导电结构及触控面板的利记博彩app
专利名称:导电结构及触控面板的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型提供一种导电结构及包含该导电结构的触控面板。一种导电结构包含一导电氧化层以及一介电氧化层。介电氧化层设置于导电氧化层上。导电氧化层与介电氧化层的整体方阻R满足105欧姆/方≤R≤135欧姆/方。本实用新型提供的导电结构既可降低导线之间的耦合电容，还可防止与导线短路。
【专利说明】
导电结构及触控面板
技术领域
[0001] 本实用新型设及一种导电结构，特别是关于一种高电阻率的导电结构及其应用之 触控面板。
【背景技术】
[0002] 典型的触控面板包含盖板、触控感应层W及导线。触控感应层系设置于盖板的可 视区。导线系设置于盖板的非可视区，并电性连接触控感应层。一般来说，触控感应层包含 多个第一电极串W及多个第二电极串。第一电极串与第二电极串相间隔并绝缘，且运两种 电极串的末端均连接着导线，W利将感应到的触碰讯号传递给讯号处理单元。
[0003] 在某些布线的形式下，连接第一电极串的导线与连接第二电极串的导线系平行地 分布于盖板的非可视区上，运样的布线方式容易使得运两种导线之间产生禪合电容，进而 增加第一电极串与第二电极串之相交处的电容，导致此相交处的电容可能在未被触碰前就 已经饱和，进而影响此相交处的触控感应功能。
[0004] 因此，部分触控面板还可包含金属接地结构，此金属接地结构系设置于连接第一 电极串的导线与连接第二电极串的导线之间，W降低运两种导线之间的禪合电容，从而降 低第一电极串与第二电极串之相交处的电容。
[0005] 然而，由于金属接地结构的电阻过低，故当金属结构与导线的距离过近时，容易与 导线短路。 【实用新型内容】
[0006] 本实用新型之实施方式所掲露的导电结构既可降低导线之间的禪合电容，还可防 止与导线短路。
[0007] 依据本实用新型之一实施方式，一种导电结构包含一导电氧化层W及一介电氧化 层。介电氧化层系设置于导电氧化层上。导电氧化层与介电氧化层的整体方阻R满足105欧 姆/方《R《135欧姆/方。
[000引依据本实用新型之另一实施方式，一种触控面板包含一透光盖板、复数电极串、复 数导线W及至少一前述之导电结构。此些电极串系设置于该透光盖板上并相互绝缘。此些 导线分别电性连接此些电极串。前述之导电结构与电极串及导线绝缘，且导电结构之一部 分系位于此些导线之间、或此些电极串之一者与此些导线之一者之间。
[0009] 于上述实施方式中，由于导电氧化层与介电氧化层所共同形成的整体方阻R满足 105欧姆/方《R《135欧姆/方，故可提升导电结构之整体电阻率。由于高电阻率的导电结构 系位于导线之间或导线与电极串之间，故不仅可藉由其导电性质来降低导线之间或导线与 电极串之间的禪合电容，还可藉由其高电阻率性质来防止短路。
[0010] 依据本实用新型之另一实施方式，一种触控面板包含一透光盖板、一触控感应层、 一内接地结构W及一外接地结构。触控感应层系设置于透光盖板上。内接地结构系设置于 透光盖板上，并环绕触控感应层，并与触控感应层绝缘。内接地结构之方阻R满足105欧姆/ 方135欧姆/方。外接地结构环绕内接地结构。内接地结构的电阻率高于外接地结构的 电阻率。
[0011] 于上述实施方式中，由于内接地结构相较于外接地结构为高电阻率的导电结构， 相同的长度及横截面积情况下，内接地结构具有较高的电阻，故可利于静电放电 化IectroStatic Discharge;ESD)从外接地结构导出触控面板外，从而避免静电放电影响 导线与触控感应层。
【附图说明】
[0012] 图1绘示依据本实用新型一实施方式之触控面板的上视图；
[0013] 图2绘示图1之触控面板沿着2-2线的剖面图；
[0014] 图3绘示在不同氧气通量下所形成之氧化铜锡层的X光绕射图；
[0015] 图4绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图；
[0016] 图5绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图；
[0017] 图6绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图；
[0018] 图7绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图。
[0019]主要符号说明：
[0020] 100:透光盖板
[0021] 110:内表面
[0022] 112:不透光区域
[0023] 114:透光区域
[0024] 120:外表面
[00巧]200:触控感应层 [00%] 210:第一电极串
[0027] 212:第一电极
[002引 214:第一连接部
[0029] 220:第二电极串
[0030] 222:第二电极
[0031] 224:第二连接部
[0032] 230:绝缘块
[0033] 300:第一导线
[0034] 400:第二导线
[0035] 500、500a:导电结构
[0036] 510:导电氧化层
[0037] 520:介电氧化层
[0038] 530:接触界面
[0039] 600:绝缘结构
[0040] 700:接地端
[0041 ] 800:外接地结构
[00创 A:相交处
[0043] D1、D2:长度方向
[0044] G1、G2:间隙
【具体实施方式】
[0045] 下面结合附图与【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述。
[0046] W下将W图式掲露本实用新型之复数实施方式，为明确说明起见，许多实务上的 细节将在W下叙述中一并说明。然而，熟悉本领域之技术人员应当了解到，在本实用新型部 分实施方式中，运些实务上的细节并非必要的，因此不应用W限制本实用新型。此外，为简 化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将W简单示意的方式绘示之。另外，为了 便于读者观看，图式中各组件的尺寸并非依实际比例绘示。
[0047] 图1绘示依据本实用新型一实施方式之触控面板的上视图。图2绘示图1之触控面 板沿着2-2线的剖面图。如图1及图2所示，触控面板包含透光盖板100、触控感应层200、第一 导线300、第二导线400 W及导电结构500。触控感应层200、第一导线300、第二导线400与导 电结构500系设置于透光盖板100的相同侧，而可被透光盖板100所覆盖及保护。触控感应层 200包含第一电极串210W及第二电极串220。第一电极串210与第二电极串220系设置于透 光盖板100上。第一电极串210具有长度方向Dl。第二电极串220具有长度方向D2。第一电极 串210之长度方向Dl与第二电极串220之长度方向D2相交，且第一电极串210与第二电极串 220绝缘，W防止两者短路。第一导线300电性连接第一电极串210。第二导线400电性连接第 二电极串220。至少部分之导电结构500系位于第一导线300与第二导线400之间并与第一导 线300及第二导线400分离。换句话说，第一导线300与部分导电结构500相隔间隙Gl，且第二 导线400与该部分导电结构500相隔间隙G2。
