专利名称：表面检测装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种应用于半导体制造中的检测工序，用来检测晶片表面有无附着微粒等异物的表面检测装置。
背景技术：
晶片的表面检测装置可让激光照射在高速转动的晶片表面，让激光的照射位置沿半径方向以规定的间隔或速度移动，同时扫描晶片的整个表面，并检测出晶片表面上反射的反射光。由于反射光可根据晶片表面上异物的情况发生散射，散射情况可根据异物粒径发生变化，因此就能根据检测出的散射光情况的变化判定异物的有无以及异物的大小。
检测散射光的光敏传感器的敏感度、反应性可通过光敏传感器上的外加电压进行调整。就是说，通过选择合适前述光敏传感器上的外加电压，就能进行稳定的异物检测。为此，在进行晶片的表面检测时，在检测之前，使用与要检测对象的表面性质相一致，且涂敷着规定的直径、个数的标准微粒的校正用晶片，调整(校正)光敏传感器的反应性。
以往的光敏传感器的校正，在每次检测开始前，都要先把校正用晶片从表面检测装置外部搬入表面检测装置内，把校正用晶片装填在表面检测装置的晶片检测处，然后再进行。
让激光照射在校正用晶片上，由光敏传感器接受散射光，为使可根据感光状态判定出的异物的附着状态与校正用晶片的已知数据相一致，调整前述光敏传感器的外加电压。
上述以往的表面检测装置，因校正用晶片的搬入搬出工作由操作者人工完成，因而工作效率很低。此外，校正用晶片要被作为基准物，不能因附着微粒等而产生污染，然而因人工操作的介入，使得微粒附着在晶片表面的可能性增高。因为伴随有校正用晶片从外部的搬入搬出工作，光敏传感器的敏感度调整之后，不能立即进行晶片的表面检测，在表面检测进行之前还会不可避免地经过一段时间。因此，有可能产生光敏传感器的反应性的漂移等时效变化，也可能对检测误差产生影响。
需要把校正用晶片保管在表面检测装置外部的纯净气氛中，也需要其他的校正用晶片的保管场所或保管装置。
发明概述本发明的目的是使表面检测装置的校正工序中，不介入人工工作，提高检测效率；防止由于校正用晶片的微粒等而产生的污染；抑制光敏传感器的反应性的时效变化，从而提高检测精度。
为达到上述目的，与本发明有关的表面检测装置具有附着有规格已知微粒的校正用晶片、具有自动搬运装置的晶片搬运部、表面检测部、收纳前述校正用晶片的校正用晶片收纳部；本发明涉及的表面检测装置中的前述校正用晶片收纳部是可以开关的气密的防尘空间；本发明涉及的表面检测装置中的前述校正用晶片的收纳部被设在前述晶片搬运部上；本发明涉及的表面检测装置中的前述校正用晶片的收纳部被设在前述表面检测部；本发明涉及的表面检测装置中的前述校正用晶片的收纳部把前述校正用晶片以垂直姿势收纳保持；本发明涉及的表面检测装置中的前述校正用晶片的收纳部被设置在前述表面检测部的晶片装载面的上方；本发明涉及的表面检测装置的前述晶片搬运部处设有净化装置，该净化装置把纯净空气送向前述晶片搬运部内，相对于前述自动搬运装置，前述校正用晶片收纳部配置在纯净空气流的上游处；本发明涉及的表面检测装置的前述表面检测部具有计算机，该计算机具有目标晶片的表面检测程序、校正程序、自动搬运装置驱动程序；通过执行该自动搬运装置驱动程序、前述表面检测程序和校正程序，连续地进行将前述校正用晶片向该自动搬运装置的表面检测部的搬入、前述校正用晶片的表面检测、校正的执行、前述校正用晶片的搬出；本发明涉及的表面检测装置，收纳前述校正用晶片的氛围为惰性气体氛围；本发明涉及的表面检测装置，前述校正用晶片收纳部被惰性气体充满；本发明涉及的表面检测装置的前述表面检测部具有计算机，前述校正用晶片收纳部收纳多个校正用晶片，前述计算机记录各个校正用晶片的搬运过程记录。
图1表示本发明的实施例的主要部分的侧视图；图2表示本发明的实施例的主要部分的后视图；
图3表示本发明的实施例的俯视图；图4表示本发明的实施例的俯视图；图5表示本发明的实施例的俯视图；图6表示本发明的实施例的系统框图；图7表示本发明的校正动作的流程图；图8表示本发明的第2实施例的俯视图。
