用于优化对基片上导电层电响应的方法和装置的利记博彩app

专利名称：用于优化对基片上导电层电响应的方法和装置的利记博彩app
技术领域：
本发明总体上涉及基片制造技术，具体地，涉及用于优化对基 片上导电层电响应的方法和装置。
背景技术：
在基片(例如，半导体晶片、MEMS器件、或诸如用在平板显 示器制造中的玻璃板)的处理工艺中，往往使用等离子。作为基片 处理工艺(化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、物理气相沉 积、蚀刻，等)的一部分，例如，基片被分成多个模片(dies)或 者矩形区域，每个会形成一个集成电路。然后该基片在一系列步骤 中#1处理，在这些步骤中，有选4奪地去除(蚀刻)及沉积(沉积) 材料，从而在基片上形成电元件。在基片制造中，金属是尤其重要的材料。例如，在一种被称为 双嵌入式工艺(dual damascene )的制造方法中，多个介电层通过填 充通孔的导电插塞而电连接。 一般地，开口在介电层中形成，通常 衬有(line) TaN或TiN阻挡层，随后填充入允许两组导电图案之 间电接触的其它导电材料(例如，铝(Al)铜(Cu )、鵠(W )等)。 这建立了基片上两个活性区域(例如源极/漏极区域)之间的电接触。 在介电层表面上的多余的导电材料典型地通过化学枳4戒抛光(CMP )去除。然后可沉积石圭氮化物或硅石灰化物的;f隻盖层以包覆铜。
随后，为确-床该处理在可4妾受的参凄t内，确定在基片上特定点 的导电层的电膜/层的属性(例如，厚度、薄层电阻)往往是重要的。 测量的一种方法是〗吏用涡流传感器。 一舶j也，涡流为由交变》兹场在 导电介质中感应的电 流o一般，如果将第 一 交变电流施加到绕制成大体为螺线管状的导 线(例如，在涡流传感器中的导线)，在该螺线管中和周围形成第 一交变电磁场，该电磁场延伸超出该螺线管的末端与螺线管直径相 当的距离。如果该第一场被置于第二导体(例如，在基片上的导电 层)附近时，第二交变电流也会在该第二导体中流动，产生与该第 一场相互作用(例如，矢量相加)的第二场，并导致环绕探针的场的护c动。在该揮:4十的初始场中的这些护o动，可导f丈该纟笨4十电特性(包:括该:l果4十的阻^t和频率响应)中的可才企测到的变〗匕。利用阻4元-电压 转换器，该阻抗变化可转换成电压变化，以用于进一步的信号处理 与分析。对于生成来自这些检测到的涡流探针特性的差异的信号，很多 技术是可用的。例如，在第一种技术中，可报告依赖于频率宽度的 探针/涡流传感器系统(传感器系统)的功率吸收。类似地，在第二 种才支术中，可才艮告在该:探针和该第二导体之间的该纟笨针阻抗的实部 和/或虚部的大小变化。这些测量一^L利用无源或有源电i 各进行，以 产生电压范围，该电压范围可由无第二导体存在时的信号以及有导 致该信号的最大变化的第二导体存在时的信号限制。导致该探针信 号最大变化的第二导体的准确形状、厚度和导电率通常取决于该探 针的几何形状、激发频率和所采用的用于测量的方法，^旦一般其为 厚的(相当于该探针直径的许多倍)导电膜(层)，设置为距离该 探针尽可能地近。根据应用，导电或磁性元件可被结合入该探针的设计，以修改 该探针场的空间范围及大小，以及因此修改对该第二导电层的空间 和电学每丈感度。为了最适宜的性质，该传感器系统应当最大化传感 器系统对该导电膜所期望电学性质(例如，厚度、薄层电阻等)的 每丈感度，同时最小化该传感器系统对所有其它效果和变量的壽丈感 度。通常，传感器对^兹场(涡流4尤动)的电响应，以及由此该响应 的精度，受该传感器到该基片临近度(基片临近响应)的影响。也 就是说，当该激发探针场具有受限的空间范围且其大小随离开探针 的位置增大而减少时，由被测量的第二导体导致的总涡流扰动也随 着该第二导体^皮移动距该:探针更远而减少。因此，涡流传感器可对临近度和电膜性质均敏感。通常，将由电膜属性组导致的电响应的 部分(电膜性质响应)与由临近度导致的电响应的部分(基片临近 响应)隔离是困难的，这进而会在报告值中引入误差。另夕卜，特定基片的电膜属性组自身可能是可变的。例如，传感 器的电响应可能受导电膜电阻率的影响。也就是说，涡流信号变化 主要与膜电阻率的倒数成正比。电阻率(也称为比电阻)一般表示 材料抵抗电流流动的强度。低电阻率一般表示材料容易允许电子运 动。但是，电阻率一般也依赖于温度。现参考图1，示出了涡流传感器的简化示意图。一^l殳地，通过变化该传感器(线圈)和基片106之间的距离104可导致该传感器 线圏阻抗102的变化。因为目标材料电阻率和渗透率的电学参数可 确定该纟皮测量传感器4尤动的大小，因此通常4交正用于该目标材^l"的 传感器系统。改进给定传感器的响应的一个解决方案是平均多个传感器的 临近误差，每个传感器同时试图以相同的临近度测量基片上相同的 点(例如并发多传感器)。例如，两个传感器，每个具有3巨4皮此已 知和固定的临近度，可以以相对于设置在它们之间的导电层的固定 的临近度设置。