专利名称：掩膜版利记博彩app及系统的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种掩膜版利记博彩app及系统。
背景技术：
随着超大规模集成电路(ULSI，Ultra Large Scale htegration)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。在0. 13 μ m以下技术节点的关键层次中，如TO (有源区层次)、GT (栅氧层次)以及An (金属连线层次)等关键层次的CD (关键尺寸)越来越小，某些关键层次的CD已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波的波长248nm，因此在光刻中的曝光过程中，由于光的干涉和衍射现象，实际产品晶片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率。现有技术中为了消除上述误差，通常使用OPC(光学邻近效应矫正)方法对设计图进行一定的修正。现有的采用OPC方法对设计图形数据进行处理的过程如图1所示，包括以下步骤步骤SlOl 确定光刻工艺条件，并收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据；步骤S102 根据所述OPC数据创建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；步骤S103 提供设计图形数据，根据所述OPC程序，对所有的设计图形数据进行 OPC运算；步骤S104 验证所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶的差值是否在误差允许范围内，如果否，返回步骤S102，如果是，进入步骤S105 ；步骤S105 按照所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版。将原始设计图形数据经过上述OPC方法处理后制作的掩膜版，可以消除光刻过程中因光的干涉和衍射而产生的光刻图形与掩膜版图形之间的变形和偏差，但是，在生产实际过程中，随着设计图的越来越复杂，设计图形数据也越来越大，基本上呈指数级增长，使得OPC运算的工作量越来越大，运算时间越来越长，导致掩膜版的制作周期越来越长，严重影响了掩膜版的生产速度。
发明内容
本发明实施例提供了一种掩膜版利记博彩app及系统，大大缩短了 OPC运算的时间， 缩短了掩膜版的制作周期。为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案一种掩膜版利记博彩app，包括a)确定光刻工艺条件；b)按照设计图形收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据；c)从所述OPC数据中筛选出设计图形中的设计间距小于临界值的OPC图形数据， 其中，所述临界值为，在设计图形中，使光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内的设计间距，并且，设计间距大于该临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值也在误差允许范围内；d)根据筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据创建OPC模型，由所述 OPC模型建立OPC程序；e)根据所述OPC程序，对筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据进行 OPC运算；f)验证所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶的差值是否在误差允许范围内，如果否，返回步骤a)、b)、c)或d)，如果是，根据所述设计图形以及所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版。优选的，筛选出所述设计图形中的设计间距小于临界值的图形数据的过程包括从所有的OPC数据中筛选出所述设计图形中的设计间距大于和等于临界值的图形数据；将所述设计间距大于和等于临界值的图形数据进行隔离存储，所有的OPC数据中未被隔离存储的OPC数据即为需进行OPC运算的所述OPC数据。优选的，所述根据所述设计图形以及所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版的过程包括将隔离存储的图形数据与所述OPC运算后的图形数据进行结合；根据结合后的图形数据制作掩膜版。优选的，所述验证的过程包括对所述OPC运算后的图形数据进行仿真，得出所述OPC运算后的图形数据的⑶；将所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶进行比较，得出二者间的差值；判断所述差值是否在误差允许的范围内。