[004引由于第一导线300与第二导线400之间存在着导电结构500,故导电结构500可避免 第一导线300与第二导线400直接地产生禪合电容，从而降低第一电极串210与第二电极串 220之相交处A的电容。换个方式来说，导电结构500与最靠近导电结构500之第一导线300之 间会产生禪合电容Cl,导电结构500与最靠近导电结构500之第二导线400会产生禪合电容 C2。运两个禪合电容Cl与C2会形成等效串联电容，而此等效串联电容之值3
>目 较于第一导线300与第二导线400直接形成的禪合电容，禪合电容Cl与C2所化成的导效申联 电容系相对小的。因此，在第一导线300与第二导线400之间配置导电结构500可助于降低第 一导线300与第二导线400之间的禪合电容。
[0049] 此外，导电结构500还可防止与第一导线300及/或第二导线400短路。进一步来说， 如图2所示，导电结构500包含导电氧化层510 W及介电氧化层520。介电氧化层520系设置于 导电氧化层510上。导电氧化层510与介电氧化层520的整体电阻率大于至少两倍的导电氧 化层510之材料的电阻率，W利使得导电氧化层510与介电氧化层520的整体方阻R满足105 欧姆/方《R《135欧姆/方。换句话说，若导电氧化层510与介电氧化层520所形成之导电结 构500的整体电阻率为Pl,且导电氧化层510之材料的电阻率为P2,则满足p1>2*p2。
[0050] 导电结构500之上述电阻率特性系由于导电氧化层510在制作时的氧气通量所产 生的。进一步来说，在导电结构500的制作过程中，可先利用瓣锻的方式，将导电氧化层510 的导电材料沉积于透光盖板100上。在瓣锻的过程中，氧气通量可被控制而介于20sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute,每分钟标准毫升）与SOsccm之间，较佳为 30sccm至40sccm。当导电氧化层510形成后，介电氧化层520可形成于导电氧化层510上，而 与导电氧化层510形成接触界面530。当导电氧化层510在运样的氧气通量下形成后，再于导 电氧化层510上形成介电氧化层520时，运两者的整体电阻率会大幅超越(超过两倍)导电氧 化层510的材料电阻率。藉由运样的特性，导电结构500的方阻R可满足105欧姆/方135 欧姆/方而具有高电阻率，而利于防止与第一导线300短路、或与第二导线400短路、或与第 一导线300及第二导线400均短路。
[0051] 举例来说，导电氧化层510之材料可包含氧化锋(ZnO)、氧化铜锡（ITO)、氧化铜锋 (IZO)、氧化铜嫁锋（IGZO)、侣氧化锋(AZ0)、氧化铜侣锋（IAZO)或上述任意组合，但本实用 新型不W此为限。介电氧化层520之材料可包含娃氧化物，如二氧化娃(Si02)或有机氧化 物，但本实用新型不W此为限。当上述材料之导电氧化层510系W高通量(例如:介于20sccm 与SOsccm之间）的氧气形成时，再搭配形成于其上的娃氧化物，可有效提高导电结构500的 电阻率，而防止短路问题。
[0052] 具体来说，于部分实施方式中，导电氧化层510之材料可为氧化铜锡(ITO)，而介电 氧化层520之材料可为二氧化娃。换句话说，导电氧化层510可为氧化铜锡层，而介电氧化层 520可为二氧化娃层。二氧化娃层系形成于氧化铜锡层上，且在氧化铜锡层之后形成，使得 氧化铜锡层与二氧化娃层接触。在氧化铜锡层的形成过程中，氧气的流量可介于20sccm与 SOsccm之间。如此一来，氧化铜锡层与二氧化娃层的整体电阻可达到至少60千欧姆(氧化铜 锡层的厚度为60皿），大于两倍的氧化铜锡之电阻（约为30千欧姆）。由此可知，当导电氧化 层510系W高通量(例如：介于20sccm与SOsccm之间）的氧气形成时，导电结构500可具有高 电阻率。下表列举导电结构500之实验组与对照组的电阻，来协助说明高通量氧气所形成的 导电氧化层510,并结合二氧化娃层后，可助于大幅提升导电结构500之电阻率。
[0化3]
[C
[0055]于上表中，实验组之导电结构包含氧化铜锡层与形成于氧化铜锡层上的二氧化娃 层，且此氧化铜锡层系在高通量氧气（例如:介于20sccm与SOsccm之间）下形成的；对照组一 之导电结构为相同长度及横截面积的氧化铜锡层，对照组一与实验组之差异在于对照组一 之氧化铜锡层系在低通量氧气（例如2sccm至3sccm)下形成的，且氧化氧化铜锡层上不覆盖 二氧化娃层;对照组二之导电结构包含相同长度及横截面积的氧化铜锡层，且此氧化铜锡 层形成过程中的氧气通量与实验组之氧气通量相同，对照组二与实验组之差异在于对照组 二之氧化铜锡层上没有覆盖二氧化娃层;对照组=之导电结构包含相同长度及横截面积的 氧化铜锡层与形成于氧化铜锡层上的二氧化娃层，而对照组=与实验组之差异在于对照组 =之氧化铜锡层系在低通量氧气（例如2sccm至3sccm)下形成的。由上表对照组一与对照组 二的对比可得知，当氧化铜锡层系在高通量氧气下形成时，与低通量氧气下形成的氧化铜 锡层相比，阻值会有小幅提升，但变化不大。由上表对照组一与对照组=的对比可得知，低 通量氧气下形成的氧化铜锡层再结合二氧化娃层，阻值也并没有大幅变化。由上表实验组 与对照组二、=的对比可得知，当氧化铜锡层系在高通量氧气下形成时所形成并与二氧化 娃层结合后，所形成导电结构之电阻值(如：约介于99.3千欧姆至113.0千欧姆），大幅地超 越当氧化铜锡层系在低通量氧气下形成并与二氧化娃层结合后，所形成的导电结构之电阻 值(如:约介于20.3千欧姆至22.0千欧姆）。本实用新型之导电结构的方阻R满足105欧姆/方 《R《135欧姆/方，而常规的如低通量氧气下形成的导电结构方阻R为65欧姆/方《R《85欧 姆/方。因此，当氧化铜锡层系W高通量氧气形成时，并与二氧化娃层结合后形成的导电结 构具有较大的方阻及电阻率，也即同样的厚度及横截面积情况下，电阻较大。