具体实施例方式
以下参考附图来说明本发明的实施例。
首先，参照图1-图6说明与本实施例相关的表面检测装置。
表面检测装置安置在净室内。
如图3所示，紧挨着晶片的搬运部1的一个侧面处配设有表面检测部2，同时，紧挨着晶片搬运部1的另一个侧面处设有接受箱体的载物台3。
上述表面检测部2如图6所示，主要部件有安装着晶片5的检测平台4；使检测平台4高速转动的马达6；发射检测激光的激光源7；将激光照射到晶片5表面的投影部8；接收来自上述晶片5表面的激光的反射光，将感光状态转变成电信号，并将该电信号输入计算机11的光敏元件9；可检测出上述晶片5表面上反射的散射光的光敏传感器12；将来自光敏传感器12的感光信号放大，作A/D转换等所需的信号处理，然后将上述信号输出到上述计算机11的信号处理部13；前述计算机11以来自前述光敏元件9的信号为基础，控制前述激光源7的发光状态；此外，前述计算机11基于来自前述信号处理部13的信号，计算前述晶片5上附着的微粒的数目等等。
前述计算机11的计算结果，即表面检测结果被输出到打印机14和显示器15。此外，从操作部16输入检测开始指令或是检测条件等。
此外，前述计算机11内部设有表面检测程序，与此同时，内部还设有可驱动并控制前述晶片搬送部1的自动搬送装置17的顺序程序指令，还会发出在前述晶片搬运部1上搬入搬出前述晶片5的控制信号。前述表面检测程序如后述所示，包含实施对目标晶片的表面进行检测的程序和校正程序。该校正程序可以根据所给定的条件自动动作。可以选取作为检测对象的晶片5的变化时刻、表面检测的经过时间、检测次数、前述激光发射源7的使用时间、装置内的污染程度等作为条件。此外，前述校正程序可以按照操作者的意志动作代替自动动作。
装有前述晶片5的箱体10在前述接受箱体的载物台3上被搬运装载。
前述晶片搬运部1是通过框架25和设在框架25上的面板(图中未表示出)构成密闭的框体，主要有该框体下部设有的电源(图中未表示出)、驱动部26，框体底面竖立地设置的前述自动搬送装置17、框体上部设有的净化装置27，框体中间形成晶片搬运空间28。
前述净化装置27将净化后的空气向下方放出，在前述晶片搬送空间28内，就会形成从上方向下方流动的洁净的空气流。
前述自动搬送装置17设有升降部18、安装在升降部18的上端的2组臂部19、20，在臂部19、20的顶端设有晶片装载板21、22。
前述臂部19、20是多节臂结构，根据该臂部19、20的屈伸，前述晶片装载板21、22就可以独立进退，与此同时，前述臂部19、20也可转动。
校正用的晶片收纳部29被安装在前述自动搬送装置17的动作范围内的框体25处，使其位于前述晶片搬送空间28的上部。前述校正用的晶片收纳部29被配置在上述净化的空气流中。最理想的布置方案是该校正用晶片收纳部29的上游不产生障碍物，纯净的空气流在该校正用晶片收纳部29的周围同样地流动，不产生滞留部。
此外，虽然前述自动搬运装置17在搬运中产生灰尘，由于前述校正用晶片收纳部29被配置在前述自动搬运装置17的上方，于是前述校正用晶片收纳部29位于纯净的空气流的上游，这样因前述自动搬运装置17产生的微粒不会到达前述校正用的晶片收纳部29中。
该校正用晶片收纳部29具有上下2级地装载校正用晶片31的晶片装载板32。被保存在前述校正用晶片收纳部29上的校正用晶片31具有多个分割区域，各区域的微粒、微粒个数或者分布密度不同，于是附着规定材质(PSL)的微粒，通过1个校正用晶片31能得到多个校正条件。
像上述那样，由于在前述校正用的晶片收纳部29的周围，也就是被容纳的校正用晶片31的周围，形成了连续流动的纯净的空气流，所以纯净空气中少量含有的微粒也不会附着在校正用晶片31上，这样该校正用晶片31的表面就总能保持洁净的状态。
此外，上述校正用晶片收纳部29也可以使前述校正用晶片31以垂直状态保持收纳。使校正用晶片保持垂直姿势，该校正用晶片31就与洁净空气流保持平行，因此微粒就更不易附着。
