一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构的利记博彩app
【专利摘要】本发明涉及微型磁传感器，具体是一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构。本发明解决了现有微型磁传感器对地磁场的敏感性过于微弱的问题。一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，包括磁集聚放大结构和磁集聚导向结构；所述磁集聚放大结构包括台体部分；所述磁集聚导向结构包括延伸于台体部分细端的柱体部分；台体部分和柱体部分均由高磁导率软磁材料制成。本发明适用于微型磁传感器。
【专利说明】一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构
【技术领域】
[0001]本发明涉及微型磁传感器，具体是一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构。
【背景技术】
[0002]地磁场是地球固有的一种物理特征，其为分布有一定规律的矢量场，并且其在地球的不同位置具有不同的矢量大小。基于地磁场的这一特点，倘若能够通过微型磁传感器获取空间中每一点的地磁场矢量大小，即可利用所获得的地磁场矢量进行全球定位。然而，现有微型磁传感器受体积限制，其灵敏度和分辨率均较低，导致其对地磁场的敏感性过于微弱，由此导致其无法满足获取地磁场矢量的使用要求。基于此，倘若能够对地磁场预先进行集聚、放大、导向，即可有效提高微型磁传感器的灵敏度和分辨率，使其对地磁场的敏感性增强，从而使微型磁传感器满足获取地磁场矢量的使用要求。
【发明内容】
[0003]本发明为了解决现有微型磁传感器对地磁场的敏感性过于微弱的问题，提供了 一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构。
[0004]本发明是采用如下技术方案实现的:一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，包括磁集聚放大结构和磁集聚导向结构；所述磁集聚放大结构包括台体部分；所述磁集聚导向结构包括延伸于台体部分细端的柱体部分；台体部分和柱体部分均由高磁导率软磁材料制成。
[0005]工作时，将柱体部分的端面与微型磁传感器的磁敏感单元固定，并保证磁敏感单元的敏感轴向与柱体部分的轴向一致。具体工作过程如下:地磁场经台体部分的端面进入台体部分内部。在台体部分的超顺磁作用下，进入台体部分内部的地磁场由台体部分的粗端向细端进行集聚，由此实现地磁场的放大。放大后的地磁场进入柱体部分内部。在柱体部分的导向作用下，进入柱体部分内部的地磁场沿着柱体部分的边缘进入磁敏感单元，磁敏感单元由此精确获取地磁场矢量大小。基于上述过程，本发明所述的一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构通过对地磁场预先进行集聚、放大、导向，有效提高了微型磁传感器的灵敏度和分辨率，使微型磁传感器对地磁场的敏感性得以增强，从而使微型磁传感器满足了获取地磁场矢量的使用要求。
[0006]本发明有效解决了现有微型磁传感器对地磁场的敏感性过于微弱的问题，适用于微型磁传感器。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本发明的第一种结构示意图。
[0008]图2是本发明的第二种结构示意图。
[0009]图3是本发明的第三种结构示意图。[0010]图中:1-台体部分,2-柱体部分,3-磁敏感单元,4-地磁场；箭头表示地磁场方向。
【具体实施方式】
[0011]实施例一
一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，包括磁集聚放大结构和磁集聚导向结构；所述磁集聚放大结构包括台体部分I;所述磁集聚导向结构包括延伸于台体部分I细端的柱体部分2 ;台体部分I和柱体部分2均由高磁导率软磁材料制成；
在本实施例中，如图1所示，台体部分I的数目为一个；柱体部分2的数目为一个；柱体部分2延伸于台体部分I细端；
台体部分I为圆台体部分；柱体部分2为圆柱体部分；
具体实施时，高磁导率软磁材料为坡莫合金或FeCuNbCrVSiB纳米晶合金。台体部分I和柱体部分2均采用MEMS溅射工艺制成。
[0012]实施例二
一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，包括磁集聚放大结构和磁集聚导向结构；所述磁集聚放大结构包括台体部分I;所述磁集聚导向结构包括延伸于台体部分I细端的柱体部分2 ;台体部分I和柱体部分2均由高磁导率软磁材料制成；
台体部分I的数目为一个；柱体部分2的数目为一个；柱体部分2延伸于台体部分I细
端;
台体部分I为棱台体部分；柱体部分2为棱柱体部分；
具体实施时，高磁导率软磁材料为坡莫合金或FeCuNbCrVSiB纳米晶合金。台体部分I和柱体部分2均采用MEMS溅射工艺制成。