[0056] 部分实施方式中，当导电氧化层510系W高通量(例如：介于20sccm与50sccm之间） 的氧气形成时，导电氧化层510在(222)结晶方向上的结晶度可大于70%并小于100%。举例 来说，当导电氧化层510为氧化铜锡层时，此氧化铜锡层在(222)结晶方向上的结晶度可大 于70%并小于100%。W下WX光绕射数据来帮助说明氧气通量对结晶度的影响，于此，可参 阅图3,本图绘示在不同氧气通量下所形成之氧化铜锡层的X光绕射图（XRD图）。经由本图之 绕射资料的分析可知，氧化铜锡层在(222)结晶方向上的结晶度可藉由氧气通量来控制，且 氧化铜锡层在(222)结晶方向上的结晶度与氧气通量系大致上正相关的。由于氧气通量与 (222)结晶方向上的结晶度系大致上正相关的，且氧气通量与导电结构500之电阻率亦系大 致上正相关的，故可藉由结晶度来判断导电结构500的整体电阻率。举例来说，若导电结构 500之氧化铜锡层在(222)结晶方向上的结晶度大于70 %，则可判定导电结构500的电阻率 足够高到能够防止与第一导线300及/或第二导线400短路。可了解到，本文中所述的结晶方 向与其对应的结晶度仅为例示，本实用新型并不W此为限。
[0057] 于部分实施方式中，如图2所示，导电氧化层510比介电氧化层520更靠近透光盖板 100。进一步来说，在导电结构500的制作过程中，系先在高通量氧气下，将导电氧化层510形 成于透光盖板100上，之后，再于导电氧化层510上形成介电氧化层520,故导电氧化层510会 比介电氧化层520更靠近透光盖板100。换句话说，导电氧化层510系位于介电氧化层520与 透光盖板100之间。
[0058] 于部分实施方式中，如图1及图2所示，透光盖板100包含内表面IlOW及外表面 120。内表面110与外表面120系相背对的。外表面120可做为使用者的触控操作面。于部分实 施方式中，外表面120上可设置防脏污、防指纹、防刮或抗眩等功能层。内表面110具有不透 光区域112 W及透光区域114。不透光区域112与透光区域114系相邻接的。于本实施方式中， 不透光区域112为内表面110之外侧区域(或周边区域），透光区域114为内表面110的内侧区 域(或中央区域），而被不透光区域112所围绕。于部分实施方式中，内表面110及外表面120 可为经过化学或物理强化的表面，W提升对透光盖板100下方的触控感应层200、第一导线 300、第二导线400及导电结构500的保护效果。换句话说，触控感应层200、第一导线300、第 二导线400与导电结构500均系设置于透光盖板100的内表面110上，而可受透光盖板100所 保护。于部分实施方式中，不透光区域112可藉由在内表面110上设置遮光层(如油墨)来实 现，但本实用新型不W此为限。
[0059] 于部分实施方式中，如图1及图2所示，导电结构500系位于内表面110的不透光区 域112内。但由于导电结构500之导电氧化层510之材质可为透光导电材料(如氧化铜锡），且 介电氧化层520之材质可为透光介电材料(如二氧化娃），故导电结构500为透光的，而不会 遮蔽其他组件，因此，于部分实施方式中，导电结构500亦可至少部分地位于内表面110的透 光区域114内，而助于扩大透光区域114的面积，亦即，可扩大触控面板的可视区面积。值得 说明的是，当导电结构500位于透光区域114内时，导电结构500之至少一部分可位于第二电 极串220与第一导线300之间，W隔开第二电极串220与第一导线300,从而避免第二电极串 220与第一导线300直接地产生禪合电容。换句话说，当导电结构500位于透光区域114内时， 可兼顾降低第二电极串220与第一导线300之禪合电容的效果与扩大可视区面积的效果。
[0060] 于部分实施方式中，如图1所示，导电结构500与第一导线300在透光盖板100之内 表面110上的投影相交，且导电结构500与第一导线300绝缘，W免使得触碰讯号产生不必要 的外流。举例来说，触控面板还包含绝缘结构600。绝缘结构600系位于导电结构500与第一 导线300的相交处，并隔开导电结构500与第一导线300,从而使导电结构500与第一导线300 绝缘。于部分实施方式中，导电结构500亦与第二导线400及触控感应层200绝缘，W免使得 触碰讯号产生不必要的外流。进一步来说，只要导电结构500在透光盖板100之内表面110上 的投影系与第一电极串210、第二电极串220、第一导线300或第二导线400在内表面110上的 投影相交，则绝缘结构600会位于导电结构500与第一电极串210、第二电极串220、第一导线 300或第二导线400之间，W利导电结构500与运些电极串及导线绝缘，W免触碰讯号产生不 必要的外流。
[0061] 于部分实施方式中，如图1所示，第一电极串210之长度方向Dl与第二电极串220之 长度方向D2可相互垂直。进一步来说，长度方向Dl可为图1中的横轴方向，而长度方向D2可 为图1中的纵轴方向。第一电极串210可包含复数第一电极212W及复数第一连接部214。运 些第一电极212与第一连接部214系沿着长度方向Dl交替地排列的。每一第一连接部214连 接在长度方向Dl上相邻之两第一电极212。相似地，第二电极串220可包含复数第二电极222 W及复数第二连接部224。运些第二电极222W及第二连接部224系沿着长度方向D2交替地 排列的。每一第二连接部224连接在长度方向D2上相邻之两第二电极222。于部分实施方式 中，触控感应层200还包含绝缘块230。绝缘块230系位于第一电极串210与第二电极串220的 相交处A，并隔开第一电极串210与第二电极串220, W使运两者相绝缘。举例来说，绝缘块 230可位于第一电极串210的第一连接部214与第二电极串220的第二连接部224之间，W隔 开第一连接部214与第二连接部224。于部分实施方式中，第一电极212、第一连接部214、第 二电极222与第二连接部224之材料可为氧化铜锡或氧化铜锋，但本实用新型不W此为限。
[0062] 于部分实施方式中，当第一电极串210与第二电极串220之材料为氧化铜锡，且导 电氧化层510之材料亦为氧化铜锡时，运两种氧化铜锡在（222)结晶方向上的结晶度不同。 进一步来说，导电氧化层510在(222)结晶方向上的结晶度较高，而具有较高的电阻率，W利 防止短路，而由于第一电极串210与第二电极串220并无需刻意考虑与导线之间的短路问 题，而可具有较低的电阻率，提高触控灵敏度，故第一电极串210与第二电极串220在(222) 结晶方向上的结晶度可比导电氧化层510在(222)结晶方向上的结晶度低。
[0063] 图4绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图。如图4所示，本实施 方式与前述实施方式之间的主要差异在于:本实施方式之触控面板还包含接地端700。导电 结构500电性连接接地端700。如此一来，导电结构500不仅可用来降低第一导线300与第二 导线400之间的禪合电容，还可用来做为触控面板的接地结构。从而防止外部静电放电 化SD)影响触控感应层200。