在前述校正用晶片收纳部29把前述校正用晶片31以垂直状态收纳到收纳部的情况下，前述自动搬运装置17处具有使晶片可以转动90度的能力。也可以在前述校正用晶片31被收纳后，前述校正用晶片收纳部29的本体转动90度。可以选择合适的方法使该校正用晶片31转动，以使被收纳在前述校正用晶片收纳部29中的校正用晶片31垂直。
此外，为使在前述校正用晶片收纳部29上被收纳的校正用晶片31能防尘，可以把前述校正用晶片收纳部29作成密闭容器，并设置可以开关的搬运出入口。
或者仅把该校正用晶片收纳部29作成一个棚架，并将上述箱体10代替密闭容器设置在该校正用晶片收纳部29上。
以下介绍一下前述晶片的搬运动作。
首先，参考图5介绍一下校正用晶片31的搬运。
收纳该校正用晶片3 1的箱体10’被搬运到前述接受箱体的载物台3处。在前述箱体10’处1个或多个校正用晶片31被收纳。在多个校正用晶片31被收纳的情况下，可对各个校正用晶片31根据附着的微粒直径、微粒个数或分布密度的不同加以选择。
前述自动搬运装置17上升或下降到前述校正用晶片31的搬运基准面处，利用前述臂部19、20中任何一个(以下围绕臂部19来说明)的转动、屈伸的协调动作下，保持前述箱体10’内校正用晶片31，通过前述升降部18的升降、前述臂部19的屈伸、转动的协调动作，从前述箱体10’处抽出前述校正用晶片31，把前述校正用晶片31放入到前述晶片搬运部1内，在前述臂部19转动的同时前述升降部18上升。当搬运基准面达到前述校正用晶片收纳部29的高度，在前述臂部19的转动、屈伸以及升降部18的升降协调动作下，前述校正用晶片31就被移动装载到前述校正用晶片收纳部29。
当有多个前述校正用晶片31的情况下，该校正用晶片31的搬运过程记录等被存储到前述计算机11，前述校正用晶片31的种类和在前述校正用晶片收纳部29的收纳位置被联系起来。
重复上述搬运动作，所有的校正用晶片31从前述箱体10’被搬运到前述校正用晶片收纳部29。
除前述箱体10’以外，收纳有被检测用的晶片5的箱体10被搬运到接收箱体的载物台3上。
进行前述晶片5的表面检测之前，先进行检测部(光敏传感器12、信号处理部13)的校正。
首先，如图3所示，前述校正用晶片31被搬运到前述检测平台4处。当被收纳在前述校正用晶片收纳部29处的校正用晶片31是多个的时候，被搬运的校正用晶片31是与前述晶片5相对应的晶片，例如选择相同的膜质，成为检测对象的微粒直径、微粒的个数、或分布密度等条件一致的晶片。
前述自动搬运装置17上升，在前述臂部19、20的任何一个(以下就前述臂部19进行说明)转动、屈伸的协调动作下，保持着前述校正用晶片收纳部29的校正用晶片31，通过前述臂部19的屈伸、转动的协调动作，使前述校正用晶片31从前述校正用晶片收纳部29抽出，此外前述自动搬运装置17下降。通过该自动搬运装置17的转动、前述臂部19的屈伸，将前述校正用晶片31装载到前述表面检测部2内的前述检测平台4上。
前述臂部19从前述表面检测部2退出，对前述校正用晶片31进行表面检测。
前述检测平台4通过前述马达6发生转动，激光通过前述投影部8照射到前述校正用晶片31上。在该校正用晶片31上被反射的光线在前述光敏元件9处被感光，感光结果被输入到计算机11。为使投向前述校正用晶片31的激光的投射状态保持不变，计算机11根据感光结果，控制前述激光光源7。
此外，在前述校正用晶片31表面处若有微粒等异物激光就会产生散射光。前述光敏传感器12可检测出该散射光。散射光的状态与异物的微粒直径、数量相对应。
在前述校正用晶片31处，附着的异物的状态(异物的粒径、微粒个数等)已知，因此可通过把来自前述光敏传感器12的感光信号与前述校正用晶片31的表面状态的已知数据进行核对来实施校正。校正会调整前述光敏传感器12处的外加电压，并调整该光敏传感器12的灵敏度。或者，调整前述信号处理部13的感光信号的放大率。或者，通过采用象以上两种方法等的合适的方法来进行校正。
校正完成后，通过前述自动搬运装置17将前述检测平台4上的前述校正用晶片31搬出，通过臂部19使该校正用晶片31返回到前述校正用晶片收纳部29中。
