专利名称：半导体制造设备管理系统的工艺条件控制方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造设备管理系统的工艺条件的控制方法，特别是涉及通过主计算机对将在设备中处理的各个晶片不同地指定特定处理工序标识和处理程序标识(PPID)的方法，从而明显提高设备的整体生产率。
通常，通过高精度工艺来制造半导体器件。为此高精度工艺，在半导体生产线上设置高功能设备。
由操作者通过管理系统对各设备的运行进行精心地监控，以便可以提高设备的运行效率。
如
图1所示，半导体制造设备3设置于生产线上。各晶片分别插入盒10的各槽中，形成一批晶片。该批晶片被引入设备3中进行处理。
通过与设备3在线连接的操作者接口个人计算机(O/I PC)2，操作者对设备3的运行进行精心地监控。
设备3通过设备服务器4与主机1在线连接。主机1与O/I PC 2在线连接。
一旦操作者把基本制造数据，例如待在设备3中处理的该批晶片10的标识，通过O/I PC2输入主机1，主机1根据输入的基本制造数据，检索如图2所示的处理工序标识和PPID表，计算通常施加于分组为批次的晶片的工艺条件数据。例如，当由操作者输入的对应于产品批次标识‘A’的晶片的处理工序标识是‘A0010’时，主机1把处理工序标识‘A0010’与图2的表所给出的PPID‘a’组合。然后，主机1计算通常施加给对应于产品批次标识‘A’的晶片的工艺条件数据。
之后，操作者检查工艺条件数据，输入开始处理命令或终止处理命令，通过在设备3中的推进和拉出该批晶片，对设备3中的晶片进行处理。结果，根据公共的PPID‘a’对设备3中可以独立操作的多个处理室5进行操作，根据公共的PPID‘a’在处理室5中对盒10的槽中的晶片进行处理。
但是，由于传统的管理系统中的主机1对于盒中的多个晶片仅能指定一个处理工序标识和一个PPID，所以用公共地指定的处理工序标识和PPID不能满足各晶片的不同需要。
当处理大规模的晶片时，传统的管理系统的这种缺点变得愈加严重。大规模的晶片需要根据为其每个设计的特定处理工序标识和PPID进行逐个地处理。
因此，本发明的目的在于为插在盒的各个槽中的每个晶片指定不同的处理工序标识或者PPID，根据不同地指定的各处理工序标识或各PPID处理晶片。
本发明的另一目的在于根据为每个晶片不同指定的处理工序标识或者PPID有效地处理大规模的晶片。
为了实现上述目的和其它优点，本发明提供一种半导体制造设备管理系统的工艺条件的控制方法。在此方法中，从操作者接收准备在设置于管理系统的设备中进行处理的多个晶片的标识，并与对应的处理工序标识组合。然后，该处理工序标识与对应的PPID组合。把晶片标识、处理工序标识和PPID作为工艺条件数据处理。之后，确定是否输入了推进信号。如果确定输入了推进信号，把工艺条件数据下载给对应于设备的设备服务器。根据下载的工艺条件数据，改变设备控制信息。改变后的设备控制信息下载于该设备。
设备控制信息更可取的是流函数信息。
设备控制信息更可取的是S2F41。
因此，本发明能够为插入盒的每个晶片指定特定的处理工序标识和PPID。
通过参考附图具体说明优选实施例，将可进一步了解本发明的上述目的和其他优点。
图1是传统的半导体制造设备管理系统的示意图；图2是存储于传统的主计算机中的处理工序标识和PPID表的示意图；图3是根据本发明的半导体制造设备管理系统的示意图；图4是根据本发明的对半导体制造设备管理系统的工艺条件进行控制的方法的流程图；图5是根据本发明的存储于主机中的处理工序标识和PPID表的示意图；图6是根据本发明的设备控制信息内容的概念性视图；以及图7展示的是根据本发明的设备运行。
以下将参考附图更全面地说明本发明，图中展示了本发明的优选实施例。但是，本发明可以按许多不同的方式来体现，并不限于按这里给出的实施例来构成；而是提供这些实施例以便彻底和完整地公开本发明，使本领域的技术人员全面了解本发明的范围。