[0064] 图5绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图。如图5所示，本实施 方式与图4所示实施方式之间的主要差异在于:导电结构500a与前述导电结构500的形状不 同。具体来说，导电结构500a为环状的，并环绕触控感应层200。导电结构500a亦电性连接接 地端700,而可做为触控面板的接地结构。换句话说，可用于接地的环状导电结构500a环绕 第一电极串210与第二电极串220,如此可更进一步地防止ESD影响触控感应层200的触控功 能。
[0065] 图6绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图。如图6所示，本实施 方式与图5所示实施方式之间的主要差异在于：导电结构500a不电性连接接地端。也就是 说，导电结构500a的环状设计非接地的用途，而主要可起到降低第一导线300与第二导线 400之间的禪合电容之作用。
[0066] 图7绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图。如图7所示，本实施 方式与图5所示实施方式之间的主要差异在于:本实施方式还包含外接地结构800。外接地 结构800环绕导电结构500a，且导电结构500a的电阻率高于外接地结构800的电阻率，藉此 可利于大部分ESD从外接地结构800导出触控面板外，而避免ESD影响触控感应层200、第一 导线300与第二导线400。进一步来说，导电结构500a与外接地结构800均连接接地端700,且 导电结构500a系被外接地结构800所环绕，而可做为触控面板的内接地结构。由于导电结构 500a环绕触控感应层200,且外接地结构800环绕导电结构500a，故导电结构500a比外接地 结构800更靠近触控感应层200。然而，由于导电结构500a的电阻率比外接地结构800的电阻 率更高，故当触控面板中出现ESD时，ESD较容易往电阻率低的外接地结构800前进，而较不 易往电阻率高的导电结构500a前进，如此一来，可防止ESD进入导电结构500a，而可进一步 地防止ESD影响导电结构500a所环绕的触控感应层200。
[0067] 于部分实施方式中，导电结构500a的材料与外接地结构800的材料不同。进一步来 说，导电结构500a可如同导电结构500而具有导电氧化层510与介电氧化层520(如图2所 示），外接地结构800可为金属，但本实用新型不W此为限。由于在高通量的氧气下所形成的 导电氧化层510可使得导电结构500a具有比金属更高的电阻率，故可利于使导电结构500a 的电阻率高于外接地结构800的电阻率，从而帮助ESD从外接地结构800导出触控面板外。
[0068] 于部分实施方式中，外接地结构800环绕第一导线300与第二导线400, W防止ESD 影响第一导线300与第二导线400。具体来说，于部分实施方式中，第一导线300与第二导线 400系至少部分地位于导电结构500a与外接地结构800之间。
[0069] W上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用W限制本实用新型，凡在本 实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型 保护的范围之内。
【主权项】
1. 一种导电结构，其特征在于，包含： 一导电氧化层；以及 一介电氧化层，设置于该导电氧化层上，该导电氧化层与该介电氧化层的整体方阻R满 足105欧姆/方彡RS135欧姆/方。2. 如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该导电氧化层在(222)结晶方向上的结 晶度大于70 %并小于100 %。3. 如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该导电氧化层之材料包含透明的氧化 锌、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌、铝氧化锌、氧化铟铝锌或上述任意组合。4. 如权利要求1或3所述的导电结构，其特征在于，该介电氧化层包含硅氧化物或有机 氧化物。5. 如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该导电氧化层为一氧化铟锡层，该介电 氧化层为一二氧化硅层，且该氧化铟锡层与该二氧化硅层接触。6. 如权利要求1或5所述的导电结构，其特征在于，该导电氧化层通过溅镀形成，该溅镀 过程中氧气的流量介于20sccm与50sccm之间。7. -种触控面板，其特征在于，包含： 一透光盖板； 复数电极串，设置于该透光盖板上，该些电极串相互绝缘； 复数导线，分别电性连接该些电极串；以及 至少一如权利要求1至6中任一项所述的导电结构，该导电结构与该些电极串及该些导 线绝缘，且该导电结构之至少一部分系位于该些导线之间、或该些电极串之一者与该些导 线之一者之间。8. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，该导电氧化层比该介电氧化层更靠近该 透光盖板。9. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，该导电结构为环状的，并环绕该些电极 串。10. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，更包含一接地端，该导电结构电性连接 该接地端。11. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，更包含一外接地结构，围绕该导电结 构，其中该导电结构之电阻率高于该外接地结构之电阻率。12. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，该导电结构为透明的，部份或全部位于 该触控面板的可视区。13. -种触控面板，其特征在于，包含： 一透光盖板； 一触控感应层，设置于该透光盖板上； 一内接地结构，设置于该透光盖板上，并环绕该触控感应层，并与该触控感应层绝缘， 该内接地结构之方阻R满足105欧姆/方<R<135欧姆/方;以及 一外接地结构，环绕该内接地结构，其中该内接地结构的电阻率高于该外接地结构的 电阻率。14. 如权利要求13所述的触控面板，其特征在于，该内接地结构包含一导电氧化层以及 一介电氧化层，该介电氧化层系设置于该导电氧化层上，其中该导电氧化层在(222)结晶方 向上的结晶度大子70 %。15.如权利要求13所述的触控面板，其特征在于，该导电结构为透明的，部份或全部位 于该触控面板的可视区。
【文档编号】G06F3/044GK205721723SQ201620398301
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年4月28日
【发明人】佘友智, 石靖节, 方国龙