接下来，如图4所示那样，前述检测对象的晶片5从位于接受箱体的载物台3上的箱体10中被搬运到前述检测平台4上。
在前述自动搬运装置17的升降、转动、屈伸的协调动作下，前述晶片5从前述箱体10抽出，被搬运到前述检测平台4上。前述臂部19从前述表面检测部2处退出。
激光光线从前述投影部8照射到前述晶片5处，通过前述光敏传感器12进行散射光的检测。散射光通过该光敏传感器12被转换成电信号，通过前述信号处理部13进行信号处理，再被输入到前述计算机11中。在该计算机11中，以前述信号处理部13的信号为基准计算出异物的数量、异物微粒的直径等。计算结果被保存在硬盘等存储装置(图中未表示出)中，再在前述显示器15上显示出来。
表面检测完一个晶片5后，通过前述自动搬运装置17，这个晶片5从前述检测平台4处返回到前述箱体10中，再继续进行下一个晶片5的表面检测。该晶片5表面的反射率、反射状态会因晶片5表面处形成的薄膜种类不同而不同，因此在检测对象的晶片5的薄膜种类不同的情况下，随着薄膜种类的变化进行校正。
考虑到薄膜种类的变化，为使前述校正用晶片收纳部29处收纳多个薄膜种类不同的校正用晶片31，选择与晶片5的薄膜种类相一致的校正用晶片31，以便进行最合适的校正。
此外，使前述校正用晶片收纳部29设置成多个，例如像图3所示，对称地设置2个该校正用晶片收纳部29，就可使前述校正用晶片3的收纳个数增加。
通过图7，对校正动作进行具体说明。
把从上述箱体10’向前述校正用晶片收纳部29搬运前述校正用晶片31的一系列搬运动作作为校正用晶片搬送程序存储到前述计算机11中，操作者可在表面检测装置的前述操作部16处直接启动校正用晶片搬运程序以搬运前述校正用晶片31，再像后述那样，并入到表面检测程序中就可以作为表面检测的一个工序搬运前述校正用晶片31。
从前述操作部16执行开始命令。
表面检测程序被启动，在前述显示器15处出现检测菜单的画面。
在该检测菜单画面中选择前述校正用晶片31的搬运。搬运菜单画面被打开。操作者通过前述操作部16把在前述箱体10’处收纳了何种规格(膜质、粒子直径、粒子的个数、或分布密度)的校正用晶片31告知给前述计算机11。特别是，有多个前述校正用晶片31的情况下，在前述箱体10’何位置处放置何种规格的校正用晶片31，都会通过前述操作部16告知给计算机。
当下达搬运开始的指令时，前述校正用晶片31就从接受箱体的载物台3的箱体10’处被搬运到前述校正用晶片收纳部29。
前述校正用晶片31的搬运过程记录被存储在前述计算机11，在前述校正用晶片收纳部29的何位置处收纳何种规格的校正用晶片31，都被前述计算机11存储。
检测菜单画面被启动，即检测开始。
根据前述检测菜单画面选择校正通道。此外，作为校正通道，选择半径方向的扫描间隔等检测条件。在对目标晶片实施表面检测时，在这个检测菜单画面上选择实施检查。
此外，在该检测菜单画面上，选择最适合的灵敏度条件设定模式，以及最高能够检测的微粒直径，为达到最适合的灵敏度程度设定检测条件。
选择作为检测对象的晶片表面的膜质。为了设定装置的灵敏度特性，进行增益的选择。
上述检测条件被输入的时候，前述计算机11判断与被输入的条件相一致的校正用晶片31是否被收纳到前述校正用晶片收纳部29中，未被收纳的情况下检测终止，相应的校正用晶片31未被收纳的指示会被前述显示器15显示出。或者，显示出必要的校正用晶片31的规格，促使操作者更换或补充该校正用晶片31。收纳有合适的校正用晶片31的箱体10’被装置在前述接受箱体的载物台3上，在前述校正用晶片收纳部29处，被收纳的校正用晶片31就与合适的校正用晶片31交换。
与表面检测条件范围相应的校正用晶片31被收纳在前述校正用晶片收纳部29的情况下，检测继续进行。
由前述操作部16下达开始执行校正模式的指令。
前述自动搬运装置17开始运转，从前述校正用晶片收纳部29中选择与预先设定的检测条件相匹配的前述校正用晶片31，将该校正用晶片31搬运到前述检测平台4处。
用校正模式进行晶片的表面检测。
