一种半反半透触摸屏消影导电玻璃的加工方法
【专利摘要】一种半反半透触摸屏消影导电玻璃的加工方法，第一步，对玻璃基板进行处理，第二步，对玻璃基板溅射不透明层和透明层；第三步，在玻璃基板溅射完不透明层和透明层后，进行ITO膜溅射；具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
【专利说明】
一种半反半透触摸屏消影导电玻璃的加工方法
技术领域
[0001]
本发明涉及导电玻璃技术领域，尤其是一种半反半透触摸屏消影导电玻璃的加工方法。
【背景技术】
[0002]
目前，电容屏产品使用非常广泛，而电容屏中的双面镀导电玻璃是其主要器件，双面镀导电玻璃的导电薄膜在性能方面要求比较严，比如均匀性、耐热性能、耐酸碱性能、耐高温高湿性能等;在制作透明电路的时候，由于工艺难度增加，在制作电路时常采用酸刻电路。在制作过程中，容易蚀刻掉不应该刻蚀的部位，并且存在电路蚀刻的蚀痕影迹，影响其电磁屏蔽、静电保护功能，存在的蚀痕影迹会对观看图案产生影响。
[0003]鉴于上述原因，现研发出一种半反半透触摸屏消影导电玻璃的加工方法。
【发明内容】
[0004]
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种半反半透触摸屏消影导电玻璃的加工方法，具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
[0005]本发明为了实现上述目的，采用如下技术方案:一种半反半透触摸屏消影导电玻璃的加工方法，所述半反半透触摸屏消影导电玻璃是由玻璃基板、锡面、ITO膜、不透明层、透明层构成;玻璃基板的两个表面均为锡面，在玻璃基板上表面的锡面上方设置ITO膜，在玻璃基板下表面的锡面下方设置不透明层和透明层，不透明层构成不透明区，透明层构成透明区；
所述透明层采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
所述不透明层采用不透明的二氧化硅或不透明的氮氧化硅。
[0006]第一步，对玻璃基板进行处理，
A、对玻璃基板进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理；
B、对切割后的玻璃基板进行磨边和倒角，先X磨边，再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角；
C、刷洗吹干；
D、对磨边和倒角后的玻璃基板进行抛光；
E、再刷洗吹干；
第二步，对玻璃基板溅射不透明层和透明层；
A、对抛光刷洗吹干后玻璃基板进行加热;采用的加热温度为150-280摄氏度；
B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的玻璃基板的下表面锡面下方溅射不透明层和透明层，不透明区溅射不透明层，透明区溅射透明层，所述透明层采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，所述不透明层采用不透明的二氧化硅或不透明的氮氧化硅； 第三步，在玻璃基板溅射完不透明层和透明层后，进行ITO膜溅射；
A、对溅射不透明层和透明层后的玻璃基板进行加热;加热温度采用280-380摄氏度；
B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的玻璃基板，在玻璃基板的上表面锡面上方溅射ITO膜；
C、对溅射ITO膜后的玻璃基板，经缓冲室做退火处理:先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对玻璃基板的镀膜。
[0007]本发明的有益效果是:本发明能够保护氧化铟锡导电膜刻蚀线路，不受制作过程工艺中的酸溶液的蚀刻，避免在制作过程中蚀刻掉不应该刻蚀的部位，在制作过程中使氧化铟锡导电膜刻蚀线路达到设计要求，具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
【附图说明】
[0008]
下面结合附图对本发明作进一步说明:
图1是，总装结构示意图；
图2是，图1中A-A向剖面结构示意图；
图1、2中:玻璃基板1、锡面2、IT0膜3、不透明层4、透明层5、不透明区6、透明区7。
【具体实施方式】
[0009]
下面结合实施例与【具体实施方式】对本发明作进一步详细说明:
实施例1
玻璃基板I的两个表面均为锡面2，在玻璃基板I上表面的锡面2上方设置ITO膜3，在玻璃基板I下表面的锡面2下方设置不透明层4和透明层5，不透明层4构成不透明区6，透明层5构成透明区7;
所述透明层5采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
所述不透明层4采用不透明的二氧化硅或不透明的氮氧化硅。
[0010]实施例2
第一步，对玻璃基板I进行处理，
