可变分布共模滤波器的利记博彩app

专利名称：可变分布共模滤波器的利记博彩app
可变分布共模滤波器
相关申请
本申请要求于2011年8月5日提交的名称为“Variable Profile Common Mode Filter for Capacitance Sensing”的美国临时申请No. 61/515，605的权益,通过引用将其 内容并入本申请中。技术领域
本公开涉及触摸感测设备领域，并且更加具体地，涉及电容式感测设备。
背景技术：
比如笔记本计算机、个人数字助理(PDA)、移动通信设备、便携式娱乐设备(比 如手持视频游戏设备、和多媒体播放器等)以及机顶盒(比如数字缆线盒、和数字视频盘 (DVD)播放器等)之类的计算设备具有用于便于用户和该计算设备之间的交互的用户接口 设备，所述用户接口设备也被称为为人机交互设备(HID)。已经变为更加普遍的一种类型的 用户交互设备是触摸感测设备，该触摸感测设备利用电容感测来进行操作。触摸感测设备 通常采用触摸传感器板、触摸传感器滑块或触摸传感器按钮的形式，并且包括具有一个或 多个电容式感测元件的阵列(例如，电容式感测阵列)。由一个或多个电容式传感器所检测 到的电容根据触摸物体与所述触摸传感器的接近度改变。所述触摸物体例如可以是触控笔 或用户的手指。
一种类型的电容式感测设备包括多个触摸感测电极，该多个触摸感测电极按照行 和列布置，并且形成交点阵列。在X轴和Y轴中的电极的每个交点(即，近似正交的电极彼 此交叉但不相连处的位置)处，在由此形成电容式感测元件矩阵的电极之间形成互容。这 个互容由处理系统测量，并且可以检测到(例如，由于触摸物体的接近或移动而出现的)电 容变化。在触摸感测设备中，所述触摸感测阵列的X和Y轴中的每个感测元件的电容变化 可以利用各种方法测量。无论所述方法如何，通常由处理设备测量并处理表示所述电容式 感测元件的电容的电信号，该处理设备继而产生表示一个或多个触摸物体相对于所述触摸 传感器板在X轴和Y轴中的位置的电信号或光信号。触摸传感器带、滑块或按钮可以按照 相同的或另一电容式感测原理操作。
触摸感测设备可以耦合到一个或多个噪声源和/或受一个或多个噪声源的影响， 所述一个或多个噪声源比如是耦合到所述触摸感测设备的外部电源。当触摸物体接触所述 触摸感测设备并且所述触摸物体完成所述噪声源(例如，外部电源)和所述触摸感测设备 之间的电路连接时，所述噪声源可以在所述触摸感测设备中产生噪声。由于触摸物体和所 述触摸感测设备之间的接触造成的噪声可以被称为直接耦合噪声。由于触摸物体和触摸感 测设备之间的接触造成的直接耦合噪声可以影响处理设备所测量的电容。这可以影响所述 处理设备检测所述触摸物体和所述触摸感测设备之间的接触的能力。


在附图的图形中例示了本公开，本公开作为示例而不是限制。
图1是例示根据一个实施例的电容式感测系统的方框图。
图2是例示根据一个实施例的电容式感测系统的方框图。
图3例示了根据一个实施例的耦合到充电设备的触摸感测设备。
图4是例示根据一个实施例的触摸物体和电容式感测阵列之间的接触的电容测 量的图示。
图5是例示根据一个实施例的用于去除触摸感测设备中的直接耦合噪声的方法 的流程图。
图6是例示根据一个实施例的用于去除触摸感测设备中的直接耦合噪声的方法 的流程图。
图7是例示根据一个实施例的触摸物体和电容式感测阵列之间的接触的电容测 量的图示。
具体实施方式
为了提供对本发明的若干实施例的充分理解，下面的描述阐述了许多具体细节， 比如具体系统、组件、和方法等的示例。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，可以在 没有这些具体细节的情况下实现本发明的至少一些实施例。在其他实例中，没有详细地描 述公知的组件或方法，或者以简单的方框图形式呈现公知的组件或方法，以便避免不必要 地对本发明造成模糊。因此，仅示例性地阐述具体细节。具体的实现可以根据这些示例性 的细节而改变，并且也被视为落入本发明的保护范围内。
描述了用于去除(例如，滤除)由于触摸物体和比如触摸感测设备之类的感测设 备之间的接触造成的直接耦合噪声的方法和装置的实施例。在一个实施例中，所述直接耦 合噪声可以在所述触摸物体完成所述触摸感测设备和比如充电设备之类的噪声源之间的 电路连接时产生。在一个实施例中，所述方法包括基于表示所述触摸物体和所述触摸感测 设备之间的接触的电容值，获得所述直接耦合噪声的噪声估计。可以基于所述噪声估计对 表示所述接触的电容值进行调整，以去除(例如，滤除)部分或基本上全部由于所述接触造 成的直接耦合噪声。在一个实施例中，从所述电容值中减去所述噪声估计，以便去除所述直 接耦合噪声。在另一实施例中，可以使用与所述噪声估计对应的阈值。例如，所述噪声估计 可以被限制为小于或等于所述阈值。