经过检测，判断与附着在前述校正用晶片31处的微粒直径相对应的微粒直径的输出值是否被分离检测出，如果未被检测出的情况下，就根据光敏元件，即前述光敏传感器12或前述信号处理部13，或者前述光敏传感器12和信号处理部13两者，进行前述光敏传感器12的外加电压、前述信号处理部13的放大率的调整以及敏感度的调整。
在微粒输出值被分离并检测到的情况下，判断检测基准是否为合适值，不合适的情况下，再次调整光敏元件的敏感度。合适的情况下，就结束最合适敏感度条件设定模式。
接着，在检测菜单画面选择低灵敏度条件的设定模式，选择最低能够检测出的微粒直径。
用校正模式进行晶片的表面检测。
经过检测，判断与附着在前述校正用晶片31处的微粒直径相对应的微粒直径的输出值是否是合适范围，如果为不合适，调整光敏元件的灵敏度。如果是合适范围，就结束低敏感度条件的设定模式。
进行全部微粒直径的校正测量，并进行检出微粒直径和检出基准的设定。
结束校正模式。前述自动搬运装置17与校正模式结束同步地被驱动，前述校正用晶片31被送回到前述校正用晶片收纳部29。
实施目标晶片5的表面检测时，通过在检测菜单画面内选择实施检测使检测开始。或者，也可以在工序中编入校正动作结束后实施下一个目标晶片5的表面检测。或者，也可以把校正工序编入到目标晶片5的表面检测的执行工序中，由前述操作部16指令执行表面检测，连续进行校正动作及表面检测。
而且，由于通过前述校正用晶片收纳部29把前述校正用晶片31保持在前述晶片搬运部1内，因此可以连续并且自动地进行检出部的校正和目标晶片5的表面检测。
光敏元件的校正，可以在每次对目标晶片5实施表面检测时进行；在光敏元件处于稳定状态的情况下，也可以定期或在维护检修时进行校正。
对于上述实施例，在有多个前述校正用晶片31的情况下，前述计算机11会根据检测条件判断前述校正用晶片31的规格并自动做出选择，也可以把校正用晶片31的规格告知给计算机。这种情况下，该校正用晶片31被搬运到前述校正用晶片收纳部29，前述显示器15就显示出前述校正用晶片31的规格和其在校正用晶片收纳部29中所处的位置。操作者也可以根据显示出的内容，选择校正用晶片31，启动前述校正用晶片的搬运程序，把前述校正用晶片31搬运到前述检测平台4处。
图8是第2种实施例的表示图。
第2实施例中，前述表面检测部2内设有校正用晶片收纳部33。
为进行表面检测，前述检测平台4可进行水平方向(图8的上下方向)的移动和升降。第2种实施例中，利用这样的检测平台4的一系列动作把校正用晶片31从该检测平台4搬运到前述校正用晶片收纳部33中。于是，从前述接受箱体的载物台3的箱体10’向前述校正用晶片收纳部33搬运校正用鼎片31，该搬运是这样进行的，先通过前述自动搬运装置17把前述校正用晶片31搬运到前述检测平台4处，然后通过检测平台4将前述校正用晶片31向前述校正用晶片收纳部33搬运。
前述校正用晶片31被收纳在前述校正用晶片收纳部33内的情况下，通过前述自动搬运装置17(通过上述表面检测工作已经说明)进行的前述校正用晶片31的搬运，就通过前述检测平台4来进行。
图8中，34是隔板，为不使通过前述检测平台4的前述校正用晶片31的搬运出现故障，该隔板以下部开放的状态将包含前述校正用晶片收纳部33的部分的空间和包含表面检测时的前述检测平台4的部分的空间分隔开，以使因该检测平台4的转动而可能产生的微粒不向前述校正用晶片收纳部33侧移动。
如上述那样，前述校正用晶片31被反复使用，因此有可能被长期保存在表面检测装置内，而在长期保管的情况下，在前述校正用晶片31的表面上会产生自然氧化膜，可能会引起底板噪音的灵敏度变化。
第3的实施例中，让氮气等惰性气体充满收纳有前述校正用晶片31的空间中，就可以抑制自然氧化膜的产生。
前述晶片搬运部1处设有开放型的前述校正用晶片收纳部29，在此情况下，使前述净化装置27放出的净化气体为氮气，在前述校正用晶片收纳部29是密闭容器的情况下，用氮气充满该校正用晶片的收纳部29内，此外，在该校正用晶片收纳部29开关时，为了不让外部空气流入，在该校正用晶片收纳部29内加正压力。