在通常的实现中， 一个传感器设置在该基片上方， 而另 一个传感器设置在该基片下方。如果每个传感器具有大致上相 同的对临近度的敏感度，则在任何一个传感器上的电响应可大致上 相等，但与另一个传感器上的电响应相反。随后， 一起平均每个传 感器的信号可产生一个组合信号，该组合信号对于该导电层到两个 传感器中任一个的位置(临近度)的敏感度小得多，该组合信号随 后可用于更好地报告导电膜的期望的电学性质(例如，更不依赖于 临近度)。在进行测量之前，通过周期性地校正该传感器系统(传感器、 基片几何形状及基片处理、工作台运动，等)，通过对在基片置于 传感器之间的已知位置时得到的 一对测量值耳又平均可消除理i仑上 的临近度误差。但是，在实践中，可重复并精确地相对被测导电层 i殳置涡流传感器往往是非常困难的。例如，用于在传感器之间设置基片的设备可具有过宽的公差范 围，从而使当相比于因在不同测量方位或次数的不同临近度导致的 测量的传感器扰动时，由于基片膜厚度变化导致的传感器扰动大体 上类似。类似地，用于相对传感器移动基片的机构(例如，转盘等) 可引起基片的震动或基片临近度振幅的变化，该震动或临近度振幅 变化导致探针信号的扰动，该扰动超过了膜厚度的测量差，或引入 报告的膜厚度的不确定性，这种不确定性超过了该传感器系统所期 望的精度。随后，甚至是相对小的临近度变化也会测量中引入相当 大的误差，对于高精度测量呈现出问题，例如在基片制造中。另外，即使并发多传感器的临近度误差可被基本上最小化，仍 然需要及时地在不同点进行测量(例如，顺序测量)。例如，因为 传感器往往位于传感器摇臂上，当移动该传感器摇臂越过基片表面 时，对准两个传感器是不方便的。也就是说，两个传感器可置于该 传感器摇臂上，从而使它们形成一条平行于与转盘上基片转动相切
的向量的直线。当该传感器臂摇动越过该旋转的基片时，该传感器 直线和该切线向量之间的角度会增加到 一个位置，在该位置两个传 感器不能同时设置于该基片上的相同点的上方。另外，该传感器摇 臂结构本身可防止将传感器设置在彼此的顶部，或来自于一个传感 器的干扰(例如，串扰)可阻止两个传感器的同时使用。现参考图2，示出了在一个机构中的基片的简化的示意图，利 用传感器臂摇动该基片。在该示例中，当传感器摇臂204移动传感 器206越过基片202表面时，基片202沿方向208转动。综上所述，期望用于优化对基片上导电层电响应的方法和装置。发明内容在一个实施例中，本发明涉及一种确定在目标基片上由第一导 电材料形成的第一导电膜的第一厚度的方法。该方法包括在基片的 一组位置附近i殳置第 一涡流传感器。该方法还包括利用该第 一涡流 传感器，测量第一电响应组，其包>^舌第一电压测量和第一电流测量 中的至少 一种。该方法进一步包括利用温度依赖补偿因子修正第一 电响应组，从而获得经修正的第一电响应组，该温度依赖补偿因子 从不同于目标基片的校正基片获得，该校正基片具有由第二导电材 料形成的第二导电膜，该第二导电材料大体上类似于该目标基片的 该第 一导电材料；以及利用该经修正的第 一 电响应组确定该第 一厚 度。在另一个实施例中，本发明涉及用于确定在目标基片上由第一 导电材料形成的第一导电膜的第一厚度的配置。该配置包括用于利 用i殳置在该目标基片附近的第一涡流传感器，测量第一电响应组的 装置，该第一电响应组包4舌第一电压测量和第 一电流测量中的至少
一种。该配置还包括用于利用温度依赖补偿因子修正第 一 电响应组的装置，从而获得经+务正的第一电响应组；以及用于利用该经l奮正 的第一电响应组确定该第一厚度的装置。在另一个实施例中，本发明涉及一种确定在目标基片上由第一 导电材料形成的第 一导电膜的第 一厚度的方法。该方法包括在该基 片附近设置第一涡流传感器。该方法还包括利用该第一涡流传感 器，测量第一电响应组，其包>1舌第一电压测量和第一电流测量中的 至少 一种。该方法进一步包括利用温度依赖补偿因子{奮正该第 一 电 响应组，该温度依赖谇hf尝因子基于目标基片温度而^皮确定，在该目 标基片温度下获得该第 一 电响应组，该修正产生经4交正的第 一 电响 应组；以及利用该经4交正的第一电响应组，确定该第一厚度。本发明的这些和其它优点将会结合附图，在以下本发明的更具 体说明中更加详细地描述。


本发明在附图中通过示例而不是限定来说明，在附图中，相同 的标记代表相同的元件，其中图1示出了涡流传感器的简化的示意图；图2示出了在带有传感器臂的转盘上的基片的简化的示意图；图3示出了根据本发明的一个实施例的用于确定在基片上的导 电层厚度的三条4交正曲线的组；图4示出了根据本发明的一个实施例的在约2rC至约23。C之间 循环90分钟的带有包括Cu的导电膜的基片的简化的示意图5示出了根据本发明的一个实施例的在约21匸至约23。C之 间循环90分钟的带有包括Si的导电膜的基片的简化的示意图；图6示出了根据本发明的一个实施例的比较温度系数a与大体 上包括Cu的导电膜的平均厚度的简化的示意图；以及，图7示出了根据本发明的 一个实施例的确定在目标基片上由导 电材料形成的导电膜厚度的方法的简化的示意图。