【申请人】宸美（厦门）光电有限公司
【专利摘要】本实用新型提供一种导电结构及包含该导电结构的触控面板。一种导电结构包含一导电氧化层以及一介电氧化层。介电氧化层设置于导电氧化层上。导电氧化层与介电氧化层的整体方阻R满足105欧姆/方≤R≤135欧姆/方。本实用新型提供的导电结构既可降低导线之间的耦合电容，还可防止与导线短路。
【专利说明】
导电结构及触控面板
技术领域
[0001] 本实用新型设及一种导电结构，特别是关于一种高电阻率的导电结构及其应用之 触控面板。
【背景技术】
[0002] 典型的触控面板包含盖板、触控感应层W及导线。触控感应层系设置于盖板的可 视区。导线系设置于盖板的非可视区，并电性连接触控感应层。一般来说，触控感应层包含 多个第一电极串W及多个第二电极串。第一电极串与第二电极串相间隔并绝缘，且运两种 电极串的末端均连接着导线，W利将感应到的触碰讯号传递给讯号处理单元。
[0003] 在某些布线的形式下，连接第一电极串的导线与连接第二电极串的导线系平行地 分布于盖板的非可视区上，运样的布线方式容易使得运两种导线之间产生禪合电容，进而 增加第一电极串与第二电极串之相交处的电容，导致此相交处的电容可能在未被触碰前就 已经饱和，进而影响此相交处的触控感应功能。
[0004] 因此，部分触控面板还可包含金属接地结构，此金属接地结构系设置于连接第一 电极串的导线与连接第二电极串的导线之间，W降低运两种导线之间的禪合电容，从而降 低第一电极串与第二电极串之相交处的电容。
[0005] 然而，由于金属接地结构的电阻过低，故当金属结构与导线的距离过近时，容易与 导线短路。 【实用新型内容】
[0006] 本实用新型之实施方式所掲露的导电结构既可降低导线之间的禪合电容，还可防 止与导线短路。
[0007] 依据本实用新型之一实施方式，一种导电结构包含一导电氧化层W及一介电氧化 层。介电氧化层系设置于导电氧化层上。导电氧化层与介电氧化层的整体方阻R满足105欧 姆/方《R《135欧姆/方。
[000引依据本实用新型之另一实施方式，一种触控面板包含一透光盖板、复数电极串、复 数导线W及至少一前述之导电结构。此些电极串系设置于该透光盖板上并相互绝缘。此些 导线分别电性连接此些电极串。前述之导电结构与电极串及导线绝缘，且导电结构之一部 分系位于此些导线之间、或此些电极串之一者与此些导线之一者之间。
[0009] 于上述实施方式中，由于导电氧化层与介电氧化层所共同形成的整体方阻R满足 105欧姆/方《R《135欧姆/方，故可提升导电结构之整体电阻率。由于高电阻率的导电结构 系位于导线之间或导线与电极串之间，故不仅可藉由其导电性质来降低导线之间或导线与 电极串之间的禪合电容，还可藉由其高电阻率性质来防止短路。
[0010] 依据本实用新型之另一实施方式，一种触控面板包含一透光盖板、一触控感应层、 一内接地结构W及一外接地结构。触控感应层系设置于透光盖板上。内接地结构系设置于 透光盖板上，并环绕触控感应层，并与触控感应层绝缘。内接地结构之方阻R满足105欧姆/ 方135欧姆/方。外接地结构环绕内接地结构。内接地结构的电阻率高于外接地结构的 电阻率。
[0011] 于上述实施方式中，由于内接地结构相较于外接地结构为高电阻率的导电结构， 相同的长度及横截面积情况下，内接地结构具有较高的电阻，故可利于静电放电 化IectroStatic Discharge;ESD)从外接地结构导出触控面板外，从而避免静电放电影响 导线与触控感应层。
【附图说明】
[0012] 图1绘示依据本实用新型一实施方式之触控面板的上视图；
[0013] 图2绘示图1之触控面板沿着2-2线的剖面图；
[0014] 图3绘示在不同氧气通量下所形成之氧化铜锡层的X光绕射图；
[0015] 图4绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图；
[0016] 图5绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图；
[0017] 图6绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图；
[0018] 图7绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图。
[0019]主要符号说明：
[0020] 100:透光盖板
[0021] 110:内表面
[0022] 112:不透光区域
[0023] 114:透光区域
[0024] 120:外表面
[00巧]200:触控感应层 [00%] 210:第一电极串
[0027] 212:第一电极
[002引 214:第一连接部
[0029] 220:第二电极串
[0030] 222:第二电极
[0031] 224:第二连接部
[0032] 230:绝缘块
[0033] 300:第一导线
[0034] 400:第二导线
[0035] 500、500a:导电结构
[0036] 510:导电氧化层
[0037] 520:介电氧化层
[0038] 530:接触界面
[0039] 600:绝缘结构
[0040] 700:接地端
[0041 ] 800:外接地结构
[00创 A:相交处
[0043] D1、D2:长度方向
[0044] G1、G2:间隙
【具体实施方式】
[0045] 下面结合附图与【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述。
[0046] W下将W图式掲露本实用新型之复数实施方式，为明确说明起见，许多实务上的 细节将在W下叙述中一并说明。然而，熟悉本领域之技术人员应当了解到，在本实用新型部 分实施方式中，运些实务上的细节并非必要的，因此不应用W限制本实用新型。此外，为简 化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将W简单示意的方式绘示之。另外，为了 便于读者观看，图式中各组件的尺寸并非依实际比例绘示。
[0047] 图1绘示依据本实用新型一实施方式之触控面板的上视图。图2绘示图1之触控面 板沿着2-2线的剖面图。如图1及图2所示，触控面板包含透光盖板100、触控感应层200、第一 导线300、第二导线400 W及导电结构500。触控感应层200、第一导线300、第二导线400与导 电结构500系设置于透光盖板100的相同侧，而可被透光盖板100所覆盖及保护。触控感应层 200包含第一电极串210W及第二电极串220。第一电极串210与第二电极串220系设置于透 光盖板100上。第一电极串210具有长度方向Dl。第二电极串220具有长度方向D2。第一电极 串210之长度方向Dl与第二电极串220之长度方向D2相交，且第一电极串210与第二电极串 220绝缘，W防止两者短路。第一导线300电性连接第一电极串210。第二导线400电性连接第 二电极串220。至少部分之导电结构500系位于第一导线300与第二导线400之间并与第一导 线300及第二导线400分离。换句话说，第一导线300与部分导电结构500相隔间隙Gl，且第二 导线400与该部分导电结构500相隔间隙G2。