本发明实施例公开了一种掩膜版制作系统，包括数据收集单元，用于根据确定的光刻工艺条件和设计图形，收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据；数据筛选单元，用于筛选出设计图形中的设计间距小于临界值的OPC图形数据， 所述临界值为，在设计图形中，使光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内的设计间距，并且，设计间距大于该临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值也在误差允许范围内；程序创建单元，用于根据筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据创建 OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；运算单元，用于根据所述OPC程序，对筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据进行OPC运算；验证单元，用于验证所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶的差值是否在误差允许范围内；制版单元，用于当所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶的差值在误差允许范围内时，按照所述设计图形以及所述OPC运算后的图形制作掩膜版。优选的，所述数据筛选单元包括临界值确定单元，用于根据设计图形的设计规格，确定所述设计间距的临界值，在所述设计图形中，设计间距大于和等于所述临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内；筛选单元，用于从所述设计图形对应的所有的OPC数据中筛选出所述设计间距大于和等于临界值的图形数据；存储单元，用于将所述设计间距大于和等于所述临界值的OPC图形数据，以及所述设计间距小于所述临界值的OPC图形数据进行分类存储。优选的，所述存储单元包括第一存储单元，用于存储所述设计间距大于和等于所述临界值的OPC图形数据；第一存储单元，用于存储所述设计间距小于所述临界值的OPC图形数据。优选的，所述制版单元包括数据结合单元，用于将隔离存储的OPC数据与所述OPC运算后的图形数据进行结合；制作单元，用于根据结合后的图形数据制作掩膜版。优选的，所述验证单元包括仿真单元，用于对所述OPC运算后的图形数据进行仿真，得出所述OPC运算后的图形数据的⑶；计算单元，用于将所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶进行比较，得出二者间的差值；判断单元，用于判断所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶差值是否在误差允许的范围内。优选的，所述存储单元还包括第三存储单元，用于存储所述目标CD的值和/或所述误差范围。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点本发明实施例通过在根据设计图形收集OPC数据的过程中，筛选出所述设计图形中的设计间距小于临界值的图形数据，在后面的OPC运算过程中，即只对筛选出的设计间距小于临界值的图形数据进行OPC处理，也就是说，在OPC处理过程中，将所述设计图形中设计间距大于或等于临界值的图形数据进行屏蔽，因此，由于屏蔽掉了部分图形数据，减少了 OPC处理的数据量，从而大大缩短了 OPC运算的时间，进而缩短了掩膜版的制作周期，力口快了掩膜版的生产速度。
通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。图1为现有的OPC方法的流程图；图2为本发明实施例公开的掩膜版利记博彩app的流程图；图3为本发明实施例举例的光刻图形CD与设计间距的变化图；图4为测试图形中设计间距的示意图；图5为本发明实施例公开的掩膜版制作系统的结构图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不以一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。正如背景技术部分所述采用现有的OPC处理方法，由于需处理的数据量的大量增长，使得OPC运算时间也越来越长，严重影响了掩膜版的生产速度，为了解决这个问题，发明人研究发现，在光刻工艺中，光的干涉和衍射现象是具有突变性的。具体说来，随着设计图形中的设计间距的变化，硅片上得到的光刻图形的CD与掩膜版图形的CD之间的差值也会有不规律的变化，但当设计图形中的设计间距达到一定的临界值时，二者之间的差值就会突然减小到误差允许的范围内，而且设计间距大于临界值的光刻图形的CD与掩膜版图形的CD之间的差值也同样在误差允许范围内。也就是说，当设计间距达到或大于临界值时，在光刻过程中，光的干涉和衍射现象对光刻图形的影响就可以忽略不计了，因此，收集到的OPC数据中，那些设计间距大于或等于临界值的图形数据也就没有必要进行OPC运算了，进而减少了 OPC运算的数据量，节省了 OPC处理时间。基于上述思想，本发明实施例公开了一种掩膜版利记博彩app，该方法的流程图如图2 所示，包括以下步骤步骤S201 确定光刻工艺条件；步骤S202 按照设计图形收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据；步骤S203 从所述OPC数据中筛选出设计图形中的设计间距小于临界值的OPC图形数据，其中，所述临界值为，在设计图形中，使光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内的设计间距，并且，设计间距大于该临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值也在误差允许范围内；步骤S204 根据筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据创建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；步骤S205 根据所述OPC程序，对筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据进行OPC运算；步骤S206 验证所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶的差值是否在误差允许范围内，如果否，返回步骤S201、S202、S203或S204，如果是，进入步骤S207 ；本领域技术人员可以理解，当步骤S206中验证得出所述OPC运算后的图形数据的 CD不满足目标CD的要求时，可以返回步骤S201重新确定光刻工艺条件，也可以返回步骤 S202重新收集设计图形的OPC数据，也可以返回步骤S203重新筛选设计间距小于临界值的 OPC图形数据，也可以返回步骤S204，重建OPC模型和OPC程序。