具体实施方式
现在结合在附图中示出的凄t个优选实施例，详细描述本发明。 在以下说明中，将阐明许多具体细节以提供对本发明的透彻的理 解。但是，对于本领域的技术人员而言，显然，本发明可不使用这 些具体细节中的某些或全部而实施。在另一些情形下，熟知的处理 才喿作将不具体描述，以避免不必要i也混淆本发明。虽然不希望受限制于理论，但本发明人相信，可补偿基片电膜 属性的变化，以优化传感器电响应。在一个实施例中，在已知温度 下的基准基片样品的传感器电响应可用于校正在未知温度下的目 标基片的传感器电响应。在一个实施例中，该基准基片的导电层材 料大体上类似于该目标基片的导电层材料。在一个实施例中，该基准基片和该目标基片利用大体上类似的 测量妨、i义(protocols)而测量。例力口，均可利用相同的涡:^u测量4支 术，在大约相同的临近度并在大约相同的测量位点(几何结构)等 测量该基准基片以及该目标基片，从而使该基准基片和该目标基片 之间的主要变量为温度。在一个实施例中，如果该基片有两个具有 不同电阻率温度系凄t的导电层，可在不同的温度下得到一组测量， 以获得期望的膜厚度的大体上不依赖于温度的值。
以下描述了多种实施例，包括方法和技术。应当注意，本发明 亦可覆盖包括计算机可读介质的制造业主题，在该计算机可读介质 上存4诸用于才丸行创新性」技术的实施例。该计算才几可读介质可包括， 例如，半导体、磁的、光磁的、光学的或用于存储计算机可读代码 的其他形式的计算才几可读介质。另外，本发明还可覆盖用于实施本 发明实施例的装置。该装置可包括电路(专用和/或可编程)，以执 行与本发明实施例有关的任务。这些装置的示例包括通用计算机和 /或合适地编程的专用计算设备，并可包括计算机/计算设备与专用/ 可编程电路的结合，其适于与本发明实施例有关的多种任务。这些 装置的示例可包括在一个或多个集成电路中的合适的专用和/或可 编程电路，该电路配置为执行此处公开的计算机实现技术。另外， 通常，对于利用计算机的任何计算，需要在存储器或计算机寄存器 中的操作数。如前所述，〗专感器对该/磁场(涡流-阮动)的电响应，及其^青确 度，受该传感器到该基片临近度的影响(基片临近度响应)。也就 是说，因该激发探针场具有受限的空间范围，并且其大小随着距该 探针位置的增加而减少，所以由被测的第二导体导致的总体涡流扰 动也随着移动第二导体进一步远离该纟笨针而减小。因此，涡流传感 器可对临近度和电膜属性均是敏感的。 一般地，难以将由该组电膜 属性组导致的电响应部分(电膜属性响应)与由临近度导致的电响 应的部分(基片临近度响应)分开，这可能随后在报告值中引入误 差。另外，对于特定基片的电膜属性组可以是可变化的。例如，传 感器的电响应可受该导电膜电阻率的影响。也就是说，涡流信号变 化主要与膜电阻率的倒数成正比。电阻率(也称为比电阻)一般表 示材料抵抗电流流动的强度。低电阻率一般表示材料容易允许电子 运动。但是，电阻率一般也依赖于温度。
一般地，各传感器响应，R，可建模为多个关键变量的函数辨-)=辨^ ，5>(7)) [等式1]其中，d是待测膜厚度，p是临近度，并且S—般是传感器序 列号，它是一个简化符号，表明响应对所有信息的功能依赖性，其 中信息是关于由通过该被测膜检测到的特定涡流探针场的扰动到 方《更测量单位的转换。并且p(T)是温度依赖的电阻率。在一个实施 例中，方便测量单位为伏特(V)。假设所有传感器具有相同的序列 号，那么等式1可进一步简化为i (-)=i (《AP(r>)等式2因此，在基片上的导电膜的厚度d可建模为d=Xi (<^(7))) [等式3电阻率(也称为比电阻) 一般表示材料抵抗电流流动的强度。 4氐电阻率一4殳表示材^1"容易允许电子运动。用于电阻率的SI单位 (国际单位)是欧姆米(ohm meter )。材料的电阻率一般由以下方 程得出P =，等式4]其中p是电阻率(测量单位为欧姆米)，R是该材料均一样品 的电阻(测量单位为欧姆)，1为该样品的长度(测量单位为米)， 并且A为该样品的4黄截面积(测量单^f立为平方米)。电阻率也可一皮定义为<formula>formula see original document page 16</formula>等式5]其中E为该电场的大小(测量单位为伏特每米)并且J为电流 密度的大小(测量单位为安培每平方米X现参考图3，示出了才艮据本发明的一个实施例的在特定基片温 度(校正温度)的三个校正曲线的组，用于确定在基片上的导电层 (例如，Cu，等)的厚度。纵轴示出了以埃(A)为单位测量的厚 度304，而4黄轴示出了由涡流传感器测量的电压响应(V) 302。在 该示例中，4交高的响应电压与4交小的厚度相关。为同样的目的，也 可产生具有响应电压减少的冲交正曲线，例如通过在没有待测膜的系 统中所获得的最大电压4氐消(offset)每个纟笨针响应电压。在一个简化的示例中，在特定的基片温度，才艮告的涡流响应V (电压)，具有合理的临近度校正属性，其可建模为<formula>formula see original document page 16</formula>[等式6]其中，如果￡p为在传感器I的实际测量时间从Pl的临近度变化，那么，从传感器i和传感器n之间固定的几何关系的推断，当且仅当传感器II的测量同时进行时，-Sp为在传感器II的实际测量时间从pu的临近度变化。为本示例的目的，假设所有传感器的传感器序列号S相等，因此为计算的目的，^又考虑d和p。另夕卜，虽然该响应示出为电压，^f旦也可^吏用其它的电学特性，例如电流。假设两个传感器在它们到膜厚度的额定临近度具有大体上相等的响应R(d，Pl)=R(d，PlI)。在实践中，可以如下所述的扭^成方式合 理地实现，或者利用传感器依赖相关性函凄t而合理地实现。另外，