[004引由于第一导线300与第二导线400之间存在着导电结构500,故导电结构500可避免 第一导线300与第二导线400直接地产生禪合电容，从而降低第一电极串210与第二电极串 220之相交处A的电容。换个方式来说，导电结构500与最靠近导电结构500之第一导线300之 间会产生禪合电容Cl,导电结构500与最靠近导电结构500之第二导线400会产生禪合电容 C2。运两个禪合电容Cl与C2会形成等效串联电容，而此等效串联电容之值3
>目 较于第一导线300与第二导线400直接形成的禪合电容，禪合电容Cl与C2所化成的导效申联 电容系相对小的。因此，在第一导线300与第二导线400之间配置导电结构500可助于降低第 一导线300与第二导线400之间的禪合电容。
[0049] 此外，导电结构500还可防止与第一导线300及/或第二导线400短路。进一步来说， 如图2所示，导电结构500包含导电氧化层510 W及介电氧化层520。介电氧化层520系设置于 导电氧化层510上。导电氧化层510与介电氧化层520的整体电阻率大于至少两倍的导电氧 化层510之材料的电阻率，W利使得导电氧化层510与介电氧化层520的整体方阻R满足105 欧姆/方《R《135欧姆/方。换句话说，若导电氧化层510与介电氧化层520所形成之导电结 构500的整体电阻率为Pl,且导电氧化层510之材料的电阻率为P2,则满足p1>2*p2。
[0050] 导电结构500之上述电阻率特性系由于导电氧化层510在制作时的氧气通量所产 生的。进一步来说，在导电结构500的制作过程中，可先利用瓣锻的方式，将导电氧化层510 的导电材料沉积于透光盖板100上。在瓣锻的过程中，氧气通量可被控制而介于20sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute,每分钟标准毫升）与SOsccm之间，较佳为 30sccm至40sccm。当导电氧化层510形成后，介电氧化层520可形成于导电氧化层510上，而 与导电氧化层510形成接触界面530。当导电氧化层510在运样的氧气通量下形成后，再于导 电氧化层510上形成介电氧化层520时，运两者的整体电阻率会大幅超越(超过两倍)导电氧 化层510的材料电阻率。藉由运样的特性，导电结构500的方阻R可满足105欧姆/方135 欧姆/方而具有高电阻率，而利于防止与第一导线300短路、或与第二导线400短路、或与第 一导线300及第二导线400均短路。
[0051] 举例来说，导电氧化层510之材料可包含氧化锋(ZnO)、氧化铜锡（ITO)、氧化铜锋 (IZO)、氧化铜嫁锋（IGZO)、侣氧化锋(AZ0)、氧化铜侣锋（IAZO)或上述任意组合，但本实用 新型不W此为限。介电氧化层520之材料可包含娃氧化物，如二氧化娃(Si02)或有机氧化 物，但本实用新型不W此为限。当上述材料之导电氧化层510系W高通量(例如:介于20sccm 与SOsccm之间）的氧气形成时，再搭配形成于其上的娃氧化物，可有效提高导电结构500的 电阻率，而防止短路问题。
[0052] 具体来说，于部分实施方式中，导电氧化层510之材料可为氧化铜锡(ITO)，而介电 氧化层520之材料可为二氧化娃。换句话说，导电氧化层510可为氧化铜锡层，而介电氧化层 520可为二氧化娃层。二氧化娃层系形成于氧化铜锡层上，且在氧化铜锡层之后形成，使得 氧化铜锡层与二氧化娃层接触。在氧化铜锡层的形成过程中，氧气的流量可介于20sccm与 SOsccm之间。如此一来，氧化铜锡层与二氧化娃层的整体电阻可达到至少60千欧姆(氧化铜 锡层的厚度为60皿），大于两倍的氧化铜锡之电阻（约为30千欧姆）。由此可知，当导电氧化 层510系W高通量(例如：介于20sccm与SOsccm之间）的氧气形成时，导电结构500可具有高 电阻率。下表列举导电结构500之实验组与对照组的电阻，来协助说明高通量氧气所形成的 导电氧化层510,并结合二氧化娃层后，可助于大幅提升导电结构500之电阻率。
[0化3]
[C
[0055]于上表中，实验组之导电结构包含氧化铜锡层与形成于氧化铜锡层上的二氧化娃 层，且此氧化铜锡层系在高通量氧气（例如:介于20sccm与SOsccm之间）下形成的；对照组一 之导电结构为相同长度及横截面积的氧化铜锡层，对照组一与实验组之差异在于对照组一 之氧化铜锡层系在低通量氧气（例如2sccm至3sccm)下形成的，且氧化氧化铜锡层上不覆盖 二氧化娃层;对照组二之导电结构包含相同长度及横截面积的氧化铜锡层，且此氧化铜锡 层形成过程中的氧气通量与实验组之氧气通量相同，对照组二与实验组之差异在于对照组 二之氧化铜锡层上没有覆盖二氧化娃层;对照组=之导电结构包含相同长度及横截面积的 氧化铜锡层与形成于氧化铜锡层上的二氧化娃层，而对照组=与实验组之差异在于对照组 =之氧化铜锡层系在低通量氧气（例如2sccm至3sccm)下形成的。由上表对照组一与对照组 二的对比可得知，当氧化铜锡层系在高通量氧气下形成时，与低通量氧气下形成的氧化铜 锡层相比，阻值会有小幅提升，但变化不大。由上表对照组一与对照组=的对比可得知，低 通量氧气下形成的氧化铜锡层再结合二氧化娃层，阻值也并没有大幅变化。由上表实验组 与对照组二、=的对比可得知，当氧化铜锡层系在高通量氧气下形成时所形成并与二氧化 娃层结合后，所形成导电结构之电阻值(如：约介于99.3千欧姆至113.0千欧姆），大幅地超 越当氧化铜锡层系在低通量氧气下形成并与二氧化娃层结合后，所形成的导电结构之电阻 值(如:约介于20.3千欧姆至22.0千欧姆）。本实用新型之导电结构的方阻R满足105欧姆/方 《R《135欧姆/方，而常规的如低通量氧气下形成的导电结构方阻R为65欧姆/方《R《85欧 姆/方。因此，当氧化铜锡层系W高通量氧气形成时，并与二氧化娃层结合后形成的导电结 构具有较大的方阻及电阻率，也即同样的厚度及横截面积情况下，电阻较大。
[0056] 部分实施方式中，当导电氧化层510系W高通量(例如：介于20sccm与50sccm之间） 的氧气形成时，导电氧化层510在(222)结晶方向上的结晶度可大于70%并小于100%。举例 来说，当导电氧化层510为氧化铜锡层时，此氧化铜锡层在(222)结晶方向上的结晶度可大 于70%并小于100%。W下WX光绕射数据来帮助说明氧气通量对结晶度的影响，于此，可参 阅图3,本图绘示在不同氧气通量下所形成之氧化铜锡层的X光绕射图（XRD图）。经由本图之 绕射资料的分析可知，氧化铜锡层在(222)结晶方向上的结晶度可藉由氧气通量来控制，且 氧化铜锡层在(222)结晶方向上的结晶度与氧气通量系大致上正相关的。由于氧气通量与 (222)结晶方向上的结晶度系大致上正相关的，且氧气通量与导电结构500之电阻率亦系大 致上正相关的，故可藉由结晶度来判断导电结构500的整体电阻率。举例来说，若导电结构 500之氧化铜锡层在(222)结晶方向上的结晶度大于70 %，则可判定导电结构500的电阻率 足够高到能够防止与第一导线300及/或第二导线400短路。可了解到，本文中所述的结晶方 向与其对应的结晶度仅为例示，本实用新型并不W此为限。