图1是例示根据一个实施例的电容式感测系统100的方框图。在一个实施例中， 系统100包括电容式感测阵列110、处理设备120以及复用器130、140。电容式感测阵列 110可以是例如触摸感测设备的一部分，所述触摸感测设备比如是触摸传感器板、触摸屏显 示器、触摸传感器滑块、触摸传感器按钮或其他设备。电容式感测阵列110可以包括感测元 件矩阵，所述感测元件矩阵按照行和列(例如，在X轴和Y轴中)布置，所述感测元件矩阵 可以用于检测触摸物体(例如，用户的手指)的接近或物理接触。在一个实施例中，处理设 备120使用互容感测技术来测量电容式感测阵列110，其中在每个发送电极与每个接收电 极交叉处呈现互容。在一个或多个交点处的这个互容中的幅度变化允许处理设备120确定 所述触摸物体的近似位置。
在互容感测的情况下，一组电极(例如，被取向为与X轴平行的行)被指定为发送(TX)电极。所述发送电极利用处理设备120提供的电信号135(例如，发送信号)驱动。在一个实施例中，可以使用发送复用器(TX MUX) 130来将所述电信号135施加给所述发送电极中的一个或多个。另一组电极(例如，被取向为与Y轴平行的列)被指定为接收(RX)电极。所述被驱动的行和列之间的互容可以通过对所述接收电极中的每个上的信号进行采样来测量。在一个实施例中，可以使用接收复用器(RX MUX) 140来耦合在所述接收电极中的一个或多个上接收的信号，并且将所接收的信号145提供回处理设备120来进行测量。发送复用器130和接收复用器140可以用来对电容式感测阵列110中的电极进行逻辑分组。 将行和列指定为发送电极和接收电极仅仅是一个示例，并且在其他实施例中，所述行和列可以反转。在另一实施例中，发送电极和接收电极的分配在本质上可以是动态的，从而对于一次测量，电极可以用作发送电极，而在下一测量中，该电极可以用作接收电极。
在一个示例实施例中，处理设备120可以是由位于加利福尼亚州圣何塞(San Jose)的Cypress半导体公司研发的可编程片上系统(“PSoC ”)处理设备。或者，处理设备120可以是本领域一般技术人员公知的一个或多个其他处理设备，比如微处理器或中央处理单元，控制器，专用处理器，数字信号处理器(DSP)，专用集成电路(ASIC)，或现场可编程门阵列(FPGA)等。在替换实施例中，例如，所述处理设备可以是具有多个处理器的网络处理器，该多个处理器具有内核单元和多个微引擎。另外，所述处理设备可以包括通用处理设备和专用处理设备的任意组合。处理设备120可以经由主接口(I/F)(图1中未示出)， 与比如主处理器(图1中未示出)之类的外部组件通信。
应该注意，可以使用各种用于测量电容的各种方法中的任何一种。这些方法包括但不限于，张弛振荡器方法、电流-电压相移测量、电阻器-电容器充电计时(charge timing)、电容桥分压器、电荷转移、逐次逼近法、西格玛-德尔塔(sigma-delta)调制器、电荷累积电路、场效应、互容、或频移等。因此，不包括这些电容感测方法的详细描述，以便不混淆本发明。
还应该注意，电容式感测系统100的组件可以包括所有上述组件。或者，电容式感测系统100可以仅仅包括上述组件中的一些，或者包括本文中没有列出的其他组件。
图2是例示根据一个实施例的电容式感测系统200的方框图。在一个实施例中， 系统200包括电容式感测阵列110、处理设备120以及复用器130、140，如上参照图1所述。 在电容式感测阵列110中，示出了个体发送电极TO-Tm以及接收电极RO-Rn。在不同的实施例中，在电容式感测阵列110中可以存在任意数目个发送电极和接收电极。
发送电极TO-Tm中的每个可以连接到发送复用器130，该发送复用器130控制发送信号135的施加。发送复用器130可以基于控制信号(未示出)，选择性地将发送信号135 施加到发送电极TO-Tm中的一个或多个。所述控制信号可以从处理设备120或从某一其他源接收。发送复用器130可以同时将发送信号135施加到(即驱动)选择数目个发送电极 (例如，T0-T3)。一起驱动的这些发送电极可以形成电容式感测阵列110的X轴分量。可以利用所述发送信号135顺序(S卩，每次一个)地驱动所述发送电极，或者可以同时驱动选择数目个发送电极。一次驱动的发送电极的数目还可以基于电容式感测阵列110和处理设备 120的电气特性考虑 ，所述电气特性考虑比如是接收电极RO-Rn可以处理的电荷的级别，或者发送信号135可以提供的最大电荷。在一个实施例中，发送信号135由处理设备120的发送源组件222提供，然而，在其他实施例中，发送信号135可以由某一其他源提供。在一些实施例中，发送源组件222可以利用具有多个相位、频率或幅度的发送信号135来驱动多 个发送电极。
