一种湿度检测装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种检测装置，尤其涉及一种湿度检测装置。
【背景技术】
[0002]在工农业生产、气象、环保、国防、科研、航天等部门，经常需要对环境湿度进行测量及控制。但在常规的环境参数中，湿度是最难准确测量的一个参数。用干湿球湿度计或毛发湿度计来测量湿度的方法，早已无法满足现代科技发展的需要。这是因为测量湿度要比测量温度复杂的多，温度是个独立的被测量，而湿度却受其他因素(大气压强、温度)的影响。此外，湿度的标准也是一个难题。国外生产的湿度标定设备价格十分昂贵。
[0003]近年来，国内外在湿度传感器研发领域取得了长足进步。湿敏传感器正从简单的湿敏元件向集成化、智能化、多参数检测的方向迅速发展，为开发新一代湿度/温度测控系统创造了有利条件，也将湿度测量技术提高到新的水平。但目前湿度传感器技术还不完善，主要有如下问题:装置结构复杂、去污能力弱、检测不灵敏、寿命短等问题。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、制造成本低廉、自清洁能力强、性能稳定、灵敏度高的湿度检测装置。
[0005]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种湿度检测装置，包括绝缘基底及过滤罩，所述过滤罩设置于绝缘基底外侧，所述绝缘基底上设置有半导体感应层及金属基片，所述半导体感应层通过梳形电极与金属基片连接，所述金属基片上设置有第一接触点、第二接触点，所述第一接触点连接有阳极引线，所述第二接触点连接有阴极引线。
[0006]所述半导体感应层将吸收的水分，电离产生氢气，所述电离的氢气改变半导体感应层的阻抗，并将检测到的电信号通过梳形电极传递至金属基片，金属基片通过阳极引线、阴极引线传递至外电路，实现湿度与电信号的转换与检测，所述过滤罩用于防止半导体感应层被污染。
[0007]在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
[0008]进一步，所述半导体感应层厚度为I?ΙΟμπι，所述半导体感应层太薄不利于水分的吸收与电离，太厚不利于电阻抗变化的感应，本实用新型所述半导体感应层最佳厚度为I?ΙΟμπι，但不局限于此。
[0009]进一步，所述半导体感应层为多孔结构的ZnO膜，所述多孔结构的ZnO膜，由于有较大表面积的多孔结构，有利于水分的吸收，并且ZnO膜可以将水分电离。
[0010]进一步，所述半导体感应层设置有碱金属层，用于稳定阻抗值的调整过程。
[0011]进一步，所述阳极引线、阴极引线为铜金属线，所述铜金属线电阻小，有利于降低对输出信号的干扰。
[0012]本实用新型的有益效果是:结构简单、制造成本低廉、自清洁能力强、检测灵敏、可
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【附图说明】
[0013]图1为本实用新型一种湿度检测装置结构示意图；
[0014]附图中，各标号所代表的部件列表如下:1、绝缘基底，2、过滤罩，3、半导体感应层，
4、梳形电极，5、第一接触点，6、第二接触点，7、阳极引线，8、阴极引线，9、金属基片。
【具体实施方式】
[0015]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0016]如图1所示，一种湿度检测装置，包括绝缘基底I及过滤罩2，所述过滤罩2设置于绝缘基底I外侧，所述绝缘基底I上设置有半导体感应层3及金属基片9，所述半导体感应层3通过梳形电极4与金属基片9连接，所述金属基片9上设置有第一接触点5、第二接触点6，所述第一接触点5连接有阳极引线7，所述第二接触点6连接有阴极引线8。
[0017]所述半导体感应层3将吸收的水分，电离产生氢气，所述电离的氢气改变半导体感应层3的阻抗，并将检测到的电信号通过梳形电极4传递至金属基片9，金属基片9通过阳极引线7、阴极引线8传递至外电路，实现湿度与电信号的转换与检测，所述过滤罩2用于防止半导体感应层3被污染。
[0018]所述半导体感应层3厚度为I?ΙΟμπι，所述半导体感应层3太薄不利于水分的吸收与电离，太厚不利于电阻抗变化的感应，本实用新型所述半导体感应层3最佳厚度为I?10μm，但不局限于此。所述半导体感应层3为多孔结构的ZnO膜，所述多孔结构的ZnO膜，由于有较大表面积的多孔结构，有利于水分的吸收，并且ZnO膜可以将水分电离。所述半导体感应层3设置有碱金属层，用于稳定阻抗值的调整过程。所述阳极引线7、阴极引线8为铜金属线，所述铜金属线电阻小，有利于降低对输出信号的干扰。
[0019]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种湿度检测装置，其特征在于，包括绝缘基底及过滤罩，所述过滤罩设置于绝缘基底外侧，所述绝缘基底上设置有半导体感应层及金属基片，所述半导体感应层通过梳形电极与金属基片连接，所述金属基片上设置有第一接触点、第二接触点，所述第一接触点连接有阳极引线，所述第二接触点连接有阴极引线。2.根据权利要求1所述一种湿度检测装置，其特征在于，所述半导体感应层厚度为I?1um03.根据权利要求1所述一种湿度检测装置，其特征在于，所述半导体感应层为多孔结构的ZnO膜。4.根据权利要求1所述一种湿度检测装置，其特征在于，所述半导体感应层设置有碱金属层。5.根据权利要求1所述一种湿度检测装置，其特征在于，所述阳极引线、阴极引线为铜金属线。
【专利摘要】本实用新型涉及一种湿度检测装置，包括绝缘基底及过滤罩，所述过滤罩设置于绝缘基底外侧，所述绝缘基底上设置有半导体感应层及金属基片，所述半导体感应层通过梳形电极与金属基片连接，所述金属基片上设置有第一接触点、第二接触点，所述第一接触点连接有阳极引线，所述第二接触点连接有阴极引线。本实用新型结构简单、制造成本低廉、自清洁能力强、性能稳定、灵敏度高。
【IPC分类】G01N27/12
【公开号】CN205333562
【申请号】CN201620091603
【发明人】不公告发明人
【申请人】重庆三零三科技有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2016年1月29日