专利名称：双光路全反射x荧光分析仪的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种双光路全反射X荧光分析仪。
背景技术：
全反射x荧光分析技术，是一种在x荧光分析技术基础上发展起来的全新技术，其主要特征是通过反射技术去掉在通常X荧光分析中高能散射本底的影响，提高了分析灵 敏度。x荧光分析的特点是不同激发源对不同的元素具有不同的灵敏度，所以为了能测 量自然界中存在的大部分元素(一般是指Na U)，就需要使用不同的激发装置。通常 办法是更换不同类型的激发装置(如X光管或放射源)，来辨别不同元素，用以保证测 量精度。但是这种方法在使用中经常需要再次调整光路，需要多次切断电源等，在使用 上有诸多不便。发明内容本发明的目的在于提供一种双光路全反射X荧光分析仪，可以使用于测试不同的元素。本发明所述的双光路全反射x荧光分析仪，包括至少两只不同的激发源(x光管)、上反射体、下反射体、载样片、样品压环，所述的两只不同的激发源共用同一电源并可 自动切换。两只激发源与载样片和样品压环之间，各设有上反射体和下反射体，所述的上反射体和下反射体之间有很小间距，X射线以非常小的掠射角射入该间隙，并在上反射体和/或下反射体的反射面上产生全反射，最终到达被测样品处。当本分析仪处于工作 状态时，所述载样片上表面与下反射体上表面重合，样品压环下表面也与下反射体上表面重合。本发明所述双光路全反射X荧光分析仪的优点在于可以使用于测试不同的元素，使用中不需要多次更换激发源，多次切断电源、调整光路等，可以明显提高测试效率。 并使得在分析灵敏度上由于使用不同激发源而得到互补提高，可操作性和方便性明显， 能更好地满足使用者要求。 下面结合附图对本发明温度控制电路的具体实施方式
作进一步说明。
图l是本发明的结构示意图； 图2是图1的A-A剖视图具体实施方式
实施例一本实施例所述的双光路全反射X荧光分析仪如附图1、 2所示，其中主要包括两支不同的X光管(Mo靶和W靶)1、 6作为激发源，两束X射线成一定角度0 ，e可以为o 180。，本实施例中e为60。。上述两支不同的x光管i、 6共用同一电源并可自动切换。同时本实施例所述的双光路全反射X荧光分析仪还包括上反射体3、下反 射体2、载样片5、样品压环4。上反射体3和下反射体2之间有很小间距，X射线以非 常小的掠射角(一般不会超过20' 30')射入，满足产生全反射X射线的必要条件。 当结构处于工作状态时，载样片5上表面与下反射体2上表面重合，样品压环4下表面 也与下反射体2上表面重合。本实施例中，下反射体2为整体式结构，参见附图l，该下反射体2近似扇形，沿其 两侧边缘边缘处各设一反射面，分别对应两支不同的X光管(Mo靶和W靶)1、 6，同 时，在上述两个反射面对应的位置处分别设有一个上反射体3，并且上、下反射体之间 形成均匀的狭缝，这时从两支不同的X光管(Mo靶和W靶)1、 6方向射入的满足全反 射条件的X射线均能照射到待测样品上，本实施例中，两支X射线管对从Na到U的元 素测量具有良好互补性，从而能满足多元素测量的要求。
权利要求
1.一种双光路全反射X荧光分析仪，其特征在于包括至少两只不同的X光管、上反射体、下反射体、载样片、样品压环，所述的两只不同的激发源共用同一电源并可自动切换，两只激发源与载样片和样品压环之间，各设有上反射体和下反射体，所述的上反射体和下反射体之间有很小间距。当本分析仪处于工作状态时。
2. 如权利要求1所述的双光路全反射X荧光分析仪，其特征在于所述载样片上 表面与下反射体上表面重合，样品压环下表面也与下反射体上表面重合。
全文摘要
本发明涉及一种双光路全反射X荧光分析仪，包括至少两只不同的激发源(X光管)、上反射体、下反射体、载样片、样品压环，所述的两只不同的激发源共用同一电源并可自动切换。两只激发源与载样片和样品压环之间，各设有上反射体和下反射体，所述的上反射体和下反射体之间有很小间距，X射线以非常小的掠射角射入该间隙，并在上反射体和/或下反射体的反射面上产生全反射，最终到达被测样品处。本发明所述双光路全反射X荧光分析仪的优点在于可以使用于测试不同的元素，使用中不需要多次更换激发源，多次切断电源、调整光路等，可以明显提高测试效率。并使得在分析灵敏度上由于使用不同激发源而得到互补提高，可操作性和方便性明显，能更好地满足使用者要求。
文档编号G01N23/22GK101131370SQ200610111339
公开日2008年2月27日 申请日期2006年8月23日 优先权日2006年8月23日
发明者田宇纮 申请人:北京普析通用仪器有限责任公司