传感器对临近度变化的响应敏感度(例如，临近度电响应)也假设为具有相同的大小。随后，以化测得的dIVdp等于以Pn测得的 dR /dp，并消去等式6中的临近度依赖项，以及提供能够与该膜厚 度相关的不依赖临近度的测量。在一个实施例中，可通过^f吏用成对的传感器的组来完成，它们 具有基本上相同的类型(因此性能大约相同)并将基片部分加载于 它们之间。之后，该膜可具有对两个传感器相等的额定临近度。因 此，消去一些项，简化的才艮告的测量可表示为2V=2R(d)+0 [等式7]该等式可与小的临近度变量无关。在一个简化的示例中，对于 单一传感器，如果R"d,p!" Rn(d，pu"l.5V，并且如果dR/dp:2V/mm, ep=0.1mm,那么2V= R!(d,p!)+Sp.dRVdp+Rn(d,pu)画sp.dR /dp=1.5V+2V/nm*0.1mm+1.5V-2V/nm*0.1mm=3V [等式8]因此，在理想的同时测量情况中，该方法产生的临近度误差约 为0%，或者通常约3 a < 0.03V。应当明白，可利用总量内两个传 感器间权重比例适当的变化而执行这些分析，从而确保消去相关的 临近度项，或者包括两个以上的传感器，但是保留上述的基本属性。但是，在校正温度下测量该基片可能是实用的。例如，基片处 理可能要求将该基片加热到大体上高于校正温度的温度。随后，仅 为了进行一组测量而等待该基片冷却，这会导致大大降低的产品产 量。但是，温度可影响导电膜的下层的电阻率，因此影响被测的涡 流响应。 现参考图4，根据本发明一个实施例的在约21匸至约23。C之间 循环200分钟的带有包括Cu的导电膜的基片的简化的示意图。横 轴406代表以分钟为单位的时间，左手边的纵轴402代表以度(。C ) 为单位的基片温度，而右手边的纵轴404代表以埃(A)为单位的 导电膜厚度，其由涡流系统报告。曲线408代表基片和膜温度在约 200分钟间隔的变化，而曲线410表示了由该涡流系统测量的报告 导电膜厚度的对应变化。在该示例中，Cu具有0.0035/degC的温度 系凄丈(oc )。当基片温度408向一个方向移动(增加或减少)时， 该对应的导电膜厚度(由涡流响应测量)向相反方向移动。例如， 在大约60分钟处(412),基片温度约为21.58。C,而对应的导电膜厚 度约为9536A。但是，在约68分钟处，基片温度约为22.10°C,而 对应的导电膜厚度约为21.68 A。现参考图5,才艮据本发明的一个实施例的在约21匸至约23。C之 间循环200分钟的带有包括Si的导电膜的基片的简化的示意图。横 轴506代表以分钟为单位的时间，左手边的纵轴502代表以度(。C ) 为单位的基片温度，而右手边的纵轴504代表以埃(A)为单位的 导电膜厚度。曲线508代表基片温度在约200分钟间隔的变化，而 曲线510表示了测量的导电膜厚度的对应变化。在该示例中，Si具 有-0.011/degC的温度系凄t ( a )。当基片温度508向一个方向移动 (增加或减少)时，该对应的导电膜厚度(由涡流响应测量)向相 反方向移动。例如，在大约60分钟处(512)，基片温度约为21.63 。C,而对应的导电膜厚度约为14.15A。但是，在约68分钟处，基片 温度约为22.12。C，而对应的导电膜厚度约为13.lA。随后，对于给定的材料以及一些给定的温度范围，如果电阻率 变化与对应的温度变化成比例，则由于那个温度范围内变化的温度 引起的基片上导电层电阻率的变化可建模为p(rc+ r)=/ (rc) (l+"( r-rc)) [等式9
