一种单晶硅片研磨用磨板的平整度测量装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及到半导体材料单晶硅的生产领域，具体的说是一种单晶硅片研磨用磨板的平整度测量装置。
【背景技术】
[0002]半导体单晶硅片经过切片、倒角等机加工工序后，需进行研磨加工，研磨工艺主要目的是利用磨液的作用来去除硅切片表面一定厚度的一层材料，以去除一定的损伤层和达到一定平整度的目的。磨板的平整度对硅片的TTV影响很大，目前较常见的测量磨板平整度表为便宜的均布型3块表(千分表)和昂贵的进口的由电机带动的测厚仪两种。而均布型3块表测量时需要分多次测量多个不同位置才能得出磨板的平整度数据，这样就导致了测量效率的降低，而且测量数据也有很大误差。
【实用新型内容】
[0003]为解决现有常用的均布型3块表在测量磨板平整度时存在的测量效率低、测量误差大的问题，本实用新型提供了一种单晶硅片研磨用磨板的平整度测量装置，本测量装置具有检测方便误差小的优点。
[0004]本实用新型为解决上述技术问题采用的技术方案为:一种单晶硅片研磨用磨板的平整度测量装置，包括标准平板、条形的测量架和七个依次排列设置在测量架上的千分表，所述测量架底部的两端分别设有支脚，其侧部设置有两个手柄，所述七个依次排列的千分表，第三个和第四个之间的间距为磨板上中心齿圈直径的1.4倍，其余相邻的两个千分表之间的间距为磨板表面沟槽宽度的2.5倍，以保证测量架沿中心齿圈相切的方向放置在磨板表面时，七个千分表的探针均分布于磨板表面的凸台上。
[0005]所述支脚为三个，在测量架的一端分布有一个，另外两个分布在测量架的另一端，且三个支脚不在同一直线上。
[0006]所述标准平板为大理石制成的平整度完全符合标准的平板，用作为七个千分表校准；磨板为环形结构，其中部为中心齿圈，其表面分布有纵横交错的表面沟槽，表面沟槽的宽度为2-3mm，表面沟槽将磨板表面分成边长35_45mm的小方块状凸台，在测量时，先将测量架的支脚放置在标准平板上，调整每个千分表的指针，以使小指针指向4或6、大指针指向0，然后手持手柄将测量架沿磨板的中心齿圈切线的方向放置进行测量，并使七个千分表的探针均位于凸台上，此时读出各千分表的度数，并将其记录在“磨板平整度检查表”上，可以较为直观的看出磨板的平整度变化。
[0007]所述的磨板平整度检查表为依照磨盘的表面绘制的圆环形图案(其形状结构如附图3所示)，其大小和形状以及表面的凸台与磨板完全相同，将测量后读出的各千分表数据分别标注在检查表相应的凸台上即可直观看出磨板的平整度变化。
[0008]有益效果:本实用新型通过在测量架上有规律的排布七个千分表，并利用标准平板对各千分表校核，然后将测量架转移到待测磨板表面，通过记录观察各千分表的读数变化，从而简单直观的得出待测磨板的平整度变化，具有结构简单、测量方法简单易行、精确度高的优点。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构示意图；
[0010]图2为本实用新型的俯视不意图；
[0011]图3为磨板的结构示意图或磨板平整度检查表的示意图；
[0012]附图标记:1、千分表，2、测量架，3、标准平板，4、支脚，5、手柄，6、中心齿圈，7、磨板，701、表面沟槽，702、凸台。
【具体实施方式】
[0013]如图所示，一种单晶硅片研磨用磨板的平整度测量装置，包括由大理石制成的标准平板3、条形的测量架2和七个依次排列设置在测量架2上的千分表1，所述测量架2底部的两端分别设有支脚4，其侧部设置有两个手柄5，所述七个依次排列的千分表1，第三个和第四个之间的间距为磨板7上中心齿圈6直径的1.4倍，其余相邻的两个千分表之间的间距为磨板7表面沟槽701宽度的2.5倍，以保证测量架2沿中心齿圈6相切的方向放置在磨板7表面时，七个千分表I的探针均分布于磨板7表面的凸台702上。
[0014]为了便于测量架2的找平，测量架2两端的支脚4为三个，在测量架2的一端有一个，另一端为两个，且这三个支脚不在同一直线上，从而构成三点支撑结构，从而便于测量架2的找平以及稳定。
[0015]本实用新型在使用时，先将测量架2的支脚4放置在标准平板3上，调整每个千分表的指针，以使小指针指向4或6、大指针指向0，然后手持手柄5将测量架2沿磨板7的中心齿圈6切线的方向放置并进行测量，并使七个千分表的探针均位于凸台702上，而不是位于表面沟槽701内，此时读出各千分表的度数，并将其记录在“磨板平整度检查表”上，可以较为直观的看出磨板的平整度变化。
【主权项】
1.一种单晶硅片研磨用磨板的平整度测量装置，其特征在于:包括标准平板(3)、条形的测量架(2)和七个依次排列设置在测量架(2)上的千分表(1)，所述测量架(2)底部的两端分别设有支脚(4)，其侧部设置有两个手柄(5)，所述七个依次排列的千分表(I )，第三个和第四个之间的间距为磨板(7)上中心齿圈(6)直径的1.4倍，其余相邻的两个千分表之间的间距为磨板(7)表面沟槽(701)宽度的2.5倍，以保证测量架(2)沿中心齿圈(6)相切的方向放置在磨板(7)表面时，七个千分表(I)的探针均分布于磨板(7)表面的凸台(702)上。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片研磨用磨板的平整度测量装置，其特征在于:所述支脚(4)为三个，在测量架(2)的一端分布有一个，另外两个分布在测量架(2)的另一端，且三个支脚不在同一直线上。
【专利摘要】一种单晶硅片研磨用磨板的平整度测量装置，属于半导体材料单晶硅的生产领域，包括标准平板、条形的测量架和七个依次排列设置在测量架上的千分表，测量架底部的两端分别设有支脚，其侧部设置有两个手柄，七个依次排列的千分表呈一定规则排布，以保证测量架沿中心齿圈相切的方向放置在磨板表面时，七个千分表的探针均分布于磨板表面的凸台上。本实用新型通过在测量架上有规律的排布七个千分表，并利用标准平板对各千分表校核，然后将测量架转移到待测磨板表面，通过记录观察各千分表的读数变化，从而简单直观的得出待测磨板的平整度变化，具有结构简单、测量方法简单易行、精确度高的优点。
【IPC分类】G01B5-28
【公开号】CN204594405
【申请号】CN201520250039
【发明人】孙智武, 杨波, 史舸, 李战国, 崔小换
【申请人】麦斯克电子材料有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年4月23日