专利名称：变温的高阻半导体材料光电测试装置的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体材料光电测试装置，特别是指一种变温的高阻半导体材料光电测试装置。
可改变温度的用于半绝缘材料的光电特性测试装置，现有的设备只能在很短的温度范围内进行测量，且无法判别参与荷电状态的载流子的性质，而在高阻半导体材料的研究中在低温段的杂质、缺陷能级位置的确定及载流子导电类型的判别是十分重要的。现有设备无法满足高阻半导体材料测试的这些要求。
本实用新型的目的在于，提供一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其是使被测高阻样品置于一个外加的磁场中进行变温光电测量，能分辨载流子导电的类型。
本实用新型的另一目的在于，提供一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其具有结构简单合理和操作方便的优点。
本实用新型一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其特征在于，其中包括一真空腔，该真空腔为圆柱体，该真空腔内为真空室；一真空室上罩，该真空室上罩罩扣于真空腔的上面；一真空室底盘，该真空室底盘用螺丝固定在真空腔的下面，该真空室底盘的中间有一通孔；一冷井，该冷井为圆桶体，其上下端均封闭，在其下端开有两通孔；一样品座，该样品座固定在冷井的上端。
其中该真空腔的侧壁上开有供接线端引出的小孔，在该小孔的外面有封闭盖；在真空腔的内壁的上下端形成有环状凸台。
其中该冷井的外周壁面固定有金属膜加热器，该冷井下端两通孔分别为液氮的入口和出口，并与液氮管路相连接。
其中该样品座的断面概似一工字形，其上有一传感器，下面有一磁铁。
其中在真空腔内壁的凸台上固定有两个接线柱，该接线柱为绝缘材料制成，该接线柱上固定有探针。
其中该接线端包括第一接线端、第二接线端、第三接线端，其第一接线端与探针连接，第二接线端与样品座连接，第三接线端与金属膜加热器连接。
其中该真空室上罩的中间开有一观察孔，该观察孔上有一透明盖。
其中在真空腔与真空底盘、真空腔与真空室上盖之间有一真空密封圈。
其中在观察孔和透明盖之间有一真空密封圈。
为进一步说明本实用新型的结构和特征，以下结合实施例及附图对本实用新型作一详细描述，其中
图1为本实用新型的结构剖面图。
请参阅图1所示，一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其中包括一真空腔10，该真空腔10为圆柱体，该真空腔10内为真空室17；其中该真空腔10的侧壁上开有供接线端16引出的小孔13，在该小孔13的外面有封闭盖14；在真空腔10的内壁的上下端形成有环状凸台11、12；其中在真空腔10内壁的凸台11上固定有两个接线柱15，该接线柱15为绝缘材料制成，该接线柱15上固定有探针90。
一真空室上罩20，该真空室上罩20罩扣于真空腔10的上面；该真空室上罩20的中间开有一观察孔51，该观察孔51上有一透明盖52，该观察孔51可随时观察样品的测试过程。
一真空室底盘30，该真空室底盘30用螺丝固定在真空腔10的下面，该真空室底盘30的中间有一通孔31，该通孔31供液氮管路60通过。
一冷井40，该冷井40为圆桶体，其上下端均封闭，在其下端开有两通孔41、42；该冷井40下端两通孔41、42分别为液氮的入口和出口，并与液氮管路相连接；该冷井40的外周壁面固定有金属膜加热器41。
一样品座50，该样品座50固定在冷井40的上端；该样品座50的断面概似一工字形，其上有一传感器70，下面有一磁铁80。
其中在真空腔10内壁的凸台11上固定有两个接线柱15，该接线柱15为绝缘材料制成，该接线柱15上固定有探针90；该接线端16包括第一接线端161、第二接线端162、第三接线端163，其第一接线端161与探针90连接，第二接线端162与样品座50连接，第三接线端163与金属膜加热器41连接。该接线端16分别与外界的温度传感器指示器和控制装置(为已有技术)连接。
其中在真空腔10与真空底盘30、真空腔10与真空室上盖20之间有一真空密封圈；在观察孔51和透明盖52之间有一真空密封圈。
本实用新型的测试过程为首先在样品座50上放置一待测试的样品100，将测试探针90压放在样品表面的适当位置上，温度传感器经真空腔10上的接线端16与外界温度传感器指示器相连，再将真空室17抽成真空，即可对样品进行测试。
测试过程中的温度扫描是通过将液氮从液氮管路60充入冷井40内，开启冷井40外壁面的金属膜加热器41，使温度升至所需温度，升温速率可由外部连接的控制装置调节。
本实用新型的特点是使被测高阻样品置于一个外加的磁场中进行变温光电测量，克服了原设备不能分辨载流子导电类型的局限性。因而使本实用新型成为研究各种半绝缘材料特性的有力工具。
由此可见，本实用新型的高阻半导体材料光电测试系统为高阻半导体材料样品的检测，提供了可靠的方法，解决了现有设备无法解决的问题，并满足了控温与测温的要求。
权利要求1.一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其特征在于，其中包括一真空腔，该真空腔为圆柱体，该真空腔内为真空室；一真空室上罩，该真空室上罩罩扣于真空腔的上面；一真空室底盘，该真空室底盘用螺丝固定在真空腔的下面，该真空室底盘的中间有一通孔；一冷井，该冷井为圆桶体，其上下端均封闭，在其下端开有两通孔；一样品座，该样品座固定在冷井的上端。
2.根据权利要求1所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其特征在于，其中该真空腔的侧壁上开有供接线端引出的小孔，在该小孔的外面有封闭盖；在真空腔的内壁的上下端形成有环状凸台。
3.根据权利要求1所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其特征在于，其中该冷井的外周壁面固定有金属膜加热器，该冷井下端两通孔分别为液氮的入口和出口，并与液氮管路相连接。
4.根据权利要求1所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其特征在于，其中该样品座的断面概似一工字形，其上有一传感器，下面有一磁铁。
5.根据权利要求2所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其特征在于，其中在真空腔内壁的凸台上固定有两个接线柱，该接线柱为绝缘材料制成，该接线柱上固定有探针。
6.根据权利要求2所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其特征在于，其中该接线端包括第一接线端、第二接线端、第三接线端，其第一接线端与探针连接，第二接线端与样品座连接，第三接线端与金属膜加热器连接。
7.根据权利要求1所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其特征在于，其中该真空室上罩的中间开有一观察孔，该观察孔上有一透明盖。
8.根据权利要求1所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其特征在于，其中在真空腔与真空底盘、真空腔与真空室上盖之间有一真空密封圈。
9.根据权利要求7所述的一种变温的高阻半导体材料光电测试装置，其特征在于，其中在观察孔和透明盖之间有一真空密封圈。
专利摘要一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其中包括:一真空腔,该真空腔为圆柱体,该真空腔内为真空室;一真空室上罩,该真空室上罩罩扣于真空腔的上面;一真空室底盘,该真空室底盘用螺丝固定在真空腔的下面,该真空室底盘的中间有一通孔;一冷井,该冷井为圆桶体,其上下端均封闭,在其下端开有两通孔;一样品座,该样品座固定在冷井的上端。
文档编号G01N25/18GK2444236SQ0025801
公开日2001年8月22日 申请日期2000年10月24日 优先权日2000年10月24日
发明者张砚华, 卢励吾, 樊志军 申请人:中国科学院半导体研究所