一种存储器目标测试方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及计算机内存可靠性测试技术领域，具体提供一种存储器目标测试方法。
【背景技术】
[0002]随着IT领域技术的不断发展，传统信息化服务以及日趋强大的云计算服务，对服务器的安全可靠要求越来越高。作为服务器产品提供商，一款服务器无论是在研发阶段还是生产阶段都需要对产品进行安全性测试，从而严格保证该产品的安全性，其主要体现在RAS性能上。
[0003]RAS特性中重要的一点就是内存的RAS特性。内存是一种电子器件，在其工作过程中难免会出现错误，而对于稳定性要求高的用户来说，内存错误可能会引起致命性的问题。内存错误根据其原因还可分为硬错误和软错误。硬件错误是由于硬件的损害或缺陷造成的，因此数据总是不正确；软错误是随机出现的，例如在内存附近突然出现电子干扰等因素都可能造成内存软错误的发生。
【发明内容】
[0004]本发明的技术任务是针对上述存在的问题，提供一种操作简单，实用性强，能有效确保服务器的可靠性和安全性的存储器目标测试方法。
[0005]为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案:
一种存储器目标测试方法，所述测试方法使用ITP工具给内存注入Bit ECC Error，模拟实际应用中内存出错情况，通过读取寄存器的值来考量存储器目标功能是否成功实现。
[0006]开启存储器目标功能的情况下，给内存注入单Bit ECC Error来模拟实际应用中出现的内存ECC Error，在ECC Error数目达到阈值时该功能仍然可以纠正一个bit的错误，从而不会发生服务器宕机现象。该测试方法操作简单，实用性较强，有效确保了服务器的可靠性和安全性。
[0007]作为优选，所述方法适用于带有XDP接口，支持存储器目标功能的X86服务器产品Ο
[0008]本发明具有以下突出的有益效果:使用ΙΤΡ工具给内存注入单Bit ECC Error，模拟实际应用中内存出错情况，通过读取寄存器的值来考量存储器目标功能，使服务器不会发生宕机现象；该方法操作简单，实用性强，能有效确保服务器的可靠性和安全性，防止服务器内存出现硬错误或者软错误等致命性的错误，提高服务器的易用性。
【具体实施方式】
[0009]下面结合实施例对本发明所述存储器目标测试方法作进一步详细说明。
实施例
[0011]本发明所述存储器目标测试方法，使用ITP工具给内存注入Bit ECC Error,模拟实际应用中内存出错情况，通过读取寄存器的值来考量存储器目标功能是否成功实现。
[0012]开启存储器目标功能的情况下，给内存注入单Bit ECC Error来模拟实际应用中出现的内存ECC Error，在ECC Error数目达到阈值时该功能仍然可以纠正一个bit的错误，从而不会发生服务器宕机现象。该测试方法操作简单，实用性较强，有效确保了服务器的可靠性和安全性。
[0013]作为优选，所述方法适用于带有XDP接口，支持存储器目标功能的X86服务器产品Ο
[0014]本发明的存储器目标测试方法的实际工作过程为:
(1)准备好Windows测试机和Windows控制端；
(2)用ITP工具连接测试机和控制端；
(3)设置存储器目标为Enable;
(4)控制端输入指令，给测试机的某根内存rank注入单BitECC Error ；
(5)输入指令查看该rank上ECCError数目增加1 ;
(6)继续给该rank注错，直至Error数目达到阀值；
(7)查看该rank上ECCError数目变为0 ;
(8)Windows系统没有蓝屏或者宕机现象；
(9)Windows 端查看寄存器有 DEVTAG-CNTL-0.bit7=l，DEVTAG-CNTL-0.bit6=0。
[0015]以上所述的实施例，只是本发明较优选的【具体实施方式】，本领域的技术人员在本发明技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种存储器目标测试方法，其特征在于:所述测试方法使用ITP工具给内存注入BitECC Error,模拟实际应用中内存出错情况，通过读取寄存器的值来考量存储器目标功能是否成功实现。2.根据权利要求1所述的存储器目标测试方法，其特征在于:所述方法适用于带有XDP接口，支持存储器目标功能的X86服务器产品。
【专利摘要】本发明公开了一种存储器目标测试方法，属于计算机内存可靠性测试技术领域。所述存储器目标测试方法，使用ITP工具给内存注入Bit？ECC？Error，模拟实际应用中内存出错情况，通过读取寄存器的值来考量存储器目标功能是否成功实现。本发明所述存储器目标测试方法，操作简单，实用性强，有效确保了服务器的可靠性和安全性，具有很好的推广应用价值。
【IPC分类】G06F11/26
【公开号】CN105302686
【申请号】CN201510903925
【发明人】齐煜
【申请人】浪潮电子信息产业股份有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年12月9日