Α、对玻璃基板I进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理；
B、对切割后的玻璃基板I进行磨边和倒角，先X磨边，再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角；
C、刷洗吹干；
D、对磨边和倒角后的玻璃基板I进行抛光；
E、再刷洗吹干；
第二步，对玻璃基板I溅射不透明层4和透明层5;
Α、对抛光刷洗吹干后玻璃基板I进行加热;采用的加热温度为150-280摄氏度；
B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的玻璃基板I的下表面锡面2下方溅射不透明层4和透明层5，不透明区溅射不透明层4，透明区溅射透明层5，所述透明层5采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，所述不透明层4采用不透明的二氧化硅或不透明的氮氧化硅；第三步，在玻璃基板I溅射完不透明层4和透明层5后，进行ITO膜3溅射；
A、对溅射不透明层4和透明层5后的玻璃基板I进行加热；加热温度采用280-380摄氏度；
B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的玻璃基板I，在玻璃基板I的上表面锡面2上方溅射ITO膜3;
C、对溅射ITO膜3后的玻璃基板I，经缓冲室做退火处理:先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对玻璃基板I的镀膜。
【主权项】
1.一种半反半透触摸屏消影导电玻璃的加工方法，所述半反半透触摸屏消影导电玻璃是由玻璃基板(I)、锡面(2)、IT0膜(3)、不透明层(4)、透明层(5)构成;其特征在于:玻璃基板(I)的两个表面均为锡面(2)，在玻璃基板(I)上表面的锡面(2)上方设置ITO膜(3)，在玻璃基板(I)下表面的锡面(2)下方设置不透明层(4)和透明层(5)，不透明层(4)构成不透明区(6)，透明层(5)构成透明区(7); 所述透明层(5 )采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅； 所述不透明层(4)采用不透明的二氧化硅或不透明的氮氧化硅。2.—种半反半透触摸屏消影导电玻璃的加工方法，其特征在于: 第一步，对玻璃基板(I)进行处理， Α、对玻璃基板(I)进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理； B、对切割后的玻璃基板(I)进行磨边和倒角，先X磨边，再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角； C、刷洗吹干； D、对磨边和倒角后的玻璃基板(I)进行抛光； E、再刷洗吹干； 第二步，对玻璃基板(I)溅射不透明层(4)和透明层(5); Α、对抛光刷洗吹干后玻璃基板(I)进行加热;采用的加热温度为150-280摄氏度； B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的玻璃基板(I)的下表面锡面(2)下方溅射不透明层(4)和透明层(5)，不透明区溅射不透明层(4)，透明区溅射透明层(5)，所述透明层(5 )采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，所述不透明层(4 )采用不透明的二氧化硅或不透明的氮氧化硅； 第三步，在玻璃基板(I)溅射完不透明层(4 )和透明层(5 )后，进行ITO膜(3 )溅射； Α、对溅射不透明层(4)和透明层(5)后的玻璃基板(I)进行加热；加热温度采用280-380摄氏度； B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的玻璃基板(I)，在玻璃基板(I)的上表面锡面(2)上方溅射ITO膜(3); C、对溅射ITO膜(3)后的玻璃基板(I)，经缓冲室做退火处理:先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对玻璃基板(I)的镀膜。
【文档编号】G06F3/044GK106095213SQ201610645461
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月9日 公开号201610645461.3, CN 106095213 A, CN 106095213A, CN 201610645461, CN-A-106095213, CN106095213 A, CN106095213A, CN201610645461, CN201610645461.3
【发明人】秦遵红, 王恋贵, 董安光, 谭华
【申请人】洛阳康耀电子有限公司