其中p(i;)是在校正温度下导电膜的以欧姆米为单位的电阻率(校正电阻率)，t是目标基片与该校正温度的温度偏差，a是导电 膜以degC"为单位的温度系数，a典型的值为Cu大约+0.0039到 大约0.0068degCT1, Si:大约-0.07至大约-O.OldegC-1 ，并且，对于大部分的感兴趣材^牛，该温度系凄t可^皮查阅，或者4要照如下所述来 测量。随后，对于温度的相对小的变化，所导致的被测导电膜厚度的变化可大体上与4皮测电阻率P(TJ成正比，而大体上与4交正电阻率p(Tc)成反比。因此，等式3可被进一步简化为<formula>formula see original document page 19</formula> [等式10]其中，dm是由涡流响应测量获得的导电膜厚度，4是实际导电 膜厚度，Te是校正温度，Tm是感兴趣的被测涡流响应的基片温度(测 量温度)，f(R(da ，p，P(Te)))是在校正温度Te下的导电膜厚度，p是 到导电膜的传感器临近度，p(Te)是在校正温度Te下的导电膜的电阻 率(校正电阻率)，P (Tm)是在测量温度Tm下的导电膜的电阻率(测 量电阻率)。将等式9代入等式10:<formula>formula see original document page 19</formula>其中，f(R(d，p, p(Tc)))或f(Re)为在校正温度下，基片上导电膜 的厚度，t -Te或△ T为校正温度和测量涡流时温度之间的温度差， 而a为导电膜以degC"为单位的温度系数。对于小("ATf乘积(例 如，《0.0)，等式11可进一步简4匕为19<formula>formula see original document page 20</formula> 等式12]
之后，可才全测到由温度导致的小的涡流4尤动。例如，对于由 Cu组成的导电膜，可测量占总量的约0.4%的扰动。另夕卜，可独立 于传感器临近度p来测量该^阮动。例如，临近度变量可通过4支术手 段消去，例如，如前所述， -使用基本上相同类型的成对的传感器组， 且将基片部分加载于它们之间。在一个实施例中，在已知温度下的基准基片的电响应可用于修 正在未知温度下的目标基片的电响应。也就是说，对于在大体上相 似但未知的温度下的基准基片和目标基片，但其对温度变化具有基 本上相同的电阻率响应，并且对于在已知温度下的基准基片的一组 校正曲线组，该目标基片的电阻率校正p (Tc)/ p (TJ可以通过如下 结合等式3以及等式10来确定<formula>formula see original document page 20</formula>[等式13<formula>formula see original document page 20</formula>[等式14其中，dc-ref是在校正温度下基准基片上的被测导电膜厚度，其 大体上等于实际导电膜厚度da,并且dm.ref是在测量温度下基准基片 上的被测导电膜厚度；P (Tc)是在校正温度Tc下基准基片的电阻率， 并且p (Tm)是在被测温度Tm下基准基片的电阻率，其也基本上相似 于在相同温度下的目标基片的电阻率。，支设基准基片配置为具有大体上与目标基片相同的涡流响应， 那么校正和测量温度之间的基准导电膜厚度的变化(自动补偿因子)可用于才交正目标基片的涡流响应。因此，等式14可重写为L，柴/(岸,P)) [等式15]其中，ri为自动补偿因子dc—ref/dm_ref， dc—ref是在校正温度下基准基片上的测量导电膜厚度，dm—ref是在测量温度下基准基片上的被测导电膜厚度；p (Tc)是在校正温度Tc下基准基片的电阻率，并且p(Tm)是在被测温度Tm下基准基片的电阻率，并且，因为我们已经清楚地对电阻率函数关系建模(如等式10所示)，所以f(R(d,p))为不 依赖于温度的导电膜厚度的函数，取代ti:<formula>formula see original document page 21</formula>将等式14代入等式16:<formula>formula see original document page 21</formula>[等式16][等式17]在一个实施例中，基准基片的dm.ref可在测量目标基片的dm—tar 之前由涡流传感器测量。在一个实施例中，基准基片的dm_ref可在测 量目标基片的dm-tM之后由涡流传感器测量，或者前、后的dm_ref测 量平均值可用来将因在基片上多个目标位点测量期间温度漂移导 致的误差最小化。如前所述，并且通常，测量的导电膜厚度与导电 膜温度有关。因此，在温度可能改变的环境中，至少出于计算的目 的，基准基片导电膜厚度dm_ref的良好近似值，可通过在测量dm—tar 之前的dm_ref与测量dm_tar之后的dm_ref求平均值而获得。在 一 个实施例中，该基准基片为已知Cu导电膜厚度的小的着陆垫(landing pad ),其相对于4寺测基片上给定点附近的一个或多个位置而^皮i殳 在一个实施例中，可确定在带有多个导电膜的基片上的目标导 电膜厚度。 一般地，基片上被测涡流响应包括该基片上所有导电膜 的总的响应。但是，对于一组导电膜而言，每个具有关于温度的不同的导电率p ,特定的导电膜涡流响应可通过在n个不同的温度下 测量该总的涡流响应而被隔离，其中n为基片上导电膜的数量。在实际中膜堆对小的变化AT的行为可描述为有效温度系数OCeff。然后可使用相同的自动补偿因子方法，因为其不依赖于温度系数的数 值的相关信息(knowledge )，而仅依赖于与目标晶片行为相似的基 准样品。现参考图6，根据本发明的一个实施例的比较温度系数a与基 本上包括Cu的导电膜平均厚度的简化的示意图。