专利名称：双用途rfid/eas装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及用于射频识别(RFID)和电子物品防盗(EAS)的装置和方法的领域。
背景技术：
射频识别(RFID)标牌和标签(在此共同地称为“装置”)广泛地用于将物体与识 别代码关联起来。RFID装置通常具有天线以及模拟和/或数字电子装置的组合，所述电子 装置可以包括例如通信电子装置、数据存储器和控制逻辑。例如，RFID标牌结合汽车中的 安全锁使用，RFID标牌用于对建筑物的进入控制，以及用于跟踪库存和包裹。如上面所指出的，RFID装置通常分类为标签或标牌。RFID标签是粘附地直接附着 到物体的RFID装置或是具有直接地附着物体的表面的RFID装置。相反，RFID标牌是通过 其它手段被固定到物体，例如通过使用塑料紧固件，线绳或其它固定装置。RFID装置包括包含电源的有源标牌和有源标签以及不包含电源的无源标牌和无 源标签。在无源装置的情况下，为了从芯片获取信息，“基站”或“阅读器”将激励信号发送 到RFID标牌或RFID标签。激励信号给标牌和标签供电，并且RFID电路将所存储的信息发 送回阅读器。RFID阅读器接收来自RFID标牌的信息并且将其进行解码。通常，RFID标牌 可以保持和发送唯一地识别个体、包裹、库存等的足够信息。RFID标牌和RFID标签也可以 按特征分为对其仅写入一次信息的RFID标牌和标签(虽然信息可以被反复地读取)，以及 在使用期间可以对其写入信息的RFID标牌和标签。例如，RFID标牌可以存储环境数据(其 可以由关联的传感器检测到)、物流历史、状态数据等。如名字暗示的，电子物品防盗系统(EAS)涉及将安全标签或标牌嵌入或附着到零 售物品以阻止入店行窃。常规EAS装置或标牌包括谐振器，当其被激活时，当EAS标牌被带 入检测设备(一般位于商店的出口)的操作距离内时，所述谐振器引起警报器发声。然而， 如果EAS装置是有效的，则每次顾客正当地从商店带走所购买的货物或进入具有类似检测 设备的另一商店时，也将产生类似的信号。通常，EAS标牌是不昂贵的并且是可任意使用的 物品，在付帐期间不将其从商品中去除(通常对于RFID标牌也如此)。出于这些原因，已经 开发了各种不同的技术来使EAS标牌无效，一般地是在付帐期间，通过店员使用不需要与 标牌物理接触的无效设备。各种类型的EAS装置和无效系统使用特殊配置的标牌或标签以及用于主动地使 这类标牌或标签无效的设备。第一示例是Lichtblau的美国专利4，498，076号中所描述的 EAS标牌。Lichtblau标牌带有谐振电路，该谐振电路具有带有缺口的电容器部分，所述缺 口允许根据例如Kaltner的美国专利4，728，938号中所描述的方法使谐振电路无效。在销 售点，通过以下方法容易使Lichtblau EAS标牌无效向标牌或标签施加相对高功率的信 号，由于机械缺口，所述信号足够弓I起在标牌或标签内短路而无效。另一类型的EAS标牌(有时叫做磁机械EAS标牌)使用在Elder的美国专利 3，765，007号中所公开的技术。磁机械标牌包括有源元件和偏置元件。当被磁化时，偏置元 件将偏置磁场施加到有源元件，所述偏置磁场导致有源元件在暴露于以预定频率交替的询问信号时，以该预定频率机械谐振。这个标牌需要相对高的磁场水平用于激活和无效。通 过激励围绕磁芯缠绕的线圈来完成激活和无效。已经做了一些努力来将RFID装置和EAS装置组合在单个装置内。Forster的美 国专利7，109，867号描述了包括RFID装置和EAS装置两者的装置。Brady的美国专利 7，002, 475号描述了 RFID标牌，该RFID标牌在其天线中包括非线性磁材料，允许它也作为 EAS装置工作。这两个组合都在同一装置中包括执行两个功能的额外的结构元件。根据前面的描述应理解，改进RFID装置是可能的。
发明内容
