专利名称：半导体器件散热性能测试装置的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件散热性能测试装置。
背景技术：
MOS-FET、TRANSISTOR、RE⑶LATOR等大功率半导体器件，经常由于高温老化而烧 坏。损坏后的不良品DECAP后发现晶片表面均有烧伤。为了测试这些半导体器件的散热性 能，传统的方法是购买专门的热阻测试机，如图1所示，通过测试Δ VBE，Δ VDS来筛出热阻 较大的产品。但此类热阻测试设备价格昂贵且只能检出散热不良的产品，但不能检测出由 于温度升高后引起的半导体器件主要电性参数变化较大的不良品。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种半导体器件散热性能测试装置，该装置不仅有利 于测试出半导体器件的散热性能，而且结构简单，使用效果好。本实用新型的目的是这样实现的一种半导体器件散热性能测试装置，其特征在 于包括半导体分立器件测试系统，所述半导体分立器件测试系统的测试站上连接有直流 电源，以通过加载直流电源使待测产品内部温度升高，测取温度变化前后的各参数变化率 来判定待测产品的散热性能。本实用新型的有益效果是不仅可以筛出散热异常的产品，还可以筛出实际应用时 由于产品发热所导致电性主要参数变化较严重的产品，这是热阻测试机所无法做到的，从 而更加全面地检出有散热问题及高温下主要电性参数变化较大的产品，提高了产品在高温 工作时的可靠性。此外，该测试装置结构简单，造价低，易于操作，使用效果好，具有广阔的 市场应用前景。
图1是传通热阻测试机及通用系统的结构示意图。图2是本实用新型实施例的结构示意图。图3是本实用新型实施例中待测产品为MOS-FET的测试原理图。图4是本实用新型实施例中待测产品为TRANSISTOR的测试原理图。图5是本实用新型实施例中待测产品为RE⑶LATOR的测试原理图。
具体实施方式
本实用新型的半导体器件散热性能测试装置，如图2所示，包括半导体分立器件 测试系统，所述半导体分立器件测试系统的测试站上连接有直流电源，以通过加载直流电 源使待测产品内部温度升高，测取温度变化前后的各参数变化率来判定待测产品的散热性 能。上述待测产品为MOS-FET管产品，通过测取MOS-FET管产品RDSON值随温度变化的大小来测试待测MOS-FET管产品的散热性能。上述半导体分立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，把外接的直流电源 加到待测产品的D与S极，待测产品G与S极的电压由JUNO DTS-1000测试系统内部加 载；外部电源接线方式外部电源的负极接到JUNO DTS-1000测试系统的测试站内部 的继电器K202上端，电源正极接到K210上端；继电器K202、K210的下端分别接到继电器 K113和K109上；所述各继电器均为测试站内部的。上述待测产品为TRANSISTOR管产品，通过测取TRANSISTOR管产品HFE值随温度 变化的大小来测试待测TRANSISTOR管产品的散热性能。上述半导体分立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，把外接的直流电源 加到待测产品的C与E极上，待测产品B与E极的电压由JUNO DTS-1000测试系统内部加 载；外部电源接线方式外部电源的负极接到JUNO DTS-1000测试系统的测试站内部 的继电器K202上端，电源正极接到K210上端；继电器K202、K210的下端分别接到继电器 K113和K109上；所述各继电器均为测试站内部的。上述待测产品为RE⑶LATOR管产品，通过测取RE⑶LATOR管产品Vout值随温度变 化的大小来测试待测REGULATOR管产品的散热性能。上述半导体分立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，所述JUNO DTS-1000 测试系统的测试站连接外部电源的正极接到继电器K310上端，K310下端与C短接，电源负 极接到K311下端，K311上端与B极短接，以通过闭合K310、K311把外部电源加到RE⑶LATOR 管产品的Vin与GND端，通过闭合Κ203把外接的负载电阻接到RE⑶LATOR的Vout与GND上。当待测产品为MOS-FET管产品时，通过测取MOS-FET管产品RDSON值随温度变化 的大小来测试待测MOS-FET管产品的散热性能。当上述半导体分立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，如图3所示，MOS-FET管产品的测试步骤及电路接线方式如下(1)加测热前测试RDSON项，此为JUNO DTS-1000测试系统内部常规测试项。