接收电极RO-Rn中的每个可以连接到接收复用器140，该接收复用器140控制将 接收信号施加到处理设备120来进行测量和处理。在一个实施例中，处理设备120包括接 收模块224。接收模块224可以耦合到多个接收通道Rxl、Rx2、Rx3、Rx4，所述多个接收通 道中的每个可被配置为测量和处理来自接收电极RO-Rn中的一个或多个的接收信号。在其 他实施例中，可以存在其他数目个接收通道。然而，在某些实施例中，接收通道的数目可以 小于接收电极的数目，由此防止一次测量所有接收电极。接收复用器140可以基于控制信 号(未示出)，选择性地将接收信号从多个接收电极(例如，R0-R3)施加到一个接收通道 (例如，Rxl)来进行测量。所述控制信号可以从处理设备120或从某一其他源接收。被一 起测量的这些接收电极可以形成电容式感测阵列110的Y轴分量。因此，如果来自接收电 极R0-R3中的任何一个的接收信号指示存在触摸物体，则接收模块224将检测接收通道Rxl 上的存在性。在一个实施例中，接收模块224可以包括模拟1/0，用于耦合到比如电容式感 测阵列110之类的外部组件和/或其他设备。
还应该注意，电容式感测系统200的组件可以包括所有上述组件。或者，电容式感 测系统200可以仅仅包括上述组件中的一些，或者包括本文中没有列出的其他组件。
图3例示了根据一个实施例的耦合到充电设备320的电容式感测系统310。电容 式感测系统310包括金属板311和312。当触摸物体330 (例如，手指或触控笔)被放置为 接近金属板311和312中之一时，在所述金属板和触摸物体330之间相对于地存在有效电 容CF。此外，在金属板311和金属板312之间存在电容Q。因此，当所述触摸物体接近金属 板311和312中的一个或多个时，比如处理设备120之类的处理设备可以测量到电容中的 变化，电容变化CM。在一个实施例中，可以在最靠近所述触摸物体330的金属板311和312 的上方和下方放置介电材料。所述介电材料可以是覆盖层(overlay)。所述覆盖层可以是 非传导性材料，用于保护所述电路免受环境元件影响，以及将所述触摸物体或衬底与所述 电路绝缘。作为示例，图3例示了手指来表示触摸物体330，然而，在替换实施例中，触摸物 体330可以是任何传导性物体或衬底。
所述电容式感测系统310耦合到充电设备320 (例如，电压源)。在一个实施例中， 所述充电设备320可以用来对所述电容式感测系统310供电，和/或对与电容式感测系统 310耦合的电池或其他电源充电。当所述触摸物体330与所述电容式感测系统310接触时， 所述触摸物体330可以完成充电设备320和电容式感测系统310之间的电容连接340。经 由完成所述电路连接340，充电设备320所生成的噪声被引入到所述电容式感测系统310。 由于所述触摸物体330和电容式感测系统310之间的接触造成的噪声可以包括直接耦合噪 声。
图4是例示根据一个实施例的在触摸物体和电容式感测阵列之间的接触的电容 测量的图示400。对于图示400中示出的实施例，所述电容式感测阵列具有15行电极以及 8列电极。Y轴上的15行电极是发送电极，以及X轴上的8列电极是接收电极。所述行和 列电极的电容值在Z轴上示出。如图示400中所示，在电容值中存在两个峰值，峰值405和 假峰值410。峰值405表示针对所述触摸物体和所述电容式感测阵列之间的实际接触测量 的电容值。峰值405具有“A”形，其中峰值的顶部表示所述触摸物体和所述触摸感测设备之间的实际接触，以及侧部(side)表示由于所述触摸物体在实际接触周围的区域接近所 述触摸感测设备而测量到的电容。峰值405的“A”形还可以被称为所述触摸物体和所述触 摸感测设备之间的接触的幅度分布(profile)。
假峰值410表示由所述电容式感测阵列测量的源自于所述触摸物体和所述触摸 感测设备之间的接触的直接耦合噪声。类似于峰值405，假峰值410也具有“A”形(例如， 噪声幅度分布)。然而，由于在所述电容式感测阵列上的发生直接耦合噪声处的位置上测量 的电容值的幅度较小，所以假峰值410比峰值405短。因此，假峰值410可以包括峰值405 的缩放版本(scaled version)。在一个实施例中,所述直接稱合噪声可以在发生实际接触 的同一列(例如，接收电极)中发生。
图5是例示根据一个实施例的用于去除触摸感测设备中的直接耦合噪声的方法 500的流程图。所述方法500可以由处理逻辑执行，该处理逻辑包括硬件(例如，电路、专 用逻辑、可编程逻辑、微代码)、软件(例如，在处理设备上运行来执行硬件模拟的指令)或 它们的组合。所述处理逻辑被配置为去除由于触摸物体(例如，手指、触控笔等)和所述触 摸感测设备之间的接触导致的直接耦合噪声。在一个实施例中，方法500可以由处理设备 120和复用器130、140执行，如图1和2中所示。
