专利名称：薄膜电容式湿敏装置的利记博彩app
技术领域：
本实用新型属传感装置领域，具体为一种薄膜电容式湿敏装置。
目前经中国专利局CD光盘查新、检索发现有这方面的装置，如专利号91223530.6名称“耐高湿分子湿敏元件”，其不足之处在于不能做得很小，一般为4×6mm左右，电容采用两极板串联式，现有电容元件的有效面积只是实际面积的1/4，而基础电容量却不大，从而成本高。
本实用新型的目的在于提供一种结构简单、成本低廉，在相同硅片上制作元件量大的薄膜电容式湿敏装置。
本实用新型的目的是这样实现的芯片粘接在管座上，光刻下电极在上电极引出中，上电极引出为 形，绝缘层上面是光刻下电极和上电极引出，下面是硅基片。感湿膜上面是光刻上电极，下面是光刻下电极和上电极引出，芯片是由硅基片、绝缘层、光刻下电极、上电极引出、感湿膜、光刻上电极组成，内引线与上电极引出和下电极连接。
本实用新型的优点在于结构简单、成本低廉，可大规模批量生产，基础电容量大，体积小，安装使用方便。
图1为本实用新型结构原理主视示意图；图2为本实用新型结构原理主视图的A-A剖面示意图；图3为本实用新型结构原理分解示意图；图3(a)为本实用新型结构原理光刻上电极示意图；图3(b)为本实用新型结构原理感湿膜示意图；图3(c)为本实用新型结构原理光刻下电极、上电极引出示意图；图3(d)为本实用新型结构原理硅基片、绝缘层示意图；图4为本实用新型结构原理安装示意图；图4(e)为本实用新型结构原理管帽示意图；图4(f)为本实用新型结构原理管座示意图。
以下结合附图详述本实用新型最佳实施例芯片(11)粘接在管座(8)上，光刻下电极(3)在上电极引出(4)中，上电极引出(4)为 形，绝缘层(2)上面是光刻下电极(3)和上电极引出(4)，下面是硅基片(1)，感湿膜(5)上面是光刻上电极(6)，下面是光刻下电极(3)和上电极引出(4)，芯片(11)是由硅基片(1)、绝缘层(2)、光刻下电极(3)、上电极引出(4)、感湿膜(5)、光刻上电极(6)组成，内引线(7)与上电极引出(4)和下电极(3)连接。内引线与外引线连接，管帽与管座连接，避免机械损伤，增加抗震性。
权利要求1.一种薄膜电容式湿敏装置，它是由硅基片(1)、绝缘层(2)、光刻下电极(3)、上电极引出(4)、感湿膜(5)、光刻上电极(6)、内引线(7)、管座(8)、管帽(9)、外引线(10)、芯片(11)组成，其特征是芯片(11)粘接在管座(8)上，光刻下电极(3)在上电极引出(4)中，上电极引出(4)为 形，绝缘层(2)上面是光刻下电极(3)和上电极引出(4)，下面是硅基片(1)，感湿膜(5)上面是光刻上电极(6)，下面是光刻下电极(3)和上电极引出(4)，芯片(11)是由硅基片(1)、绝缘层(2)、光刻下电极(3)、上电极引出(4)、感湿膜(5)、光刻上电极(6)组成，内引线(7)与上电极引出(4)和下电极(3)连接。
专利摘要本实用新型属传感装置领域，具体为一种薄膜电容式湿敏装置。其特点是芯片粘接在管座上，光刻下电极在上电极引出中，上电极引出为“”形，绝缘层上面是光刻下电极和上电极引出，下面是硅基片。感湿膜上面是光刻上电极，下面是光刻下电极和上电极引出，内引线与上电极引出和下电极连接。本实用新型结构简单、成本低廉，可大规模批量生产，基础电容量大，体积小，安装使用方便。
文档编号G01N27/22GK2243659SQ9522230
公开日1996年12月25日 申请日期1995年9月14日 优先权日1995年9月14日
发明者孙晴, 张树琨, 赵国强 申请人:电子工业部第四十九研究所