专利名称：金刚石膜气体检测传感器的利记博彩app
技术领域：
本实用新型属一种气体传感器，特别涉及一种包含金刚石膜/纳米金刚石膜，用于检测气体的传感器。
本实用新型的目的是这样实现的本实用新型提供的金刚石膜气体检测传感器，包括衬底、在衬底的一个面上有一层金刚石膜/纳米金刚石膜；其特征在于在金刚石膜/纳米金刚石膜上的两边各设置一条形金属电极，测量引线连接在其上；在衬底的另一面制作一金属加热电阻，加热电阻引线连接在加热电阻两端。
所述的金刚石膜/纳米金刚石膜厚至少为0.5μm以上。
所述的衬底包括单晶硅片、石英或陶瓷等，并经过抛光的。
所述的金刚石膜上Ti/Pt/Au电极为沉积50-200nm的Ti，100-400nm的Pt和200-600nm的Au的复合金属；其宽度为3-7mm，长度与衬底宽度一致。
所述的金属加热电阻包括Ti、Pt、Au、W或Mo等；加热电阻的形状包括条形、梳形或齿形等，均没有严格限制；只要其面积小于15mm×15mm，其电阻为0.1-5Ω；没有杂质从加热电阻中被蒸发，能达到将衬底加热到最高400℃即可。
所述的加热电阻引线和测量引线均由Au或Pt等制作。
为了达到表面电阻的测量更准确；还包括选择硅材料做衬底时，可在衬底表面生长一100-600nm的SiO2绝缘层，再在SiO2绝缘层上生长金刚石膜/纳米金刚石膜；本实用新型的传感器中由于加热电阻的设计，一方面是为了使金刚石膜吸附气体后在高温下(300℃)尽快恢复，提高恢复时间；另一方面是提高金刚石膜在高温下对气体吸附的响应时间。金刚石膜是采用热灯丝化学气相沉积(HFCVD)或微波化学气相沉积(MWPCVD)方法制备的，含有微米/亚微米晶粒的金刚石膜是在传统的研磨或偏压成核的衬底上，利用甲烷和氢气在高温下反应而合成的。纳米金刚石膜是在直流负偏压下用H+离子连续轰击衬底生长出来的，通过H2或H等离子体中的退火减小金刚石膜中的应力，同时形成H键饱和的P型金刚石膜表面。之后采用溅射方法在生长的金刚石膜表面两端依次沉积金属Ti、Pt、Au，形成测量电极，用点焊Au丝做测量引线，制成气体传感器。纳米金刚石膜的采用，是为了获得高灵敏度。采用任何一种传统的生长金刚石膜的方法，制备的含微米、亚微米级或纳米晶粒的金刚石膜经退火处理都可作为敏感膜，但其对检测气体的灵敏度以纳米金刚石膜为最高。
本实用新型的优点在于本实用新型的金刚石膜/纳米金刚石膜气体传感器是一种采用微米/亚微米或纳米金刚石膜为敏感材料，利用其H终止表面所表现出的P型半导体特性，使吸附的气体与金刚石膜表面交换电子，从而改变金刚石膜表面电阻，达到常温或高温下对低浓度气体的高灵敏度、高选择性检测。
采用上述方法制作的金刚石膜/纳米金刚石膜气体传感器可实现对气体的检测。如对NOx，在该气氛中金刚石膜的表面电阻将减小。而对NH3，在该气氛中金刚石膜表面电阻将增加。在常温下，纳米金刚石膜检测的气体浓度可以达到几个ppm量级，高温下(300℃)可以检测到ppb量级。对微米/亚微米晶粒构成的金刚石膜，常温下可以检测到几十个ppm，高温下可以检测到几个ppm。对金刚石膜/纳米金刚石膜气体传感器，加热可以使吸附的气体尽快脱附。通常，在300℃下，恢复时间小于1分钟(纳米金刚石膜的恢复时间小于30秒)，而在常温下，恢复时间大于1小时。
本实用新型的金刚石膜/纳米金刚石膜气体传感器具有高选择性，高灵敏度，快速的响应与恢复，良好的一致性及耐高温和抗辐射等高稳定性的优点，同时具有工艺简单，便于集成化的特点，因而适于大批量、低成本生产。