参见图5，触摸物体(例如，手指，触控笔)与电容感测设备(例如图1中示出的 电容式感测阵列110)的一部分接触。所述电容式感测阵列110可以将表示所述触摸感测 设备和所述触摸物体之间的接触的信号和/或数据，发送给所述处理设备120。在块510， 所述处理设备120接收表示所述触摸感测设备和所述触摸物体之间的接触的信号和/或数据。
在一个实施例中，表示所述触摸感测设备和所述触摸物体之间的接触的数据可以 包括电容值矩阵(例如，一组电容值)。所述电容值矩阵可以包括由所述电容式感测阵列 110的电容式感测元件测量到的电容值。在一个实施例中，所述矩阵的行中的电容值可以对 应于在电容式感测阵列110的行处获得的测量结果，以及所述矩阵的列中的电容值可以对 应于在电容式感测阵列的列处获得的测量结果。例如，所述矩阵中的第一行和第一列中的 电容值可以对应于在电容式感测阵列110的行TO和列RO的交点处测量到的电容值。
在另一实施例中，表示所述触摸物体和所述触摸感测设备之间的接触的数据可以 包括两个或更多个电容值矩阵(例如，两组或更多组电容值)。例如，所述触摸感测设备可 以以某一时间间隔(例如，每隔10晕秒或每隔100晕秒)，测量在接收电极RO-Rn上接收的 电容值。表示所述触摸物体和所述触摸感测设备之间的接触的数据可以包括在不同时间获 得的电容值的多个测量结果(例如，2个测量结果或5个测量结果)。在其他实施例中，表 示所述触摸感测设备和所述触摸物体之间的接触的数据可以包括其他数据结构，包括但不 限于包含电容值的阵列以及电容值表。
在块520，所述处理设备120调整表示所述接触的数据，以去除(例如，滤除)由于 所述触摸物体和所述触摸感测设备之间的接触造成的直接耦合噪声。在一个实施例中，所 述处理设备120可以获得由于所述触摸物体和所述触摸感测设备之间的接触造成的直接 耦合噪声的估计。所述处理设备120可以基于所述直接耦合噪声的估计，调整表示所述接 触的数据。在一个实施例中，所述处理设备120可以从表示所述触摸物体和所述触摸感测 设备之间的接触的数据中，减去所述噪声估计。例如，如上所述，表示所述触摸物体和所述触摸感测设备之间的接触的数据可以包括电容值矩阵。所述电容值可以包括由于所述触摸 物体和所述触摸感测设备之间的接触造成的直接耦合噪声。可以从所述电容值中减去所述 噪声估计，以去除所述电容值中包括的直接耦合噪声。在一个实施例中，所述噪声估计还可 以包括矩阵。所述处理设备120可以通过从表示所述触摸物体和所述触摸感测设备之间的 接触的数据中减去所述噪声估计来调整表示所述接触的数据，以去除所述直接耦合噪声。
在一个实施例中，可以针对处理设备120所接收的每个电容值矩阵，计算噪声估 计。例如，所述触摸感测设备可以每隔20毫秒测量在接收电极RO-Rn上接收的电容值。每 个测量结果可以被表示为电容值矩阵，并且可以针对每个电容值矩阵，计算噪声估计。
在一个实施例中，所述触摸感测设备的一个或多个组件可以对由接收电极RO-Rn 接收的信号进行预滤波。这个预滤波可以允许某一频率范围内的信号通过，到达所述触摸 感测设备的其他组件。在一个实施例中，由于所述预滤波，与所述实际接触所对应的信号一 起接收的直接耦合噪声可以在与所述实际接触所对应的信号相同的频率范围内。在另一实 施例中，由于所述预滤波，所述直接耦合噪声的频率可以与所述实际接触所对应的信号的 频率相同。
图6是例示根据一个实施例的用于去除电容式感测阵列中的直接耦合噪声的方 法600的流程图。所述方法600可以由处理逻辑执行，该处理逻辑包括硬件(例如，电路、 专用逻辑、可编程逻辑、微代码)、软件(例如，在处理设备上运行来执行硬件模拟的指令) 或它们的组合。所述处理逻辑被配置为去除由于触摸物体(例如，手指、触控笔等)和所述 触摸感测设备之间的接触造成的直接耦合噪声。在一个实施例中，方法600可以由处理设 备120和复用器130、140执行，如图1和2中所示。
参见图6，触摸物体(例如，手指，触控笔)与电容感测设备(例如图1中示出的电 容式感测阵列110)的一部分接触。所述电容式感测阵列110可以将表示所述触摸感测设备 和所述触摸物体之间的接触的信号和/或数据，发送给所述处理设备。在一个实施例中，表 示所述接触的数据可以包括两个或更多个矩阵，并且每个矩阵可以包括所述电容式感测阵 列在不同时间测量到的电容值。在块605，所述处理设备120利用第一电容值矩阵(Ml)和 第二电容值矩阵(M2)之差，获得差值矩阵(DiffM)。在一个实施例中，第一电容值矩阵Ml 可以包括在时间“t”测量到的电容值，以及所述第二电容值矩阵M2可以包括在前一时间间 隔“t-Ι”测量到的电容值。在附录中例示了示例矩阵Ml和M2。所述处理设备120可以通 过从所述第一电容值矩阵Ml中减去第二电容值矩阵M2来获得差值矩阵DiffM。在一个实 施例中，所述差值矩阵可以使用下述公式确定