如图3所示，主机1包括工艺条件组合模块20，其能够接收由操作者输入的各晶片的接收标识，并使晶片标识与对应于每个晶片标识的处理工序标识或PPID组合。
工艺条件组合模块20为每个晶片标识形成处理工序标识或PPID作为工艺条件数据，并通过设备服务器4把工艺条件数据下载给设备3，以使设备3可以根据处理工序标识或PPID分别运行其多个室5。结果，可以在用于每个晶片的期望的特定工艺条件下处理插入盒10的每个槽中的晶片。
在传统的管理系统中，根据公共的特定处理工序标识或公共的特定PPID，对插入盒中并分组成批次的一系列晶片进行处理。结果，当它们需要不同的处理工序标识或PPID时，不能适当地处理这些晶片。
但是，在根据本发明的管理系统中，设备3通过工艺条件组合模块20的控制接收各种处理工序标识或PPID，这些标识是为插入盒10的各个槽中的每个晶片不同指定的。因此，设备可以根据用于每个晶片的特定处理工序标识或特定PPID来处理晶片。
以下参考图4的流程图更具体地说明根据本发明的半导体制造设备管理系统的工艺条件控制方法。首先，操作者通过O/I PC2把基本制造数据例如待处理晶片的标识输入工艺条件组合模块20。然后，工艺条件组合模块20实时接收各晶片标识(S11)。因此，工艺条件组合模块20立即识别如图7所示插入盒10的各个槽11中的各晶片100的标识。
之后，工艺条件组合模块20检索主机1的数据库，把各晶片标识分别与对应的处理工序标识组合(S12)。例如，工艺条件组合模块20检索如图5所示的处理工序标识和PPID表，把插入盒10的第一槽11a中的并具有标识1的第一晶片101与处理工序标识‘A0010’组合，把插入盒10的第二槽11b中的并具有标识2的第二晶片102与处理工序标识‘A0020’组合，把插入盒10的第三槽11c中的并具有标识3的第三晶片103与处理工序标识‘A0030’组合，把插入盒10的第四槽11d中的并具有标识4的第四晶片104与处理工序ID‘A0040’组合。因此，为插入盒10的各个槽11中的每个晶片100指定特定的处理工序标识。
接着，工艺条件组合模块20检索主机1的数据库，把处理工序标识分别与对应的PPID组合(S20)。例如，工艺条件组合模块20检索处理工序标识和PPID表，把与第一晶片101组合的处理工序标识‘A0010’与对应的PPID‘al’组合，把与第二晶片102组合的处理工序标识‘A0020’与对应的PPID‘b2’组合，把与第三晶片103组合的处理工序标识‘A0030’与对应的PPID‘c3’组合，把与第四晶片104组合的处理工序标识‘A0040’与对应的PPID‘d4’组合。由此，为插入盒10的各个槽11中的每个晶片100指定特定的PPID。
之后，工艺条件组合模块20为每个晶片100形成特定的处理工序标识和PPID作为工艺条件数据，通过监视O/I PC2确定操作者是否输入了推进信号(S31和S32)。
如果确定未输入推进信号，则工艺条件组合模块20确定延迟对该批晶片的处理，终止控制处理流程。
如果确定输入了推进信号，则工艺条件组合模块20确定操作者认可工艺条件数据并对每个晶片100进行特定处理，把工艺条件数据下载到设备服务器4(S40)。由此，设备服务器4根据工艺条件数据改变待下载于设备3的设备控制信息(S51)。
例如，根据由工艺条件组合模块20形成的如图6所示的工艺条件数据，设备服务器4改变设备控制信息的内容。第一晶片101的处理工序标识改变为‘A0010’，第二晶片102的处理工序标识改变为‘A0020’，第三晶片103的处理工序标识改变为‘A0030’，第四晶片104的处理工序标识改变为‘A0040’。此外，对应于第1槽11a的PPID改变为‘a1’，对应于第2槽11b的PPID改变为‘b2’，对应于第3槽11c的PPID改变为‘c3’，对应于第4槽11d的PPID改变为‘d4’。
接着，设备服务器4把如上所述改变的设备控制信息下载于设备3(S52)。
