区域不是很大。因此，如果一次写入式记录介质配有具有在与可重写的盘的位置相同的位置处的相同大小的缺陷管理区域，则仅仅考虑兼容性，在将数据写入到一次写入式盘之前，缺陷管理区域就将用完，从而不能进行缺陷管理。为了克服这个和/或其它问题，在本发明的实施例中，除了缺陷管理区域之外，将多个临时缺陷管理区域分开地提供在一次写入式记录介质上的不同类型的区域中，并且响应于用户的命令或者最终完成(finalization)而将最终的效果信息写入到缺陷管理区域中。因此，通过用于可重写的记录介质的再现和/或记录装置能够正确地识别根据本发明的实施例的一次写入式记录介质。换句话说，根据本发明的实施例，一次写入式记录介质被分配了不同类型的区域中的多个临时缺陷管理区域，使得它们不影响在可重写的盘上所定义的其它区域，从而允许在一次写入式记录介质中的缺陷管理具有与用于具有缺陷管理区域的可重写的记录介质的再现和/或记录装置的兼容性。而且，当具有不同周期的多个临时缺陷管理区域中的一个用完时，将满标志信息写入到另一个临时缺陷管理区域中，以便有效地进行缺陷管理，其中利用所述周期写入临时管理信息。
图2是其中实现图1中所示的装置的装置的方框图，注意到图2中的装置也能为例如盘驱动器的再现和/或记录装置。参照图2，该再现和/或记录装置包括拾取器10，来作为写入/读取单元1。记录介质100被装载进拾取器10中。该再现和/或记录装置包括控制单元2，该控制单元2包括个人计算机接口(PCI/F)21、数字信号处理器(DSP)22、射频放大器(RF AMP)23、伺服装置24、以及系统控制器25。在控制单元2的系统控制器25中能够提供存储器单元3。
在记录期间，PC接口21从主机(未示出)接收与要写入的数据在一起的写命令。系统控制器25执行用于记录的初始化。DSP22通过将诸如用于错误校正的奇偶性的附加数据增加到从PC接口21所接收的数据来执行错误校正编码(ECC)并且根据预定的方法来对错误校正编码的数据进行调制。RF AMP23将从DSP22输出的数据转换成RF信号。拾取器10将从RF AMP23输出的RF信号写入到记录介质100。伺服装置24从系统控制器25接收伺服控制所需要的命令并且对拾取器10进行伺服控制。根据本发明的实施例，除了在记录期间进行缺陷管理之外，系统控制器25还能命令拾取器10来读取已写入的数据或者写入诸如临时管理信息的预定的信息。
在重放期间，PC接口21从主机接收重放命令。系统控制器25执行用于重放的初始化。拾取器10将激光束发射到记录介质100上，然后接收从记录介质100放射的激光束，并且然后输出从所接收的激光束中获得的信号。RFAMP23将从拾取器10输出的信号转换成RF信号，将从该RF信号所获得的已调制数据提供给DSP22，以及将从RF信号中所获得的用于控制的伺服信号提供给伺服装置24。DSP22对已调制数据进行解调，对已解调的数据执行ECC，以及输出由ECC所产生的数据。同时，伺服装置24接收来自RF AMP23的伺服信号和来自系统控制器25的进行伺服控制所需要的命令，并且对拾取器10进行伺服控制。PC接口21将从DSP22所接收的数据发送到主机。此外，系统控制器25能命令拾取器10来读取缺陷管理所需要的信息。换句话说，在记录和重放期间，系统控制器25能完全地管理系统。
图3A和3B是说明根据本发明的实施例的其上分配了多个临时缺陷管理区域的记录介质100的结构的图。参照图3A和3B，记录介质100能是具有单一记录层L0的单层记录介质，并且包括导入区域、数据区域、和导出区域。导入区域被定位在记录介质100的内直径处，以及导出区域被定位在记录介质100的外直径处。数据区域被定位在导入区域和导出区域之间。在记录介质100上的数据区域的开始和结束可以是与在可重写的盘上的那些相同的。从内直径向外直径顺序地将数据区域划分成第一备用区域、用户数据区域、和第二备用区域。将用户数据写入到用户数据区域中。提供了第一和第二备用区域来补偿由于用户数据区域中的缺陷而造成的记录空间的损失。最好地，第一和第二备用区域被设置来保障当考虑到记录介质100上的缺陷时可允许的最大数据容量。
在记录介质100上的导入区域中提供了缺陷管理区域，在同样的位置处，在可重写的盘上将提供缺陷管理区域。象可重写的记录介质一样，在其上可以进行缺陷管理，在记录介质100上的缺陷管理区域包括第一备用区域的大小信息、用户数据区域的起始位置信息、用户数据区域的结束位置信息、和第二备用区域的大小信息。因此，知道数据区域的开始和结束的再现和/或记录装置通过从缺陷管理区域读取信息而认识到用户数据区域的开始和结束位置，从而基于位置和大小信息来识别第一和第二备用区域。
在导入区域中提供了第一临时缺陷管理区域，以及在数据区域中提供了第二临时缺陷管理区域。根据在记录/重放的初始化时的用户的选项而将第二临时缺陷管理区域分配在记录介质100上的数据区域中的、在第一备用区域和用户数据区域之间，或者这个可以被缺省地提供。即使当重新分配了第二临时缺陷管理区域，数据区域的开始和结束也没有变化。