根据本发明的一方面，RFID装置具有用于与RFID阅读器/检测器通信的相对低 灵敏度的RFID模式和用于与EAS阅读器/检测器通信的相对高灵敏度的EAS模式。根据本发明的另一方面，通过采用具有与针对普通操作不同的特性的EAS模式， RFID装置也作为EAS装置运行。根据本发明的又另一方面，UHF RFID装置也作为EAS装置运行，而不具有用在EAS 装置功能中的任何特定结构。根据本发明的还另一方面，射频识别(RFID)装置包括天线以及可操作地耦合到 所述天线的芯片。所述芯片包括选择性地操作所述RFID装置两种模式的电路用于与RFID 阅读器/检测器通信的相对低灵敏度的RFID模式；和用于与EAS阅读器/检测器通信的相 对高灵敏度的电子物品防盗(EAS)模式。根据本发明的另一方面，一种使用RFID装置用作电子物品防盗(EAS)装置的方 法，包括下述步骤进入改进灵敏度的操作模式，所述操作模式将灵敏度改进为超过用于 RFID通信的普通操作模式的灵敏度；和当处于所述改进灵敏度的模式时，与EAS阅读器/ 检测器通信。根据本发明的还另一方面，一种射频识别(RFID)标牌包括芯片以及可操作地耦 合到所述芯片的天线。所述芯片包括用于工作在第一模式和第二模式之间的电路。所述第 一模式和第二模式中的每一个工作在不同的灵敏度。根据本发明的另一方面，一种射频识别(RFID)标牌包括芯片以及可操作地耦合 到所述芯片的天线。所述芯片包括用于工作在普通模式和至少第二模式的电路，其中所述 芯片选择性地工作在所述普通模式和所述第二模式之间。在接收信号之后，所述芯片使所 述普通模式和第二模式中的一个无效。为了完成前述目标和相关目标，本发明包括在以下充分地描述的并且在权利要求 中特别地指出的特征。下述描述和附图详细地陈述本发明的某些说明性实施例。然而这些 实施例指示可以采用本发明的原理的各种方式中的一小部分方式。当结合附图考虑时，从 本发明的下述详细描述中，本发明的其它目标、优势和新颖的特征将变得明显。
在不必按比例画出的附图中图1是根据本发明一个实施例的射频识别(RFID)装置的图示；图2是图1的RFID与RFID阅读器/检测器通信的图示；
图3是图1的RFID与RFID阅读器/检测器通信的图示；图4是根据本发明的另一实施例的RFID装置的图示；图5是根据本发明的还另一实施例的RFID装置的部分的图示；图6是根据本发明的又一实施例的RFID装置的图示；以及图7是根据本发明的还又一实施例的RFID装置的部分的图示。
具体实施例方式射频识别(RFID)装置具有多种操作模式。其中一种操作模式是电子物品防盗 (EAS)模式，其用来允许RFID装置作为EAS装置更好地运行。另一种操作模式是RFID模 式，其允许RFID装置在RFID通信中普通运行。EAS模式具有比RFID模式大的灵敏度，需 要比RFID模式少的功率来操作装置，并且需要较小的电流和/或电压用于操作。EAS模式 可以通过下述中的一个或更多个来实现这些不同的特性切断RFID装置的芯片或其他电 子组件的电路中不需要的数字模块；减小响应输入信号所需的能量存储(power storage)； 降低对输入信号的响应长度；降低响应所需的调制；改变芯片输入阻抗；以及具有带不同 阻抗的多个芯片端口。RFID装置可以是被配置为与UHF(超高频)信号(例如范围在300MHz到3GHz) 交相感应的装置。对于给定的尺寸，天线增益和效率成反比关系。作为示例，在600MHz和 300MHz处，对于给定的距离，在300MHz处的传播损耗比在600MHz处低6dB。如果可用的天 线尺寸是250mm，则在600MHz处可以存在半波偶极子而没有折叠。在300MHz处将不得不存 在天线元件的折叠或其他布置以适合空间，这趋向于降低效率、增益和/或带宽。关于其他 特性或特征(比如吸收损耗和读基础结构)，存在涉及尺寸和频率的折中。可以基于到装 置的输入信号的特性由装置自动地完成模式之间的切换。替换地，可以将一个控制信号或 多个控制信号发送到RFID装置以明确引起RFID装置在模式之间进行切换。模式可以是交 替地可激活的。替换地，两种模式同时是有效的可以是可能的，并且RFID装置同时在两种 模式通信是可能的。控制信号也可以被用来暂时地或永久地禁止在一种或两种模式中的工 作。图1示出了 RFID装置10的简化布局。RFID装置10包括芯片或集成电路12和天 线14。天线14可以具有多种熟知的配置中的任何一种，例如环形天线、偶极子天线或槽形 天线中的任何一种。