(I)DiffM = M1-M2
所述附录中例示了示例矩阵DiffM。
在一个实施例中，所述矩阵Ml和M2可以包括由所述触摸感测设备所获得的实际 电容测量结果的平均值(例如，最后5个电容测量结果的平均值)。在另一实施例中，替换 矩阵Ml和M2，可以在下述公式中使用由所述触摸感测设备获得的实际电容测量结果(例 如，最后5个电容测量结果)。
在块610，所述处理设备120获得所述差值矩阵DiffM中的电容值的绝对值 (AbsDiffM)。在一个实施例中，所述差值矩阵DiffM中的电容值的绝对值可以使用下述公 式确定
(2) AbsDiffM= | DiffM
所述附录中例示了示例矩阵AbsDiffM。
在块615，通过获得AbsDiffM中的每列之和，获得噪声矢量(noiseProfEst)。例如，噪声矢量noiseProfEst的第一元素可以是AbsDiffM的第一列中的所有值之和。所述附录中例示了示例矢量noiseProfEst。如附录中示出的示例矢量noiseProfEst中所示， 矢量noiseProfEst的第三元素1. 5311是示例矩阵AbsDiffM中的第三列中的值0. 2503、 0. 0306,0. 1127,0. 0448,0. 0508,0. 0507,0. 1785,0. 2956,0. 0984,0. 2037 和 0. 1647 之和。
在获得所述噪声矢量noiseProfEst之后，在块620，将所述噪声矢量 noiseProfEst缩放到单位长度，以获得缩放的噪声矢量(noiseProfEst)。在一个实施例中，使用下述公式，将所述噪声矢量noiseProfEst缩放到单位长度
(3)noiseProfUnit = (I/(noiseProfEst · noiseProfEst1))^noiseProfEst
应该注意的是，noiseProfEstT是矢量noiseProfEst的转置，以及“ · ”表示点积操作。附录中例示了示例矢量noiseProfUnit。
在块625，获得缩放后的噪声矢量noiseProfUnit和矩阵M之间的相关性矢量 (noiseCor)。在一个实施例中,可以使用下述公式确定所述相关性noiseCor
(4)noiseCor = noiseProfUnit*MlT
应该注意，MlT是矩阵Ml的转置。附录中例示了示例相关性矢量noiseCor。
在块630,对所述相关性进行闻通滤波，以去除稳定相关的电容值，该稳定相关的电容值是由于所述触摸物体和所述触摸感测设备之间的实际接触造成的。所述高通滤波可以使用滤波系数“k”。所述滤波系数k可以包括O到I之间的值。在一个实施例中，所述噪声相关性可以使用基线噪声相关性(noiseCorBaseline)来计算。如上所述，对于处理设备120所接收的多个电容值矩阵中的每个，可以获得噪声估计。针对所述多个矩阵中的每个矩阵的噪声估计的每次计算可以使用所述基线噪声相关性noiseCorbaseline。在一个实施例中，noiseCorBaseline可以是永久值,该值可被针对所述多个矩阵中的每个矩阵的噪声估计的每次计算使用和/或更新。在另一实施例中,noiseCorBaseline可以防止将表示实际接触的电容值与表示所述直接耦合噪声的电容值被一起滤除。在又一实施例中，在通过每次计算更新noiseCorBaseline时,所述更新后的noiseCorBaseline可以被用来更准确地滤除所述直接耦合噪声，并且防止与实际接触对应的电容值被滤除。在一个实施例中， 可以使用下述等式获得经滤波的相关性(noiseCorFilt)
(5)noiseCorBaseline = (l~k)^noiseCorBaseIine+k*noiseCor
(6)noiseCorFilt = noiseCor-noiseCorBaseline
附录中例不了不例矢量noiseCorBaseline 和 noiseCorFilt。
在一个实施例中，可以不使用等式(5)和(6),以及可以通过使用矢量noiseCor 的当前值和一个或多个过去值中的中值，获得所述矢量noiseCorFilt。例如，矢量 noiseCorBaseline的第一元素被计算为由noiseCorBaseline的最近计算和前两次计算 得到的所述矢量noiseCor的第一元素的中值。在另一示例中，矢量noiseCorBaseline的第一元素被计算为由noiseCorBaseline的最近计算和前十次计算得到的所述矢量noiseCor 的第一元素的中值。
在块635,将经滤波的相关性noiseCorFilt与缩放后的噪声向量noiseProfUnit相乘，以获得噪声估计(noiseEst)。在一个实施例中,所述噪声估计noiseEst使用下述等 式获得