此时，根据本发明，从设备服务器4下载给设备3的设备控制信息是可使通信平稳的流函数信息。设备控制信息的流函数形式最好是适用于标准的S2F41。例如，为了使设备服务器通过上述步骤改变设备控制信息，并通过改变设备3的状态对插入盒10的各个槽11中的每个晶片100进行特定的处理，设备服务器4把改变后的设备控制信息加载到流函数信息S2F41上，把其上加载了改变后的设备控制信息的流函数信息S2F41下载于设备3。从而根据改变的S2F41的内容改变设备3的状态。
之后，设备3施加为各晶片100插入其中的每个槽11指定的处理工序标识和PPID，立即对其中每个进行特定的处理。例如，如图7所示设备3使用臂3a从盒10的第一槽11a取出第一晶片101，把第一晶片101加载于第一处理室5a。然后，设备3根据对应于处理工序标识‘A0010’的PPID‘a1’操纵第一处理室5a。结果，第一晶片101在其特定工艺条件下进行处理。
使用臂3a从盒10的第二槽11b取出第二晶片102，并加载于第二处理室5b。然后，根据对应于处理工序标识‘A0020’的PPID‘b2’操纵第二处理室5b。结果，第二晶片102在其特定工艺条件下进行处理。
使用臂3a从盒10的第三槽11c取出第三晶片103，并加载于第三处理室5c。然后，根据对应于处理工序标识‘A0030’的PPID‘c3’操纵第三处理室5c。结果，第三晶片103在其特定工艺条件下进行处理。
使用臂3a从盒10的第四槽11d取出第四晶片104，并加载于第四处理室5d。然后，根据对应于处理工序标识‘A0040’的PPID‘d4’操纵第四处理室5d。结果，第四晶片104在其特定工艺条件下进行处理。
因此，在为每个晶片指定的特定工艺条件下，把插入盒10的各个槽中的各晶片100制造成具有良好质量的半导体产品。
之后，工艺条件组合模块20反复进行上述步骤，从而使加载于设备3的全部晶片100均可在各自特定的工艺条件下进行处理。
如上所述，本发明通过利用主机为每个晶片不同地指定处理工序标识和PPID，能够显著地提高设备的整体生产率。
本发明可以应用于设置在生产线上并需要预定的控制而对效率无丝毫降低的半导体制造设备。
以上参考实施例已对本发明做了说明。但是，按照上述说明显然本领域的技术人员可以做出许多替换、改进和变形。因此，本发明包含处于权利要求书的精髓和范围内的所有这些替换、改进和变形。
如上所述，在半导体制造设备管理系统的工艺条件控制方法中，在主机中安装工艺条件监视模块。通过工艺条件监视模块，为其中插入各晶片的盒的每个槽不同地指定处理工序标识或PPID。从而，通过为每个晶片指定的特定处理工序标识或PPID，可以把插入各个槽中的各晶片制造成具有良好质量的半导体产品。此外，通过为大规模的晶片中的每个分别指定处理工序标识或PPID，也可以处理大规模的晶片。
权利要求
1．一种半导体制造设备管理系统的工艺条件的控制方法，包括以下步骤接收由操作者指定的多个晶片标识，把所述晶片标识分别与所述晶片标识所对应的处理工序标识组合；把所述处理工序标识分别与所述处理工序标识所对应的PPID组合；处理所述晶片标识、所述处理工序标识和所述PPID作为工艺条件数据，确定是否输入了推进信号；如果确定输入了所述推进信号，则把所述工艺条件数据下载给设备服务器；根据所述工艺条件数据改变设备控制信息，把所述改变后的设备控制信息下载于该设备。
2．根据权利要求1的方法，其特征在于所述设备控制信息是流函数信息。
3．根据权利要求2的方法，其特征在于所述设备控制信息是S2F41。
全文摘要
一种半导体制造设备管理系统的工艺条件的控制方法。通过安装在主机中的工艺条件组合模块对半导体制造设备管理系统的工艺条件进行控制。通过工艺条件组合模块可以为插入盒的合槽中的每个晶片不同地指定处理工序ID或PPID。根据为每个晶片不同地指定的处理工序ID或PPID,可以把晶片制造成具有良好质量的半导体产品。使用不同指定的处理工序ID或PPID,可以更有效地处理大规模的晶片。
文档编号G05B19/4155GK1223393SQ9811607
公开日1999年7月21日 申请日期1998年7月16日 优先权日1998年7月16日
发明者权大洪 申请人:三星电子株式会社