集成电路的方法和布局的利记博彩app
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及集成电路，且更具体地，涉及集成电路的布局。
【背景技术】
[0002]超大规模集成(VLSI)技术的趋势导致更窄的互连线和更小的接触件。此外，集成电路设计正变得更加复杂和密集。将更多的器件压缩到集成电路中以提高性能。
[0003]在集成电路的设计中，使用具有预定功能的标准单元。标准单元的布局存储在单元库中。当设计集成电路时，从单元库读取标准单元的相应布局并将其放置到集成电路布局中的一个或多个期望的位置。然后实施布线以使用互连迹线(interconnect1n tracks)将标准单元彼此连接。
【发明内容】
[0004]为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种集成电路，包括:第一金属线，沿着第一方向形成；至少一个第一导电通孔，设置在所述第一金属线上方；第二金属线，设置在所述至少一个第一导电通孔上方且与所述第一金属线平行；以及第一导电部分，形成在所述第二金属线的一端上。
[0005]在上述集成电路中，其中，所述第一导电部分的顶部边界与所述第二金属线的顶部边界对齐。
[0006]在上述集成电路中，其中，所述第一导电部分的底部边界与所述第二金属线的底部边界对齐。
[0007]在上述集成电路中，进一步包括:第二导电部分，形成在所述第二金属线的另一端上。
[0008]在上述集成电路中，进一步包括:第二导电部分，形成在所述第二金属线的另一端上，其中，所述第二金属线的宽度等于或大于所述第一导电部分和所述第二导电部分的宽度的总和。
[0009]在上述集成电路中，进一步包括:第二导电部分，形成在所述第二金属线的另一端上，其中，所述第一导电部分的宽度等于或大于所述第二导电部分的宽度。
[0010]在上述集成电路中，进一步包括:第二导电部分，形成在所述第二金属线的另一端上，其中，所述第一导电部分的长度等于或大于所述第二导电部分的长度。
[0011]根据本发明的另一方面，还提供了一种集成电路，包括:第一金属线，沿着第一方向形成在金属层(N-1)中；第一导电通孔，位于通孔层(N-1)中，设置在所述第一金属线上方；第二金属线，形成在金属层(N)中且与所述第一金属线平行；以及第一导电部分和第二导电部分；其中:所述第二金属线设置在所述第一导电通孔上方；以及所述第一导电部分和所述第二导电部分形成在金属层(N)中的所述第二金属线的分别的末端上。
[0012]在上述集成电路中，其中，所述第二金属线与所述第一导电部分和所述第二导电部分的其中一个一起在金属层(N)中形成类L形金属线。
[0013]在上述集成电路中，其中，所述第二金属线与所述第一导电部分和所述第二导电部分一起在金属层(N)中形成类H形金属线。
[0014]在上述集成电路中，其中，所述第二金属线与所述第一导电部分和所述第二导电部分一起在金属层(N)中形成类U形金属线。
[0015]在上述集成电路中，其中，所述第二金属线与所述第一导电部分和所述第二导电部分一起在金属层(N)中形成类h形金属线。
[0016]在上述集成电路中，进一步包括位于金属层(N)中的第三金属线，沿着Y轴形成且插入在所述第一导电部分和所述第二导电部分之间；其中，所述第三金属线与所述第二金属线垂直。
[0017]在上述集成电路中，进一步包括位于金属层(N)中的第三金属线，沿着Y轴形成且插入在所述第一导电部分和所述第二导电部分之间；其中，所述第三金属线与所述第二金属线垂直，其中，所述第三金属线的长度等于或大于所述第一导电部分或所述第二导电部分的长度。
[0018]在上述集成电路中，进一步包括位于金属层(N)中的第三金属线，沿着Y轴形成且插入在所述第一导电部分和所述第二导电部分之间；其中，所述第三金属线与所述第二金属线垂直，其中，所述第三金属线的长度小于所述第一导电部分或所述第二导电部分的长度。
[0019]在上述集成电路中，进一步包括位于通孔层(N)中的第二导电通孔，设置在所述第一导电部分或所述第二导电部分的上方。