(7) noiseEst = no i seCorF i I tT*no i seProf Uni t
应该注意，noiseCorDiffT是矢量noiseCorFilt的转置。附录中例示了示例 noiseEst矩阵。在一个实施例中，噪声估计noiseEst包括估计噪声值矩阵。在获得所述噪 声估计noiseEst之后，在块640，使用所述噪声估计noiseEst调整矩阵Ml (矩阵Ml表示在 时间t测量到的电容值)。在一个实施例中，通过从矩阵Ml中减去所述噪声估计noiseEst 来对矩阵Ml进行调整。可以使用下述等式来对矩阵Ml进行调整
(8) Ml = Ml-noiseEst
在一个实施例中，当处理所述触摸物体和触摸感测设备之间的不造成任何直接耦 合噪声的接触时，所述触摸感测设备可能不经历任何延迟。如上所述，当存在由于接触造 成的直接稱合噪声时，每次计算和去除噪声估计时，可以更新noiseCorBaseline。在等式(I)到(8)的初始计算期间，可以将表示所述实际接触的电容值中的一些与所述直接耦合 噪声一起滤除。在处理实际接触时，这可能造成延迟，因为在所述初始计算期间，表示所述 实际接触的电容值可能被不小心滤除。在执行更多的计算以及更新noiseCorBaseline时, noiseCorBaseline能够更好地防止表示所述实际接触的电容值被滤除。然而，在一个不存 在直接耦合噪声的实施例中，等式(I)到(8)的计算可能不会不小心地去除表示所述实际 接触的电容值，并且所述实际接触的处理不会被延迟。
图7是例示根据一个实施例的触摸物体和电容式感测阵列之间的接触的电容测 量的图示700。对于图示700中示出的实施例,所述电容式感测阵列具有15行电极以及8 列电极。Y轴上的15行电极是发送电极，以及X轴上的8列电极是接收电极。所述行和列 的电容值在Z轴上示出。图示700表示在所述直接耦合噪声已经被去除(例如，滤除)之 后的电容式感测阵列的电容值。如图示700中所示，存在一个峰值705。峰值705表示针对 所述触摸物体和所述电容式感测阵列之间的实际接触测量的电容值。回见图4，已经在图示 700中利用本文中描述的系统和方法去除了表示所述直接耦合噪声的假峰值410。
本发明的实施例包括各种操作。这些操作可以由硬件组件、软件、固件或它们的组 合执行。通过本文中描述的各种总线提供的信号中的任何一个可以是与其他信号时间复用 的，并且通过一个或多个公共总线提供。另外，电路组件或块之间的互连可以被示出为总线 或单信号线。作为替换，所述总线中的每个可以是一个或多个单信号线，以及作为替换，所 述单信号线中的每个可以是总线。
某些实施例可以被实现为计算机程序产品，该计算机程序产品可以包括存储在机 器可读介质上的指令。这些指令可以用来对通用处理器或专用处理器进行编程，以执行所 述操作。机器可读介质包括任何用于存储或传输形式为机器(例如，计算机)可读(例如， 软件，处理应用程序)的信息的机构。所述机器可读介质可以包括但不限于，磁性存储介质 (例如，软盘)、光学存储介质(例如，CD-ROM)、磁光存储介质、只读存储器(ROM)、随机存取 存储器(RAM)、可擦写可编程存储器(例如，EPROM和EEPR0M)，或者适于存储电子指令的另 一类型的介质。在一个实施例中，所述机器可读介质可以包括非易失性机器可读介质。
另外，一些实施例可以在分布式计算环境中实现，在该分布式计算环境中，所述机 器可读介质被存储在多于一个计算机系统上和/或由多于一个计算机系统执行。另外，在计算机系统之间传送的信息可以在连接所述计算机系统的通信介质上被拉进或推送。
本文中描述的数字处理设备可以包括一个或多个通用处理设备，比如微处理器或中央处理单元，或控制器等。或者，所述数字处理设备可以包括一个或多个专用处理设备， 比如数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、或现场可编程门阵列(FPGA)等。在替换实施例中，例如，所述数字处理设备可以是具有多个处理器的网络处理器，所述多个处理器具有内核单元和多个微引擎。另外，所述数字处理设备可以包括通用处理设备和专用处理设备的任何组合。
尽管按照特定的顺序示出和描述了本文中的方法的操作，但是可以改变每个方法的操作的顺序，从而使得可以按照相反的顺序执行特定操作，或者使得可以至少部分地与其他操作同时执行特定操作。在另一实施例中，不同操作的指令或子操作可以采用间歇和 /或交替的方式。
在前述说明书中，已经参照本发明的具体示例性实施例描述了本发明。然而，显然可以对所述示例实施例进行各种修改和变化，而不会背离所附权利要求中阐述的本发明的更广的范围。因此，所述说明书和附图被认为是例示性的，而不是限制性的。
附录
矩阵 Ml
