专利名称：自举差动电容传感器的利记博彩app
技术领域：
本实用新型属于压力传感器领域。
目前常规的差动电容传感器的两固定电极是圆弧形，中央电极是可移动的，受力后作弧形变形，改变电容间距，缺点是制作工艺复杂严格，材料要求也严格，而且非线性大。
目前现有的硅微机械加工压力传感器也是岛膜结构，但电容腔要进行密封，引线困难。
本实用新型的目的就是提供一种加工简单、灵敏度高、准确，而且容易实现过载保护的自举差动电容传感器。
本实用新型的技术方案是本实用新型包括上电极基体(1)、下电极基体(2)、上电极(3)、下电极(4)、上中央电极(5)、下中央电极(6)、过载保护突头(7)、中央电极基体(8)、岛(9)和膜(10)，上电极基体(1)扣在下电极基体(2)上，中央电极基体(8)和岛(9)连接，上电极(3)与上电极基体(1)连接，下电极(4)与下电极基体(2)连接，上中央电极(5)与中央电极基体(8)连接，下中央电极(6)与中央电极基体(8)连接。上电极(3)是方环形，用铝镀在上电极基体(1)上；下电极(4)是方环形，用铝镀在下电极基体(2)上；上中央电极(5)是方环形，用铝镀在中央电极基体(8)的上面；下中央电极(6)是方环形，用铝镀在中央电极基体(8)的下面；岛(9)是方形岛，用胶或静电封接与中央电极基体(8)连接；膜(10)是环形膜；上电极基体(1)和过载保护突头(7)是用硅微机械加工而成，也可用陶瓷直接成型而成，下电极基体(2)、岛(9)和膜(10)是用硅微机械加工而成，也可用陶瓷直接成型而成；中央电极基体(9)是用硅片制成的，或用陶瓷制成，也可用玻璃制成。
当流体压力从下电极基体(2)下部中间加入后，使膜(10)向上变化，将岛(9)举起，从而将中央电极基体(8)上的上中央电极(5)和下中央电极(6)举起，这样使上电极(3)和上中央电极(5)之间的间距变小，下电极(4)和下中央电极(6)之间的间距变大，引起电容的变化，故形成差动电容，压力去处后，上中央电极(5)、下中央电极(6)、中央电极基体(8)、岛(9)和膜(10)复位，电容也恢复原值。当从下电极基体(2)下部加入的压力超过额定压力时，中央电极基体(8)与过载保护突头(7)相碰，中央电极基体(8)与岛(9)不能向上移动，使膜(10)不会被拉坏，起到过载保护作用。
本实用新型的效果是，电容腔不需密封，电极引线容易引出；这种差动结构容易消除寄生电容；灵敏度高，是普通型的2倍；中央电极变形小，线性好；加工简单，而且容易实现过载保护。
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。
图1是自举差动电容传感器剖面图图中1、上电极基体 2、下电极基体 3、上电极 4、下电极过 5、上中央电极 6、下中央电极 7、过载保护突头 8、中央电极基体 9、岛 10、膜上电极基体(1)外形尺寸是，上平面为10mm×10mm的方形，高0.6mm，侧壁厚1mm，顶壁厚0.3mm；过载保护突头(7)高0.01mm，长和宽都是2mm；上电极基体(1)和过载保护突头(7)用硅经微机械加工而成。下电极基体(2)外形尺寸是，下平面为10mm×10mm的方形，高0.38mm，侧壁厚1mm，底厚0.33mm，膜厚0.08mm，膜宽1mm，岛(9)高0.3mm，长和宽都是2mm，膜(10)是环形膜，下电极基体(2)、岛(9)和膜(10)用硅经微机械加工而成。中央电极基体(8)厚0.25mm，长和宽都是7mm，是用硅片制成的。上电极(3)是方环形，用铝镀在上电极基体(1)上，外方环尺寸是8mm×8mm，内方环尺寸是4mm×4mm；下电极(4)是方环形，用铝镀在下电极基体(2)上，外方环尺寸是8mm×8mm，内方环尺寸是4mm×4mm；上中央电极(5)是方环形，用铝镀在中央电极基体(8)的上面，外方环尺寸是7mm×7mm，内方环尺寸是3mm×3mm；下中央电极(6)是方环形，用铝镀在中央电极基体(8)的下面，外方环尺寸是7mm×7mm，内方环尺寸是3mm×3mm。岛(9)与中央电极基体(8)是粘接，上电极基体(1)扣在下电极基体(2)上。
当流体压力从下电极基体(2)下部中间加入后，使膜(10)向上变化，将岛(9)举起，从而将中央电极基体(8)上的上中央电极(5)和下中央电极(6)举起，这样使上电极(3)和上中央电极(5)之间的间距变小，下电极(4)和下中央电极(6)之间的间距变大，引起电容的变化，故形成差动电容，压力去处后，上中央电极(5)、下中央电极(6)、中央电极基体(8)、岛(9)和膜(10)复位，电容也恢复原值。当从下电极基体(2)下部加入的压力超过额定压力时，中央电极基体(8)与过载保护突头(7)相碰，中央电极基体(8)与岛(9)不能向上移动，使膜(10)不会被拉坏，起到过载保护作用。