[0020]根据本发明的又一方面，还提供了一种使用处理器配置集成电路布局的方法，包括:使用所述处理器，在金属层(N-1)中沿着第一方向产生第一金属线；使用所述处理器，在通孔层(N-1)中产生第一导电通孔，所述第一导电通孔位于所述第一金属线之上且连接至所述第一金属线；使用所述处理器，在金属层N中沿着所述第一方向产生第二金属线，所述第二金属线位于所述第一导电通孔之上且连接至所述第一导电通孔；使用所述处理器，在所述第二金属线的一端处产生第一导电部分；基于所述布局产生用于制造集成电路的一组指令；以及将所述一组指令存储在机器可读永久存储介质中。
[0021]在上述方法中，进一步包括使用所述处理器，在所述第二金属线的另一端处产生第二导电部分。
[0022]在上述方法中，进一步包括使用所述处理器，产生设置在所述第一导电部分或所述第二导电部分上方的位于通孔层(N)中的第二导电通孔。
[0023]在上述方法中，进一步包括使用所述处理器，产生垂直于所述第二金属线且插入在所述第一导电部分和所述第二导电部分之间的第三金属线。
【附图说明】
[0024]图1是根据一些实施例的布局100的顶视图。
[0025]图2是根据一些实施例的布局200的顶视图。
[0026]图3是根据一些实施例的布局300的顶视图。
[0027]图4是根据一些实施例的布局400的顶视图。
[0028]图5是根据一些实施例的布局方法的流程图500。
[0029]图6示出了根据一些实施例的用于实施流程图500的处理系统600。
【具体实施方式】
[0030]下面详细地讨论本发明的各个实施例的制造和使用。然而，应该理解，实施例提供了可以在各种特定的环境中实现的许多可应用的发明创新。所讨论的特定实施例仅仅是说明性的，且并不用于限制本发明的范围。
[0031]对于示例性实施例的这个描述旨在结合附图进行阅读，附图被认为是整个书面说明书的一部分。在说明书中，诸如“下部的”、“上部的”、“水平的”、“垂直的”、“在…之上”、“在…之下”、“向上”、“向下”、“在…顶部”和“在…底部”等相对术语以及它们的派生词(例如，“水平地”，“向下地”，“向上地”等)应该解释为指的是如在讨论中的附图中所描述或所示出的方位。这些相对术语是为了便于描述而不要求装置以特定的方位构造或操作。除非另有明确描述，否则诸如“连接”和“互连”的关于附接、连接等的术语指的是结构直接地或通过中间结构间接地固定或附接至另一结构的关系。
[0032]—些实施例具有一个下列特征和/或优点或者具有下列特征和/或优点的组合。集成电路布局包括第一金属线、第二金属线、至少一个第一导电通孔、第一导电部分和第二导电部分。第一金属线沿着第一方向形成。至少一个第一导电通孔设置在第一金属线上方。第二金属线设置在至少一个第一导电通孔上方且与第一金属线平行。第一导电部分和第二导电部分形成在第二金属线的分别的末端上。
[0033]图1是布局100的顶视图，其示出了具体布局中最小间距规则的潜在问题。为简单起见，布局100仅包括用于示出目的的必要部件。布局100表示布局结构以示出金属层、通孔层和预定设计规则组之间的关系。在图1中，各个金属层和通孔层是重叠的。布局100包括导电通孔一 102、导电通孔二 104、金属二线110至114和金属三线120。在一些实施例中，导电通孔一的层在本文中也称为VI。在一些实施例中，导电通孔二的层在本文中也称为V2。在一些实施例中，金属二线的层在本文中也称为M2。在一些实施例中，金属三线的层在本文中也称为M3。在自上而下的顺序中，金属三线通过导电通孔二和金属二线连接至相应的导电通孔一。在本发明中使用的金属层和通孔层是用于说明的目的，且任何其他金属层和通孔层均在各个实施例的范围内。
[0034]在一些实施例中，金属三线120沿着Y方向布置。导电通孔一 102和导电通孔二104沿着Y方向排列。部分导电通孔一102和导电通孔二 104相对于X轴重叠。在布局100中，长度LI大于预定值Rl，且与导电通孔一 102和导电通孔二 104沿着排列的Y方向平行。在一些实施例中，预定值Rl等于或小于32nm。在一些实施例中，通过与用于制造布局的预定制造工艺相关的预定设计规则组控制导电通孔一 102和导电通孔二 104之间的距离D1。因此，需要控制距离Dl以避免违反设计规则和可能的工艺缺陷。在一些实施例中，距离