OO0.23090.92350.92350.2309OOOO-0.0114-0.0457-0.0457-0.0114OOOO0.08340.33350.33350.0834OOOO0.36221.44901.44900.3622OOOO0.70522.82092.82090.7052OOOO0.70522.82092.82090.7052OO OO0.70522.82092.82090.7052OOOO0.15590.62370.62370.1559OOOO-0.2379-0.9518-0.9518-0.2379OOOO-0.0866-0.3463-0.3463-0.0866OOOO0.20130.80500.80500.2013OOOO-0.1330-0.5321-0.5321-0.1330OO
矩阵M2
OO-0.0194-0.0777-0.0777-0.0194OOOO0.01910.07660.07660.0191OOOO-0.0293-0.1174-0.1174-0.0293OOOO0.31751.26981.26980.3175OOOO0.65442.61762.61760.6544OOOO0.65452.61822.61820.6545OOOO0.65482.61912.61910.6548OOOO-0.0225-0.0901-0.0901-0.0225OOOO0.05760.23040.23040.0576OOOO0.01180.04730.04730.0118OOOO-0.0024-0.0097-0.0097-0.0024OOOO0.03170.12680.12680.0317OO
矩阵DiffM
OO0.25031.00121.00120.2503OOOO-0.0306-0.1222-0.1222-0.0306OOOO0.11270.45080.45080.1127OOOO0.04480.17910.17910.0448OOOO0.05080.20330.20330.0508OOOO0.05070.20280.20280.0507OOOO0.05050.20180.20180.0505OOOO0.17850.71380.71380.1785OO OO-0.2956-1.1822-1.1822-0.2956OOOO-0.0984-0.3936-0.3936-0.0984OOOO0.20370.81470.81470.2037OOOO-0.1647-0.6589-0.6589-0.1647OO
矩阵AbsDiffM
O0 0.25031.00121.00120.250300O0 0.03060.12220.12220.030600O0 0.11270.45080.45080.112700O0 0.04480.17910.17910.044800O0 0.05080.20330.20330.050800O0 0.05070.20280.20280.050700O0 0.05050.20180.20180.050500O0 0.17850.71380.71380.178500O0 0.29561.18221.18220.295600O0 0.09840.39360.39360.098400O0 0.20370.81470.81470.203700O0 0.16470.65890.65890.164700
矢量 noiseProfEst
[O O 1.5311 6.12466. 12461. 5311 00]
矢量 noiseProfUnit
矢量 noiseCor
[1. 3462-0.06650.48612. 11224. 11224. 1122O.9092--1. 3875 -0. 50481. 1735 -0. 7756]
矢量 noiseCorBaseline
矢量 noiseCorFilt
[1. 1676-0. 14250.52580. 20890. 23710.2365O. 8324-1. 3787 -O. 4590 O. 9501 -O. 7684]
矩阵 noiseEst
4. 11223. 8768O. 2354SI00Π00 -OSOO'O-OSOO'O-ZlOOO-OO00￡8￡0 eesroeesro￡S￡00OO006Α00 -frieoo-frieoo-6L00 0-OO00SIOO'O-0900 0-0900 0-ΠΟΟ -OO00moo9^009^00[eio.oOO006t799'096991969916t799'0OO00AWOLS99ZLS99ZAWOOO009P990￡S99Z￡S99Z9P990OO00P9Z￡0990￡\%oeiP9Z￡0OO008900 0-ZLZO'O-ZLZO'O-8900 0-OO00oeiooI^OOI^OOoeiooOO009oeooζΖΖΙΟξΖΖΙΟ9oeooOOmwwwwwmwwrmmOO8iero-Ι Ζξ'Ο-Ι Ζξ'Ο-8iero-OOOO6^910L\990L\9906^910OOOOΑ8Α0 -6Π￡0-6Π￡0-Α8Α0 -OOOOP9￡Z0-8 讣 60-8960-P9￡Z0~OOOO8moOUSOOUSOSZVVOOOOO卿00SI9I0SI9I0勵00OOOO90t70'0^910^91090W)OOOOOAOWOLZ9V0LZ9Y0AOWOOOOO8seooeet^roeet^ro8S￡0'0OOOO