[0057] 于部分实施方式中，如图2所示，导电氧化层510比介电氧化层520更靠近透光盖板 100。进一步来说，在导电结构500的制作过程中，系先在高通量氧气下，将导电氧化层510形 成于透光盖板100上，之后，再于导电氧化层510上形成介电氧化层520,故导电氧化层510会 比介电氧化层520更靠近透光盖板100。换句话说，导电氧化层510系位于介电氧化层520与 透光盖板100之间。
[0058] 于部分实施方式中，如图1及图2所示，透光盖板100包含内表面IlOW及外表面 120。内表面110与外表面120系相背对的。外表面120可做为使用者的触控操作面。于部分实 施方式中，外表面120上可设置防脏污、防指纹、防刮或抗眩等功能层。内表面110具有不透 光区域112 W及透光区域114。不透光区域112与透光区域114系相邻接的。于本实施方式中， 不透光区域112为内表面110之外侧区域(或周边区域），透光区域114为内表面110的内侧区 域(或中央区域），而被不透光区域112所围绕。于部分实施方式中，内表面110及外表面120 可为经过化学或物理强化的表面，W提升对透光盖板100下方的触控感应层200、第一导线 300、第二导线400及导电结构500的保护效果。换句话说，触控感应层200、第一导线300、第 二导线400与导电结构500均系设置于透光盖板100的内表面110上，而可受透光盖板100所 保护。于部分实施方式中，不透光区域112可藉由在内表面110上设置遮光层(如油墨)来实 现，但本实用新型不W此为限。
[0059] 于部分实施方式中，如图1及图2所示，导电结构500系位于内表面110的不透光区 域112内。但由于导电结构500之导电氧化层510之材质可为透光导电材料(如氧化铜锡），且 介电氧化层520之材质可为透光介电材料(如二氧化娃），故导电结构500为透光的，而不会 遮蔽其他组件，因此，于部分实施方式中，导电结构500亦可至少部分地位于内表面110的透 光区域114内，而助于扩大透光区域114的面积，亦即，可扩大触控面板的可视区面积。值得 说明的是，当导电结构500位于透光区域114内时，导电结构500之至少一部分可位于第二电 极串220与第一导线300之间，W隔开第二电极串220与第一导线300,从而避免第二电极串 220与第一导线300直接地产生禪合电容。换句话说，当导电结构500位于透光区域114内时， 可兼顾降低第二电极串220与第一导线300之禪合电容的效果与扩大可视区面积的效果。
[0060] 于部分实施方式中，如图1所示，导电结构500与第一导线300在透光盖板100之内 表面110上的投影相交，且导电结构500与第一导线300绝缘，W免使得触碰讯号产生不必要 的外流。举例来说，触控面板还包含绝缘结构600。绝缘结构600系位于导电结构500与第一 导线300的相交处，并隔开导电结构500与第一导线300,从而使导电结构500与第一导线300 绝缘。于部分实施方式中，导电结构500亦与第二导线400及触控感应层200绝缘，W免使得 触碰讯号产生不必要的外流。进一步来说，只要导电结构500在透光盖板100之内表面110上 的投影系与第一电极串210、第二电极串220、第一导线300或第二导线400在内表面110上的 投影相交，则绝缘结构600会位于导电结构500与第一电极串210、第二电极串220、第一导线 300或第二导线400之间，W利导电结构500与运些电极串及导线绝缘，W免触碰讯号产生不 必要的外流。
[0061] 于部分实施方式中，如图1所示，第一电极串210之长度方向Dl与第二电极串220之 长度方向D2可相互垂直。进一步来说，长度方向Dl可为图1中的横轴方向，而长度方向D2可 为图1中的纵轴方向。第一电极串210可包含复数第一电极212W及复数第一连接部214。运 些第一电极212与第一连接部214系沿着长度方向Dl交替地排列的。每一第一连接部214连 接在长度方向Dl上相邻之两第一电极212。相似地，第二电极串220可包含复数第二电极222 W及复数第二连接部224。运些第二电极222W及第二连接部224系沿着长度方向D2交替地 排列的。每一第二连接部224连接在长度方向D2上相邻之两第二电极222。于部分实施方式 中，触控感应层200还包含绝缘块230。绝缘块230系位于第一电极串210与第二电极串220的 相交处A，并隔开第一电极串210与第二电极串220, W使运两者相绝缘。举例来说，绝缘块 230可位于第一电极串210的第一连接部214与第二电极串220的第二连接部224之间，W隔 开第一连接部214与第二连接部224。于部分实施方式中，第一电极212、第一连接部214、第 二电极222与第二连接部224之材料可为氧化铜锡或氧化铜锋，但本实用新型不W此为限。
[0062] 于部分实施方式中，当第一电极串210与第二电极串220之材料为氧化铜锡，且导 电氧化层510之材料亦为氧化铜锡时，运两种氧化铜锡在（222)结晶方向上的结晶度不同。 进一步来说，导电氧化层510在(222)结晶方向上的结晶度较高，而具有较高的电阻率，W利 防止短路，而由于第一电极串210与第二电极串220并无需刻意考虑与导线之间的短路问 题，而可具有较低的电阻率，提高触控灵敏度，故第一电极串210与第二电极串220在(222) 结晶方向上的结晶度可比导电氧化层510在(222)结晶方向上的结晶度低。
[0063] 图4绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图。如图4所示，本实施 方式与前述实施方式之间的主要差异在于:本实施方式之触控面板还包含接地端700。导电 结构500电性连接接地端700。如此一来，导电结构500不仅可用来降低第一导线300与第二 导线400之间的禪合电容，还可用来做为触控面板的接地结构。从而防止外部静电放电 化SD)影响触控感应层200。
[0064] 图5绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图。如图5所示，本实施 方式与图4所示实施方式之间的主要差异在于:导电结构500a与前述导电结构500的形状不 同。具体来说，导电结构500a为环状的，并环绕触控感应层200。导电结构500a亦电性连接接 地端700,而可做为触控面板的接地结构。换句话说，可用于接地的环状导电结构500a环绕 第一电极串210与第二电极串220,如此可更进一步地防止ESD影响触控感应层200的触控功 能。