实施例2本实施例的传感器具体结构参见图2，在抛光的单晶硅片做衬底1，在衬底1的一面上长有一层1.5μm厚的金刚石膜/纳米金刚石膜6；在其金刚石膜6上的两边各沉积一Ti/Pt/Au电极4，其Ti厚100nm，Pt厚200nm和Au厚400nm的复合金属电极；其宽度为5mm，长度与衬底宽度一致；2根Au丝测量引线5连接在电极4上。其衬底1的背面制作一呈条形的Ti加热电阻2，其厚度800nm的金属膜，采用光刻技术，将金属膜刻蚀出条宽为10或50μm的Ti金属条，其面积为15mm×15mm，电阻值为1.5Ω；用金做的加热电阻引线3连接在加热电阻2的两端。
实施例3本实施例的传感器具体结构参见图2和图3，在抛光的单晶硅片做衬底1，其背面制作一呈梳状Pt加热电阻2，两根金丝做加热电阻的引线3与加热电阻2的两端连接。加热电阻2的设计一方面是为了使金刚石膜吸附气体后在高温下(300-400℃)尽快恢复，提高恢复时间；另一方面是提高金刚石膜在高温下对气体吸附的响应时间。电极制作后，在硅衬底的正面，采用低压CVD方法，沉积200-600nm的二氧化硅做绝缘层，为了提高测量的准确性；其余同实施例1。
金刚石膜是采用热灯丝化学气相沉积(HFCVD)或微波化学气相沉积(MWPCVD)方法制备的，含有微米/亚微米晶粒的金刚石膜是在传统的研磨或偏压成核在衬底上，利用甲烷和氢气在高温下反应而合成的。纳米金刚石膜是在直流负偏压下用H+离子连续轰击衬底生长出来的，通过H2或H等离子体中的退火减小金刚石膜中的应力，同时形成H键饱和的P型金刚石膜表面。之后采用溅射方法在生长的金刚石膜表面两端依次沉积金属Ti、Pt、Au，形成测量电极4，用点焊Au丝做测量引线3，制成气体传感器。纳米金刚石膜的采用，是为了获得高灵敏度。采用任何一种传统的生长金刚石膜的方法，制备的含微米、亚微米级或纳米晶粒的金刚石膜经退火处理都可作为敏感膜，但其对检测气体的灵敏度以纳米金刚石膜为最高。
实施例4选用两面均经过抛光的石英作为衬底，在其中一面(背面)制作加热电阻，具体结构仍可参见图2和图3，不同的是衬底1其背面制作一层Mo加热电阻2，其面积为10mm×10mm；电阻为0.1-5Ω；加热电阻的形状为条形；为提高Mo与适应的附着力，在蒸镀Mo前可先蒸镀100-200nm的Cr。
权利要求1.一种用于检测气体的传感器，包括衬底、在衬底的一个面上有一层金刚石膜/纳米金刚石膜；其特征在于在金刚石膜/纳米金刚石膜上的两边各设置一条形金属测量电极，Au丝测量引线连接在其上；在衬底的另一面制作一金属加热电阻，加热电阻的测量引线连接在加热电阻两端的。
2.按权利要求1所述的用于检测气体的传感器，其特征在于所述的金刚石膜/纳米金刚石膜厚度至少为0.5μm以上。
3.按权利要求1所述的用于检测气体的传感器，其特征在于所述的条形金属测量电极为宽度为3-7mm，长度与衬底宽度一致。
4.按权利要求1所述的用于检测气体的传感器，其特征在于所述的金属加热电阻的形状包括条形、梳形或齿形；其面积小于15mm×15mm。
专利摘要本实用新型涉及一种包含金刚石膜/纳米金刚石膜，用于检测气体的传感器。该传感器包括衬底、在衬底的一个面上有一层金刚石膜/纳米金刚石膜；其特征在于在金刚石膜/纳米金刚石膜上的两边各设置一条形金属电极，Au丝测量引线连接在其上；在衬底的另一面制作一金属加热电阻，加热电阻的测量引线连接在加热电阻两端的。本实用新型的金刚石膜/纳米金刚石膜气体传感器具有高选择性，高灵敏度，快速的响应与恢复，良好的一致性及耐高温和抗辐射等高稳定性的优点，同时具有工艺简单，便于集成化的特点，因而适于大批量、低成本生产。
文档编号G01N27/04GK2566267SQ0224431
公开日2003年8月13日 申请日期2002年8月7日 优先权日2002年8月7日
发明者顾长志, 贾继奎, 刘维, 窦艳 申请人:中国科学院物理研究所