(2)把外接的直流电源加到待测产品的D与S极，待测产品G与S极的电压由 JUNO DTS-1000测试系统内部加载；外部电源接线方式外部电源的负极接到JUNO DTS-1000测试系统的测试站 (HD-1210)内部的继电器K202上端，电源正极接到K210上端；继电器K202、K210的下端分 别接到继电器Κ113和Κ109上；所述各继电器均为测试站(HD-1210)内部的。(3 )通过直流电源给MOS-FET管产品加热后，测试加热后的RDSON项，并计算加热 前后RDSON值的变化大小，从而获得MOS-FET管产品的散热性能指标。当待测产品为TRANSISTOR管产品时，通过测取TRANSISTOR管产品HFE值随温度 变化的大小来测试待测TRANSISTOR管产品的散热性能。当上述半导体分立器件测试系统 为JUNO DTS-1000测试系统时，如图4所示，TRANSISTOR管产品的测试步骤及电路接线方 式如下(1)加测热前测试HFE项，此为JUNO DTS-1000测试系统内部常规测试项。(2)把外接的直流电源加到待测产品的C与E极上，待测产品B与E极的电压由
4JUNO DTS-1000测试系统内部加载；外部电源接线方式外部电源的负极接到JUNO DTS-1000测试系统的测试站 (HD-1210)内部的继电器K202上端，电源正极接到K210上端；继电器K202、K210的下端分 别接到继电器Κ113和Κ109上；所述各继电器均为测试站(HD-1210)内部的。(3 )通过直流电源给TRANSISTOR管产品加热后，测试加热后的HFE项，并计算加热 前后HFE值的变化大小，从而获得TRANSISTOR管产品的散热性能指标。当待测产品为RE⑶LATOR管产品时，通过测取RE⑶LATOR管产品Vout值随温度变 化的大小来测试待测REGULATOR管产品的散热性能。当上述半导体分立器件测试系统为 JUNO DTS-1000测试系统时，如图5所示，RE⑶LATOR管产品的测试方法及电路接线方式如 下(1)通过JUNO DTS-1000测试系统中的BATTCHK项来测试刚上电时Vout电压及 过一段时间后的Vout电压，求两次的差值Delta-Vout，以通过Delta-Vout的大小筛出有 问题的产品。(2)所述JUNO DTS-1000测试系统的测试站连接外部电源的正极接到继电器K310 上端，K310下端与C短接，电源负极接到K311下端，K311上端与B极短接，以通过闭合K310、 K311把外部电源加到RE⑶LATOR管产品的Vin与GND端，通过闭合K203把外接的负载电 阻接到RE⑶LATOR的Vout与GND上。
以下结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。1、MOS-FET 测试原理1)加测热前测试RDSON项，此为DTS-1000机台内部常规测试项。2)通过IDON (ID_V_8V)项把外接的直流电源8V，加到待测产品的D与S极上， G与S电压还是由DST1000测试系统内部加载。DTS-1000的测试站(HD-1210)的改造连接外部电源的负极接到继电器K202上 端，电源正极接到K210上端；K202，K210下端分别接到EI (Κ113)，CI (Κ109)上。在DTS-1000的系统软件中，17项为加热前的RDS0N，通过18项ID_V_8V加热后， 19项为加热后的RDS0N，20项Delta-RDS是计算17项与19项的差值。2、TRANSISTOR 测试原理1)加测热前测试HFE项，此为DTS-1000机台内部常规测试项。2)通过IE (IE_V_8V)项把外接的直流电源8V，加到待测产品的C与E极上；B 与E电压还是由DST1000测试系统内部加载。DTS-1000的测试站(HD-1210)的改造连接外部电源的负极接到继电器K202上 端，电源正极接到K210上端；K202，K210下端分别接到EI (Κ113)，CI (Κ109)上。在DTS-1000的系统软件中，21项为加热前的测试项目，通过23项加热后，24项 为加热后的测试项；25项是计算20项与24项的差值，即Delta-HFE。3、RE⑶LATOR 测试原理1) RE⑶LATOR是通过外接电源及外接负载方式让产品自身发热；通过JUNO中的 BATTCHK项测试刚上的Vout电压及过一段时间(如200mS)后的Vout电压。求两次的差 Delta- Vout ；不良的产品Delta-Vout相差较大。Delta-Vout此项通过设置合理的上下限 规范可以筛出有问题的产品。
