一种阻抗变换电路的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子电力技术，特别涉及阻抗变换电路。
【背景技术】
[0002] 在太阳能发电领域，源输出阻抗与负载输入阻抗相匹配，可以使功率传输达到最 大，功率损失降低。但是，在光伏发电中，光伏板的高输出阻抗（因其为恒流源）同负载的低 输入阻抗(极端情况：负载为电瓶，输入阻抗为〇)不匹配引起光伏能量不能完全传输至负 载。
[0003] 目前，解决上述问题的方法是利用升压（BOOST)型最大功率点跟踪（Maximum Power Point Tracking，简称MPPT)方式。但是，BOOST型MPPT电路并联在功率传输回路 中，如图1所示，需全额处理光伏板能量，带来储能电抗器件体积成本的巨大，功率开关器 件的应力要求增加。
[0004] 在图1中，101为电源E，102为电源内阻R。，103为光伏板，104为电感，105为负载 Ru，106为第九二极管，107为第七N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管，108为第三 微处理器，109为电容。其中，第七N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管与第三微处 理器组成BOOST型MPPT电路，并联在回路中。
[0005] 另外，BOOST型MPPT电路的主开关元件并联在回路中，若其发生损坏，可导致系统 发生短路，产生大电流引起系统其它部分损坏及火灾等严重后果。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种阻抗变换电路，使得明显降低了系统成本，极大地提 高了系统效率。
[0007] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种阻抗变换电路，包含：电源E、电源内阻 R。、等效电阻R和负载
[0008] 其中，所述电源内阻Rtl的阻值大于所述负载&的阻值；
[0009] 所述电源内阻Rtl的一端与所述电源的正极相连，另一端与所述等效电阻R的一端 相连；所述等效电阻R的另一端与所述负载&的一端相连；所述负载&的另一端与所述阻 抗变换电路的最低电位相连；其中，所述电源的负极为所述最低电位；
[0010] 所述等效电阻R检测所述电源的输出功率，并根据所述输出功率调节所述等效电 阻R的阻值；其中，所述电源内阻R0的阻值等于调节后的所述等效电阻R与所述负载&的 阻值之和。
[0011] 本发明实施方式相对于现有技术而言，是将进行最大功率点跟踪的等效电阻串联 在阻抗变换电路的回路中。该阻抗变换电路包含电源E、电源内阻Rtl、等效电阻R和负载 其中，电源内阻Rtl的阻值大于负载&的阻值，在不包含等效电阻的情况下，电源的输出阻抗 与负载的输入阻抗不匹配，造成电源的输出功率的损失。为使电源输出功率达到最大，在该 电路中串联入等效电阻R对电源的输出功率进行最大功率点的跟踪。具体地说，电源内阻 Rtl的一端与电源的正极相连，另一端与等效电阻R的一端相连；等效电阻R的另一端与负载 &的一端相连；负载&的另一端与阻抗变换电路的最低电位相连；其中，电源的负极为所述 最低电位。等效电阻R检测电源的输出功率，并根据输出功率调节等效电阻R的阻值；其 中，电源内阻R tl的阻值等于调节后的等效电阻R与负载&的阻值之和。当电源内阻Rtl的 阻值等于等效电阻R与负载&的阻值之和时，电源的输出功率最大，为
【主权项】
1. 一种阻抗变换电路，其特征在于，包含电源E、电源内阻R。、等效电阻R和负载咕； 其中，所述电源内阻R。的阻值大于所述负载咕的阻值； 所述电源内阻R。的一端与所述电源的正极相连，另一端与所述等效电阻R的一端相 连；所述等效电阻R的另一端与所述负载咕的一端相连；所述负载咕的另一端与所述阻抗 变换电路的最低电位相连；其中，所述电源的负极为所述最低电位； 所述等效电阻R检测所述电源的输出功率，并根据所述输出功率调节所述等效电阻R 的阻值；其中，所述电源内阻R〇的阻值等于调节后的所述等效电阻R与所述负载咕的阻值 之和。
2. 根据权利要求1所述的阻抗变换电路，其特征在于，所述等效电阻R为直流-直流变 换器。
3. 根据权利要求1所述的阻抗变换电路，其特征在于，所述等效电阻R为全桥直流-直 流变换器。
4. 根据权利要求1所述的阻抗变换电路，其特征在于，所述等效电阻R为推挽直流-直 流变换器。
5. 根据权利要求3所述的阻抗变换电路，其特征在于，所述全桥直流-直流变换器包 含第一微处理器、第一 N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管、第二N沟道金属-氧化 物-半导体场效应晶体管、第H N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管、第四N沟道金 属-氧化物-半导体场效应晶体管、第一变流器与第一全桥整流器； 所述第一微处理器的第一端口采样电源输出电流，第二端口采样电源输出电压，第H 端口与所述第一 N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极相连，第四端口与所述 第二N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极相连，第五端口与所述第H N沟道 金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极相连，第六端口与所述第四N沟道金属-氧化 物-半导体场效应晶体管的栅极相连； 所述第一 N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的漏极与所述电源内阻拆相连， 源极与所述第二N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的漏极相连；所述第二N沟道 金属-氧化物-半导体场效应晶体管的源极与所述负载咕的一端相连；所述第H N沟道金 属-氧化物-半导体场效应晶体管的漏极与所述电源内阻R。