上述几种方式所不同的，只是返回的步骤越靠前，工作量和处理周期就会相对延长，但处理的准确性却相对提高了，当然，在实际工作中也可以从后往前的顺序依次返回， 如果返回步骤S204能够解决问题，则就不必再返回步骤S203、S202和S201 了，可以加快一定的处理速度，如果没有解决问题，再依次返回步骤S203、S202和S201，可是，如果问题出在步骤S202或S201，这种方式就会比较耗时，因此，在实际操作中，为避免重复操作，同时考虑到出错几率，一般是直接返回步骤S202，但是，具体返回哪一步本发明不做限定，具体操作过程可根据具体情况具体分析。步骤S207 根据所述设计图形以及所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版。其中，在筛选所述设计间距小于临界值的OPC图形数据之前，需先确定设计图形的临界值，如上所述，设计间距大于和等于所述临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内，也就是说，需先按照掩膜版的设计规格对所述设计图形进行仿真，得出光刻图形的CD，将光刻图形的CD与掩膜版图形的CD进行对比，找出使光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内的设计间距的值，而且大于该设计间距值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值也在误差允许范围内，即该设计间距的值即为所述临界值。实际操作中，只要找出连续5个点左右的使光刻图形⑶与掩膜版⑶之间的差值在误差允许的范围内的设计间距即可，这些设计间距的起始位置的值就可以作为临界值。下面以在0.13 μ m技术节点的Al层次(金属连线层次)的OPC数据收集过程为例，如图3所示，为在0. 13 μ m技术节点的Al层次的设计图形仿真效果中光刻图形CD随设计间距的变化曲线，横坐标表示设计间距，纵坐标表示光刻图形的CD，图中分别显示了四种规格的掩膜版得到的光刻图形CD随设计间距的变化情况。从图3中可以看出，当设计间距达到一定值后，光刻图形的⑶就趋于稳定了，即光刻图形的⑶与掩膜版图形的⑶之间的差值就很小了，一般情况下，在0. 13 μ m技术节点， 将这个差值的误差范围定义在0nm-3nm，从图3中得出，当设计间距大于和等于SOOnm时，光刻图形的⑶与掩膜版图形的⑶的差值就在误差允许范围内了，即根据设计间距大于SOOnm 的设计图形数据制作出的掩膜版，进行光刻后，得出的光刻图形基本不受光的干涉和衍射的影响。因此得出，SOOnm即为0. 13 μ m技术节点Al层次的设计间距的临界值。得出上述临界值之后，就可以筛选出设计间距小于临界值SOOnm的OPC图形数据， 而后只需对筛选出的OPC图形数据进行OPC运算即可，如果1. 2GB大小的Al层次的设计图形，能够从中筛选出0. 4GB大小的设计间距大于和等于SOOnm的图形数据，则只需对剩余的 0. 8GB大小的设计间距小于SOOnm的图形数据进行OPC处理即可，节省了大约三分之一的 OPC运算时间，大大提高了 OPC处理的效率。其中，在不同的设计尺寸下，设计间距随设计图形由密集环境到完全独立的变化而逐渐变大，如图4所示，为OPC数据收集过程中所采用的测试图形，使用该设计图形对设计图形进行取点，即得到图3中的各个设计间距的光刻图形的CD，所述设计间距为图4中标后A所示的距离，标号B、C为设计图形的条宽尺寸。需要说明的是，筛选出设计间距小于临界值的OPC图形数据的方法有多种，可以直接从整个设计图形中筛选出需进行OPC运算的图形数据，也可以先筛选出不需进行OPC 运算的图形数据，之后剩余的图形数据即为设计间距小于临界值的OPC图形数据。不同的是，前者可以只筛选出所需进行处理的图形数据即可，剩余的不需处理的图形数据可以不做数据形式的变换。本实施例中筛选出所述设计图形中的设计间距小于临界值的图形数据的过程包括从所有的OPC数据中筛选出所述设计图形中的设计间距大于和等于临界值的图形数据；将所述设计间距大于和等于临界值的图形数据进行隔离存储，所有的OPC数据中未被隔离存储的OPC数据即为需进行OPC运算的所述OPC数据。需要说明的是，筛选出设计间距大于和等于临界值的图形数据之后，除了将筛选出的数据进行隔离存储之外，还可以将需进行OPC运算的OPC图形数据也进行存储，也就是说，可以将两种数据进行分类存储，分别进行处理，在实际操作中，可以将设计间距大于和等于临界值的图形数据放入一个虚拟的隔离区，在OPC处理过程中，将隔离区的图形数据进行屏蔽。由于在筛选图形数据的过程中，已将设计间距大于和等于临界值的图形数据进行屏蔽了，因此在后续的根据设计间距小于临界值的OPC图形数据创建OPC模型、建立OPC程序、进行OPC运算的过程中，各个步骤需处理的图形数据量都明显的减少了，因此，处理速度明显加快了。本实施例中所述验证过程包括对所述OPC运算后的图形数据进行仿真，得出所述OPC运算后的图形数据的⑶；将所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶进行比较，得出二者间的差值；判断所述差值是否在误差允许的范围内。 