5[0046]2) DTS-1000测试站(HD-1210)的改造通过闭合K310、K311把外部电源加到 RE⑶LATOR的Vin与GND端，具体接法是把外部电源正极接到继电器K310上端，K310下 端与C短接(即Vin);电源负极接到K311下端；K311上端与B极短接(即GND)。然后，通 过闭合K203把外接的负载电阻接到RE⑶LATOR的Vout与GND上。在DTS-1000的系统软件中，由31、32、33项来测试的，各项说明如下31项Vin_20V_lA实际上就是Battchk项重命名得到，只是把外部要加电压及 负载电流表示出来。由于此项的测试时间2mS ；此时产品还没有发热，所测值为发热前的Vout ；32项Vin_20V_lA与31项一样，只是测试时间为200mS ；通过200mS后产品已发 热所测值为发热后的Vout;33项求31项与32项的差值(即Delta-Vout)。以上是本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型技术方案所作的改变，所产生 的功能作用未超出本实用新型技术方案的范围时，均属于本实用新型的保护范围。
权利要求一种半导体器件散热性能测试装置，其特征在于包括半导体分立器件测试系统，所述半导体分立器件测试系统的测试站上连接有直流电源，以通过加载直流电源使待测产品内部温度升高，测取温度变化前后的各参数变化率来判定待测产品的散热性能。
2.根据权利要求1所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于所述待测产 品为M0S-FET管产品，通过测取M0S-FET管产品RDS0N值随温度变化的大小来测试待测 M0S-FET管产品的散热性能。
3.根据权利要求2所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于所述半导体分 立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，把外接的直流电源加到待测产品的D与S 极，待测产品G与S极的电压由JUNO DTS-1000测试系统内部加载；外部电源接线方式外部电源的负极接到JUNO DTS-1000测试系统的测试站内部的继 电器K202上端，电源正极接到K210上端；继电器K202、K210的下端分别接到继电器K113 和K109上；所述各继电器均为测试站内部的。
4.根据权利要求1所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于所述待测产品 为TRANSISTOR管产品，通过测取TRANSISTOR管产品HFE值随温度变化的大小来测试待测 TRANSISTOR管产品的散热性能。
5.根据权利要求4所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于所述半导体分 立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，把外接的直流电源加到待测产品的C与E 极上，待测产品B与E极的电压由JUNO DTS-1000测试系统内部加载；外部电源接线方式外部电源的负极接到JUNO DTS-1000测试系统的测试站内部的继 电器K202上端，电源正极接到K210上端；继电器K202、K210的下端分别接到继电器K113 和K109上；所述各继电器均为测试站内部的。
6.根据权利要求1所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于所述待测产品 为RE⑶LAT0R管产品，通过测取RE⑶LAT0R管产品Vout值随温度变化的大小来测试待测 RE⑶LAT0R管产品的散热性能。
7.根据权利要求6所述的半导体器件散热性能测试装置，其特征在于所述半导体分 立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，所述JUNO DTS-1000测试系统的测试站连 接外部电源的正极接到继电器K310上端，K310下端与C短接，电源负极接到K311下端， K311上端与B极短接，以通过闭合K310、K311把外部电源加到RE⑶LAT0R管产品的Vin与 GND端，通过闭合K203把外接的负载电阻接到RE⑶LAT0R的Vout与GND上。
专利摘要本实用新型涉及一种半导体器件散热性能测试装置，其特征在于包括半导体分立器件测试系统，所述半导体分立器件测试系统的测试站上连接有直流电源，以通过加载直流电源使待测产品内部温度升高，测取温度变化前后的各参数变化率来判定待测产品的散热性能。该装置不仅有利于测试出半导体器件的散热性能，而且结构简单，使用效果好。
文档编号G01R19/10GK201765268SQ20102011641
公开日2011年3月16日 申请日期2010年2月23日 优先权日2010年2月23日
发明者刘玉智 申请人:福建福顺半导体制造有限公司