[0013]实施例三
一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，包括磁集聚放大结构和磁集聚导向结构；所述磁集聚放大结构包括台体部分I;所述磁集聚导向结构包括延伸于台体部分I细端的柱体部分2 ;台体部分I和柱体部分2均由高磁导率软磁材料制成；
台体部分I的数目为一个；柱体部分2的数目为一个；柱体部分2延伸于台体部分I细
端;
台体部分I为椭球台体部分；柱体部分2为圆柱体部分；
具体实施时，高磁导率软磁材料为坡莫合金或FeCuNbCrVSiB纳米晶合金。台体部分I和柱体部分2均采用MEMS溅射工艺制成。
[0014]实施例四
一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，包括磁集聚放大结构和磁集聚导向结构；所述磁集聚放大结构包括台体部分I;所述磁集聚导向结构包括延伸于台体部分I细端的柱体部分2 ;台体部分I和柱体部分2均由高磁导率软磁材料制成；
在本实施例中，如图2所示，台体部分I的数目为两个；柱体部分2的数目为两个；两个柱体部分2分别延伸于两个台体部分I细端；两个柱体部分2的端面相互正对；
台体部分I为圆台体部分；柱体部分2为圆柱体部分；
具体实施时，高磁导率软磁材料为坡莫合金或FeCuNbCrVSiB纳米晶合金。台体部分I和柱体部分2均采用MEMS溅射工艺制成。
[0015]实施例五
一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，包括磁集聚放大结构和磁集聚导向结构；所述磁集聚放大结构包括台体部分I;所述磁集聚导向结构包括延伸于台体部分I细端的柱体部分2 ;台体部分I和柱体部分2均由高磁导率软磁材料制成；
台体部分I的数目为两个；柱体部分2的数目为两个；两个柱体部分2分别延伸于两个台体部分I细端；两个柱体部分2的端面相互正对；
台体部分I为棱台体部分；柱体部分2为棱柱体部分；
具体实施时，高磁导率软磁材料为坡莫合金或FeCuNbCrVSiB纳米晶合金。台体部分I和柱体部分2均采用MEMS溅射工艺制成。
[0016]实施例六
一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，包括磁集聚放大结构和磁集聚导向结构；所述磁集聚放大结构包括台体部分I;所述磁集聚导向结构包括延伸于台体部分I细端的柱体部分2 ;台体部分I和柱体部分2均由高磁导率软磁材料制成；
在本实施例中，如图3所示，台体部分I的数目为两个；柱体部分2的数目为两个；两个柱体部分2分别延伸于两个台体部分I细端；两个柱体部分2的端面相互正对；
台体部分I为椭球台体部分；柱体部分2为圆柱体部分；
具体实施时，高磁导率软磁材料为坡莫合金或FeCuNbCrVSiB纳米晶合金。台体部分I和柱体部分2均采用MEMS溅射工艺制成。
【权利要求】
1.一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，其特征在于:包括磁集聚放大结构和磁集聚导向结构；所述磁集聚放大结构包括台体部分(I);所述磁集聚导向结构包括延伸于台体部分(I)细端的柱体部分(2);台体部分(I)和柱体部分(2)均由高磁导率软磁材料制成。
2.根据权利要求1所述的一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，其特征在于:台体部分(I)的数目为一个；柱体部分(2)的数目为一个；柱体部分(2)延伸于台体部分(I)细端。
3.根据权利要求1所述的一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，其特征在于:台体部分(I)的数目为两个；柱体部分(2)的数目为两个；两个柱体部分(2)分别延伸于两个台体部分(I)细端；两个柱体部分(2)的端面相互正对。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，其特征在于:台体部分(I)为圆台体部分；柱体部分(2)为圆柱体部分。
5.根据权利要求1或2或3所述的一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，其特征在于:台体部分(I)为棱台体部分；柱体部分(2)为棱柱体部分。
6.根据权利要求1或2或3所述的一种应用于微型磁传感器的磁集聚放大导向结构，其特征在于:台体部分(I)为椭球台体部分；柱体部分(2)为圆柱体部分。
【文档编号】G01V3/40GK103439749SQ201310288244
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年7月10日 优先权日:2013年7月10日
【发明者】张晓明, 唐军, 刘俊, 李 杰, 鲍爱达, 王宇, 赵代弟, 赖正喜, 杨国欢, 赵鑫炉, 白渚铨 申请人:中北大学