横轴606示出了 以埃(A)为单位的测量的平均导电膜厚度。左边纵轴602示出了 带有膜堆的基片的有效温度系数(oc )。横线610示出了铜的温度 系数0.0035/degC的额定值。曲线612示出了带有膜堆的基片的有 效阿尔法变量。右边纵轴604示出了通过实施本发明而观测到的以 埃(A)为单位的3a可变性的减少。也就是说，由在室温中才交正 2-3'C变化导致的涡流报告的厚度再现性的改进。该改进如虚线608 所示。一4殳而言，在某个阈值以上，当因目标膜而产生的涡流响应增 加时(例如，较厚的导电膜)，导电膜的有效温度系数(oc )(示为 612)接近导电膜的额定温度系数(a )(示为610)。因此，仅需要 相对较小数量的基准样品以校正对被测导电膜厚度的涡流响应。基 准样品的实际数量一般取决于需要的温度补偿的精度，以及目标导电膜的厚度范围。例如，对于小于 4000 A的铜膜而言，在614， 温度补偿可能相当小，并可忽略不计，而对于大于 4000 A的铜膜， 利用具有在IO,OOOA范围内铜厚度的单个基准样品，可获得显著的 改进。在该少量的基准样品内合适的校正系数的选择，可基于从目 标月莫未4史正的第一次测量对目标膜厚度的估计。
如前所述，通常，在基片上测量的涡流响应包括在该基片上所 有导电膜的总的响应。但是，对于一组导电膜，每个具有关于温度的不同电阻率p ，特定的导电膜涡流响应可通过在n个不同的温度 下测量该总的涡流响应而隔离，其中n为基片上导电膜的个数。如 果导电膜具有不同的温度系数，该信息可用于区分由不同膜导致的 涡流测量部分。例如，带有两个导电膜(例如，Cu、 Si，等)的基 片可在两个不同的温度下被测量，从而大体上分离并由此确定归因 于其中 一个导电膜的涡流响应。在任何给定温度T下，带有两个导电膜的基片可建模为r=i (4CFA/ ， p CF/(rj)+ pi (^-cw，/ ， p Cf2(rw)) [等式18其中dA-CH是在基准基片上第一导电膜的实际厚度，cWct2是在基准基片上第二导电膜的实际厚度，p是对导电膜的传感器的临近度，Pcf!(T)是在温度T下第一导电膜的电阻率，Pcf2(T)是在温度T下第二导电膜的电阻率，p是导电膜厚度依赖率(例如，为说明导电膜3-d效应，例如前图所示在Si基片上主导温度行为的非常厚的铜)，并且v是以伏特为单位的涡流响应。将等式14代入等式18:其中Tm是测量涡流响应时的温度，Tc是校正温度，pcw()是第 一导电膜的电阻率，PcF2()是第二导电膜的电阻率，Rc—CH是第一导 电膜在校正温度下的涡流响应，Rc—CF2是第二导电膜在校正温度下的涡流响应，p是导电膜厚度依赖率，并且v是以伏特为单位的涡流响应。因此，对于在给定温度下带有两个导电膜的基片，通常有 两个未知量，R^cw和(3P^-CF2。
但是，如果带有两个导电膜的基片的总的涡流响应通常在至少 两个温度下测量，则可确定单个导电力莫的涡;克响应。例如，可为在两个不同温度下进4于的两个总的涡流测量而重写等式19:「产及凡—OT +G"AC—CF2K产逸凡-cw+G々凡—CF2[等式20] [等式21]其中，B尸pcF(Tc)/pcF!(T0 ， B2=pCF1(Tc)/pCF1(T2)， C产pCF2(Tc)/pcF2(T!), C2=pCF2(Tc)/pCF2(T2)。正如在本领域中的一^:理解，等式20和等式21可利用克莱姆 法则(Cramer's Rule )进一步简4匕为风<formula>formula see original document page 24</formula>[等式22[等式23为了解释，在其中一个涡流响应测量在才交正温度下进4亍的情况 下，该等式可进一步简化。例如，如果l为校正温度(例如，TfTj 等式20和等式21可如下重写为「产凡一C "凡-CF2[等式24] [等式25] 其中<formula>formula see original document page 25</formula>并且<formula>formula see original document page 25</formula>再一次，正如本领域中的一般理解，等式24和等式25可利用克莱姆法则进一 步简化为<formula>formula see original document page 25</formula>例如，展开等式26的分母:尺<formula>formula see original document page 25</formula>其中Rc-cf1是第一导电膜在校正温度下的涡流响应，OCcf,是第一导电膜以degC"为单位的温度系数，otcF2是第二导电膜以degC" 为单^f立的温度系#t ， △ T2是4交正温度Tc和净皮测温度T2之间的差， 是在4交正温度Te下的总的涡流响应，并且V2是在纟皮测温度T2