在验证OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶的差值在误差允许范围内的情况下，本实施例根据所述设计图形以及所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版的过程包括将隔离存储的图形数据与所述OPC运算后的图形数据进行结合；根据结合后的图形数据制作掩膜版。上述方式可以避免制作掩膜版的图形数据出现错漏或不完整的情况发生。本发明实施例提供的掩膜版利记博彩app，通过在根据设计图形收集OPC数据的过程中，筛选出所述设计图形中的设计间距小于临界值的图形数据，在后面的OPC运算过程中， 即只对筛选出的设计间距小于临界值的图形数据进行OPC处理，也就是说，在OPC处理过程中，将所述设计图形中设计间距大于或等于临界值的图形数据进行屏蔽，因此，由于屏蔽掉了部分图形数据，减少了 OPC处理的数据量，从而大大缩短了 OPC运算的时间，进而缩短了掩膜版的制作周期，加快了掩膜版的生产速度。本发明另一实施例还公开了一种掩膜版制作系统，其结构图如图5所示，包括以下功能单元数据收集单元，用于根据确定的光刻工艺条件和设计图形，收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据；数据筛选单元，用于筛选出设计图形中的设计间距小于临界值的OPC图形数据， 所述临界值为，在设计图形中，使光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内的设计间距，并且，设计间距大于该临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值也在误差允许范围内；
程序创建单元，用于根据筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据创建 OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；运算单元，用于根据所述OPC程序，对筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据进行OPC运算；验证单元，用于验证所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶的差值是否在误差允许范围内；制版单元，用于当所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值在误差允许范围内时，按照所述设计图形以及所述OPC运算后的图形制作掩膜版。其中，所述数据筛选单元包括临界值确定单元，用于根据设计图形的设计规格，确定所述设计间距的临界值，在所述设计图形中，设计间距大于和等于所述临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内；筛选单元，用于从所述设计图形对应的所有的OPC数据中筛选出所述设计间距大于和等于临界值的图形数据；存储单元，用于将所述设计间距大于和等于所述临界值的OPC图形数据，以及所述设计间距小于所述临界值的OPC图形数据进行分类存储。所述存储单元包括第一存储单元，用于存储所述设计间距大于和等于所述临界值的OPC图形数据；第一存储单元，用于存储所述设计间距小于所述临界值的OPC图形数据。所述存储单元还包括第三存储单元，用于存储所述目标⑶的值和/或所述误差范围。所述验证单元包括仿真单元，用于对所述OPC运算后的图形数据进行仿真，得出所述OPC运算后的图形数据的⑶；计算单元，用于将所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶进行比较，得出二者间的差值；判断单元，用于判断所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD差值是否在误差允许的范围内。所述制版单元包括数据结合单元，用于将隔离存储的OPC数据与所述OPC运算后的图形数据进行结合；制作单元，用于根据结合后的图形数据制作掩膜版。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此， 凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1.一种掩膜版利记博彩app，其特征在于，包括a)确定光刻工艺条件；b)按照设计图形收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据；c)从所述OPC数据中筛选出设计图形中的设计间距小于临界值的OPC图形数据，其中， 所述临界值为，在设计图形中，使光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内的设计间距，并且，设计间距大于该临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值也在误差允许范围内；d)根据筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据创建OPC模型，由所述OPC 模型建立OPC程序；e)根据所述OPC程序，对筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据进行OPC运算；f)验证所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内，如果否，返回步骤a)、b)、c)或d)，如果是，根据所述设计图形以及所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，筛选出所述设计图形中的设计间距小于临界值的图形数据的过程包括从所有的OPC数据中筛选出所述设计图形中的设计间距大于和等于临界值的图形数据；将所述设计间距大于和等于临界值的图形数据进行隔离存储，所有的OPC数据中未被隔离存储的OPC数据即为需进行OPC运算的所述OPC数据。