一种低失调带隙基准电路的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种低失调带隙基准电路，属于电子技术领域。
【背景技术】
[0002] 带隙基准的功能是产生一个与电源和工艺无关以及具有确定温度特性的电源参 考。影响基准源的输出电压精度有很多因素，但最主要的因素是运放的输入失调，有许多方 法可以补偿失调电压，比如自动调零技术和斩波调制技术，但自动调零技术电路结构复杂， 增加了设计的难度，不利于降低成本。现有的带隙基准电路，如图1所示，如图所示可得：
【主权项】
1. 一种低失调带隙基准电路，其特征在于：它包括运算跨导放大器OTA，三极管Q4、Q5、 Q6,电阻R3、R4,N型MOS管M3、M4、M5、M6、M7、M10、Mil、M12、M13、M14,M型MOS管M8、和 M9,三极管Q4、Q5和Q6的基极和集电极均接地，Q4的发射极连接R3，R3的另一端为AO点， Q5的发射极为BO点，Q6的发射极连接R4，R4的另一端为VREF点，VREF点连接低失调带隙 基准源，运算跨导放大器OTA的正极连接A0,负极连接B0,输出为VBl点，M13的漏极连接 AO点，M13的栅极连接M14和M6的栅极为VB2点，M13的源极连接M3的漏极，M14的漏极 连接BO点，M14的源极连接M4的漏极，M3的栅极连接M4、M5和M7的栅极和VBl点，M3的 源极连接M4、M5、M7、M11和M12的源极，M5的漏极连接M6的源极，M6的漏极连接VREF点， M7的漏极连接M8的漏极、M9和MlO的栅极，M8的栅极连接VREF点，M8的源极接地，M9的 源极接地，M9的漏极连接M10、Mll的漏极和Mil、M12的栅极，M12的漏极为B点，M9的漏 极为〇点。
2. 根据权利要求1所述的低失调带隙基准电路，其特征在于：所述的N型MOS管M11、 M12连接成电流镜，M3分别与M4、M5连接成电流镜，M13分别与M14、M6连接成电流镜。
【专利摘要】本实用新型公开了一种低失调带隙基准电路，它包括运算跨导放大器OTA，三极管Q4、Q5、Q6，电阻R3、R4，N型MOS管M3、M4、M5、M6、M7、M10、M11、M12、M13、M14，M型MOS管M8、和M9，三极管Q4、Q5和Q6的基极和集电极均接地，Q4的发射极连接R3，R3的另一端为A0点，Q5的发射极为B0点，Q6的发射极连接R4，R4的另一端为VREF点，VREF点连接低失调带隙基准源。本实用新型的有益效果是：通过电流镜作用，提高了基准电压的精度，抑制了由输入失调带来的影响，并具有结构简单、使用方便的特点。
【IPC分类】G05F1-56
【公开号】CN204496327
【申请号】CN201520135376
【发明人】杨洁, 刘成林, 彭侨, 阳芝林
【申请人】遵义师范学院
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年3月10日