[0065] 图6绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图。如图6所示，本实施 方式与图5所示实施方式之间的主要差异在于：导电结构500a不电性连接接地端。也就是 说，导电结构500a的环状设计非接地的用途，而主要可起到降低第一导线300与第二导线 400之间的禪合电容之作用。
[0066] 图7绘示依据本实用新型另一实施方式之触控面板的上视图。如图7所示，本实施 方式与图5所示实施方式之间的主要差异在于:本实施方式还包含外接地结构800。外接地 结构800环绕导电结构500a，且导电结构500a的电阻率高于外接地结构800的电阻率，藉此 可利于大部分ESD从外接地结构800导出触控面板外，而避免ESD影响触控感应层200、第一 导线300与第二导线400。进一步来说，导电结构500a与外接地结构800均连接接地端700,且 导电结构500a系被外接地结构800所环绕，而可做为触控面板的内接地结构。由于导电结构 500a环绕触控感应层200,且外接地结构800环绕导电结构500a，故导电结构500a比外接地 结构800更靠近触控感应层200。然而，由于导电结构500a的电阻率比外接地结构800的电阻 率更高，故当触控面板中出现ESD时，ESD较容易往电阻率低的外接地结构800前进，而较不 易往电阻率高的导电结构500a前进，如此一来，可防止ESD进入导电结构500a，而可进一步 地防止ESD影响导电结构500a所环绕的触控感应层200。
[0067] 于部分实施方式中，导电结构500a的材料与外接地结构800的材料不同。进一步来 说，导电结构500a可如同导电结构500而具有导电氧化层510与介电氧化层520(如图2所 示），外接地结构800可为金属，但本实用新型不W此为限。由于在高通量的氧气下所形成的 导电氧化层510可使得导电结构500a具有比金属更高的电阻率，故可利于使导电结构500a 的电阻率高于外接地结构800的电阻率，从而帮助ESD从外接地结构800导出触控面板外。
[0068] 于部分实施方式中，外接地结构800环绕第一导线300与第二导线400, W防止ESD 影响第一导线300与第二导线400。具体来说，于部分实施方式中，第一导线300与第二导线 400系至少部分地位于导电结构500a与外接地结构800之间。
[0069] W上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用W限制本实用新型，凡在本 实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型 保护的范围之内。
【主权项】
1. 一种导电结构，其特征在于，包含： 一导电氧化层；以及 一介电氧化层，设置于该导电氧化层上，该导电氧化层与该介电氧化层的整体方阻R满 足105欧姆/方彡RS135欧姆/方。2. 如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该导电氧化层在(222)结晶方向上的结 晶度大于70 %并小于100 %。3. 如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该导电氧化层之材料包含透明的氧化 锌、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌、铝氧化锌、氧化铟铝锌或上述任意组合。4. 如权利要求1或3所述的导电结构，其特征在于，该介电氧化层包含硅氧化物或有机 氧化物。5. 如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该导电氧化层为一氧化铟锡层，该介电 氧化层为一二氧化硅层，且该氧化铟锡层与该二氧化硅层接触。6. 如权利要求1或5所述的导电结构，其特征在于，该导电氧化层通过溅镀形成，该溅镀 过程中氧气的流量介于20sccm与50sccm之间。7. -种触控面板，其特征在于，包含： 一透光盖板； 复数电极串，设置于该透光盖板上，该些电极串相互绝缘； 复数导线，分别电性连接该些电极串；以及 至少一如权利要求1至6中任一项所述的导电结构，该导电结构与该些电极串及该些导 线绝缘，且该导电结构之至少一部分系位于该些导线之间、或该些电极串之一者与该些导 线之一者之间。8. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，该导电氧化层比该介电氧化层更靠近该 透光盖板。9. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，该导电结构为环状的，并环绕该些电极 串。10. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，更包含一接地端，该导电结构电性连接 该接地端。11. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，更包含一外接地结构，围绕该导电结 构，其中该导电结构之电阻率高于该外接地结构之电阻率。12. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，该导电结构为透明的，部份或全部位于 该触控面板的可视区。13. -种触控面板，其特征在于，包含： 一透光盖板； 一触控感应层，设置于该透光盖板上； 一内接地结构，设置于该透光盖板上，并环绕该触控感应层，并与该触控感应层绝缘， 该内接地结构之方阻R满足105欧姆/方<R<135欧姆/方;以及 一外接地结构，环绕该内接地结构，其中该内接地结构的电阻率高于该外接地结构的 电阻率。14. 如权利要求13所述的触控面板，其特征在于，该内接地结构包含一导电氧化层以及 一介电氧化层，该介电氧化层系设置于该导电氧化层上，其中该导电氧化层在(222)结晶方 向上的结晶度大子70 %。15.如权利要求13所述的触控面板，其特征在于，该导电结构为透明的，部份或全部位 于该触控面板的可视区。
【文档编号】G06F3/044GK205721723SQ201620398301
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年4月28日
【发明人】佘友智, 石靖节, 方国龙
【申请人】宸美（厦门）光电有限公司
相关技术
网友询问留言
已有0条留言
- 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞！
1