当每一个记录操作时更新第一临时缺陷管理区域。无论何时写入与预定数量的簇相对应的预定数量的信息时或者无论何时至少一次完成写入后验证的操作时，更新第二临时缺陷管理区域。因此，与第一临时缺陷管理区域相比，第二临时缺陷管理区域被更加频繁地更新，并且因此第二临时缺陷管理区域需要比第一临时缺陷管理区域更宽的物理区域。因此，在导入区域或导出区域中提供了需要相对小的区域的第一临时缺陷管理区域，而在数据区域中提供了需要相对大的区域的第二临时缺陷管理区域。
参照图3A，根据在记录/重放的初始化时的上述的用户的选择或者缺省所提供的来将第二临时缺陷管理区域分配在记录介质100上的数据区域中的第一备用区域和用户数据区域之间。
参照图3B，根据在记录/重放的初始化时的用户的选择或者缺省所提供的来将第二临时缺陷管理区域分配在记录介质100上的数据区域中的用户数据区域和第二备用区域之间。
将临时管理信息写入到第一和第二临时缺陷管理区域中。临时管理信息包括临时缺陷信息和用于管理该临时缺陷信息的管理信息。
将第一临时缺陷管理区域和第二临时缺陷管理区域提供在一起提供了下列的优点。由于在每一个记录操作时更新第一临时缺陷管理区域，当在记录操作期间关闭电源时，也就是说，当再现和/或记录装置正在临时地存储已更新的临时管理信息和正在为另一个记录作备用时，该已更新的临时管理信息丢失了，这可以导致在以后使用记录介质100中的问题。但是，由于无论何时完成写入后验证的操作时就更新第二临时缺陷管理区域，能够防止由于在记录的备用(standby)期间再现和/或记录装置的功率中断所导致的问题(即，信息丢失或由于信息丢失而导致对记录介质100的损害)。此外，由于在每一个记录操作时执行整数数量的验证，当无论何时完成写入后验证的操作就更新第一临时缺陷管理区域时，在记录操作结束时将最终有效的信息记录在第一和第二临时缺陷管理区域中，从而能够增加信息的鲁棒性(robustness)。如上所述，第二临时缺陷管理区域解决了由于在记录备用模式中的功率中断可能发生的问题，并且同时增加了信息的鲁棒性(robustness)。
可重写的再现和/或记录装置基于写入到缺陷管理区域的位置信息来识别第一和第二备用区域。由于在具有图3A或3B中所示的结构的一次写入式记录介质上的第一和第二备用区域的位置没有变化，当将一次写入式记录介质插入进可重写的再现和/或记录装置中时，能够正确地读取已经根据缺陷管理重新写入到第一和第二备用区域的信息，并且基于在缺陷管理区域中的位置信息能够正确地识别用户数据区域的开始和结束。结果是，当响应于来自主机的命令而进行重放时，潜在的区域的错误识别的问题就不会发生。
图4是说明根据本发明的另一个实施例的其上分配了多个临时缺陷管理区域的记录介质100的结构的图。参照图4，记录介质100可能为具有记录层L0和L1的双层记录介质。在记录层L0中，从记录介质100的内直径到外直径顺序地设置了导入区域、数据区域、和外部区域。在记录层L1中，从记录介质100的外直径到内直径顺序地设置了外部区域、数据区域、和导出区域。不象图3A和3B中所示的单层记录介质，在记录介质100的内直径处设置了导出区域。换句话说，根据从记录层L0中的导入区域到记录层L0中的外部区域并且然后从记录层L1中的外部区域到记录层L1的导出区域的相反的轨道路径(OTP)来进行记录。将两个备用区域分配给记录层L0和L1的每一个，因此，四个备用区域(即，第一至第四备用区域)被分配给记录介质100。
在导入区域和导出区域之一中或两者中提供了缺陷管理区域和第一临时缺陷管理区域。缺陷管理区域被设置在与可重写的盘上的缺陷管理区域相同的位置处。第一临时缺陷管理区域被设置使得其没有改变导入区域和导出区域的位置，正如为传统的一次写入式记录介质或可重写的盘所定义的。能够在外部区域中设置缺陷管理区域和第一临时缺陷管理区域之一或两者。
类似其上能够执行缺陷管理的可重写的记录介质，在图4中所示的记录介质100上的缺陷管理区域包括第一备用区域的大小信息、用户数据区域的起始位置信息、用户数据区域的结束位置信息、第二备用区域加上第三备用区域的大小信息、以及第四备用区域的大小信息。因此，知道数据区域的开始和结束的再现和/或记录装置能通过从缺陷管理区域读取信息而认识到用户数据区域的开始和结束位置，从而基于位置和大小信息来识别第一至第四备用区域。这里，第二备用区域可能具有与第三备用区域相同的大小。
第二临时缺陷管理区域被设置在记录层L0中的第一备用区域1和用户数据区域之间，以及被设置在记录层L1中的用户数据区域和第四备用区域之间。在记录层L0和L1的每一个中的数据区域的开始和结束是与图3A和3B中所示的那些相同的。利用如此的安排，可重写的再现和/或记录装置(举例来说，用于具有两个记录层的可重写记录介质的再现和/或记录装置)能够正确地识别在具有两个记录层的一次写入式记录介质100上的每一个区域。当第二临时缺陷管理区域的位置在数据区域中变化时，用于具有两个记录层的可重写记录介质的再现和/或记录装置不能正确地识别在记录介质100上的每一个区域。上面已经参照图3A和3B描述这个理由。