为了发送和接收与另一装置(例如阅读器或检测器)通信的信号，天 线14可操作地直接或间接地电耦合到芯片12的触点。通信可以是更被动(more passive) 的，其中RFID装置10从阅读器或检测器产生的电场、磁场或传播的电磁波(或其任何组 合)中汲取功率，并且使用该功率来改变或调制电场。在其他地方提及对电场的使用应被 理解为可替换地包括磁场、传播的电磁波或电场、磁场和传播的电磁波的任何组合。可替换 地，通信可以是主动通信，其中信号实际上从RFID装置10广播。芯片12可以是用于控制RFID装置10的通信的各种集成电路装置中的任何一种。 芯片12的电路使用各种熟知的电子结构来实施芯片12的功能。芯片12可以直接连接到 天线14，或可以替换地使用插入结构(例如内插器或带)来耦合到天线14。这种内插器或 带可以具有导电引线，导电引线有助于芯片12和天线14之间的电连接。这种电连接可以 是电连接直接接触(其特征是低电阻)或替换地电抗电连接，这里接触是经由电场、磁场或其组合。RFID装置10可以体现为标签或标牌，并且可以以各种各样的方式中的任何一种 附着或以机械方式耦合到物体。RFID装置10可以包括各种其他层，这些层包括粘附层、释 放层、可印制层和/或涂覆层。现在参照图2和3，RFID装置10具有适合与RFID阅读器或检测器20通信的RFID 操作模式。RFID装置10也具有适合与EAS检测器24(图3)通信的EAS操作模式。芯片 12的电路可以控制在任何给定的时间，RFID装置10工作在哪一个模式。RFID装置10可 以基于RFID装置10接收到的输入信号的特性或基于RFID装置10检测到的UHF信号的特 性来自动地完成RFID模式或EAS模式的选择。替换地或此外，RFID装置10可以被配置为 在接收并且处理一个或更多个专门的控制信号之后，转换模式和/或使其中一种模式中的 通信无效。作为另一替换，RFID装置10能够同时工作在两种模式。RFID装置10在RFID模式和EAS模式中不同地工作，以考虑RFID和EAS通信中 遇到的不同环境以及RFID和EAS通信的不同要求和期望的特性。例如，EAS环境包括以下 情形在EAS应用中，介入物体(例如人)可能被放在RFID装置和阅读器/检测器之间以 检测此类物体。UHF远场穿透对穿过湿介电物体(例如人)是相对差的。术语“远场”相对 术语“近场”而言，所述“近场”指离天线较近的区域。两个术语都描述天线(或任何其他 电磁辐射源)周围的场。近场和远场之间的边界常常取离天线λ/2 π的距离，这里λ是 天线正在发射的辐射的波长，虽然应认识到，依赖于询问器天线设计和功率输入，可用足够 的能量来操作在比这个距离更大的范围处的、被设计为经由磁场或电场耦合来耦合的RFID 装置。通常的理解，经由主要单个场分量提供功率并且保持近场耦合的有利特性的区域可 能期望远离读系统大约1个波长。因此，期望RFID装置10在EAS模式中具有比RFID模式中更好的灵敏度。从另一 角度来说，期望当在EAS模式中时，以比RFID模式中少的功率来激活RFID装置10。这可以 通过使RFID装置10在EAS模式中时使用比在RFID模式中时少的功率来实现。EAS模式中的频率可以在上面给定的UHF范围内，或可以在上面给定的UHF范围 外的较低频率处。例如，在EAS模式中的频率可以低至100MHz。在较高频率处，通常有 更多可用的带宽。对于较低频率，通常可用的带宽更少，所以可以使用低带宽协议，例如 IS0180006-A，它是不包括阅读器调制的“标牌对话优先(tag talks first) ”协议，并且具 有额外的优势或在芯片中需要更简单的逻辑并且不需要模拟接收部分，从而减小功耗并且 增大范围。图4示出了一种在其中RFID装置10可以在EAS模式中使其操作修改的方式。芯片 12在其电路中具有许多数字模块30。数字模块30控制RFID装置的各种功能，例如对存储 器的存取、读写存储器、接收并且处理命令、产生CRC(循环冗余码校验)、安全功能(例如口 令和加密)、产生具体的响应消息以及处理争用访问协议。这些功能中的某些对于RFID装 置10在EAS功能中的使用不是必需的。EAS模式可以包括芯片12，其关闭对于在EAS模式 中的通信不是必需的某些数字模块30。