专利名称：磁位移传感器的利记博彩app
技术领域：
本发明的磁位移传感器，属位移传感器。
背景技术：
目前市场上常见的非接触位移传感器有电涡流位移传感器、电容位移传感器、光学位移传感器等，这几种传感器虽然精度较高，但是这几种传感器的共同缺点是对传感器和被测物之间的物质有特殊要求，如电涡流与电容位移传感器要求和被测物之间不能被导体或铁磁物质阻隔，光学位移传感器要求和被测物之间不能被非透明物质隔离。这就意味着这些传感器对被非透明电解质溶液隔离的被测物没有能力测量，而在泵类产品中，很多情况下都需要隔着非透明电解质溶液进行测量。并且这些传感器的结构大都较复杂。
本发明的目的在于针对现有技术的现状，提供一种精度高，不需要对传感器与被测物之间的隔离物质有特殊要求的，且结构简单、造价低廉的位移传感器。
实现上述目的的磁位移传感器的组成是，永磁体装在一块导磁体和另一块导磁体之间构成∏形结构的磁路，且与被测物体构成磁回路，磁通密度测量元件置于其中一个导磁体端部与被测物体之间的测量气隙中。
本磁位移传感器是通过测量该传感器与被测物体之间气隙处的磁通密度，来得到被测物体与传感器之间的距离信息。
本磁位移传感器的主要特点是，结构简单，精度较高，对传感器与被测物之间的隔离物，没有特殊要求。
图1是磁位移传感器的结构图。
1-被测物体、2-磁通密度测量元件、3-导磁体、4-永磁体、5-导磁体图2是磁位移传感器的磁力线分布图。
图3是本磁位移传感器差分使用示例图。
具体实施例方式
由图1可知，本磁位移传感器结构简单。永磁体4装在一块导磁体3与另一块导磁体5之间构成∏形结构磁路，被测物体置于两导磁体端部与两导磁体构成磁回路。磁通密度测量元件2置于其中一个导磁体端部与被测物体之间的测量气隙中。
图2是通过有限元分析得到的磁位移传感器的磁力线分布图。比较图2中左图和右图的磁力线分布图，可以看出当被测物离传感器比较近的时候(b)图，磁通密度测量元件所在位置处的磁通密度就比较强，反之(a)图，则磁通密度比较弱。所以通过测量传感器和被测物之间气隙处的磁通密度，就可以得到被测物与传感器之间的距离信息。
本传感器可以差分使用以提高性能，如图3中的4个传感器分成两对，分别差分测量X、Y的距离。
本传感器的特点是结构简单，精度较高，传感器与被测物可以被非铁磁物质隔离，但被测物只能是磁导率较高的材料。本传感器在泵类产品中具有广泛的应用前景。
权利要求
1，一种磁位移传感器，其特征在于，永磁体(4)装在一块导磁体(3)与另一块导磁体(5)之间构成∏形结构的磁路，且与被测物体(1)构成磁回路，磁通密度测量元件(2)置于导磁体端部与被测物体(1)之间的测量气隙中。
全文摘要
一种磁位移传感器属位移传感器，由永磁块(4)、两块导磁体(3)与(5)、磁通密度测量元件(2)构成，并与被测物(1)构成一个磁回路，通过测量传感器和被测物之间的气隙处的磁通密度，来得到被测物与传感器之间的距离信息。这种磁位移传感器，结构简单，精度较高，传感器与被测物之间可以被非铁磁物质隔离，对隔离物质没有特殊要求。但被测物只能是导磁率较高的材料。
文档编号G01B7/02GK1693837SQ200510040268
公开日2005年11月9日 申请日期2005年5月27日 优先权日2005年5月27日
发明者廖启新, 邓智泉, 王晓琳, 陈姝, 刘艳君 申请人:南京航空航天大学