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述设计图形以及所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版的过程包括将隔离存储的图形数据与所述OPC运算后的图形数据进行结合； 根据结合后的图形数据制作掩膜版。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述验证的过程包括 对所述OPC运算后的图形数据进行仿真，得出所述OPC运算后的图形数据的⑶； 将所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶进行比较，得出二者间的差值； 判断所述差值是否在误差允许的范围内。
5.一种掩膜版制作系统，其特征在于，包括数据收集单元，用于根据确定的光刻工艺条件和设计图形，收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据；数据筛选单元，用于筛选出设计图形中的设计间距小于临界值的OPC图形数据，所述临界值为，在设计图形中，使光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内的设计间距，并且，设计间距大于该临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值也在误差允许范围内；程序创建单元，用于根据筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据创建OPC 模型，由所述OPC模型建立OPC程序；运算单元，用于根据所述OPC程序，对筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据进行OPC运算；验证单元，用于验证所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内；制版单元，用于当所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值在误差允许范围内时，按照所述设计图形以及所述OPC运算后的图形制作掩膜版。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述数据筛选单元包括临界值确定单元，用于根据设计图形的设计规格，确定所述设计间距的临界值，在所述设计图形中，设计间距大于和等于所述临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD 间的差值在误差允许范围内；筛选单元，用于从所述设计图形对应的所有的OPC数据中筛选出所述设计间距大于和等于临界值的图形数据；存储单元，用于将所述设计间距大于和等于所述临界值的OPC图形数据，以及所述设计间距小于所述临界值的OPC图形数据进行分类存储。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述存储单元包括第一存储单元，用于存储所述设计间距大于和等于所述临界值的OPC图形数据； 第一存储单元，用于存储所述设计间距小于所述临界值的OPC图形数据。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述制版单元包括数据结合单元，用于将隔离存储的OPC数据与所述OPC运算后的图形数据进行结合； 制作单元，用于根据结合后的图形数据制作掩膜版。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述验证单元包括仿真单元，用于对所述OPC运算后的图形数据进行仿真，得出所述OPC运算后的图形数据的CD;计算单元，用于将所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD进行比较，得出二者间的差值；判断单元，用于判断所述OPC运算后的图形数据的⑶与目标⑶差值是否在误差允许的范围内。
10.根据权利要求5-9任一项所述的装置，其特征在于，所述存储单元还包括第三存储单元，用于存储所述目标CD的值和/或所述误差范围。
全文摘要
本发明实施例公开了一种掩膜版利记博彩app及系统，该方法包括a)确定光刻工艺条件；b)收集设计图形的OPC数据；c)从OPC数据中筛选出设计间距小于临界值的OPC图形数据；d)根据筛选出的OPC图形数据创建OPC模型，建立OPC程序；e)根据OPC程序，对筛选出的OPC数据进行OPC运算；f)验证OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内，如果否，返回步骤a)、b)、c)或d)，如果是，根据设计图形以及OPC运算后的图形数据制作掩膜版。本发明只对筛选出的设计间距小于临界值的图形数据进行OPC处理，减少了OPC处理的数据量，缩短了OPC运算的时间，进而缩短了掩膜版的制作周期。
文档编号G06F17/50GK102478761SQ20101056025
公开日2012年5月30日 申请日期2010年11月25日 优先权日2010年11月25日
发明者王谨恒, 黄旭鑫 申请人:无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司