例如，由于当装置10遇到来自EAS装置检测器或阅 读器的电场(或在其他地方所描述的替换物)时，来自处于EAS模式的RFID装置的响应可 能是单个虚拟的比特，因此，EAS功能可以不需要用于保持存储器中的项目的数字模块30。 无论何时RFID装置10处于EAS模式，只要它检测到EAS装置检测器的存在，其可以通过发送这个单个的虚拟比特来响应。通过关闭某些数字模块30，降低了 RFID装置10的功耗，从 而也降低了用于激活RFID装置10的功率要求，因此增加了 RFID装置10的灵敏度。应理 解，对于EAS模式，可以关闭或暂时禁用各种各样的数字模块。例如，在IS0180006-A协议 中，该逻辑电路是具有产生伪随机延迟的抽头的移位寄存器，接着所述逻辑电路只是为包 含不时地到输出调制器的代码的移位寄存器提供时钟。更简单地，当装置具有足够的功率 时，其可以反射单音，对反射调制器使用低调制深度，所以其仍然可以接收足够的能量—— 事实上，在RF输入对面的调制晶体管本身可以被配置为相对低频率的振荡器，所以芯片工 作的唯一部分是整流器和调制晶体管。图5示出了针对EAS模式的变化的另一选择，在其中RFID装置10不存储和在EAS 模式中同样多的能量。数字模块30包括能量存储模块34，其为RFID装置10存储能量以执 行对情形的响应。能量存储模块34可以包括，例如具有存储能量的一个电容器或多个电容 器的电荷泵/调节器。例如，存储在能量存储模块34中的能量可以被用来沿着天线14发 送消息或反射输入信号以调制RFID装置10附近的电场(或电场的替换物)。在无源RFID 标牌中，通常使用已调制的反射(通常也称为已调制的后向散射)实现回到阅读器系统的 通信。在这个技术中，数据承载信号改变芯片的输入阻抗。在简单的实施中，第一阻抗是芯 片处于其从阅读器系统接收到功率和命令的状态下的阻抗，第二阻抗是正在被导通的芯片 天线连接终端之间的晶体管引起的较低阻抗。如果我们假设在其第一状态，天线阻抗与芯 片阻抗共轭匹配，则天线接收到的所有功率将被芯片吸收。当调制器晶体管开启时，呈现第 二阻抗，一部分功率现在将被天线向阅读器/询问器反射或再辐射。这可以被视为反射幅 度调制的一种形式，并且在适当设计的阅读器系统中生成可检测的信号。在现实世界的标 牌设计中，经常由幅度和相位调制的组合产生反射的信号，并且芯片可以具有多于两个的 阻抗状态以增强调制特性。如在前面段落中指出的，在EAS模式中，来自RFID装置10的信号可能是单个虚拟 的比特。应理解，发送单个虚拟的比特所需的功率比发送较长的比特串(例如对于RFID通 信常常这样做，RFID通信中可能需要传送特定的装置信息)所需的功率少得多。从而工作 在EAS模式所需的功率可以比工作在RFID模式所需的功率显著地少。由于激活RFID装置 10需要较少的功率，因此芯片12可以包括指令，从而以存储在能量存储模块34中的、比在 RFID模式中RFID通信必需的功率少的功率来在EAS模式中响应。这意味着在这个实施例 中，RFID装置10具有较大的灵敏度，因为在它被激活进行通信之前，它需要存储较少的能 量。应理解，对于EAS模式，除了较短通信响应之外的其他原因而可能需要较少的能量存 储。上面所讨论的较短的响应可以包括发送在RFID模式中发送的普通通信消息的仅 一部分。例如，在RFID模式中，RFID装置10可以被配置为发送完整的信息承载信号，承载 关于RFID装置10的潜在地各种各样的信息，例如对RFID装置10独有的信息和对RFID装 置10以机械方式耦合到的物体独有的信息。在EAS模式中，忽略某些或所有独有的信息可 能是足够的。作为一个示例，在EAS模式中，RFID装置10可以被配置为发送仅部分响应， 例如在RFID模式中发送的普通通信的报头部分。RFID装置10也可以在EAS模式中进行简化的调制响应，其相对于RFID模式简化 调制。除了或替换上面的针对EAS模式的变化，也可以实现这个变化。当芯片12进行反射响应时，它以已知的频率向外发送1和0比特的连续序列。在EAS模式中，芯片12可以被 配置为反射输入信号而同时阻抗变化比RFID模式中的小。由于芯片12反射较小，因此它 在响应周期期间可以调整功率。当RFID装置10在EAS模式中通信时，这提高了它的灵敏 度。