专利名称：一种新型的mosfet nqs模型及电路仿真方法
技术领域：
本发明属于EDA(电子设计自动化)领域。特别地，涉及一种半导体器件模型的建模方法，以及一种基于这种器件模型的电路仿真方法。
2.
背景技术：
好的电路仿真器能帮助电路设计者预测出所设计电路的准确性能。集成电路是由各种半导体器件通过节点连接起来的一个电路网络，电路仿真器的工作原理就是求解基于这个电路网络的电学方程，从而得到电路的各种分析结果。对于有η个节点的电路，在某个时刻t，节点k上的电路方程为
权利要求
1.一种新型的MOSFET NQS模型，其特征在于基于电荷的弛豫时间近似，包括了所有 M0SFET本征电荷Qd，Qg，Qs和Qb的NQS模型。
2.一种新型的基于MOSFETNQS模型的电路仿真方法，其特征在于通过器件电荷计算 的平衡值，上一时刻电荷的实际值，以及弛豫时间因子，直接对当前时刻的节点电荷进行求解。
3.如权利要求2所述的一种新型的基于MOSFETNQS模型的电路仿真方法，其特征在于漏极本征电荷Qd (t)的计算方法为:
4.如权利要求3所述的漏极电荷Qd(t)的计算方法，td的计算方法为
5.如权利要求2所述的一种新型的基于MOSFETNQS模型的电路仿真方法，其特征在于 源极本征电荷Qs(t)的计算方法为
6.如权利要求5所述的漏极电荷Qs(t)的计算方法，ts的计算方法为
7.如权利要求2所述的一种新型的基于MOSFETNQS模型的电路仿真方法，其特征在于衬底本征电荷的Qb(t)计算方法为
8.如权利要求7所述的衬底电荷Qb(t)的计算方法，Tb的计算方法为
9.如权利要求2所述的一种新型的基于MOSFETNQS模型的电路仿真方法，其特征在于 栅极电荷％(0 的计算方法为Qg(t) = _[Qd(t)+Qs(t)+Qb(t)]。
全文摘要
本发明提供了一种新的基于电荷弛豫时间近似的MOSFET NQS模型及电路仿真方法。这种模型通过当前时刻器件电荷的计算平衡值，上一时刻电荷的实际值，以及弛豫时间因子，直接对当前时刻的节点电荷进行求解，其仿真结果和Bsim3 NQS模型完全一致。另外，这种NQS模型考虑了MOSFET所有端本征电荷的作用。和Bsim3 NQS模型相比，这种模型减少了电路仿真所消耗的内存，节约了仿真时间，它使得高频电路的瞬态分析更加精确。这种模型不仅能对强反型的器件进行瞬态仿真，而且还可对处于亚阈区MOSFET的衬底电流和栅电流进行准确分析。
文档编号G06F17/50GK102592006SQ20111045131
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月28日 优先权日2011年12月28日
发明者吴大可, 尚也淳, 程明厚 申请人:北京华大九天软件有限公司