权利要求自举差动电容传感器1、本实用新型包括上电极基体(1)、下电极基体(2)、上电极(3)、下电极(4)、上中央电极(5)和下中央电极(6)，上电极基体(1)扣在下电极基体(2)上，其特征在于，它还包括过载保护突头(7)、中央电极基体(8)、岛(9)和膜(10)，中央电极基体(8)和岛(9)连接，上电极(3)与上电极基体(1)连接，下电极(4)与下电极基体(2)连接，上中央电极(5)与中央电极基体(8)连接，下中央电极(6)与中央电极基体(8)连接。
2.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，上电极(3)是方环形，用铝镀在上电极基体(1)上。
3.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，下电极(4)是方环形，用铝镀在下电极基体(2)上。
4.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，上中央电极(5)是方环形，用铝镀在中央电极基体(8)的上面。
5.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，下中央电极(6)是方环形，用铝镀在中央电极基体(8)的下面。
6.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，岛(9)是方形岛，用胶与中央电极基体(8)连接。
7.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，岛(9)是方形岛，用静电封接与中央电极基体(8)连接。
8.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，膜(10)是环形膜。
9.根据权利要求1、8所述的自举差动电容传感器，其特征在于，膜(10)是方环形膜。
10.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，上电极基体(1)和过载保护突头(7)是用硅微机械加工而成。
11.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，下电极基体(2)、岛(9)和膜(10)是用硅微机械加工而成。
12.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，上电极基体(1)和过载保护突头(7)是用陶瓷直接成型而成。
13.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，下电极基体(2)、岛(9)和膜(10)是用陶瓷直接成型而成。
14.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，中央电极基体(8)是用硅片制成的。
15.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，中央电极基体(8)是用玻璃制成的。
16.根据权利要求1所述的自举差动电容传感器，其特征在于，中央电极基体(8)是用陶瓷制成的。
专利摘要本实用新型包括上电极基体(1)、下电极基体(2)、上电极(3)、下电极(4))、上中央电极(5)、下中央电极(6)、过载保护突头(7)、中央电极基体(8)、岛(9)和膜(10),上电极基体(1)扣在下电极基体(2)上,中央电极基体(8)和岛(9)连接,上电极(3)与上电极基体(1)连接,下电极(4)与下电极基体(2)连接,上中央电极(5)与中央电极基体(8)连接,下中央电极(6)与中央电极基体(8)连接。优点是:不需密封、容易消除寄生电容、灵敏度高、中央电极变形小,加工简单,而且容易实现过载保护。
文档编号G01L9/12GK2390194SQ99213478
公开日2000年8月2日 申请日期1999年6月22日 优先权日1999年6月22日
发明者牛德芳, 张永彩, 臧翠荣, 汤淑芬, 周丽芳 申请人:大连理工大学