对于RFID通信，在EAS模式中较弱的响应可能是问题，因为RFID通信通常要求宽带通 信。然而，对于EAS模式，在窄带情况中通信可能是可接受的。EAS阅读器可以被配置为使 其有效带宽减小。对于RFID装置10 (处于EAS模式)和EAS阅读器/接收器之间的通信， 这降低了噪声基底(最低限度)。这使得能够检测较弱的信号(增加了灵敏度)。针对EAS模式，也可以改变芯片12的阻抗。在RFID通信中，为了实现关于期望频 率的最佳带宽，期望装置的芯片和天线不是准确的共轭匹配。这种带宽在RFID通信中可能 是期望的，因为RFID阅读器/检测器可能需要同时与多个RFID装置通信。这需要具有同 时与多个RFID装置通信的能力，这个需求导致期望在RFID通信系统中某个极大的带宽。 这种系统在通信期间可能要求基本上稳定的频率，使得快速的频率跳跃是不期望的。对于 EAS模式，由于EAS系统常常不需要装置和阅读器之间的任何种类的复杂信息交换，因此较 窄的带宽可以是可接受的，所以在那种情况下，频率跳跃可以是可接受的。此外，EAS系统 的短通信和这类系统的要求一起减少或避免了与多个装置同时通信的能力的需求。芯片12 的阻抗可以是以各种方式中的任何一种可改变的，所述方式可以是在芯片12内内部可切 换的。改变阻抗的一种方法是通过改变呈现给整流器电路的负载，因为输入阻抗部分地依 赖于通过整流器的电流。其他方法包括使用提供对电路的部分的偏置的非易失性存储器单 元，或具有由存储器单元控制的一系列晶体管，其连接输入之间的形成在芯片上的电容。现在另外参照图6，芯片12可以具有用于连接到第一天线44的第一组触点(第一 端口)42和用于连接到第二天线48的第二组触点(第二端口)46。第一触点42和第一天 线44可以被用于RFID模式中的通信，第二触点46和第二天线48可以被用于EAS模式中的 通信。可以针对它们各自模式的单独特性，优化触点/天线组合。第一触点42可以具有不 同于第二触点46的阻抗。第一触点42可以被配置为与远场天线很好地工作并且给出宽带 频率响应，用于RFID模式中的通信。这可以通过保持第一触点42的实部分和电抗部分的 比率相对低来实现。这等效于低频电路中Q的概念。在这种情况下术语Q与谐振调谐电路 的行为有关，所述谐振调谐电路包括天线呈现的电感、芯片呈现的电容以及芯片和结构中 任何其他能量损耗机构(例如材料中的介电损耗)呈现的电阻。Q的一种定义是存储的总 能量与每一周期能量损失的比率。能量被存储在电感器和电容器中(在零电压处，所有能 量在电感器的磁场中，在零电流处，能量作为电压被存储在电容器中)并且电阻耗散能量。 对于最适合RFID芯片输入的并联模型，Q被计算为电阻与电抗的比率。对于谐振电路，XL 和XC是相等的，但是在实际情况中，可能存在高电阻和高电容/低电感。对于RFID芯片的 输入，高Q电路可以是有用的，因为它可以有效地倍增芯片输入处的AC电压，这里AC电压 代表存储的能量，其可以比射频源每一周期输送的能量高。这是重要的，因为两个因素决定 RFID芯片工作的能力一个是获得足够的功率，另一个是在输入处获得足够的RF电压以允 许整流器运行。整流器可以是二极管或使用晶体管的同步类型，其趋向于具有正向导通开 始处的阈值电压。对于二极管，依赖于掺杂水平，这个范围针对硅器件可以从大约0. 3V到 0. 7V。可以减小这个阈值，但是在某个点，当反向偏置时，二极管的反向漏电流变大，并且RF 能量到DC电压的有效的转换效率变得不可用。所以，制造具有非常低功耗的芯片将不总是保证它工作在低RF功率输入，因为电压不得不足够大。通过具有高的电阻输入并且使用谐 振，可以实现较高的电压或电压降，虽然芯片不能汲取比每一周期输送给电路的功率高的 功率。较高Q的负面影响是极大地减小了工作带宽——典型的度量是3dB带宽AF = f/ Q。对于普通的RFID工作(这里期望在频带上一致的性能)，这个窄带宽可能带来问题。然 而，对于EAS功能，因为没有耗费时间的通信或协议发生，所以快速地扫描频带以找到处于 EAS模式的标牌的工作频率是可能的，从而克服了来自击败EAS功能的企图的窄带宽和去 谐效应两者引起的问题。在EAS模式中可实现的较高的灵敏度也允许较低的功率传送用于 检测，并且依赖于监管限制，较宽的带宽再次改进了捕获故意失调的标牌装置的几率。