一种低温真空微波辐射源温度均匀性测量与控制系统的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及光辐射测温及控制领域，具体是在低温真空环境中用于微波辐射源的温度及均匀性和温度反馈控制的测控系统。
【背景技术】
[0002]定标微波辐射源温度的常用方法是通过在辐射面的背部等多处安装接触式钼电阻温度计，这种接触式的测量方法破坏了辐射源原有的温度平衡，且由于存在温度梯度、钼电阻温度计误差等原因，导致微波辐射源温度测量存在一定的误差，而温度的测量误差将直接影响微波辐射的精度，导致微波辐射量值产生偏差。因此有必要对微波辐射源在实际的使用过程中利用更高精度的温度监测手段进行测量，同时不破坏系统原有的温度平衡。
【发明内容】
[0003]本发明目的就是为了克服现有技术的缺陷，提供一种能在低温真空条件下提高微波辐射源温度及均匀性测量精度的系统，结构简单、通用性强、测温精度高、能在线实时监测等功能，能够有效提高微波辐射源的辐射精度和均匀性，对航天微波类载荷定标精度的提闻具有很大的意义。
[0004]本发明是通过以下技术方案实现的:
[0005]一种低温真空微波辐射源温度均匀性测量与控制系统，包括非接触温度测量单元、二维扫描单元和外围数据采集控制单元和，所述的非接触温度测量单元包括测量单元安装外壳和光路系统，所述光路系统包括消杂光光阑、孔径光阑、平面反射镜、离轴抛物面镜、频率调制器、分光片、光束收集器、MTC探测器、光束收集器和中波红外InSb探测器，所述安装外壳下端固定有离轴抛物面镜，所述离轴抛物面镜上方固定有平面反光镜，所述平面反光镜右侧依次固定有消杂光光阑、孔径光阑，所述消杂光光阑、孔径光阑固定在所述安装外壳内，所述平面反光镜10的右侧上方固定有中波红外InSb探测器，所述中波红外InSb探测器上端设有光束收集器，所述光束收集器上端设有分光片，所述分光片右侧依次设有光束收集器、MTC探测器，所述的长波红外MCT探测器和中波红外InSb探测器都采用液氮制冷方式，所述的外围数据采集控制单元包含有探测器数据采集控制模块、二维扫描单位控制模块和温度反馈控制单元，所述外围数据采集控制单元的输入端与长波红外MCT探测器和中波红外InSb探测器相连。
[0006]其中，所述的测量安装外壳的内表面涂有高吸收率消杂光黑漆。
[0007]其中，所述的非接触温度测量单元中的光机设备都采用液氮制冷方式消除背景杂散光。
[0008]其中，所述的非接触温度测量单元中的光机设备都贴有温度传感器。
[0009]其中，所述的非接触温度测量单元通过测量红外辐射的方法来实时反演微波辐射源的温度。
[0010]其中，所述的二维扫描单元包括X、Y两轴方向扫描功能，可以在10分钟内完成微波辐射源全辐射面的扫描。
[0011]其中，所述的外围数据采集控制单元可以通过反馈控制微波辐射源的辐射温度。
[0012]
[0013]其中，所述的非接触温度测量单元和二维扫描单元在真空度10_3Pa、热沉温度100K的环境下正常使用。
[0014]本发明具有以下有益效果:
[0015]在低温真空环境下，采用了非接触的辐射测量方法反演微波辐射源的温度及其均匀性，这种方法可以显著提高温度测量精度，同时提供在线实时测温和反馈功能，修正微波辐射源的温度，从而到达提高微波辐射源辐射精度的目的。
【附图说明】
[0016]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0017]图1为本发明一种低温真空微波辐射源温度均匀性测量与控制系统的示意图；
[0018]图2为本发明非接触温度测量单元的原理示意图；
[0019]图3为本发明一种低温真空微波辐射源温度均匀性测量与控制系统定标示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
[0021]如图1-3所示，本发明实施例提供了包括非接触温度测量单元2、二维扫描单元3和外围数据采集控制单元4和5，所述的非接触温度测量单元2包括测量单元安装外壳7和光路系统，所述光路系统包括消杂光光阑8、孔径光阑9、平面反射镜10、离轴抛物面镜11、频率调制器12、分光片13、光束收集器14、MTC探测器15、光束收集器16和中波红外InSb探测器17，所述安装外壳7下端固定有离轴抛物面镜11，所述离轴抛物面镜11上方固定有平面反光镜10，所述平面反光镜10右侧依次固定有消杂光光阑8、孔径光阑9，所述消杂光光阑8、孔径光阑9固定在所述安装外壳7内，所述平面反光镜10的右侧上方固定有中波红外InSb探测器17，所述中波红外InSb探测器17上端设有光束收集器16，所述光束收集器16上端设有分光片13，所述分光片13右侧依次设有光束收集器14、MTC探测器15，所述的长波红外MCT探测器15和中波红外InSb探测器17都采用液氮制冷方式，所述的外围数据采集控制单元4包含有探测器数据采集控制模块、二维扫描单位控制模块和温度反馈控制单元，所述外围数据采集控制单元4的输入端与长波红外MCT探测器15和中波红外InSb探测器17相连，所述的长波红外MCT探测器15和中波红外InSb探测器17都采用液氮制冷方式。所述的测量安装外壳7的内表面涂有高吸收率消杂光黑漆。所述的非接触温度测量单元2中的光机设备都采用液氮制冷方式消除背景杂散光。所述的非接触温度测量单元2中的光机设备都贴有温度传感器。所述的非接触温度测量单元2通过测量红外辐射的方法来实时反演微波辐射源的温度。所述的二维扫描单元3包括X、Y两轴方向扫描功能。所述的二维扫描单元3可以在10分钟内完成微波辐射源全辐射面的扫描。所述的外围数据采集控制单元4和5可以通过反馈控制微波辐射源的辐射温度。所述的非接触温度测量单元2和二维扫描单元3在真空度10_3Pa、热沉温度100K的环境下正常使用。
[0022]本具体实施非接触温度测量单元2的原理是:光路经过消杂光光阑8和孔径光阑9后到达表面镀银的平面反射镜10，平面反射镜将光线反射至离轴抛物面镜11，离轴抛物面镜将光线会聚反射后首先到达频率调制器12