图5A和5B是说明根据本发明的实施例的写入到临时缺陷管理区域的信息的图。参照图5A，多个临时缺陷管理区域中的每一个都包括满标志信息。满标志信息指示某一个临时缺陷管理区域用完了并且不允许任何临时管理信息再写入到那里。
参照图5B，在本发明的一个实施例中，第二临时缺陷管理区域包括用于指示第一临时缺陷管理区域已经用完并且防止任何临时管理信息再被写入到该第一临时缺陷管理区域的满标志信息。第二临时缺陷管理区域还包括第一临时缺陷管理区域的位置和大小信息、以及写入到第一临时缺陷管理区域的最后的临时管理信息的位置信息。第一临时缺陷管理区域的位置和大小信息指示第一临时缺陷管理区域的位置和大小。写入到第一临时缺陷管理区域的最后的临时管理信息的位置信息指示最后写入到第一临时缺陷管理区域的临时管理信息的位置。
图6A和6B是说明根据本发明的实施例的临时缺陷管理区域的数据结构的图。参照图6A，临时缺陷管理区域被逻辑地划分成临时缺陷信息区域和临时缺陷管理信息区域。将临时缺陷信息TDFL#1、TDFL#2、TDFL#3和类似从临时缺陷信息区域的前面部分处顺序地写入到该临时缺陷信息区域中。同样也将临时缺陷管理信息TDDS#1、TDDS#2、TDDS#3和类似从临时缺陷管理信息区域的前面部分处顺序地写入到该临时缺陷管理信息区域中。临时缺陷管理信息TDDS#1、TDDS#2和TDDS#3分别对应于临时缺陷信息TDFL#1、TDFL#2和TDFL#3。在本发明的这个实施例中，以作为临时缺陷管理信息的元素(element)的域(field)的形式来写入满标志信息。例如，当某一个临时缺陷管理区域用完并且不再允许将任何临时管理信息写入到那里时，满标志可以从0变化到1。
或者，可以将临时缺陷信息TDFL#1、TDFL#2、TDFL#3和类似从临时缺陷信息区域的后面部分处顺序地写入到该临时缺陷信息区域中。同样也可以将临时缺陷管理信息TDDS#1、TDDS#2、TDDS#3和类似从临时缺陷管理信息区域的后面部分处顺序地写入到该临时缺陷管理信息区域中。可以以作为临时缺陷管理信息的元素(element)的域(field)的形式来写入满标志信息。再一次，例如，当某一个临时缺陷管理区域用完并且不再允许将任何临时管理信息写入到那里时，满标志可以从0变化到1。
参照图6B，能够将临时缺陷信息和对应的临时缺陷管理信息作为一对来写入到临时缺陷管理区域中。换句话说，能够将临时管理信息TDMA#1、TDMA#2、和类似从临时缺陷管理区域的前面部分处顺序地写入到该临时缺陷管理区域中。临时管理信息TDMA#1能包括临时缺陷信息TDFL#1和对应的临时缺陷管理信息TDDS#1，以及临时管理信息TDMA#2能包括临时缺陷信息TDFL#2和对应的临时缺陷管理信息TDDS#2。在本发明的这个实施例中，能够以作为临时缺陷管理信息的元素(element)的域(field)的形式来写入满标志信息。例如，当某一个临时缺陷管理区域用完并且不再允许将任何临时管理信息写入到那里时，满标志可以从00h变化到01h。
或者，可以将临时管理信息TDMA#1、TDMA#2、和类似从临时缺陷管理区域的后面部分处顺序地写入到该临时缺陷管理区域中。可以以作为临时缺陷管理信息的元素(element)的域(field)的形式来写入满标志信息。再一次，例如，当某一个临时缺陷管理区域用完并且不再允许将任何临时管理信息写入到那里时，满标志可以从00H变化到01H。
图7是说明根据本发明的一个实施例的将数据写入到用户数据区域A和备用区域B的操作的图。参照图7，用户数据区域A和备用区域B的每一个分别包括多个顺序地分配了物理扇区编号的物理扇区(未示出)。将逻辑扇区编号分配到至少一个物理扇区上。但是，由于将逻辑扇区编号分配到备用区域B中的替换扇区，从而排除了用户数据区域A中的有缺陷的扇区，即使假定物理扇区的大小是与对应的逻辑扇区的大小相同的，物理扇区编号可以不与逻辑扇区编号相同。
在图7中，圆圈标号①至⑦分别表示其上进行写入后验证(Verify-after-write)的记录介质的部分。再现和/或记录装置将用户数据写入到部分①，然后返回到部分①的开始，并且然后验证是否已经将用户数据正确地写入到部分①或者是否在部分①中已经发生缺陷。当发现缺陷时，具有缺陷的扇区被定义为有缺陷的扇区，例如，“缺陷#1(Defect#1)”。此外，再现和/或记录装置将写入到缺陷#1(Defect#1)的数据重新写入到备用区域B。在备用区域B中将原始写入到缺陷#1(Defect#1)的数据重新写入到其中的扇区称为替换#1(Replacement#1)。