快速 频率跳跃有效地在频带上展开了阅读器能量，所以也减小了对其他系统的影响。因此，第二 触点46可以具有较高的实部分与电抗部分的比率(高Q)，适合用在EAS模式中。例如，芯 片可以具有IOOOOohms (欧姆)实部分和2pF电容(在915MHz处约等于 87欧姆电抗)。 这给出了理论最大无载Q为 115，但是从电路吸收能量的芯片将有效加载Q减小到较低的 值。对于任何给定的输入功率，第二触点46的特性可以产生较高的电压，这导致较大的灵 敏度，至少在电压受限的情形下。这种特性更适合于近场读取并且用在EAS模式中，但是不 太适合用于常规RFID通信。应理解，有许多可能的方式来选择工作模式。例如，装置可以被配置为当满足一组 条件时，仅以EAS模式回复。对于具有多个输入(触点或端口)的芯片，这类条件可以包括 在哪一个输入上接收命令(如果有)。例如，如果芯片具有两个输入，一个用于EAS通信，一 个用于RFID通信，如果在两个输入上都接收通信(例如EAS类型通信)，则系统可以被设置 为以EAS模式响应。如果仅在耦合到RFID天线的输入上接收同样的通信，则装置可以被配 置为根本不响应。这使得通过在物理上切断用于EAS通信的天线来使EAS功能无效成为可 能。这种改变将使装置仍然能够作为RFID装置运行。应理解，许多其他变型是可能的。替换配置使单个天线耦合到两组第一组触点42和46。触点42和46的组可以耦 合到在单个天线上不同的各自的点，代表不同的匹配条件。作为另一替换，触点组可以连接 到同一天线中的不同元件，其中触点组共享一个触点。作为替换，如图7中所示，第二触点或端口 46可以被配置为具有非常高的输入电 容(例如2-20pF)和高实数部分的阻抗(例如在5000和20000ohms之间)的。这允许导 体环50与端口 46并联放置并且在UHF频率处谐振。环50允许非常大的Q。环50包围区 域52。这个包围的区域52提高了天线48的新的磁场灵敏度。在上面各种实施例中所描述的RFID装置10可以是UHF RFID装置。与通常用于 检测磁EAS装置的阅读器和检测装置相比，UHF天线和阅读器是小的。这允许不引人注目 地执行EAS检测，例如通过安装在天花板或地板中，或安装在天花板或地板上。这移除了在 商店出口处的障碍。此外，应理解，将RFID和EAS功能集成在单个RFID装置中而不需要额外的结构部 件来执行EAS功能节约了成本。这导致在较少或不增加RFID装置的成本的情况下，增加了 功能。虽然针对特定的优选实施例(或多个实施例)已经示出并且描述了本发明，但是 很明显，本领域其他技术人员根据阅读和理解该说明书和附图，可以进行等效的改变和修 改。特别地关于由上面描述的元件(部件、组件、装置、组合等)执行的各种功能，用来描述这种元件的术语(包括提到的“手段”)，除非另外地指明，否则意在对应执行所描述元件的 特定功能的任何元件(即在功能上是等效的)，即使在结构上与执行本发明在此所说明的 示例性实施例中的功能的所公开的结构不等效。此外，虽然针对仅一个或多个若干所说明 的实施例在上面已经描述了本发明的特殊特征，但是当对任何给定或特殊应用是期望的和 有利时，该特征可以与其它实施例的一个或多个其它特征组合。
权利要求
一种射频识别即RFID装置，包括天线；以及可操作地耦合到所述天线的芯片；其中所述芯片包括选择性地操作所述RFID装置的下面两种模式的电路用于与RFID阅读器/检测器通信的相对低灵敏度的RFID模式；和用于作为EAS阅读器/检测器进行通信的相对高灵敏度的电子物品防盗即EAS模式。
2.根据权利要求1所述的RFID装置，其中所述电路包括用于为所述EAS模式切断所述 电路的数字模块的电路。
3.根据权利要求1所述的RFID装置，其中所述电路包括相对于在所述RFID模式中的 通信简化在所述EAS模式中通信的调制的电路。
4.根据权利要求1所述的RFID装置，其中所述电路包括相对于在所述RFID模式中启 动通信所需的能量存储，减少在所述EAS模式中启动通信所需的能量存储的电路。