下的总的涡流响应。注意到如果4又对导电膜1感兴趣，那么不需要 知晓该两个力莫的相对贡献(例如，(3，等)。现在可基于作为不依赖于基片和温度的涡流响应的Rc-cfi构建正态相关函凄t (normal correlation function),并由此才艮告出改进的涡流结果，例如CF1膜 厚度。类4以;也，RC-CF2的；呙;充p向应可表示为<formula>formula see original document page 26</formula>再次，其中Rc—CT2是第二导电膜在校正温度下的涡流响应，(3是导电膜厚度依赖率，occw是第一导电膜以degC"为单位的温度系 数，occF2是第二导电膜以degC"为单位的温度系数，AT2是校正 温度Te和被测温度T2之间的差，V,是在校正温度Te的总的涡流响 应，并且V2是在被测温度丁2下的总的涡流响应。如果期望两个膜 信号均跨越(across)膜厚度的显著差别，可构建晶片以对于感兴 趣的膜堆测量对涡流测量的相对贡献。例如，在铜膜(CFl—同)主 要^争越某厚度范围变化的情况下，可在感兴趣的范围上确定 P(dc-cF,),并使用基于等式30的相关性结果，以通过将等式31除以P(dc-cw)来确定跨越多个膜厚度而标准化的涡流响应R^CT2。现参考图7,示出了根据本发明的一个实施例，确定在目标基 片上由导电材料形成的导电膜厚度的方法的简化的示意图。首先， 在702，第一涡流传感器i殳置于目标基片上的一纽j立置附近。在一 个实施例中，该纽J立置^f又为一个4立置。4妄下来在704，测量一组传 感器电响应，其包4舌电压测量和电流测量中至少一种。*接下来，在 706，利用温度依赖补偿因子修正该电响应组。 一般地，该温度依 赖补偿因子由另一个基片获取，并取决于温度变化。最后，在708, 利用 <奮正的第 一 电响应组确定厚度。
尽管本发明已根据多个实施例进行了描述，但还存在有落入本 发明范围的变化、置换和等同方式。还应当注意，有许多实现本发 明方法的备选方式。另夕卜，本发明不局限于特定的传感器设计、检 测方法、激发频率、有源或无源电器元件或才艮告待测壽丈感信号的传 感器销售商的方法的任何其他特性。并且，可使用多于两个的传感 器。另外，此处所-使用的术语"组"包括一个或更多该组中的指定元素。例如， 一《且"X"指一个或多个"x"。本发明的优点包括用于优化对基片上的导电膜电响应的方法 和装置。其它的优点包括使用相对便宜的设备以改进临近度修正， 以及更高的基片测量处理量。已经公开了示例性的实施例和最佳方式，可对该公开的实施例 进行修正和变化，而保持在由利要求限定的本发明的主题和精神内。
权利要求
1.一种确定在目标基片上由第一导电材料形成的第一导电膜的第一厚度的方法，包括在所述目标基片上的一组位置附近设置第一涡流传感器；利用所述第一涡流传感器，测量第一电响应组，所述第一电响应组包括第一电压测量和第一电流测量中的至少一种；利用温度依赖补偿因子修正所述第一电响应组，从而获得经修正的第一电响应组，所述温度依赖补偿因子被从不同于所述目标基片的校正基片获得，所述校正基片具有由第二导电材料形成的第二导电膜，所述第二导电材料大体上类似于所述目标基片的所述第一导电材料；以及利用所述经修正的第一电响应组确定所述第一厚度。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，通过测量来自于所述校正 基片的第二电响应组而获得所述温度依赖补偿因子；并且从已 知补偿因子组中选择所述温度依赖补偿因子，所述温度依赖补 偿因子与所述第二电响应组相关。
3. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述已知补偿因子组补偿 在所述校正基片和所述目标基片之间的一组已知的目标膜温 度变化差。
4. 才艮据片又利要求2所述的方法，其中，所述已知补偿因子组包括-估计的目标膜厚度。
5. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述已知补偿因子组与响 应温度变化的所述第二导电材料的电阻率变化相关。
6. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二电响应组代表在 所述校正基片上测量的电响应的平均，所述平均降低了因温度 漂移导致的误差。
7. 根据权利要求2所述的方法，其中，利用所述第一涡流传感器 执行所述测量所述第一电响应组以及所述测量所述第二电响 应组。
8. 根据权利要求5所述的方法，其中，利用大体上类似的测量协 议执行所述测量所述第 一 电响应组以及所述测量所述第二电 响应纟且。
9. 才艮据权利要求2所述的方法，其中，利用不同于所述第一涡流 传感器的第二涡流传感器执行所述测量所述第二电响应组。
10. 4艮据一又利要求1所述的方法，其中，所述确定所述第一厚度包 括将所述经修正的第 一 电响应组与厚度相关曲线组相关联。
11. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电膜包括铝和 铜中的至少一种。
12. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电响应组代表已 经,皮进行了所述第 一涡流传感器和所述目标基片之间临近度 变^^'务正的电响应纟且。
13. 根据权利要求1所述的方法，其中，选择所述目标基片和所述 校正基片，以在感兴趣的温度范围内，具有大体上相同的对温 度变化的电阻率响应，所述温度范围包4舌测量所述第 一电响应 组时的温度以及获得所述补偿因子组时的温度。
14. 一种用于确定在目标基片上由第 一导电材料形成的第 一导电 膜的第一厚度的配置，包括用于利用设置在所述目标基片附近的第 一 涡流传感器， 测量第 一 电响应组的装置，所述第 一 电响应组包4舌第 一 电压测 量和第一电流测量中的至少一种；用于利用温度依赖补偿因子^f奮正所述第 一 电响应组的装 置，从而获得经修正的第一电响应组；以及用于利用所述经》务正的第 一电响应组确定所述第 一厚度 的装置。
15. 根据权利要求14所述的配置，其中，通过测量来自于校正基 片的第二电响应组而获得所述温度依赖补偿因子，所述校正基 片不同于所述目标基片，并且从已知补偿因子组中选择所述温 度依赖补偿因子，所述温度依赖补偿因子与所述第二电响应组 相关。
16. 根据权利要求15所述的配置，其中，所述已知补偿因子组补 偿在所述校正基片和所述目标基片之间的一组已知的目标膜 温度变化差。
17. 根据权利要求15所述的配置，其中，所述已知补偿因子组包 括估计的目标膜厚度。
18. 根据权利要求15所述的配置，其中，所述已知补偿因子组与 响应温度变化的所述第二导电材料的电阻率变化相关。
19. 根据权利要求15所述的配置，其中，所述第二电响应组代表 在所述校正基片上测量的电响应的平均，所述平均降低了因温 度漂移导致的误差。
20. 根据权利要求15所述的配置，其中，选择所述目标基片和所 述校正基片，以在感兴趣的温度范围内，具有大体上相同的对 温度变化的电阻率响应，所述温度范围包括测量所述第一电响 应组时的温度以及获得所述补偿因子组时的温度。
21. —种确定在目标基片上由第 一导电材料形成的第 一导电膜的 第一厚度的方法，包括在所述目标基片附近设置第一涡流传感器；利用所述第一涡流传感器，测量第一电响应组，所述第 一电响应组包^"第一电压测量和第一电流测量中的至少一种；利用温度依赖补偿因子修正所述第 一 电响应组，所述温 度依赖补偿因子基于目标基片温度而被确定，在所述目标基片 温度下获得所述第一电响应组，所述修正产生经修正的第 一电 响应组；以及利用所述经l奮正的第 一 电响应组确定所述第 一厚度。
22. 根据权利要求21所述的方法，其中，所述温度依赖补偿因子 通过测量来自于校正基片的第二电响应组而被获得，所述校正 基片不同于所述目标基片，所述校正基片具有由第二导电材料 形成的第二导电膜，所述第二导电材料大体上类似于所述目标基片的所述第一导电材料，并且所述校正基片具有与所述目标 基片基本上相似的对温度变化的电阻率响应。
23. 根据权利要求22所述的方法，其中，所述温度依赖补偿因子 与响应温度变化的所述第二导电材料的电阻率变化相关。
24. 根据权利要求22所述的方法，其中，所述第二电响应组代表 在所述校正基片上测量的电响应的平均，所述平均降低了因温 度漂移导致的误差。
25. 根据权利要求22所述的方法，其中，利用所述第一涡流传感 器冲丸^f亍所述测量所述第 一 电响应组以及所述测量所述第二电 响应纟且。
26. 才艮据4又利要求22所述的方法，其中，利用大体上类似的测量 十办^U丸4于所述测量所述第 一 电响应组以及所述测量所述第二 电响应组。
27. 才艮据;K利要求22所述的方法，其中，利用不同于所述第一涡 流传感器的第二涡流传感器扭^f于所述测量所述第二电响应组。
28. 才艮据4又利要求22所述的方法，其中，所述确定所述第一厚度 包括将所述经修正第 一 电响应组与厚度相关曲线组相关联。
29. 4艮据权利要求22所述的方法，其中，选4奪所述目标基片和所 述冲交正基片，以在感兴趣的温度范围内，具有大体上相同的对 温度变化的电阻率响应，所述温度范围包括测量所述第一电响 应组时的温度以及获得所述补偿因子时的温度。
全文摘要
公开了一种确定在目标基片上由第一导电材料形成的第一导电膜的第一厚度的方法。该方法包括在目标基片的一组位置附近设置第一涡流传感器。该方法还包括利用该第一涡流传感器，测量第一电响应组，其包括第一电压测量和第一电流测量中的至少一种。该方法进一步包括利用温度依赖补偿因子修正第一电响应组，从而获得经修正的第一电响应组，该温度依赖补偿因子被从不同于目标基片的校正基片获得，该校正基片具有由第二导电材料形成的第二导电膜，该第二导电材料大体上类似于该目标基片的该第一导电材料；以及利用该经修正的第一电响应组确定该第一厚度。
文档编号G01R35/00GK101213470SQ200680023931
公开日2008年7月2日 申请日期2006年6月13日 优先权日2005年6月29日
发明者安德鲁·D·贝利三世 申请人:朗姆研究公司