在无论何时完成写入后验证(verify-after-write)操作就更新第二临时缺陷管理区域的条件下，再现和/或记录装置将作为TDFL#1的关于缺陷#1(Defect#1)的信息和关于替换#1(Replacement#1)的信息写入到第二临时缺陷管理区域。此外，再现和/或记录装置将用于管理TDFL#1的管理信息写入到第二临时缺陷管理区域，来作为TDDS#1。
接着，再现和/或记录装置将用户数据写入到部分②，然后返回到部分②的开始，并且然后验证是否已经将用户数据正确地写入到部分②或者是否在部分②中已经发生缺陷。当发现缺陷时，将具有缺陷的扇区定义为“缺陷#2(Defect#2)”。以与上述相同的方式，其后产生与缺陷#2(Defect#2)相对应的替换#2(Replacement#2)。将作为TDFL#2的关于缺陷#2(Defect#2)的信息和关于替换#2(Replacement#2)的信息写入到第二临时缺陷管理区域。此外，将用于管理TDFL#2的管理信息写入到第二临时缺陷管理区域，来作为TDDS#2。
对于部分③，产生了缺陷#3(Defect#3)和缺陷#3(replacement#3)。利用如此的方式，更新第二临时缺陷管理区域。在部分④中，由于没有发现缺陷，所以没有定义有缺陷的部分。在完成写入后验证(verify-after-write)操作之后，对于部分④，当预测记录操作#1的终止时，即，当用户按下弹出按钮时或当完全写入与记录操作相对应的用户数据时，关于缺陷#1、#2、和#3的信息被作为第一临时管理信息(即，TDFL#1)而写入到第一临时缺陷管理区域，其中缺陷#1、#2、和#3是从部分①至④之中找到的有缺陷的扇区。此外，写入到第一临时缺陷管理区域的用于管理TDFL#1的管理信息被作为TDDS#1写入到第一临时缺陷管理区域。
当记录操作#2开始时，以与上述相同的方式，当将用户数据写入到部分⑤至⑦中时产生缺陷#4(Defect#4)、替换#4(Replacement#4)、缺陷#5(Defect#5)、和替换#5(Replacement#5)。无论何时完成每一个写入后验证(verify-after-write)操作时，就更新第二临时缺陷管理区域。当预测到记录操作#2的终止时，再现和/或记录装置将写入到第一临时缺陷管理区域的关于缺陷#4和#5和TDFL#1的信息一起作为第二临时缺陷信息(即，TDFL#2)写入到第一临时缺陷管理区域。此外，再现和/或记录装置将用于管理TDFL#2的管理信息写入到第一临时缺陷管理区域，作为TDDS#2。
图8是说明根据本发明的一个实施例的分别写入到第一临时缺陷管理区域的TDFL#1和TDFL#2的数据结构的图。参照图8，在第一临时缺陷管理区域中的TDFL#1包括与图7中描述的实施例相关的先前所讨论的关于缺陷#1、#2、和#3的信息。关于缺陷#1的信息包括缺陷#1(Defect#1)的位置和替换#1(Replacement#1)的位置。关于缺陷#2的信息包括缺陷#2(Defect#2)的位置和替换#2(Replacement#2)的位置。关于缺陷#3的信息包括缺陷#3(Defect#3)的位置和替换#3(Replacement#3)的位置。
在第一临时缺陷管理区域中的TDFL#2包括在TDFL#1中所包括的信息和关于缺陷#4和#5(Defects#4和#5)的信息。换句话说，TDFL#2包括关于缺陷#1、#2、#3、#4和#5(Defects#1、#2、#3、#4和#5)的信息。
图9是说明根据本发明的一个实施例的分别写入到第二临时缺陷管理区域的TDFL#1、TDFL#2、和TDFL#3的数据结构的图。参照图9，在第二临时缺陷管理区域中，TDFL#1包括关于缺陷#1的信息，TDFL#2包括关于缺陷#1和#2的信息，以及TDFL#3包括关于缺陷#1、#2、和#3的信息。
图10是说明根据图8和9中所示的实施例的关于缺陷#i的信息的数据结构的图。参照图10，关于缺陷#i的信息包括缺陷#i的指针和替换#i的指针。缺陷#i的指针指示缺陷#i的起始和结束位置。替换#i的指针指示替换#i的起始和结束位置。
下面的描述涉及到用于管理在具有第一和第二临时缺陷管理区域中的一次写入式记录介质100上的缺陷的方法实施例，如图3A、3B、或4中所示。
根据线性替换能够进行缺陷管理。利用不同的周期(举例来说，根据上述的用于第一和第二临时缺陷管理区域的不同的周期)来将缺陷管理结果作为临时管理信息写入到第一和第二临时缺陷管理区域。临时管理信息包括临时缺陷信息和临时缺陷管理信息。临时缺陷信息指示有缺陷的扇区的位置和用于有缺陷的扇区的替换扇区的位置。临时缺陷管理信息用来管理临时缺陷信息，并且其包括指示临时缺陷信息写入的位置的信息。
在本发明的一个实施例中，根据写入周期(举例来说，无论何时在用户数据区域中填满预定数量的簇时或者无论何时至少执行一次写入后验证(verify-after-write)操作时)将临时缺陷信息和临时缺陷管理信息写入到第二临时缺陷管理区域。例如，无论何时终止记录操作时就将临时缺陷信息和临时缺陷管理信息写入到第一临时缺陷管理区域。将新的临时缺陷信息和新的临时缺陷管理信息写入到一个区域被称为区域的更新。