[1600]
V niS2020l NO
权利要求
1.一种估计噪声的方法，包括接收表示触摸物体和感测设备之间的接触的数据；以及调整所述数据，以去除由于所述触摸物体和所述感测设备之间的接触造成的直接耦合噪声。
2.如权利要求1所述的方法，还包括确定由于所述触摸物体和所述感测设备之间的接触造成的所述直接耦合噪声的噪声估计。
3.如权利要求2所述的方法，其中，表示所述接触的所述数据包括两组或更多组电容值，以及其中所述方法还包括确定所述两组或更多组电容值之间的差值；以及基于所述两组或更多组电容值之间的差值，确定噪声矢量。
4.如权利要求3所述的方法，还包括确定所述噪声矢量与所述两组或更多组电容值中的至少一组电容值之间的相关性；对所述相关性进行高通滤波，以获得经滤波的相关性；以及基于所述经滤波的相关性，确定所述噪声估计。
5.如权利要求2所述的方法，其中，调整所述数据还包括从表示所述接触的所述数据中减去所述噪声估计。
6.如权利要求1所述的方法，其中，还由充电设备造成所述直接耦合噪声。
7.如权利要求2所述的方法，其中，所述噪声估计小于或等于阈值。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述直接耦合噪声的噪声幅度分布是所述触摸物体和所述感测设备之间的接触的幅度分布的缩放版本。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述直接耦合噪声的频率与由于所述接触生成的信号的频率相同。
10.一种装置，包括处理设备，被配置为去除由于触摸物体和电容式感测阵列之间的接触造成的直接耦合噪声。
11.如权利要求10所述的装置，其中，所述处理设备还被配置为接收表示所述触摸物体和所述电容式感测阵列之间的接触的数据；确定由于所述触摸物体和所述电容式感测阵列之间的接触造成的所述直接耦合噪声的噪声估计；以及基于所述直接耦合噪声的噪声估计，调整表示所述接触的数据。
12.如权利要求10所述的装置，其中，所述直接耦合噪声的频率与由于所述接触生成的信号的频率相同。
13.如权利要求11所述的装置，其中，表示所述接触的所述数据包括两组或更多组电容值。
14.如权利要求13所述的装置，其中，所述处理设备还被配置为确定所述两组或更多组电容值之间的差值。
15.如权利要求14所述的装置，其中，所述处理设备还被配置为基于所述两组或更多组电容值之间的差值，确定噪声矢量。
16.如权利要求15所述的装置，其中，所述处理设备还被配置为确定所述噪声矢量与所述两组或更多组电容值中的至少一组电容值之间的相关性；对所述相关性进行高通滤波，以获得经滤波的相关性；以及基于所述经滤波的相关性，确定所述噪声估计。
17.如权利要求11所述的装置，其中，所述处理设备被配置为通过从表示所述触摸物体和所述电容式感测阵列之间的接触的数据中减去所述噪声估计，调整表示所述接触的所述数据。
18.—种包括指令的非易失性机器可读存储介质，所述指令当被处理设备执行时，使得所述处理设备执行包括下述步骤的方法接收表示触摸物体和电容式感测阵列之间的接触的数据；确定由于所述触摸物体和所述电容式感测阵列之间的接触造成的直接耦合噪声的噪声估计；以及基于所述直接耦合噪声的噪声估计，调整表示所述接触的数据。
19.如权利要求18所述的非易失性机器可读存储介质，其中，表示所述接触的所述数据包括两组或更多组电容值，以及其中所述方法还包括确定所述两组或更多组电容值之间的差值；以及基于所述两组或更多组电容值之间的差值，确定噪声矢量。
20.如权利要求19所述的非易失性机器可读存储介质，所述方法还包括确定所述噪声矢量与所述两组或更多组电容值中的至少一组电容值之间的相关性；对所述相关性进行高通滤波，以获得经滤波的相关性；以及基于所述经滤波的相关性，确定所述噪声估计。
全文摘要
本发明提供了一种用于去除由于触摸物体和电容式感测阵列之间的接触造成的直接耦合噪声的方法和装置。
文档编号G06F3/044GK103038734SQ201180002778
公开日2013年4月10日 申请日期2011年9月27日 优先权日2011年8月5日
发明者达娜·欧尔森 申请人:赛普拉斯半导体公司