相连，源极与所述第四N沟道 金属-氧化物-半导体场效应晶体管的漏极相连，所述第四N沟道金属-氧化物-半导体 场效应晶体管的源极与所述负载咕的一端相连； 所述第一变流器包含原边和副边；所述原边的第一端口与所述第一 N沟道金属-氧化 物-半导体场效应晶体管的源极相连，第二端口与所述第H N沟道金属-氧化物-半导体 场效应晶体管的源极相连；所述副边的第一端口与所述第一全桥整流器的第一端口相连， 第二端口与所述第一全桥整流器的第二端口相连；所述第一全桥整流器的第H端口与所述 负载咕的一端相连，第四端口与所述最低电位相连。
6. 根据权利要求5所述的阻抗变换电路，其特征在于，所述原边的第一端口与所述副 边的第一端口为同名端。
7. 根据权利要求5所述的阻抗变换电路，其特征在于，所述第一全桥整流器包含第 一二极管、第二二极管、第H二极管与第四二极管； 所述第一二极管的正极与所述第一全桥整流器的第一端口相连，所述第一二极管的负 极与所述第一全桥整流器的第H端口相连； 所述第二二极管的正极与所述第一全桥整流器的第二端口相连，所述第二二极管的负 极与所述第一全桥整流器的第H端口相连； 所述第H二极管的正极与所述第一全桥整流器的第四端口相连，所述第H二极管的负 极与所述第一全桥整流器的第二端口相连； 所述第四二极管的正极与所述第一全桥整流器的第四端口相连，所述第四二极管的负 极与所述第一全桥整流器的第一端口相连。
8. 根据权利要求4所述的阻抗变换电路，其特征在于，所述推挽直流-直流变换器包 含第二微处理器、第五N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管、第六N沟道金属-氧化 物-半导体场效应晶体管、第二变流器与第二全桥整流器； 所述第二微处理器的第一端口采样电源输出电流，第二端口采样电源输出电压，第H 端口与所述第五N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极相连，第四端口与所述 第六N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极相连； 所述第五N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的漏极与所述第二变流器的原边 的第一端口相连，源极与所述第六N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的源极相连； 所述第六N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的漏极与所述第二变流器的原边的第 二端口相连； 所述第二变流器原边的第H端口在所述原边的第一端口和第二端口之间，并与所述电 源内阻R〇相连；所述第二变流器的副边的第一端口与所述第二全桥整流器的第一端口相 连，所述第二变流器的副边的第二端口与所述第二全桥整流器的第二端口相连； 所述第二全桥整流器的第H端口与所述负载町的一端相连，第四端口与所述最低电位 相连。
9. 根据权利要求8所述的阻抗变换电路，其特征在于，所述原边的第二端口与所述副 边的第二端口为同名端。
10. 根据权利要求8所述的阻抗变换电路，其特征在于，所述第二全桥整流器包含第 五二极管、第六二极管、第走二极管与第八二极管； 所述第五二极管的正极与所述第二全桥整流器的第一端口相连，所述第五二极管的负 极与所述第二全桥整流器的第H端口相连； 所述第六二极管的正极与所述第二全桥整流器的第二端口相连，所述第六二极管的负 极与所述第二全桥整流器的第H端口相连； 所述第走二极管的正极与所述第二全桥整流器的第四端口相连，所述第走二极管的负 极与所述第二全桥整流器的第二端口相连； 所述第八二极管的正极与所述第二全桥整流器的第四端口相连，所述第八二极管的负 极与所述第二全桥整流器的第一端口相连。
【专利摘要】本发明涉及电力电子技术，公开了一种阻抗变换电路。本发明中，阻抗变换电路包含电源E、电源内阻R0、等效电阻R和负载RL；其中，电源内阻R0的阻值大于负载RL的阻值；电源内阻R0的一端与电源的正极相连，另一端与等效电阻R的一端相连；等效电阻R的另一端与负载RL的一端相连；负载RL的另一端与阻抗变换电路的最低电位相连；其中，电源的负极为最低电位；等效电阻R检测电源的输出功率，并根据输出功率调节等效电阻R的阻值；其中，电源内阻R0的阻值等于调节后的等效电阻R与负载RL的阻值之和。在本发明中，将等效电阻串联在回路中，使得明显降低了系统成本，极大地提高了系统效率。
【IPC分类】G05F1-67
【公开号】CN104635832
【申请号】CN201310556879
【发明人】王征伟, 郑可京
【申请人】上海锦德电器电子有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月11日