响应于用户的命令或者当执行最后完成(finalization)时，将最近写入的临时缺陷信息和临时缺陷管理信息(即，最近更新的临时管理信息)写入到缺陷管理区域。由于下面的理由而将最近更新的临时管理信息写入到缺陷管理区域。当不再将任何数据记录在记录介质100上时(举例来说，当最后完成记录介质100时)将包括临时缺陷信息和临时缺陷管理信息的最近更新的临时管理信息写入到缺陷管理区域允许记录或重放装置快速地从记录介质100中读取信息。此外，将缺陷管理信息写入到多个地方增加了信息的可靠性。
下面的实施例对应于第一临时缺陷管理区域首先用完的情况。
无论何时完成记录操作时就更新第一临时缺陷管理区域。如果用户输入弹出命令，则将在第二临时缺陷管理区域中的最后的临时管理信息写入到第一临时缺陷管理区域中，这是因为无论何时完成写入后验证(verify-after-write)操作时和在一次记录操作期间通常多次进行写入后验证(verify-after-write)时，就更新第二临时缺陷管理区域。但是，第一临时缺陷管理区域可能没有足够的空间来将临时管理信息写入到那里。因此，当将记录介质100插入进再现和/或记录装置时，检查第一临时缺陷管理区域的有效空间，以便确定是否能够使用第一临时缺陷管理区域。当确定因为第一临时缺陷管理区域完全用完或者没有足够的空间而不能使用该第一临时缺陷管理区域时，仅仅通过使用第二临时缺陷管理区域来进行缺陷管理。在这种情况中，再现和/或记录装置当更新第二临时缺陷管理区域时写入用于指示第一临时缺陷管理区域为满的而不能被使用的“满”标志信息。其后，当再次将记录介质100插入进再现和/或记录装置中时，该再现和/或记录装置基于满标志信息来识别出第一临时缺陷管理区域不能被使用，并且仅仅更新第二临时缺陷管理区域。
下面的实施例对应于第二临时缺陷管理区域首先用完的情况。
由于无论何时完成写入后验证(verify-after-write)操作时就更新第二临时缺陷管理区域，所以在记录或重放期间该第二临时缺陷管理区域可能被完全地用完。因此，当缺陷发生或在写入后验证(verify-after-write)操作之后需要更新临时管理信息时，由于第二临时缺陷管理区域完全用完了，所以不能更新该第二临时缺陷管理区域。在这种情况中，图2中所示的再现和/或记录装置将用于第二临时缺陷管理区域的更新信息存储在存储器单元3中，并且当更新第一临时缺陷管理区域时(即，当完成记录操作时)将更新信息写入到第一临时缺陷管理区域。当将更新信息写入到第一临时缺陷管理区域时，再现和/或记录装置也将用于指示第二临时缺陷管理区域完全用完的满标志信息写入到第一临时缺陷管理区域。其后，仅仅通过使用第一临时缺陷管理区域来进行缺陷管理。换句话说，无论何时完成记录操作时就将临时管理信息写入到第一临时缺陷管理区域。
根据本发明，为了缺陷管理而将多个临时缺陷管理区域分配到一次写入式记录介质上，以及响应于用户的命令或者最终完成(finalization)而将更新信息写入到缺陷管理区域，以便于通过用于可重写的盘的再现和/或记录装置能够正确地重放该一次写入式记录介质。
此外，当用完多个临时缺陷管理区域之中的至少一个时，将这个事实作为“满”标志信息写入到剩余的临时缺陷管理区域之中的至少一个中，以便于再现和/或记录装置识别这个事实并且不再将临时管理信息写入到该已用完的区域中。结果是，能够保障系统的可靠性。
如上所述，能够通过包括计算机可读代码的介质来实现本发明的实施例，该计算机可读代码用于控制控制单元2，例如，以便控制上述的实施例的实现，但不局限于此。在本发明的实施例公开之后，如此的编码将在本领域的技术人员的技巧之内。正如这里所描述的，介质可能为记录介质，举例来说，存储器设备、光学介质、磁性介质等，包括波导管、载波信号等的传输，或者能够运载/包括如此的计算机可读代码的其它机制。
虽然已经显示和描述了本发明的少数实施例，但是本领域的技术人员将理解的是，在没有脱离本发明的原理和精神的情况下，在该实施例中可以作出变化，在权利要求及其等价物中定义了本发明的范围。
本申请要求以下优先权在韩国知识产权局中的韩国专利申请序列号2003-24869，申请日2003年4月19日，引用其公开内容作为参考。
权利要求
1.一种用于管理记录介质上的缺陷的方法，所述记录介质包括多个用于管理在该记录介质上所检测的缺陷的临时缺陷管理区域，所述方法包括通过使用多个临时缺陷管理区域来进行缺陷管理；以及当一个临时缺陷管理区域用完时，将用于指示多个临时缺陷管理区域中的一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到剩余的多个临时缺陷管理区域中的至少一个中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中记录介质还包括从临时缺陷管理区域分离的缺陷管理区域，用于在记录介质的重放期间的缺陷管理。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括当剩余的多个临时缺陷管理区域中的至少一个包括满标志信息时，在没有一个临时缺陷管理区域用完的情况下，通过使用剩余的临时缺陷管理区域进行缺陷管理。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括将多个临时缺陷管理区域中的至少一个设置在记录介质的导入区域、导出区域、和外部区域中的至少一个中；以及将多个临时缺陷管理区域中的至少一个设置在记录介质的数据区域中。