此外，开放型的前述校正用晶片收纳部33被设在前述表面检测部2内的情况下，用前述隔板34分隔出的包含前述校正用晶片收纳部33的空间内充填氮气。前述校正用晶片收纳部33是密闭容器的情况下，用正压填充氮气。
前述校正晶片收纳部29、前述校正用晶片收纳部33作为密封容器，通过正压力用惰性气体充填，此情况下，可以在向前述校正用晶片收纳部29、前述校正用晶片收纳部33供给/排放气体的管道(图中未表示出)处设压力调整阀门(图中未示出)。通过控制压力，在前述校正用晶片收纳部29、前述校正用晶片收纳部33开关时就不会由于内外压力差而产生很大的空气流。
本发明中具备附着已知规格的微粒的校正用晶片、具有自动搬运装置的晶片搬运部、表面检测部、收纳有前述校正用晶片的校正用晶片收纳部，因此，不需要向校正用晶片的表面检测装置搬入或搬出的步骤，提高了工作效率。
由于前述校正用晶片收纳部是可以开关的气密性好的防尘空间，因此可防止微粒附着在被收纳的校正用晶片上。
前述校正用晶片收纳部以垂直姿势收纳前述校正用晶片，因此可抑制微粒的附着。
由于在前述表面检测部的晶片装载面处的上方设有前述校正用晶片收纳部，因此可防止在表面检测时可能产生的微粒的附着。
在前述晶片搬运部处设有净化装置，该净化装置将纯净空气送向前述晶片搬运部内，前述校正用晶片收纳部相对于前述自动搬运装置被设置在纯净空气流的上游，因此可以防止微粒附着在校正用晶片上。
前述表面检测部具有计算机，该计算机具有目标晶片的表面检测程序、校正程序、自动搬运装置驱动程序，通过该自动搬运驱动程序、前述表面检测程序以及校正程序的执行，连续进行将前述校正用晶片向前述自动搬运装置的表面检测部搬运的过程、前述校正用晶片的表面检测、校正的实施及前述校正用晶片的搬出过程，因此，校正工作实现自动化，工作效率也大大提高。
由于前述校正用晶片的周围空间为惰性气体氛围，因此可抑制自然氧化膜的生成，防止表面情况发生变化，可以进行长期的稳定的表面检测。
权利要求
1.一种表面检测装置，包括附着规格已知的微粒的校正用晶片、具有自动搬运装置的晶片搬运部、表面检测部、收纳前述校正用晶片的校正用晶片收纳部。
2.根据权利要求1的表面检测装置，前述校正用晶片收纳部是可以开关的气密防尘空间。
3.根据权利要求1的表面检测装置，前述校正用晶片收纳部被设置在前述晶片搬运部中。
4.根据权利要求1的表面检测装置，前述校正用晶片收纳部被设置在前述表面检测部中。
5.根据权利要求1的表面检测装置，前述校正用晶片收纳部以垂直姿态收纳保存前述校正用晶片。
6.根据权利要求1的表面检测装置，在前述表面检测部的晶片装载面的上方设置前述校正用晶片收纳部。
7.根据权利要求1的表面检测装置，在前述晶片搬运部处设有净化装置，该净化装置将纯净空气送向前述晶片搬运部内，将前述校正用晶片收纳部相对于前述自动搬运装置被配置在纯净空气流的上游处。
8.根据权利要求1的表面检测装置，前述表面检测部具有计算机，该计算机设有目标晶片的表面检测程序、校正程序、自动搬运装置驱动程序，通过该自动搬运装置驱动程序、前述表面检测程序以及校正程序的执行，连续地进行前述校正用晶片面向前述自动搬运装置的表面检测部的搬入、前述校正用晶片的表面检测、校正的实施及前述校正用晶片的搬出。
9.根据权利要求1的表面检测装置，使收纳前述校正用晶片的氛围为惰性气体氛围。
10.根据权利要求3或4的表面检测装置，用惰性气体充填前述校正用晶片收纳部。
11.根据利要求1的表面检测装置，前述表面检测部具有计算机，前述校正用晶片收纳部收纳多个校正用晶片，前述计算机记录各种校正用晶片的搬运过程记录。
全文摘要
一种表面检测装置，具有附着了已知微粒的校正用晶片、具有自动搬运装置的晶片搬运部、表面检测部、收纳前述校正用晶片的校正用晶片收纳部。
文档编号G01N21/93GK1407329SQ0214290
公开日2003年4月2日 申请日期2002年8月10日 优先权日2001年8月10日
发明者矶崎久, 松田正则 申请人:株式会社拓普康