5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的RFID装置，其中所述芯片包括用于传送输 出信号的多个端口，以及其中所述RFID模式使用所述端口中的一个，并且所述EAS模式使 用所述端口中的另一个。
6.根据权利要求5所述的RFID装置，其中所述芯片在所述端口具有不同的各自的阻抗。
7.根据权利要求1至6中的任何一项所述的RFID装置，其中所述芯片在所述EAS模式 中使用的功率比在所述RFID模式中的少。
8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的RFID装置，其中在所述RFID模式中的通 信具有的带宽比在所述EAS模式中的通信的带宽大。
9.根据权利要求1所述的RFID装置，其中所述电路包括允许同时在两种模式中通信的 电路。
10.一种使用RFID装置的方法，所述RFID装置用作电子物品防盗即EAS装置，所述方 法包括进入改进的灵敏度的操作模式，所述操作模式将灵敏度改进为超过用于RFID通信的 普通操作模式的灵敏度；以及当处于所述改进的灵敏度的模式时，与EAS阅读器/检测器通信。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述进入包括切断所述RFID装置的芯片的电路 中的数字模块。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述进入包括在与所述EAS阅读器/检测器通 信之前，减少所述RFID装置的芯片中所需的能量存储。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述进入包括简化调制。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述进入包括改变所述RFID装置的芯片的阻抗。
15.根据权利要求10至14中的任何一项所述的方法，其中所述进入包括降低所述装置 使用的功率。
16.根据权利要求10至15中的任何一项所述的方法，其中所述进入包括使能够沿着所 述RFID装置的芯片的端口进行通信，该端口与用于所述普通操作模式的所述芯片的端口不同。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述端口具有不同的各自的阻抗。
18.根据权利要求10所述的方法，其中所述进入包括简化在所述改进的灵敏度模式中 通信的调制。
19.根据权利要求10所述的方法，其中所述进入包括相对于所述普通模式降低在所述 改进的灵敏度模式中的带宽。
20.一种射频识别即RFID标牌，包括 芯片；以及可操作地耦合到所述芯片的天线；其中所述芯片包括用于工作在第一模式和第二模式之间的电路；以及 其中所述第一模式和第二模式中的每一个以不同的灵敏度工作。
21.根据权利要求20所述的RFID标牌，其中所述第一模式是相对低灵敏度的RFID模 式并且所述第二模式是相对高灵敏度的EAS模式。
22.—种射频识别即RFID标牌，包括 芯片；以及可操作地耦合到所述芯片的天线；其中所述芯片包括用于在普通模式和在至少第二模式工作的电路，并且其中所述芯片 选择性地工作在所述普通模式和所述第二模式之间；以及其中所述芯片在接收信号之后，使所述普通模式和第二模式中的一个无效。
全文摘要
一种射频识别(RFID)装置具有多种工作模式。其中一种工作模式是电子物品防盗(EAS)模式，该模式被用来允许将RFID装置用作EAS装置。另一种工作模式是RFID模式，该模式允许所述RFID装置在RFID通信中的普通功能。所述EAS模式具有比所述RFID模式大的灵敏度，需要比所述RFID模式少的功率来使所述装置工作，并且需要较少的电流和/或电压进行工作。所述EAS模式可以通过以下中的一个或更多个来实现这些不同的特性切断所述RFID装置的电路中的某些数字模块；减少对输入信号响应所需的能量存储；降低对输入信号响应的长度；简化响应所需的调制；改变芯片输入阻抗；和具有带不同阻抗的多个芯片端口。
文档编号G06K19/07GK101933032SQ200880126113
公开日2010年12月29日 申请日期2008年9月16日 优先权日2007年12月3日
发明者I·J·福斯特 申请人:艾利丹尼森公司