5.根据权利要求4所述的方法，其中满标志信息的写入包括当设置在导入区域、导出区域、和外部区域中的至少一个中的一个临时缺陷管理区域用完时，将用于指示一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到设置在数据区域中的剩余的多个临时缺陷管理区域中的一个中。
6.根据权利要求4所述的方法，其中满标志信息的写入包括当设置在数据区域中的一个临时缺陷管理区域用完时，将用于指示一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到设置在导入区域、导出区域、和外部区域中的至少一个中的剩余的多个临时缺陷管理区域中的一个中。
7.根据权利要求1所述的方法，其中以从每一各自临时缺陷管理区域的后面到每一各自临时缺陷管理区域的前面的相反的先后顺序来将包括所检测到的缺陷的信息的临时缺陷信息记录在临时缺陷管理区域中。
8.一种用于对具有单一记录层的记录介质上的缺陷进行管理的方法，其中在所述单一记录层上顺序地设置了导入区域、数据区域、和导出区域，所述数据区域在其各自相对的末端处具有第一备用区域和第二备用区域，所述方法包括将第一临时缺陷管理区域分配到记录介质的导入区域和导出区域中的至少一个上；将第二临时缺陷管理区域分配在第一备用区域和用户数据区域之间或分配在用户数据区域和第二备用区域之间；通过使用第一和第二临时缺陷管理区域来进行记录介质的缺陷管理；以及当第一和第二临时缺陷管理区域中的一个用完时，将用于指示第一和第二临时缺陷管理区域中的一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到第一和第二临时缺陷管理区域中的另一个中。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括当第一和第二临时缺陷管理区域中的另一个包括满标志信息时，在没有第一和第二临时缺陷管理区域中的一个用完的情况下，通过使用第一和第二临时缺陷管理区域中的另一个进行缺陷管理。
10.根据权利要求8所述的方法，其中缺陷管理的执行包括无论何时填满用户数据区域中的预定数量的簇时或无论何时在记录介质上的写入后验证的操作被完成预定次数时，更新在第二临时缺陷管理区域中的临时管理信息；以及，无论何时完成记录操作时，更新在第一临时缺陷管理区域中的临时管理信息，其中在第一临时缺陷管理区域中的临时管理信息的更新是根据不同于在第二临时缺陷管理区域中的临时管理信息的更新的周期而发生的。
11.根据权利要求8所述的方法，缺陷管理的执行包括将在第一或第二临时缺陷管理区域中的最近更新的临时管理信息写入到在记录介质的导入区域和导出区域中的至少一个中所提供的缺陷管理区域中，其中所述缺陷管理区域用于在记录介质的重放期间的缺陷管理。
12.根据权利要求8所述的方法，还包括将包括所检测到的缺陷的信息的临时缺陷信息以从每一各自临时缺陷管理区域的后面到每一各自临时缺陷管理区域的前面的相反的先后顺序记录在第一和/或第二临时缺陷管理区域中。
13.一种用于对在具有第一记录层和第二记录层的记录介质上的缺陷进行管理的方法，所述第一记录层包括根据记录路径顺序地设置的导入区域、数据区域、和外部区域，其中第一记录层的数据区域具有在其各自相对的末端处的第一备用区域和第二备用区域，所述第二记录层包括根据记录路径顺序地设置的外部区域、数据区域、和导出区域，其中第二记录层的数据区域具有在其各自相对的末端处的第三备用区域和第四备用区域，所述方法包括将第一临时缺陷管理区域分配到在记录介质的导入区域、导出区域、和外部区域之中的至少一个上；将第二临时缺陷管理区域分配在第一备用区域和用户数据区域之间和/或分配在第四备用区域和用户数据区域之间；通过使用第一和第二临时缺陷管理区域来进行记录介质的缺陷管理；以及当第一和第二临时缺陷管理区域中的一个用完时，将用于指示第一和第二临时缺陷管理区域中的一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到第一和第二临时缺陷管理区域中的另一个中。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括当第一和第二临时缺陷管理区域中的另一个包括满标志信息时，在没有第一和第二临时缺陷管理区域中的一个用完的情况下，通过使用第一和第二临时缺陷管理区域中的另一个进行缺陷管理。
15.根据权利要求13所述的方法，其中缺陷管理的执行包括无论何时填满用户数据区域中的预定数量的簇时或无论何时在记录介质上的写入后验证的操作被完成预定次数时，更新在第二临时缺陷管理区域中的临时管理信息；以及，无论何时完成记录操作时，更新在第一临时缺陷管理区域中的临时管理信息，其中在第一临时缺陷管理区域中的临时管理信息的更新是根据与在第二临时缺陷管理区域中的临时管理信息的更新不同的周期而发生的。
16.根据权利要求13所述的方法，其中缺陷管理的执行包括将在第一或第二临时缺陷管理区域中的最近更新的临时管理信息写入到在记录介质的导入区域、导出区域、和外部区域之中的至少一个中所提供的缺陷管理区域中，其中所述缺陷管理区域用于在记录介质的重放期间的缺陷管理。
17.根据权利要求13所述的方法，其中将包括所检测到的缺陷的信息的临时缺陷信息以从每一各自临时缺陷管理区域的后面到每一各自临时缺陷管理区域的前面的相反的先后顺序记录在第一和/或第二临时缺陷管理区域中。
18.一种再现和/或记录装置，包括拾取器，用于将数据写入到记录介质或从记录介质读取数据；以及控制单元，用于验证由拾取器写入到记录介质的或从记录介质所读取的数据，通过使用在记录介质上所提供的多个临时缺陷管理区域来进行缺陷管理，以及当一个临时缺陷管理区域用完时，控制拾取器以便将用于指示多个临时缺陷管理区域中的一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到剩余的临时缺陷管理区域中的至少一个中。
19.根据权利要求18所述的再现和/或记录装置，其中控制单元控制拾取器来使用记录介质的缺陷管理区域，该缺陷管理区域是与临时缺陷管理区域相分离的，其用于在记录介质的重放期间的记录的缺陷管理。
20.根据权利要求19所述的再现和/或记录装置，其中缺陷管理区域是在用于可重写的记录介质和为一次写入式记录介质的记录介质的相兼容的位置中。
21.根据权利要求18所述的再现和/或记录装置，其中再现和/或记录装置是与可重写的记录介质和为一次写入式记录介质的记录介质这两者都相兼容的。
22.根据权利要求18所述的再现和/或记录装置，其中当至少一个剩余的临时缺陷管理区域包括满标志信息时，在没有第一和第二临时缺陷管理区域中的一个用完的情况下，控制单元通过使用剩余的临时缺陷管理区域来进行缺陷管理。
23.根据权利要求18所述的再现和/或记录装置，其中将多个临时缺陷管理区域之中的至少一个设置在记录介质的导入区域、导出区域、和外部区域中的至少一个中，和将剩余的多个临时缺陷管理区域中的至少一个设置在记录介质的数据区域中。
24.根据权利要求23所述的再现和/或记录装置，其中当设置在导入区域、导出区域、和外部区域之中的至少一个区域中的一个临时缺陷管理区域用完时，控制单元控制拾取器以便将用于指示一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到设置在数据区域中的剩余的临时缺陷管理区域中的至少一个中。
25.根据权利要求24所述的再现和/或记录装置，其中当设置在用户数据区域中的一个临时缺陷管理区域用完时，控制单元控制拾取器以便将用于指示一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到设置在导入区域、导出区域、和外部区域之中的至少一个区域中的剩余的临时缺陷管理区域中的至少一个中。
26.根据权利要求18所述的再现和/或记录装置，其中以从每一各自临时缺陷管理区域的后面到每一各自临时缺陷管理区域的前面的相反的先后顺序来将包括所检测到的缺陷的信息的临时缺陷信息记录在临时缺陷管理区域中。
27.一种具有单一记录层的一次写入式记录介质，在该单一记录层上顺序地设置了导入区域、数据区域、和导出区域，所述数据区域具有顺序地设置的第一备用区域、用户数据区域、和第二备用区域，所述一次写入式记录介质包括在导入区域和导出区域中的至少一个中所提供的缺陷管理区域，其包括用于在重放期间进行一次写入式记录介质的缺陷管理的缺陷管理信息；在导入区域和导出区域中的至少一个中所提供的第一临时缺陷管理区域，其包括利用预定的周期记录到一次写入式记录介质上的临时管理信息；以及在第一备用区域和用户数据区域之间或在用户数据区域和第二备用区域之间提供的第二临时缺陷管理区域，其包括利用与所述预定的周期不相同的周期记录到一次写入式记录介质上的临时管理信息，其中将指示第二临时缺陷管理区域是否用完的满标志信息记录在第一临时缺陷管理区域中，和将指示该第一临时缺陷管理区域是否用完的满标志信息记录在第二临时缺陷管理区域中。
28.根据权利要求27所述的一次写入式记录介质，其中无论何时在用户数据区域中记录了预定数量的簇时或无论何时一次写入式记录介质的写入后验证的操作被完成预定次数时，更新在第二临时缺陷管理区域中的临时管理信息。
29.根据权利要求27所述的一次写入式记录介质，其中无论何时完成记录操作时，更新在第一临时缺陷管理区域中的临时管理信息。
30.根据权利要求27所述的一次写入式记录介质，其中当最终完成一次写入式记录介质时，将在第一或第二临时缺陷管理区域中的最近更新的临时管理信息写入到缺陷管理区域中。
31.一种具有第一记录层和第二记录层的一次写入式记录介质，所述第一记录层包括根据记录路径顺序地设置的导入区域、数据区域、和外部区域，其中所述数据区域具有在其各自相对的末端处的第一备用区域和第二备用区域，所述第二记录层包括根据记录路径顺序地设置的外部区域、数据区域、和导入区域，其中数据区域具有在其各自相对的末端处的第三备用区域和第四备用区域，所述一次写入式记录介质包括在导入区域、导出区域、和外部区域中的至少一个中提供的缺陷管理区域，其包括缺陷管理信息；在导入区域、导出区域、和外部区域中的至少一个中提供的第一临时缺陷管理区域，其包括利用预定的周期记录到一次写入式记录介质上的临时管理信息；以及在第一记录层的第一备用区域和用户数据区域之间和/或在第二记录层的第四备用区域和用户数据区域之间提供的第二临时缺陷管理区域，其包括利用与所述预定的周期不相同的周期记录到一次写入式记录介质上的临时管理信息，其中将指示第二临时缺陷管理区域是否用完的满标志信息记录在第一临时缺陷管理区域中，和将指示第一临时缺陷管理区域是否用完的满标志信息记录在第二临时缺陷管理区域中。
32.根据权利要求31所述的一次写入式记录介质，其中无论何时填满一次写入式记录介质的用户数据区域中的预定数量的簇时或无论何时用于一次写入式记录介质的写入后验证的操作被完成预定次数时，更新在第二临时缺陷管理区域中的临时管理信息。
33.根据权利要求31所述的一次写入式记录介质，其中无论何时完成一次写入式记录介质的记录操作时，更新在第一临时缺陷管理区域中的临时管理信息。
34.根据权利要求31所述的一次写入式记录介质，其中当最终完成一次写入式记录介质时，将在第一或第二临时缺陷管理区域中的最近更新的临时管理信息记录在缺陷管理区域中。
35.一种记录介质，包括缺陷管理区域，其记录用于在用户数据的重放期间在所述记录介质上所记录的用户数据的缺陷管理的缺陷管理信息；以及多个临时缺陷管理区域，其记录用于在将用户数据记录在记录介质上的记录期间的用户数据区域的缺陷管理的临时管理信息，并且包括关于多个临时缺陷管理区域中的一个是否已经用完的信息，其中当所述记录介质最后完成时，将多个临时缺陷管理区域中的一个中所记录的临时管理信息缺陷信息记录在缺陷管理区域中，来作为缺陷管理信息。
36.根据权利要求35所述的记录介质，其中将临时管理信息缺陷信息记录为缺陷管理信息是基于关于所述多个临时缺陷管理区域中的一个是否已经用完的已记录信息进行的。
37.一种缺陷管理方法，包括记录多个临时缺陷管理区域，该多个临时缺陷管理区域包括用于在将用户数据记录在记录介质上的记录期间的用户数据区域的缺陷管理的临时缺陷信息，和记录关于所述多个临时缺陷管理区域中的一个是否已经用完的信息；以及将多个临时缺陷管理区域中的一个记录在记录介质的缺陷管理区域中，以便用于在用户数据的重放期间在记录介质上所记录的用户数据的缺陷管理。
38.根据权利要求37所述的缺陷管理方法，其中在缺陷管理区域中的临时缺陷信息的记录是基于关于所述多个临时缺陷管理区域中的一个是否已经用完的已记录信息进行的。
39.根据权利要求37所述的缺陷管理方法，还包括基于记录在缺陷管理区域中的缺陷信息来从记录介质中再现用户数据是基于记录在一个临时缺陷管理区域中的临时缺陷信息进行的。
40.一种包括用于控制权利要求37的方法的实现的计算机可读代码的介质。
41.一种包括用于对权利要求18的再现和/或记录装置进行控制以便通过使用多个临时缺陷管理区域和满标志信息的记录来进行缺陷管理的计算机可读代码的介质。
42.一种包括用于控制权利要求1的管理缺陷的方法的实现的计算机可读代码的介质。
43.一种包括用于控制权利要求8的管理缺陷的方法的实现的计算机可读代码的介质。
44.一种包括用于控制权利要求13的管理缺陷的方法的实现的计算机可读代码的介质。
全文摘要
一种考虑了与可重写的盘的兼容性来管理缺陷的方法、一种用于实现所述方法的再现和/或记录装置、一种由此而来的一次写入式记录介质、以及一种包括用于控制缺陷管理的实现的计算机可读代码的介质。所述方法包括在一次写入式记录介质上提供多个临时缺陷管理区域；通过使用所述多个临时缺陷管理区域来进行缺陷管理；以及当所述多个临时缺陷管理区域之中的一个用完时，将指示该一个临时缺陷管理区域用完的满标志信息写入到剩余的临时缺陷管理区域之中的至少一个上。因此，能够有效地进行缺陷管理。
文档编号G11B7/24GK1551134SQ20041003464
公开日2004年12月1日 申请日期2004年4月19日 优先权日2003年4月19日
发明者黄盛凞, 高祯完, 李坰根, 黄盛 申请人:三星电子株式会社